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(模拟电子技术Ⅱ)课程考试试卷(B)卷 考试时间 120分钟，满分100分要求：闭卷[√ ]，开卷[ ]；答题纸上答题[√]，卷面上答题[ ] (填入√)一、填空（20分）1．PN 结加反向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．当晶体管工作在放大区时，发射结电压 偏，集电结电压应为 偏。
3．工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到32μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 。
4．在本征半导体中加入五价元素，形成N 型半导体，其多数载流子为： 。
5．放大电路的静态分析通常使用的两种方法是 、 。
6．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
7．差分放大电路主要用来抑制 。
8．振荡电路一般有三种，分别是： 、 、 。
9．互补对称式功率放大电路中，根据静态工作点的设置不同，电路可以处在甲类、乙类和甲乙类，则甲类功放电路缺点是： ，乙类功放电路的缺点是： ，甲乙类功放电路的优点是： 。
10．整流的作用是将 电转换成 电。
11．集成运放理想化的三个条件是： 、 、 。
二、（10分）如图示，tV u V E i ωsin 105==，，二极管正向压降忽略，画出输出电压uo 的波形。
（第二题图）三、（15分）电路如图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的Au 和Ri 及Ro 。
四、（10分）已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Au f ＝20，其基本放大电路的电压放大倍数Au 的相对变化率为10％，Au f 的相对变化率小于0.1％，试问F 和Au 各为多少？（第四题图） （第五题图）五、（10分）判断如图的电路为什么类型的负反馈？六、（10分）求如图输出U O 与输入U I2、U I2之间的关系。
（第六题图） （第七题图）七、（10分）计算如图中的阈值电压，并画出电压传输特性。
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。
3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
（第 1 页）
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。
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（第 2 页）
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（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。
a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。
a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。
a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。
一、填空题（每空1分，共20分）1、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，其多数载流子为。
2、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_____区。
3、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结，集电结。
4、差分放大电路主要用来放大信号，抑制信号。
5、集成运放通常由、___________、和__________四部分组成。
6、为了稳定放大电路输出电压，应引入负反馈；为了稳定放大电路的输出电流，应引入负反馈；7、电路接成负反馈，产生自激振荡的相位条件是。
8、对于单管共射放大电路，当f=f L时，输出电压与输入电压相位关系是。
当f=f H时，输出电压与输入电压相位关系是。
8、要使集成运放工作在线性区，应引入，要使集成运放工作在非线性区，一般应使集成运放工作在。
10、单相桥式整流电路中，若变压器副边电压有效值U2 = 10V，则输出电压U O(A V) =_____V；若负载电阻R L = 10Ω，整流二极管I D(A V) =_____ A。
二、单项选择题（每小题2分，共20分,将答案写在题后的括号内）1、测得某电路中三极管各极电位分别是7V、2.2V、2.9V，则三极管的三个电极分别是。
( )A (E、B、C)B (B、C、E)C (B、E、C)D (C、E、B)2、下列各组态放大电路中，若要求输入电阻最大，同时具有电压放大作用，应选电路。
（）A 共射组态B 共基组态C 共源组态D 共漏组态3、为了使放大电路的输入电阻增大，稳定输出电压，应引入____ _负反馈。
（）A 电压串联B 电压并联C 电流串联D 电流并联4、通用型集成运放的中间级多采用的电路。
（）A 差分接法B 共集接法C 共射接法D 互补输出接法5、某单端输入、双端输出差分放大电路的共模放大倍数为10，差模放大倍数为200，若输入信号5mV，则输出电压为_________mV。
（）A +1VB -1VC +1.025VD -1.025V6、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
20090706《模拟电子技术》B 答案一、选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案。
每空1分，共14分）二、填空题（共8题，每空1分，共16分）12. 截止 ； -2.3V . 13. 0.7V ； 5V . 14. 共集 ； 共基 . 15. 电压 ； 大 . 16. 33 。
17. 增大 ； 减小 . 18. 27 ； 13.5 . 19. 1 ； 20/3（6.67） .； 23/0.9 （25.6） 。
