第2章-基本放大电路-习题解答

第二章2-3 设系统传递函数为342)(2++=s s s G 初始条件0/)0(,1)0(=-=dt dc c 。

求单位阶跃输入r (t)=1(t)时，系统的输出响应c (t)。

【解】系统传递函数与微分方程是一一对应的，故通过传递函数先求出微分方程，然后通过拉氏变换的方法求解微分方程。

系统对应的微分方程为 4()3()2()c c t c t r t ++= 在给定的非零初始条件下，进行拉氏变换22(43)()(0)(0)4(0)s s C s sc c c s++---=整理后2221()(43)(43)s C s s s s s s +=-++++部分分式展开后，拉氏反变换111223242/35/25/6()[()][][](43)(43)13255326t t s c t L C s L L s s s s s s s s e e -----+==-=-+++++++=-+2-4 在图2-48中，已知G (s) 和H (s)两方框对应的微分方程分别为()2()5()4()3()6()c t c t e t b t b t c t +=+=图2-48 习题2-4系统结构框图且初始条件为零，试求传递函数C (s)/R (s)。

【解】求出每个方框的传递函数，利用反馈等效的方法求C(s)/R(s)。

根据定义可得 5()2G s s =+，6()43H s s =+ 255()5()25(43)10075(2)56()1()()(2)(43)30411361(2)(43)C s G s s s s R s G s H s s s s s s s +++====+++++++++2-5 图2-49是由电阻、电容和运算法放大器组成的无源网络和有源网络，试列写以V in (t)为输入量，V out (t)为输出量的传递函数。

(a) （b ）(c) (d)图2-49 习题2-5电路图【解】(a) 1211211,1RZ R Z C s RC s C s===+ 22112121211()1()11Z C s RC s G s R Z Z R C C s RC s C s +===+++++（b ） 21122211R Z R Z R Cs R Cs ===+ 2222111211()1R Z R Cs R G s Z R R R Cs +=-==-+ (c) 32321123232321()(1)1()1()1R R R R Cs Cs Z R Z R R Cs R R Cs R R Cs++==+==++++ 323232211132(1)()11()()1R R Cs R R Cs R Z R Cs G s Z R R R R Cs ++++=-=-=-++ (d)本题和(b)、(c)做法图通，因为反馈通路有接地的部分。

负反馈
电压串联负反馈
交流负反馈
电压并联负反馈 电流串联负反馈
电流并联负反馈
5
2-5 在图中所示电路中，哪些可以实现交流电压放大？哪些 不能实现交流电压放大？为什么？
RB
+
ui C1
RC UCC
+
C2 u0
RB
+
ui
C1
RC UCC
+
C2 u0
RB
+
ui C1
a)
U CC
+
C2 u0
c)
b)
RC
U CC
d） 不能；交流通路，输入电阻ri短路为0。
8
2-6 画出图中电路的直流通路和交流通路。设各电路工作 在小信号状态，画出它们的微变等效电路。
RB1
C1 + +
ui
RB 2
RC
+
C2
RE
+
C3
U CC
+
u0
+ C1R+B
ui
U CC
+ C2 +
RE
RL u0
a)
b)
9
a) 直流通路
交流通路
RB1 RB1
3
2-3 射极跟随器有哪些特点？应用在哪些场合？
特点：1）电压放大倍数Au≈1且输出电压与输入电压相 位相同。
2）输入电阻大 3）输出电阻小
应用：①作为多级放大器的第一级，以减少信号电压在信 号源内阻上的损耗，尽可能获得较大的净输入信号电压。 ② 作为多级放大器的输出级，以增强带负载能力。
4
2-4 放大电路的负反馈有哪些类型？ 直流负反馈

《电子技术》习题与解答第二章：半导体二极管和三极管、第三章：基本放大电路一、单项选择题*1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大，反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。

A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。

A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5．晶体管的主要特性是具有（ D ）。

A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。

A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o *9．射极输出器电路如题9图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。

则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。

A 、两者反相，输出电压大于输入电压B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°，且大小相等D 、两者同相，输出电压大于输入电压 *11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变，符号改变 13．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。

题2图题9图A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。

第2章放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,和3V 、12V 、，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。

（1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故对应的管脚○3为基极，U B =，○2脚电位与○3脚基极电位差为，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管为PNP 锗管。

（2）由于○3脚电位为介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚，故○1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN 硅管。

对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算其β值。

解：（a ）因为i B <i C <i E ，故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。

由电流流向可知是NPN 管：4904.096.1==≈mAmAi i B C β （b ）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。

由电流流向知是PNP 管10001.01==≈mAmA i i B C β 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的图图I B 、I C 、U CE 。

