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TFT-Array工艺

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TFT-LCD ARRAY制程介绍

TFT-LCD ARRAY制程介绍

PVD
20040531
29
缺角欠損-PHO
GE_D
PVD膜完整無欠損
20040531
30
Al殘-PHO
GE_D GE_D GE_D
GE_D
GE_R
GE_R
樹枝狀異物 TEL PHO Ionizer噴嘴髒
20040531 31
Al殘-PVD
GE_D
GE_R
20040531 32
GOCO-PVD
學習目標
暸解TFT的結構 暸解TFT-LCD Array之製造流程 簡易Array相關缺陷介紹20040531来自1TFT產業結構
TFT基板 TFT基板 玻璃 彩色濾 光片 偏光片 CCFL TFT面板 液晶監視 器 液晶電視 背光模 組 控制IC 驅動IC 導光板 PCB 訊號傳 輸IC CCFFL
pvdthinfilm膜厚均一性均一性膜厚particle製程別製程別部門部門2004053120缺陷判斷之技巧與工具缺陷判斷之技巧與工具點線不良判定點線不良判定tft電性電性缺陷形狀缺陷形狀大小大小位置位置斷面元素比對元素比對缺陷形狀缺陷形狀大小斷面大小斷面斷面顏色顏色透光顏色顏色斑點透光斑點mura條紋條紋明暗明暗技巧技巧缺陷全檢再以缺陷全檢再以omreview顯示特性檢查顯示特性檢查缺陷正確位置確認缺陷正確位置確認taper量測缺陷成分比對缺陷成分比對量測3um以下之缺陷解析以下之缺陷解析3um以上之缺陷檢查以上之缺陷檢查快速快速明顯之缺陷檢查明顯之缺陷檢查適用範圍適用範圍點不良檢查機點不良檢查機tegfib斷面分析斷面分析eds成分分析成分分析semom顯微鏡顯微鏡斜光斜光目視目視工具工具方法方法2004053121例例1
Au as spattering metal.

Array工艺设备介绍

Array工艺设备介绍
Light Photo Mask
Photo Resist
Thin Film
Glass
PR coating
Photo Resist Thin Film Glass
Exposure
Develop
涂覆前基板表面处理：清洗等
感光树脂涂覆、干燥
Clean
DB
COATER VCD
SB
TCU
Indexer
AOI
HB
感光性树酯涂覆： 1）感光树酯涂布
2） 减压干燥
Photo Resist
Coating Nozzle Glass
3）加热干燥
20
Hot Plate Hot Plate
Exposure
曝光：利用紫外光经过Mask照射到Plate上，使PR胶感光，形成特定的图案。
Canon：Mirror Scan
凹面镜 凸面镜
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip
Initial Clean
利用化学药液如酸湿 法刻蚀金属
利用化学药液将残留 PR胶剥离
投玻璃处对Glass进行 清洗
Al/Cu
Sputtering Chamber (SP5) Sputtering Chamber (SP4) Sputtering Chamber (SP3) Heater Chamber L/UL Chamber L/UL Position
Mo/Cu
Metal Sputter：4 Sputtering Chamber 对应大尺寸 TV产品Gate & SD膜厚增加

Array工艺设备介绍

Array工艺设备介绍
ITO Sputter：1 Sputtering Chamber
14
GPCS (General Process Control System)
PECVD
PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
PECVD采用13.56MHZ射频电源使含有薄膜组成原子的气体电离，形成等离子体，在基板上反应，沉积薄膜。在TFT工 艺中，PECVD主要进行FGI、MULTI及PVX Film沉积。
Process Chamber
Transfer Module
P/C-2
P/C-1
T/M
高真空 P/C-3
Load Lock ATM Arm Indexer
L/L
真空大气 之间转化
大气机械手
USC
Port 1 Port 2 Port3
L/L: 连接真空和大气压的一 个Chamber。Glass进入此 Chamber以后，Valve关闭， 开始抽真空。
9
Sputter
Sputter的作用： Sputter在Array工艺中负责进行Gate, S/D 以及ITO Layer的溅射镀膜。
a-Si
SD(Source)
SD(Drain)
PVX(Passivation SiNx )
VIA Hole
ITO
GI(Gate Insulator)
n+ a-Si
Gate
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip

