Lesson 21 Wafers电子技术专业英语教程
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电子科学与技术专业英语复习资料一,单词翻译(20 分)heterojunction collector junction发射结emitter junction 基区base region肖特基接触schottky contact 复合recombination固相扩散Solid phase diffusion 多晶硅polycrystalline微波器件microwave devices 损耗depletion漏电流leakage current 多数载流子majority - carrier少数载流子minority - carrier 封装package电阻resistance 电流current电流密度current density 电压voltage输入端input port 输出端output port近红外near-infrared 紫外ultraviolet传输模式transport form 饱和电流saturation currents光学吸收optical absorption 受激辐射stimulated emission自发辐射spontaneous emission二、阅读理解(20 分)三、段落翻译(40 分)1、The unfolding story of solid-state electronics can be told rather completely in terms of evolving fabrication technology, constantly expanding the number of options available to the device and integrated-circuit designer. It was for technological reasons that an early and important kind of BJT was a germanium PNP device. The term PNP labels the conductivity types of the three regions within a BJT, regions separated by two PN junctions. In later years, and again partly for technological reasons, the dominant BJT was a silicon NPN device. In integrated circuits today, the combination of silicon NPN and PNP devices is a growing practice because the resulting complementary circuits have important power-dissipation and performance advantages. For convenience and consistency, however, and because of its continuing importance, the silicon NPN BJT will be the vehicle for this chapter.根据制备技术的进化,给器件和集成电路设计者的可用选择数不断扩展,使得固态电子学的演变故事可以描述得更为完整。
电子科学与技术专业英语第三章大部分翻译(P139)3.1晶界生长与外延正如前面第一章所讨论的那样,在分立器件和集成电路中最重要的两种半导体是硅和砷化镓,在这一章我们叙述这两种半导体的常用的单晶生长技术,基本的工艺流程是从原料到抛光晶片,原料经过化学处理做成一个用来生长单晶的高纯多晶半导体。
单晶硅锭铸形,以定义材料的直径,这些晶片经过腐蚀和抛光来提供一个光滑的特定的且器件将做在上面的表面。
一种和单晶生长密切相关的技术包含一个单晶半导体层在一个单晶半导体衬底的生长,这叫外延,它是从希腊语epi和taxis得来的,外延工艺提供了一种重要的控制掺杂形貌的技术,以至于器件和电流性能可以被优化。
例如,一个掺杂浓度相称低的半导体层可以在一个同型掺杂而浓度很高的衬底外延生长,通过这种方式和衬底相关联的体电阻将被充分地减少,许多新的器件结构,特别是微波和光学器件,可以通过外延工艺制得。
在这章的后面我们将考虑讨论一些重要外延生长技术。
(p140)3.2从熔体生长单晶从熔体生长单晶有两种基本方法,直拉法和布里奇曼法,用于半导体行业的充足百分比的硅单晶是通过直拉法制备的,实际上所有的用于集成电路制造的硅都是用这方法制备的。
大部份的砷化镓,在另一方面,是通过布里奇曼法生长的。
然而,直拉法在生长大直径的砷化镓方面变得越来越流行。
3.2.1原始材料硅的起始材料是一种相当纯的叫做石英的沙子形式。
它和各种形式的碳被置于炉中,当很多反应在炉中发生时,总的反应式是SI+SIO2=这种工艺生产出纯度98%的冶金及的硅。
下一步,硅被磨碎和氯化氢反应生成三氯氢硅(SIHCL3)SI + 2HCL三氯氢硅在温室下是液体,液体分馏除去不要的杂质,净化过后的SIHCL3用于与氢气反应。
制备电子级的硅(EGS):SIHCL3+这个反应在包括为硅的沉积提供晶体成核点的电阻加热硅棒的反应堆中发生,纯度为电子级别的硅,也就是一个高纯的多晶硅材料,是用于制备器件级质量的单晶硅的未加工材料。
Semiconductor Materials• 1.1 Energy Bands and Carrier Concentration• 1.1.1 Semiconductor Materials固态材料可分为三种: 绝缘体、半导体和导体。
图1-1 给出了在三种材料中一些重要材料相关的电阻值( 相应电导率ρ≡1/δ)。
绝缘体如熔融石英和玻璃具有很低电导率, 在10-18 到10-8 S/cm;导体如铝和银有高的电导率, 典型值从104到106S/cm;而半导体具有的电导率介乎于两者之间。
半导体的电导率一般对温度、光照、磁场和小的杂质原子非常敏感。
在电导率上的敏感变化使得半导体材料称为在电学应用上为最重要的材料。
早在19世纪人们已经开始研究半导体材料。
多年来人们研究了很多半导体材料。
表1给出了与半导体相关的周期表中的部分元素。
由单种元素组成的单质半导体如硅和锗在第Ⅳ族。
而大量的化合物半导体有两个甚至更多元素组成。
如GaAs是Ⅲ-Ⅴ化合物是由Ⅲ族的Ga和Ⅴ族的As化合而得。
在1947年双极晶体管创造之前, 半导体仅用作双极型器件如整流器和光敏二极管。
早在20世纪50年代, 锗是主要的半导体材料。
然而锗不太适合在很多方面应用因为温度适当提高后锗器件会产生高的漏电流。
另外, 锗的氧化物是水溶性的不适合器件制作。
因此20世纪60年代实际上锗被硅所取代, 事实上硅替代锗成为半导体制作的材料之一。
我们用硅材料的主要原因有硅器件存在非常低的漏电流且能够经过热法生长出高质量的二氧化硅。
器件级硅成本远少于其它半导体材料。
硅以硅石和硅酸盐形式存在并占地球地表层的25%, 而且硅元素在分布中排在氧之后的第二位。
当今硅是在元素周期表中研究最多的元素; 硅技术是在所有半导体技术中最先进的。
有很多化合物半导体具有硅所缺少的电光性能。
这些半导体特别是GaAs主要用作微波和光学应用。
虽然我们了解化合物半导体技术不如硅材料的多, 但化合物半导体技术由于硅技术的发展而发展。