变压器漏抗对整流电路的影响
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变压器漏电抗对整流电路的影响一、换相期间的输出电压 以三相半波可控整流大电感负载为例,分析漏抗对整流电路的影响。
在换相(即换流)时,由于漏抗阻止电流变化,因此电流不能突变,因而存在一个变化的过程。
ωt1时刻触发V2管,使电流从a相转换到b相,a相电流从Id不能瞬时下降到零,而b相电流也不能从零突然上升到Id,电流换相需要一段时间,直到ωt2时刻才完成,如图2-23(c)所示,这个过程叫换相过程。
换相过程所对应的时间以相角计算,叫换相重叠角,用γ表示。
在重叠角γ期间,a、b两相晶闸管同时导电,相当于两相间短路。
两相电位之差ub-ua称为短路电压,在两相漏抗回路中产生一个假想的短路电流ik,如图2-23(a)虚线所示(实际上晶闸管都是单向导电的,相当于在原有电流上叠加一个ik ),a相电流ia=Id- ik ,随着ik的增大而逐渐减小;而ib= ik是逐渐增大的。
当增大到Id也就是ia减小到零时,V1关断,V2管电流达到稳定电流Id ,完成换相过程。
在换相过程中,ud波形既不是ua也不是ub,而是换流两相电压的平均值。
与不考虑变压器漏抗,即γ=0时相比,整流输出电压波形减少了一块阴影面积,使输出平均电压Ud减小了。
这块减少的面积是由负载电流Id换相引起的,因此这块面积的平均值也就是Id引起的压降,称为换相压降,其值为图中三块阴影面积在一个周期内的平均值。
对于在一个周期中有m次换相的其它整流电路来说,其值为m块阴影面积在一个周期内的平均值。
由式(2-21)知,在换相期间输出电压ud = ub -LT(dik/dt)= ub -LT(dib/dt),而不计漏抗影响的输出电压为ub ,故由LT引起的电压降低值为ub -ud= LT(dib/dt ),所以一块阴影面积为二、换相重叠角γ 为了便于计算,坐标原点移到a、b相的自然换相点,并设 从电路工作原理可知,当电感LT中电流从0变到Id时,正好对应ωt从α变到α+γ,根据这些条件,再进行数学运算可求得 上式是一个普遍公式,对于三相半波电路,代入m=3可得 对于三相桥式电路,因它等效于相电压为时的六相半波整流电路,电压为,m=6,代入后结果与三相半波电路相同。
漏抗对整流电路的影响整流电路是一种将交流电转换为直流电的电路。
在正常运行时,整流电路能够有效地将交流电信号变为直流电信号,以供电子设备稳定运行。
然而,整流电路在实际使用中还会受到漏抗的影响,从而导致电路性能下降或故障。
首先,我们来了解一下什么是漏抗。
漏抗是指在变压器或电感器的工作中,由于铁芯周围空气间隙或绝缘材料的不完善,使得变压器的磁通未能充分引入铁芯,而从铁芯上方或侧边溜掉一部分,这部分磁通称为漏抗磁通,漏抗磁通必然伴随着漏抗磁阻抗。
漏抗的存在会导致电感器工作效能降低,从而对整流电路产生影响。
首先,漏抗会降低整流电路的转换效率。
在没有漏抗时,电感器可以完全转换交流电信号为直流电信号。
而当有漏抗存在时,部分电流会通过漏抗磁通损耗掉,导致输出的直流电信号减少。
因此,漏抗对整流电路的转换效率具有直接的负面影响。
其次,漏抗还会引起整流电路的电压损耗。
漏抗磁通产生的电流将会导致电压降低,从而导致整流电路输入电压的损失。
这将会影响到电子设备的正常运行,特别是在输入电压较低的情况下,电子设备可能无法正常工作。
此外,漏抗还会导致整流电路的温升增加。
漏抗造成的电压降低会使整流电路输出功率下降。
为了获得所需的输出功率,整流电路需要提高输入功率,这会导致整流电路的能量损耗增加。
这些能量被转化为热量,导致整流电路的温度升高。
当温度升高到一定程度时,可能会导致电路元件的老化、损坏甚至起火。
最后,漏抗还会对整流电路的稳定性产生影响。
漏抗的存在使得整流电路的输出信号具有更大的波动性和噪声。
这将会对电子设备的正常工作产生干扰,特别是对于需要稳定直流电源的设备,漏抗的影响更为显著。
综上所述,漏抗对整流电路具有诸多影响,包括转换效率降低、电压损失、温升增加和稳定性下降等。
在实际应用中,为了减少漏抗对整流电路的影响,我们可以通过优化设计、选择合适的电感器和变压器等方式来提高整流电路的性能。
电力电子技术哈尔滨工程大学智慧树知到答案2024年第一章测试1.以第一只晶闸管的出现作为电力电子技术诞生的标志。
A:错 B:对答案:B2.从公共电网直接得到的电能是交流的,我们不需要进行电力变换就可以直接使用。
A:对 B:错答案:B3.整流变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。
A:错 B:对答案:A4.逆变变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。
A:错 B:对答案:B5.斩波变换把幅值固定或变化的直流电变换成可调或恒定直流电。
A:错 B:对答案:B第二章测试1.按载流子(电子和空穴)参与导电的情况分单极型、双极型、混合型三种。
A:对 B:错答案:A2.能用控制信号控制开通,但不能控制关断的功率半导体器件,称为半控型器件。
A:错 B:对答案:B3.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称作维持电流。
A:对 B:错答案:A4.可关断晶闸管(GTO)是一种( )结构的半导体器件。
A:三层二结 B:五层三结 C:四层三结 D:三层三结答案:C5.电力MOSFET内部寄生了一个反向二极管,所以不能承受反向电压。