TFT-ARRRY制程动画演示

TFT-ARRRY制程动画演示

glass
Strip （剥落光阻胶）
glass
TEXT
glass
TEXT
glass
glass
N+Cut（N+ 切割）
glass
Strip （剥落光阻胶）
glass
七 PV PEP Cleaning
cleaning
glass
P-CVD
glass
Coating （涂覆光阻胶）
glass
Exposure （暴光）
glass
Developing （显影）
glass
Dry etching（干蚀刻）
glass
二 I/S PEP 清洗
清洗
玻璃基板
AP-CVD
Gate SiOx
SiH4 O2 N2
glass
清洗
清洗
玻璃基板
P-CVD
SiOx
g-SiNx
a-si
SiNx
SiH4 NH3 N2
SIH4 H2 SIH4 NH3 N2
SiH4 N2O N2
glass
Clenaing
cleaning
glass
S/D Sputter（Sourse Date Line 溅镀）
S/D sputter
glass
S/D Cleaning（S/D 清洗）
cleaning
glass
Coating （涂覆光阻胶）
glass
Exposure （暴光）
glass
Developing （显影）
glass
S/D Etching（S/D蚀刻）
ITO cleaning
glass
ITO sputter（ITO溅镀）

TFT-LCDARRAY,CELL,MODULE工艺技术介绍

TFT-LCDARRAY,CELL,MODULE工艺技术介绍

时间/min
1000 800 600 400 200 0
1.节省时间：1462-1398=64min
2.节省设备：1套 InlinePR+曝光机
6
二、4Mask与5Mask工艺对比
5 Mask – D工程和I 工程
曝光
4 Mask – D/I 工程
曝光 DI-工艺
I-工艺
D1-WE
I-DE 曝光 D-工艺
SOURCE
电路部件 偏光板
P-SiNx
DRAIN
n+ a-Si
GLASS a-Si GATE
G-SiNx
3
一、 TFT的基本构造
接触孔 ITO像素电极 PI工程
C工程
SOURCE DRAIN D工程 P-SiNx
n+ a-Si a-Si I 工程 GATE
GLASS
G-SiNx
G工程
4
二、4Mask与5Mask工艺对比
干刻（DE)
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜
剥离
去掉残余的光刻胶8 Nhomakorabea洗净
卸料
周转盒
MS
传送装置 机械手 气刀
高压喷射
刷洗 药液喷淋 UV 传送装置
机械手
装料 9
洗净
ＵＶ 药液 刷子 高圧 ＭＳ Ａ／Ｋ
Ｐ Ｕ Ｖ
Ｄ Ａ
排 水
Ｐ 刷洗
Ｐ 高 压 喷射
纯 水
排 水 Ｍ Ｓ
Ｄ Ａ
药 液
洗净 功能
洗净对象 作 用
氧化分解 有机物 (浸润性改善) ＵＶ/Ｏ３
溶 解 有机物 溶 解
机械剥离 微粒子 (大径)

名词解释：TFT阵列工序(TFT array process)

名词解释：TFT阵列工序(TFT array process)