解：（a ）mA k VV I B 1.0517.06≈Ω-=设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V由于U CE =6V>U CE =，三极管处于放大状态，故假设成立。

因此三极管工作在放大状态，I B =，I C =10 mA ，U CE =6V 。

（b ）mA k VI B 077.056)7.05(=Ω-=设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×= 则U CE =-(5V －×3k Ω)=-(5V － ＞0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V3.0-5=Ω=-==因此三极管的I B=，I C=，U CE=U CES≈（c）发射结零偏置，故三极管截止，I B=0，I C=0，U CE=5V。

第二章 电路的基本分析方法2.1 求题2.1图所示电路的等效电阻。

解：标出电路中的各结点，电路可重画如下：(b)(a)(c)(d)6Ω7ΩΩaaabb bddcb(a)(d)(c)(b)bΩ4Ω（a ）图 R ab =8+3||[3+4||（7+5）]=8+3||（3+3）=8+2=10Ω （b ）图 R ab =7||(4||4+10||10)=7||7=3.5Ω（c ）图 R ab =5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+3.43)=2.6Ω（d ）图 R ab =3||(4||4+4)=3||6=2Ω（串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路）2.2 用电阻的丫-△的等效变换求题2.2图所示电路的等效电阻。

解：为方便求解，将a 图中3个6Ω电阻和b 图中3个2Ω电阻进行等效变换，3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换，变换后电路如图所示。

（a ） R ab =2+(2+3)||(2+3)=4.5Ω （b ） R ab =6||(3||6+3||6)=6||4=2.4Ω2.3 将题2.3图所示电路化成等效电流源电路。

bab a(b)(a)题2.2图(b)(a)题2.3图babΩ(a)(b)解：（a ）两电源相串联，先将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，最后再变换成电流源；等效电路为（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与5A 恒流源串联的9V 电压源亦可除去（短接）。

两电源相并联，先将电压源变换成电流源，再将两并联的电流源变换成一个电流源，等效电路如下：2.4 将题2.4图所示电路化成等效电压源电路。

解：（a ）与10V 电压源并联的8Ω电阻除去（断开），将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，再变换成电流源，最后变换成电压源，等效电路如下：（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与2A 恒流源串联的4Ω亦可除去（短接），等效电路如下：(a)(b)题2.4图abaababab abb bbb2.5 用电源等效变换的方法，求题2.5图中的电流I 。

>VZ
说明稳压管DZ已经导通，假定不正确，V0=VZ=6V。
由于IZmin<IZ<IZmax，说明稳压管DZ已经导通，并且能正常工作。
（2）当负载开路时，稳压管中的电流等于限流电阻中的电流，即
>IZmax
稳压管将因功耗过大而损坏。
2-16在测试电流为28mA时稳压管的稳压值为9.1V，增量电阻为5Ω。求稳压管的VZO，并分别求电流为10mA和100mA时的稳压值。
解：（1）根据
其中
（2）如果流向负载的电流为1mA，则流过二极管的电流为
则
所以输出电压的变化为：
2-7在题2-7图所示电路中，设二极管为理想的，试判断图中各二极管是否导通，并求VAO值。
解：根据题意，电路中的二极管都是理想的。
（a）二极管D不通
（b）D导通
（c）D1导通，D2不通
（d）D1、D2均导通，则
（3）求该放大器的通频带 。
（4）放大器输入信号 时，是否会产生频率失真？请说明原因。
（5）放大器输入信号 时，是否会产生频率失真？请说明原因。
答：
（1）
（2） ，
（3）
（4）单一频率的信号，不会产生频率失真；
（5）不同频率信号的放大倍数不同，会产生频率失真
6-10已知某放大电路的的电压放大倍数为 。
（1）求解 ；
（2）画出波特图。
答：
6-11已知某放大电路的波特图如图P6-11所示，试写出电压放大倍数 的表达式。
图P6-11
答：
6-12阻容耦合放大器幅频特性如图P6-12，问：
图P6-12
（1）给放大器输入 ， 的正弦信号时，输出电压 为多少？
（2）给放大器输入 ， 的正弦信号时，输出电压 为多少？