()A:对 B:错答案:A6.下面哪种器件属于电压驱动型( )A:igbtB:gtrC:scrD:gto答案:A7.擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。
A:错 B:对答案:A8.当GTR的集电极电压升高至击穿电压时,集电极电流I C迅速增大,这种首先出现的击穿是雪崩击穿,称为A:一次击穿 B:临界饱和 C:反向击穿 D:二次击穿答案:A9.下面属于外因过电压的是A:晶闸管反向阻断恢复过电压 B:IGBT关断过电压C:电力二极管关断过电压 D:雷击过电压答案:D10.晶闸管串联工作时为了防止静态不均压,可采用并联均压电阻的办法。
A:错 B:对答案:B第三章测试1.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是90°。
A:错 B:对答案:A2.单相桥式全控整流电路接大电感负载时,控制角α最大移相范围是120°。
电力电子技术题库 Company number:【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】南通大学电气工程学院电力电子技术题库第二章电力电子器件一、填空题1、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为100A。
若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV,则其额定电压应为60V。
(不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。
)2、功率开关管的损耗包括两方面,一方面是导通损耗;另一方是开关损耗。
3、在电力电子电路中,常设置缓冲电路,其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。
4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
5、电力开关管由于承受过电流,过电压的能力太差。
所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。
二、判断题1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
(√)2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。
(×)3、晶闸管导通后,流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。
(×)4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。
(√)5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后,去掉门极触发信号,晶闸管级能维护导通。
(×)6、在GTR 的驱动电路设计中,为了使GTR 快速导通,应尽可能使其基极极驱动电流大些。
(×)7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。
(√)8、IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。
(×)9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
(×)10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。
(√)三、选择题1、下列元器件中,( BH )属于不控型,( DEFIJKLM)属于全控型,( ACG )属于半控型。
2.3 变压器漏感对整流电路的影响考虑包括变压器漏感在内的交流侧电感的影响,该漏感可用一个集中的电感L B 表示。
现以三相半波为例,然后将其结论推广。
图2-25 考虑变压器漏感时的三相半波可控整流电路及波形VT1换相至VT2的过程:因a 、b 两相均有漏感,故i a 、i b 均不能突变。
于是VT1和VT2同时导通,相当于将a 、b 两相短路,在两相组成的回路中产生环流i k 。
i k=i b 是逐渐增大的,而i a=I d-i k 是逐渐减小的。
当i k 增大到等于I d 时,i a=0,VT1关断,换流过程结束。
换相重叠角——换相过程持续的时间,用电角度g 表示。
换相过程中,整流电压u d 为同时导通的两个晶闸管所对应的两个相电压的平均值。
换相压降——与不考虑变压器漏感时相比,u d 平均值降低的多少。
换相重叠角γ的计算由上述推导过程,可求得:γ 随其它参数变化的规律:(1) I d 越大则γ 越大; (2) X B 越大γ 越大;(3) 当a ≤90°时,α 越小γ 越大变压器漏抗对各种整流电路的影响如下:表2-2 各种整流电路换相压降和换相重叠角的计算注:①单相全控桥电路中,环流i k 是从-I d 变为I d 。
本表所列通用公式不适用; ②三相桥等效为相电压等于23U 的6脉波整流电路,故其m =6,相电压按23U 代入。
变压器漏感对整流电路影响的一些结论:1) 出现换相重叠角g ,整流输出电压平均值U d 降低。
2) 整流电路的工作状态增多。
3) 晶闸管的d i/d t 减小,有利于晶闸管的安全开通。
有时人为串入进线电抗器以抑制晶闸管的d i/d t 。
4) 换相时晶闸管电压出现缺口,产生正的d u/d t ,可能使晶闸管误导通,为此必须加吸收电路。