名词解释：TFT阵列工序（TFT array process）从制造的角度来看液晶面板的话，可分为TFT阵列工序、液晶单元工序、液晶模块工序三类。

各工序使用专用制造装置及部件和材料。

在这些液晶面板制造工序中，尤其是TFT阵列工序和液晶单元工序决定液晶面板显示性能的重要工序。

其中，TFT阵列工序对面板制造成本的影响尤为突出。

TFT阵列是对液晶进行驱动的电路基板。

TFT和显示像素电极被排列在玻璃基板上，用于驱动TFT的栅极布线、输送加载在像素上的电压信号的信号布线纵横交错。

TFT阵列工序与半导体的制造工序相似。

与在硅晶圆上制造半导体电路一样，通过反复实施成膜、光刻及蚀刻工序，在玻璃基板上制造出TFT阵列。

制造TFT阵列的各工序所使用的制造装置在原理上也与半导体制造装置相同。

制造装置的性能会影响液晶面板的性能。

同时，制造装置的生产效率（玻璃基板的处理能力以及工艺材料的使用量），以及制造装置的集合体即制造生产线的整体效率也会大大影响液晶面板的成本。

比如，业界为提高制造生产线的生产效率，多年来一直在努力削减掩模数。

掩模数是指成膜工序、光刻工序及蚀刻工序的反复次数。

掩模数的削减在液晶面板制造的技术革新中起到了突出的作用。

19世纪80年代中期，松下电器产业首次投放市场的3英寸彩色液晶电视所使用的面板就是通过8张掩模的工序制造的。

之后，各液晶面板厂商为了减少TFT阵列的工序数量，压缩投资金额，积极展开了减少掩模数的开发。

目前已减少到了4张掩模，工序数量大为减少。

另外，一直在支撑着PC用及电视用液晶面板走向大屏幕化、值得一提的技术是玻璃基板的大尺寸化。

19世纪90年代初TFT液晶面板开始量产时最初使用的是300mm×400mm左右的第一代基板，而目前已发展到了了2880mm×3130mm的第十代基板。

液晶面板尺寸一直加大的话，一块玻璃基板能够获得的面板数量就会减少，使生产效率下降。

为了对此进行弥补，就必须使玻璃基板实现大尺寸化。

Array工艺流程讲解-


SD 工艺
⇒ 1SD Wet Etch ⇒ 1SD Dry Etch ⇒ 2SD Wet Etch ⇒ 2SD Dry Etch ⇒ 剥离
工艺评价方式：CD、 Taper、 CD Loss、PI、MM
2W2D 工艺， B4 工艺特点
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
Array工艺SD&Active层 Etch工艺步骤
2W2D 模式 1W1D 模式
1st Wet Etch • Wet Etch设备
1st Wet Etch • Wet Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Channel SD层 • Wet Etch设备
Channel SD 层 • Dry Etch设备
Sputter：Mo/Al/Mo 工艺评价方法：RS
工艺评价方法：CD（W目e标t Etch 值± 1μm）、重合精度工艺评价方式：CD，Taper （Spec： ± 1μm）
光
光
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
FGI成膜 ⇒ Multi 成膜 ⇒
SD 成膜 ⇒ 涂光刻胶 ⇒ 曝光 ⇒ 显影
SDT Mask
Pre Clean FGI Dep Multi Dep Pre Clean SD Dep SDT Mask 1st Wet Etch ACT/Ashing 2nd Wet Etch N+ Etch SDT Strip
PVX Mask
PVX Dep PVX Mask PVX Etch PVX Strip

TFT Array制程技术简介(20080917)