三、分析计算题（共70分）20. (6分)解:（1）集成运放上“-”下“+”；RC 桥式正弦波振荡电路；(1分)（2）2,4k Ωf ww R R R R ''+>> (2分)（3）max 1min 1211.6kHz;21145Hz;2()o o f R Cf R R Cππ====+ (3分)21. （10分） 解： （1）1R U V I BEQCC BQ -=（U BEQ 可用U on 或0.7V 代替） (3分)BQ CQ I I β=， BQ EQ I I )1(β+=)(32R R I V U CQ CC CEQ +-= (2)LR （4分）beL u r R R A )//(2β-=，其中 EQTbb be I U r r )1('β++= 1//R r R be i = 2R R O =(3)Q 点不变，i R 不变，[]beL ur R R R A //)(32+-=β ，绝对值增大,32R R R O +=，增大（3分）22. （8分）解：s g —间等效电容：Lm gdgs gs R g K C K C C ',)1('-=-+= 4.123.3103.3105)//(-=+⨯⨯-=⨯-=Ld m usm R R g A(1分)由1C 决定的下限频率：11.1C (21）g s R R f +=π由2C 决定的下限频率：2d 1..2)R 21f C R L +=（π由s C 决定的下限频率： 1..3112(//)s mf R Csg π=⋅(2分)显然 1..31..21.11..3,95.5Lf ff f f Hz >>== 4.123.3103.3105)//(-=+⨯⨯-=-=Ld m R R g KpF pF C K C C gdgs gs 725)4.121(5)1('=⨯++=++=(1分)上限频率 Zgs g s H H C R R f 69101.11072221')//(21⨯≈⨯⨯⨯≈=-ππ(2分)所以 6612.4()12.495.595.5(1)(1)(1)(1)95.5 1.1101.110usfj A f ff j j j j f -⋅-==++-+⨯⨯(2分)23. （8分）解：（1）1T 和2T 接成恒流源式差动放大电路 （2分）32121CQ EQ EQ I I I == mA mA R U U I I e BEQ Z EQ CQ 3.0107.07.33333=-=-=≈所以 mA I I EQ EQ 15.021== （2）若要使0=O U ，则mA mA R V I c EE CQ 6.0106)(044==--=mA I I CQ EQ 6.044=≈V V R I V U e EQ CC EQ 7.11)105006.012(3444=⨯⨯-=⨯-=-V V U U BQ CQ 11)7.07.11(42=-==忽略1T 的基极电流，流过2c R 的电流就是22EQ CQ I I ≈，应减小2c R 。
模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性就是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱与区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL与fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者就是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9、3 V,则这只三极管就是( )。
A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图１所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这就是因为它的( )。
A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小RiB.减小C,增大RiC.增大C,减小RiD.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。
模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。
A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。
正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。
正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 姓名___ ___ 分数___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 ，掺杂越多，则其数量一定越 ，相反，少数载流子应是 ，掺杂越多，则其数量一定越 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 ，锗二极管的导通电压约为 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 区和 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 、 、 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 随信号频率而变，称为 特性，而输出信号与输入信号的 随信号频率而变，称为 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为un u u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数u A ＝（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 和 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 、 、 和 。
二．选择题（每题2分，共 分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A ）β （B ） β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 。
（A ）共基放大电路 （B ） 共集放大电路 （C ） 共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE 。
图1 图2 8．图2是B管子的转移特性。
A．N沟道结型FET B．N沟道增强型MOSFET C．P沟道增强型MOSFET D．N沟道耗尽型MOSFET)]R //R )(1(r //[R R L 2e 22be 22i β++=1e 11be 2i 1C 1I1O 1U R )1(r )R //R (U U A β++β-==∙)R //R )(1(r )R //R )(1(U U A L 2e 22be L 2e 22I O 2U β++β+==∙∙∙)R //R )(1(r )R //R )(1(R )1(r )R //R (A A U U A L 2e 22be L 2e 21e 11be 2i 1C 12U 1U IO U β++β+⋅β++β-=⋅==∙∙∙∙∙]R )1(r //[R //R R 1e 11be 2b 1b i β++=221C 2be 2e O 1R //R r //R R β++=五、（12分）组合电路如图，其中A 为理想运放。
已知：U CC = U EE = 15V ，V CES1 = V CES2 = 1V ，R L = 8Ω，试分析：——V1、V2共同构成什么电路？其中V D1 、V D2起何作用？ ——若输入电压足够大，求电路最大输出功率OMAX P ?=——为减小输入阻抗，稳定输出电压，减小非线性失真，应引入什么类型第一级：分压式Q 点稳定电路 第二级：共集放大电路 第一级：b 1b 2b 1BQ R R R V +≈（a ） （b ） 交直流反馈 交直流反馈 电流串联负反馈 电压串联负反馈七、（9分）电路如图，已知变压器副边电压有效值U2为10V ，L R C 3T /2≥。
———标明电路由哪几部分组成；———已知出现可能情况如下： A.正常工作 B.电容开焊C.负载开路D.一只二极管开焊测得输出电压平均值O(AV)U ，选择上述情况中的一种填入空内。