第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60
第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74
第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90
第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114
第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
第1章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
则 =( )≈( 3 ) 。
(2)若测得输入电压有效值 时，
输出电压有效值 ，
则电压放大倍数 ( )≈( -120 )。
若负载电阻 值与 相等，则带上图T2.3
负载后输出电压有效值 ( )=( 0.3 )V。
四、已知图T2.3所示电路中 ，静态管压降 并在输出端加负载电阻 ，其阻值为3 。选择一个合适的答案填入空内。
试问：(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
(2)R的取值范围是多少？
解：(1)S闭合。
(2)R的范围为:
图P1.7
1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。
(a) (b) (a) (b)
(a) (b)
图T1.4
解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V，=100，UBE=0.7V。
试问：
(1)Rb=50k时，Uo=?
(2)若T临界饱和，则Rb=?
解：(1) ，
,
。图T1.5
(2)∵ ，
∴
六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表Tl.6所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

Au Uo / Ui 1.2 / 0.02 60
Ai
io
/ ii
Uo / RL
Us Ui /
Rs
1.2 /1
0.03 0.02 / 0.6
72
Ap Au Ai 60 72 4320
Au dB 20 lg Au 20 lg(60) 35.6dB Ai dB 20 lg Ai 20 lg(72) 37.1dB
Au＝60（35.6dB），Ai＝72（37.1dB），Ap＝4320（36.4dB），Ri＝1.2kΩ，Ro＝0.5kΩ
4
2. NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝80，
UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝3.3k，RB＝470k，RC＝
（2）Au＝－75，Aus＝－43，Ri＝1.37kΩ，Ro ＝3kΩ
7
5．NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝
100，UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝500，RB1＝33k，
RB2＝10k，RC＝4.7k，RE＝2k，RL＝5.1k，电源电压＋VCC＝＋12V。
91
Ri RB1 / / RB2 / /rbe
1
1 1
1
2kΩ
33 10 2.68
Ro RC 4.7kΩ
Aus
Ri
Ri Rs
Au
2 0.5
2
91
73
Rs 500Ω
us
ui
RB2 10kΩ
RL 5.1kΩ
uo
+
RE 2kΩ CE
（1）IBQ＝10.5μA ，ICQ＝1.05mA，UCEQ＝5V （2）Au＝－91，Aus＝－73，Ri＝2kΩ，Ro＝4.7kΩ 8

任务4.1共发射极放大电路习题解答一、测试（一）判断题1、若Ue>Ub>Uc,则电路处于放大状态，该三极管必为NPN管。

答案：F解题：是PNP型三极管。

2、正弦信号经共射放大器放大后出现上半周失真，表明偏置电阻RB的阻值太大。

答案：T解题：上半周失真表示输入信号负半周被失真。

静态点偏低，RB电阻偏大。

3、在基本共发射极放大电路中，当系统电源U CC增大时，若电路其他参数不变，则电压放大倍数应增大。

答案：F解题：系统电源提升，电路不改变工作区，放大倍数不变。

4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

答案：F解题：只要有电流或电压放大就可以实现放大作用。

5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

答案：T解题：放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作.6、三极管电压放大倍数A u反映了放大电路对电压的放大能力，定义为放大电路的输出电压U o与输入电压U i之比。

答案：T解题：三极管电压放大倍数Au反映了放大电路对电压的放大能力，定义为放大电路的输出电压Uo与输入电压Ui之比。

7、三极管放大电路的输入电阻Ri是从放大电路的输入端看进去的交流等效电阻，它等于放大电路输入电压与输入电流的比值。

答案：T解题：三极管放大电路的输入电阻Ri是从放大电路的输入端看进去的交流等效电阻，它等于放大电路输入电压与输入电流的比值。

8、在共发射极放大电路中，温度上升, 反向饱和电流I CBO增加, 穿透电I CEO=(1+β)I CBO也增加。

答案：T解题：在共发射极放大电路中，温度上升, 反向饱和电流I CBO增加, 穿透电I CEO=(1+β)I CBO也增加。

9、在分压偏置电路中，发射极电阻R E实现静态工作点的稳定，因为当温度上升使I C增大时，I E随之增大，U E也增大；因基极电位U B=U BE+U E保持恒定，故U E增大使U BE减小，引起I B减小，使I C相应减小，从而抑制了温升引起的I C的增量，即稳定了静态工作点。