TFT Array製程技術~The Technology of TFT Array Processing中小事業部產品設計總處面板設計處AR設計部isplaying your vision!isplaying your vision!E/B and E/S TFT StructureData Line &SourcePassivation SiNxGate Line Cs Line & CstGate InsulatorGlass SubstrateGate Line & CstGlass Sub.Passivation SiNxGate InsulatorData Line & SourceE/B Type TFT & Cs on Common TFT Array StructureE/S Type TFT & Cs on Gate TFT Array StructurePixel Elements isplaying your vision!isplaying your vision!5-Photo Exposure ProcessInsulatorPassivation(1)Gate Patterning (Mask 1)(2)SiN/a-Si/n+ a-Si Deposition(3)a-Si Pattering (Mask 2)(4)S/D Metal Patterning (Mask 3)(5)Back Channel Etching for B/E structure (6)Passivation Layer Coverage(7)Contact Hole/ Window Etching (Mask 4)(8)ITO Pixel Electrode Patterning (Mask 5)a-Si TFT BCE Profileisplaying your vision!From Innolux 7” 2005GE Patterning (Mask 1)isplaying your vision!GI and SE Layer Depositionisplaying your vision!Crossover CoverageActive Layerisplaying your vision!Data Line &SourceElectrode isplaying your vision!Back Channel Etching Data Line &SourceElectrodeisplaying your vision!CH Layer Deposition Passivation Layer(SiNx)isplaying your vision!Passivation Layer(SiNx)isplaying your vision!PassivationLayer (SiNx) isplaying your vision!PVD/ Sputteringisplaying your vision!Metal and AlloyGate Source/DrainAUO Mo/AlNdTi/Al/TiMoWMo/Al/MoCMO MoN/AlNd MoN/Al/MoN HANNSTAR MoWMo/AlNd/MoMo/AlNd/Mo Innolux Al/Mo Mo/Al/Mo AUO(QDI)Al/Ti Ti/Al/TiNCPT CrAlNdNMoNbCr MoNb Mo/Al/Moisplaying your vision!PECVDHeat StageSubstrateisplaying your vision!Thin Film Quality⏹理想的閘極絕緣層(Gate insulator) 性質:良好的階梯覆蓋能力(Good Step Coverage)適中的介電常數(Dielectric Constant)高崩潰電壓(High Breakdown V oltage)低薄膜應力(Low Stress)與a-Si 有良好的界面（Good interface with a-Si film)⏹理想的保護層(Passivation Layer) 性質:抗水氣能力佳(Diffusion Barrier Against Moisture)抗鹼金屬離子滲透力佳(Diffusion Barrier Against Alkali Ions)硬度佳，可承受機械性刮傷低製程溫度isplaying your vision!isplaying your vision!SiNxParticleSiNxPinholePECVDSiNx:4000A a-Si:1500A n+a-Si:300A洗淨、、a-Si/n+洗淨SPUTTERINGSD MetalGateGate a-Si / n+The Pin Holesisplaying your vision!PECVDSiNx:3000APECVD SiNx洗淨SiNxGateSiNxSiNxPinholeGate PECVD SiNx:1000ASiNxGate GateGateisplaying your vision!SiNx:4000A a-Si:1500A n+a-Si:300A PECVD 現製程SiNx:3000A一次成膜洗淨二次成膜洗淨SiNx:1000A a-Si:300A a-Si:1200A n+a-Si:300A PECVD 原製程洗淨(GI)(SE-i)(SE-n+)(SE-n+)(SE-HDR-i)(SE-LDR-i)(GI-2)(GI-1)Photolithographyisplaying your vision!P.R. CoatingSubstrate Substrateisplaying your vision!Photo ExposureSubstrate isplaying your vision!Photo StitchingSubstrate isplaying your vision!Random Shot for Stitching isplaying your vision!isplaying your vision!Scan PhotoMask MoveStage MoveSubstrateEtchingEtching Mode Dry WetEquipment Plasma Enhanced CVD Liquid TroughEtching Rate Slow FastUniformity Good NormalThin Film A-Si, SiNx, Mo Al, Mo, Cr, ITOEtchant HCl, SF6, CF6HCl, HNO3, CH3OOH Etch Profile Non-isotropic IsotropicTaper Etch Vertical(ex.80~90)Slope(ex.20~45) Cost Expensive Cheap isplaying your vision!isplaying your vision!1.斷面形狀(Taper )Taper 係指蝕刻後的斷面傾斜度，是蝕刻製程中相當重要的要求，與後續沉積之薄膜覆蓋性有相當密切的關係。