换相使电网电压出现缺口,成为干扰源。
2.5 整流电路的谐波和功率因数随着电力电子技术的发展,其应用日益广泛,由此带来的谐波(harmonics)和无功(reactive power)问题日益严重,引起了关注。
南通大学电气工程学院电力电子技术题库第二章电力电子器件一、填空题1、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为100A。
若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV,则其额定电压应为60V。
(不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。
)2、功率开关管的损耗包括两方面,一方面是导通损耗;另一方是开关损耗。
3、在电力电子电路中,常设置缓冲电路,其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。
4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
5、电力开关管由于承受过电流,过电压的能力太差。
所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。
二、判断题1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
(√)2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。
(×)3、晶闸管导通后,流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。
(×)4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。
(√)5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后,去掉门极触发信号,晶闸管级能维护导通。
(×)6、在GTR 的驱动电路设计中,为了使GTR 快速导通,应尽可能使其基极极驱动电流大些。
(×)7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。
(√)8、IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。
(×)9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
(×)10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。
(√)三、选择题1、下列元器件中,( BH )属于不控型,( DEFIJKLM)属于全控型,( ACG )属于半控型。
A、普通晶闸管B、整流二极管C、逆导晶闸管D、大功率晶体管E、绝缘栅场效应晶体管F、达林顿复合管G、双向晶闸管H、肖特基二极管I、可关断晶闸管J、绝缘栅极双极型晶体管K、MOS 控制晶闸管L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管2、下列器件中,( c )最适合用在小功率,高开关频率的变换器中。
1、电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在开关状态。
当器件的工作频率较高时,开关损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为载波比,当它为常数时的调制方式称为同步调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为恒定的调制方式称为分段同步调制。
4、面积等效原理指的是,冲量相等而面积不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是电力MOSFET,单管输出功率最大的是GTO ,应用最为广泛的是IGBT。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即6U2,其承受的最大正向电压为2U2。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为有源逆变,如果接到负载,则称为无源逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为__V1;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为V2_;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为__VD1;1、GTR存在二次击穿现象,IGBT存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流移相和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
3、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压_措施。
4、同一晶闸管,维持电流I H与擎柱电流I L在数值大小上有I L_ =(2~4) I H。
125、电力变换通常可分为: AC 变DC (整流) 、 DC 变AC (逆变) 、 AC 变AC 和 DC 变DC (斩波) 。