M=
Au (ω ) ≤ 0.1 。所以由选择性确定的 QL 值为： Au 0
QL ≥ f0 2∆f 1 M
2 n
−1 =
10.7 2*0.25
解上式可得：
r= =
1 1 ω0 L − ω6 × 5 × 10−6 − 2π × 10 × 106 × 45 × 10−12 3 ≈ 22.8Ω
故谐振时的品质因数为：
Q=
ω0 L
r
=
2π × 10 × 106 × 5 × 10−6 ≈ 13.78 22.8
当由 ab 两端看过去时，有：
易知其谐振频率为 ωab =
LC1 1 ，谐振时的阻抗为 Z ab = C2 (C1 + C2 )r CC L 1 2 C1 + C2
综合以上分析，可知当分别从 bc 、 ac 或 ab 端看去时，谐振频率均为 ω =
1 ，谐振 C1C2 L C1 + C2
时的阻抗之比亦可照此求出。 2.3.1 在图题 2.3.1 所示的电容分压式并联谐振电路中， Rg = 5k Ω ， RL = 100k Ω ， r = 8Ω ，
L = 200µ H ， C1 = 140 pF ， C2 = 1400 pF ，求谐振频率 f 0 和 3dB 通频带宽 BW0.7 。
C1
iS
Rg
L
RL C2
图题 2.3.1 解：等效电路图如下所示：
r
is'
' Rg
C1 C2
R p L RL
故有： f 0 =
ωL 1 = 1MHz ， Q0 = 0 = 157 ， RP = rQ02 = 197 k Ω r C1C2 2π L C1 + C2

习题【2-1】填空、选择正确答案1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；√B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路；C．将输入交流信号加到晶体管的基极。

2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中：A．只有直流；B．只有交流；√ C．既有直流，又有交流。

3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。

（I CQ；I CQ）4．下列说法哪个正确：A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；√B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率；C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。

5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。

a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变）(1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。

（a）(2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。

（b；a；c）(3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。

（b；a；c）(4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。

（c；b）(5) V cc减少时，直流负载线的斜率。

（c）6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。

（越好）7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。

（饱和区）8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。

（基本不增加）9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。

（增加）10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。

√ A．放大倍数变大，输出电阻变大B．放大倍数变大，输出电阻不变C．放大倍数变小，输出电阻变大D．放大倍数变小，输出电阻变小11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。

第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 知识点归纳1. 晶体管的类型及工作状态晶体管有NPN 、PNP 两种类型，它们均有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。

主要有三种工作状态：放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置）、饱和状态（发射结正向偏置、集电结正向偏置）、截止状态（发射结反向偏置、集电结反向偏置）。

（1）根据管脚电流判别晶体管的工作状态方法如表2-1所示（2）根据工作电压判别NPN 管的工作状态方法如表2-2所示。

PNP 管工作电压的极性和各极电流方向与NPN 管相反。

2. (1) 晶体管的电流关系① 晶体管三个电极的电流关系为：B C E I I I +=② 工作于放大状态时B C I βI ≈B E )1(I βI +≈其中B I 最小、C I 居中、E I 最大。

对于NPN 管：E I 流出晶体管，B I 、C I 流入晶体管。

对于PNP 管：E I 流入晶体管，B I 、C I 流出晶体管。

(2) 两种极间反向电流：集电极-基极反向饱和电流I CBO 与集电极-发射极反向穿透电流I CEO 的关系I CEO = (1+β)I CBO(3) 两种电流放大系数：共基极交流电流放大系数α与共发射极交流电流放大系数β的关系α-=1αβ，ββα+=1 (4) 晶体管的放大作用晶体管是一种电流控制型器件，它要具有放大作用除了满足发射区掺杂浓度高、基区很薄、集电结面积大的内部结构条件外，还必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。

此时，各电极电位之间的关系：NPN管U C＞U B＞U EPNP管U C＜U B＜U E硅管的BEU约为0.2~0.4V。

U约为0.6~0.8V，锗管的BE3. 晶体管放大电路的组成原则(1) 确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件。

(2) 确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。

(3) 确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。

第 2 章基本放大电路及其分析习题解答2.1 三极管放大电路为什么要设置静态工作点，它的作用是什么？解：防止产生非线性失真。

2.2 在分压式偏置电路中，怎样才能使静态工作点稳定，发射极电阻的旁路电容C E 的作用是什么，为什么？解：使静态工作点稳定条件l2»l B和V B»U B E。

称为发射极电阻的旁路电容C E 对直流而言，它不起作用，电路通过R E 的作用能使静态工作点稳定；对交流而言，它因与R E并联且可看成短路，所以R E不起作用，保持电路的电压放大倍数不会下降。

2.3 多级放大电路的通频带为什么比单级放大电路的通频带要窄?解：因为多级放大电路的电压放大倍数大于单级放大电路的电压放大倍数，而放大电路的电压放大倍数和通频带的乘积基本为常数，所以多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。