《TFTArray工艺》课件


显示器
TFTArray工艺广泛应用于液晶显 示器的制造，提供高质量的图像 和色彩表现。
触摸屏
传感器
TFTArray工艺在触摸屏技术中的 应用，使触摸操作更精准和敏感。
TFTArray工艺制备的晶体管阵列 可用于各种传感器，如温度传感 器和压力传感器。
TFTArray工艺的制备过程
1
材料准备
选择高质量的材料，准备用于制备薄膜
2 材料选择
寻找具有高性能和稳定性 的材料，以满足不断提高 的要求。
3 制备精度
提高制备过程的精度，以 获得更高质量的薄膜晶体 管阵列。
TFTArray工艺的改进方法
新材料
研究和开发新的材料，以改善薄 膜晶体管阵列的性能和稳定性。
制备工艺优化
改进沉积、刻蚀和连接工艺，提 高薄膜晶体管阵列的制备精度。
《TFTArray工艺》PPT课 件
TFTArray工艺是一种用于生产薄膜晶体管阵列(TFT)的制备工艺。它通过精确 的制备过程和材料选择，实现高性能和高稳定性的TFT技术。
TFTArray工艺的定义
TFTArray工艺是一种生产薄膜晶体管阵列的制备工艺，用于制造高性能和高稳定性的TFT技术。
TFTArray工艺的优势
高性能
通过精确的制备过程和材料 选择，TFTArray工艺可实现 高性能的薄膜晶体管阵列。
高稳定性
TFTArray工艺制备的薄膜晶 体管阵列具有高稳定性，可 在长工艺适用于多种应 用领域，包括显示器、触摸 屏、传感器等。
TFTArray工艺的应用领域
新技术应用
引入新的技术，如纳米技术和多 层结构设计，改进TFTArray工艺。
TFTArray工艺的未来发展方向

TFT-LCD Array 制程介绍


LCD的動作原理
TFT LC
Cs 保持電容
•為何叫做Array
1.Array是陣列的意思 2.RGB 與 Pixel(像素） 3.TFT：薄膜電晶體
4.解析度（如XGA）
解析度 VGA SVGA XGA SXGA
水平 640 800 1024 1280
像素個數 垂直 480 600 768 1024
乾蝕刻（Dry Etch）
目的：利用電漿以化學反應的方式將沒有光阻保護的沈積層去除，使線路圖案成型 原理：於反應器中通入特定的氣體，形成高能電漿，藉由電漿的高能離子或自由基 擴散至晶片表面與未被光阻保護的沈積層產生化學反應，藉以達到蝕刻的目 的，主要有PE,RIE,ICP等三種不同原理的機台，下圖所描述者為PE(Plasma Etch, 電漿蝕刻機)
蝕刻
蝕刻液分子 生成物分子 蝕刻液分子運動方向 生成物分子運動方向
蝕刻溶液
薄膜
去光阻機（Stripper）
目的：將蝕刻完成的玻璃基板去除其線路圖案上的保護光阻，以完成該PEP的最終動 作，然後送至薄膜區沈積下一PEP所需的薄膜
Array 製程介紹
By FA/CP
Array 製程介紹
• • • 何謂TFT-LCD 為何叫做Array Array製程的介紹 1. 製程簡介 2. 薄膜（Thin Film）區 3. 黃光（Photo）區 4. 蝕刻（Etching）區 5. 測試（Array Test）區
•何謂 TFT-LCD
ARRAY
Photo
Etching
Cell Area
薄膜（Thin Film）區
共有三種主要機台
清洗機（Cleaner）
CVD（化學氣相沈積）
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15
3-2、PCVD
气体供给
ＭＦＣ ＭＦＣ ＭＦＣ
ＲＦpower
气体BOX
ＲＦ电源 Ｍ．ＢＯＸ 气体吹出电极 （阴极）
流量控制
汽缸cabinet
等离子体
ヒーター
下部电极 （阳极）
Ｐ
压力计
工艺腔体 （电极部）
压力控制
控制
节流阀
干泵 除害装置 （scrubber）
特气对应
真空排气
16


1
一、 TFT的基本构造
二、 ARRAY工艺介绍 三、 4Mask与5Mask工艺对比 四、 Array现场气液安全
2
像素
偏光板 液晶 TFT基板 电路部件 TFT 偏光板 单像素 （旋转）
实际结构
偏光板
背光源
接触孔
TN
TFT部位侧视
DRAIN
P-SiNx
ITO像素电极
SOURCE
n+ aSi
a-Si GLASS GATE
反应气体在高频电场作 用下发生等离子体 （Plasma）放电。 等离子体与基板发生作 用将没有被光刻胶掩蔽 的薄膜刻蚀掉。

24
plasma
大气压 大气Robot 从Cassette 和L/L之间的 搬送
大气压⇔真空 L/L (Load Lock) 大气压和真 空两种状态 之间的切换
真空 T/C (Transfer Chamber) L/L和P/C之间的 搬送。防止不纯 物进入P/C， P/C内的特气外 泄
D - Cr
13

整体图
S1枚葉Sputter ULVAC SMD-1200
Glass Size 1100×1300(mm)
S4 X3Type 1sheet Max3shee t VacRob 2sheet
（SMD-1200） ◦ 基板搬入（加热）/ 搬出（冷却）室 （L1、L2） ◦ 搬送室(Tr) ◦ 成膜室（X1、X3）
35
工程 CVD
有害气/液 PH3 NH3 SiH4 H2 SF6 HCl
DE
DMSO/MEA WPR IPA
危害 强还原性，常温常压下可自燃和氧气可以剧烈燃烧并且爆炸 刺激性气味，有毒，可以腐蚀皮肤，烧伤眼睛 自燃，引起呼吸道发炎、皮肤发炎和眼睛发炎，剧毒 与空气混合明火、受热可爆明火、受热可燃 如在不通畅处发生泄漏可能导致氧气不足而窒息 会引起上呼吸道刺激，约35ppm浓度的短期暴露，可引起喉 部刺激。严重刺激眼睛和鼻子的黏液膜.皮肤接触会引起严 重组织刺激和坏疽 长期皮肤接触会损伤真皮组织；眼睛接触会刺激眼部，灼 伤眼睛、损害视力；吸入会刺激呼吸道、肺部等；急性毒性 、亚慢性及慢性毒性、致突变性、致畸性 对皮肤没有腐蚀性，对眼、呼吸道有刺激性。急性毒性，可 通过吸入蒸汽被人体吸收，短期暴露影响可能影响中枢系 统，引起抑郁症。
Ｇ检查
I／D工程 I工程
O/S检查 自动外观检查 激光切断 （激光CVD）
D检查
C工程 PI工程
自动外观检查(全检) 激光切断 激光CVD 特性检查 ARRAY检查(全检) 激光切断 宏观外観
D工程
D检查
C工程 PI工程
自动外观检查 激光切断 激光CVD
最終检查
Cell工程
最終检查
Cell工程
特性检查 宏观外観
C D/I
[Mask]
PI
4Mask 工程名 所需时间 lot构成 受入洗净 20 G-Sputter 36 G-PR 70 178 G-WE 28 PR剥离 24 成膜前洗净 20 1stSiNx-CVD 25 成膜前洗净 20 3层-CVD 50 成膜前洗净 20 D-Sputter 40 579 D/I-PR 70 DI-WE 40 I/PR-DE 120 D2-WE 30 CH-DE 120 PR剥离 24 成膜前洗净 20 PA-CVD 30 C-PR 70 354 C-DE 210 PR剥离 24 成膜前洗净 20 PI-Sputter 31 PI-PR 70 PI-WE 32 287 PR剥离 24 退火前洗净 20 退火 90 总计： 1398
3 .各部分作用
部位 剥离槽 IPA槽 水洗槽 干燥槽 作用 利用剥离液溶解并剥离光刻胶 利用IPA置换剥离液。（防止Al腐蚀） 用纯水洗净处理液 利用A/K干燥基板
27
热退火简介： 经过适当时间的热处理，修
复晶体损伤，改善晶体性质。
淀积，刻蚀等基本 加工完成。
热退火处理
薄膜晶体（主要是 ITO和N+）性质 得到提高。
刷子
HMDS处理
光刻胶和基板的密着性改善
Ｎ２
涂布
旋转cup方式
腔体
2流体
气泡发生罐
(CH3)3Si-N-Si(CH3)2 H2 I O OH H 疏水化
加热盘
O-Si(CH4)3+NH3↑
气流控制、膜厚改善
EBR处理
基板端面的光刻胶除去
预烘
光刻胶中的溶剂除去
→决定光刻胶感光速度
N２ 洗浄液 排 气 非接触式栓 加热盘
Sputter X1Type (1Target)
S3 X1Ｔｙｐｅ 1sheet
Sputter X3Type (1~3Target)