2.4 对于共集电极放大电路，下列说法是否正确?(1) 输出信号方向与输入信号方向相反。

(2) 电压放大倍数小于且约等于1。

(3) 输入电阻大。

(4) 输出电阻小。

解：(1) 不正确。

(2) 、(3) 和(4) 正确。

2.5 放大电路的甲类、乙类和甲乙类三种工作状态各有什么优缺点？解：甲类：静态工作点Q大致落在交流负载线的中点，功率损耗大效率低，不失真。

乙类：静态工作点Q下移到截止区处，功率损耗很小，效率高。

但此时将产生严重的失真。

甲乙类：静态工作点Q下移到接近截止区，功率损耗较小，失真也较小。

2.6 什么是交越失真？如何克服交越失真，试举例说明？解：放大电路工作于乙类状态，因为三极管的输入特性曲线上有一段死区电压，当输入电压尚小，不足以克服死区电压时，三极管就截止，所以在死区电压这段区域内(即输入信号过零时)输出电压为零，将产生失真，这种失真叫交越失真。

为了避免交越失真，可使静态工作点稍高于截止点，即避开死区段，也就是使放大电路工作在甲乙类状态。

2.7为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏压电路？ 解：因为增强型绝缘栅场效应管的U GS 为正，所以，自给偏压电路不适应增强型绝缘栅场效应管，只适应耗尽型绝缘栅场效应管。

第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2V U O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。

图略。

六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mAUCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。

2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCC UCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BBU BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。

习题u i /V101.1（ 1） A C （ 2）A（3） C（ 4）AtO1.2 不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

u o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。

tO1.4u i和 u o的波形如图所示。

u i/V53O-3u O/V3.7O-3.7 1.5u o的波形如图所示。

u I1/V t t30.3Otu I2/V30.3tOu O/V3.71O t1.6I D＝（ V － U D） /R＝2.6mA ， r D≈ U T/I D＝ 10Ω， I d＝ U i/r D≈ 1mA 。

1.7（ 1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。

308
Ri Rb // rbe rbe 1.3k RO RC 5k
2-4-7
RL＝3kΩ时, UCEQ 、电压放大倍数、输入电阻 和输出电阻分别为：
U CEQ RL VCC I CQ ( RC // RL ) 2.3V Rc RL
' RL Au 115 rbe
带载时：根据电路的输入回路得到IBQ＝20µ A， 根据电路的输出回路电压方程uCE= VCC'–iCRL'画出输出 负载线A-C, 确定 ICQ＝2mA，UCEQ＝3V； A
0.6V
C
VCC'
VCC
最大不失真输出电压幅值约为2.4V，有效值约为1.70V。
2-4-5
2.7电路如图所示，晶体管的＝80， rbb′=100Ω。分 别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q和Au、Ri 和RO。 解: 在空载和带负载情况下， 电路的静态电流、rbe均相等， 它们分别为： VCC U BEQ U BEQ I BQ 22 μ A Rb RS
3 –1– 21
iD
综上所述:
当uGD < uGS(off）时， iD几乎仅仅决定于 uGS ，而与uDS无
iiD D
关。可以把iD近
似看成uGS控制 的电流源。
3 –1– 22
三、绝缘栅型场效应管（ MOS 管）
源极 栅极 漏极
S G D
G
D
B S
P型衬底
N 沟道增强型场 效应管
3 –1– 23
U GS th PMOS 管为电压
控制器件，当 uGS <UGS(th) P ，MOS 管导通。
类型 N沟道 耗尽型 绝缘栅 型场效 应管 P沟道 耗尽型 绝缘栅 型场效 应管

26 ≈ 2.93k Ω ② rbe = 300 + (1 + β ) I EQ
ɺ RL=∞时， Au = 时 rbe + (1 + β ) Re
ɺ Ui
-
+ɺ Uo -
(1 + β ) Re
≈ 0.99 ≈ 0.97
ɺ RL=1.2k 时， Au =
rbe + (1 + β ) Re // RL
(1 + β ) Re // RL
26 26 = 200 + 101× ≈ 1.5k Ω ② rbe = rbb′ + (1 + β ) I EQ 2 β ( Rc // RL ) = −100 ③ Au = − 是截止失真，应减少R ④是截止失真，应减少 b rbe
习题2-14 在图 在图P2-14的电路中，设β=50，UBEQ=0.6V。 的电路中， 习题 的电路中 ， 。 求静态工作点； 画出放大电路的微变等效电路； ①求静态工作点；②画出放大电路的微变等效电路； 求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 ③求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 +VCC 解：① VCC = I BQ Rb + U BEQ + (1 + β ) I BQ Re +12V Rb
②微变等效电路
ɺ Ui
Re 2k
+ ɺ Uo _
26 ≈ 1.63k Ω ③ rbe = 300 + (1 + β ) I EQ β ( Rc // RL ) Au = − ≈ −0.94 rbe + (1 + β ) Re
ɺ Ui
rbe
Rb
β Iɺb RL