UpperSlot-Load (Heating) UnderSlot-Unload (Cooling)
Cassette Loader
AtmRob 2sheet
cassette 1 20sheet
损伤分解，缺陷复 合，再结晶，掺杂 物质再分布。
28
9、检查与修复
项目 Layer 缺陷 Gate 短路 Gate Gate 断路 图形不良 D 检 查 Island Si残留 Drain 短路 Drain Drain 断路 图形不良 修复 激光切断 不可修复 根据缺陷判断是否修复 根据缺陷判断是否修复 激光切断 激光 CVD
真空 P/C (Process Chamber) 真空中进行 Plasma的物理、 化学反应，进行 刻蚀
25
1.剥离简介：刻蚀（干刻、湿刻）完 成后除去光刻胶的过程。
成膜工程 PR工程（涂覆，曝光，显影）
剥离工程：刻蚀后 除去光刻胶
刻蚀工程
26
2 .剥离装置示意图
剥离槽 IPA槽 水洗槽 干燥槽
TFT-LCD Module
GSiNx
3
接触孔
ITO像素电极
PI工程
C工程
SOURCE DRAIN D工程 n+ aSi a-Si I 工程 GATE P-SiNx
GLASS
G-SiNx
G工程
4
工艺详细流程－G工程
成膜工程 PR曝光工程 刻蚀工程 剥离
G层Sputter (AL-Nb, Mo-Nd) G-Mask PR曝光
cassette 2 20sheet
cassette 3 20sheet
cassette 4 20sheet
14
PSiNx
n+ a Si aSi I 工程
GLASS
GSiNx
膜层
材料
作用
G-绝缘膜
a-Si n+a-Si PA-SiNx
SiNx
非晶硅 N掺杂非晶硅 SiNx
绝缘
导电沟道 欧姆接触 保护
膜 Photolithography
Photoresist
工程
基板
① Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ塗布 ② 露光 ③ 現像
Etching
剥離
32
Array工程
[ＧＬＡＳＳ]
成膜
CVD・Sputter [膜] [Glass]
G
Lithography
反复 （a) (b) 曝光 (c) 显像 (d) Etching (e) 剥离
5 Mask – D工程和I 工 曝光 程
I-工艺 DI-工艺
4 Mask – D/I 工 曝光 程
D1-WE
I-DE 曝光
I-DE
D-工艺
PR-DE
D-WE
D2-WE
CH-DE
CH-DE
34
三、4Mask与5Mask工艺对比—检查与修复
TN：4Mask 工艺
G工程
SFT：5Mask 工艺
G工程
根据缺陷判断是否修复
画素短路
最 终 检 查 Short
激光切断 激光切断 激光切断 根据缺陷判断是否修复
29
G-G 短路 D-D 短路 点缺陷等
others
GPR
DPR
CPR
PIPR
30
光刻胶Pinhole
显影后接触孔边缘形状不规则
D断线
31

PR/曝光——使待刻蚀膜层上的光刻胶形成掩模图形的过程
由洗净、涂覆、曝光、显影四大部分组成。
洗净： Excimer UV →RB＋AAJet→直水Spray→A/k 涂覆： 除水干燥→ Slit涂覆→ Spin 涂覆→减压干燥→端面清洗→前烘 曝光 显影：显影1→显影2→循环纯水Spray→直水Spray→A/K →后烘
Aligment conveyor 水 显 显 水洗 HB DB OUT A/K 洗 影 影 1 2 2 1 ARM ARM 90度 BF Turn
Sputter在工艺流程中的位置

洗净
Sputter成 膜
Inline PR
Wet位置
12

TFT中Sputter薄膜的种类和作用
PI - ITO 类型 G配线 D配线 像素电极 G1 - Al G2 - Mo 名称 Al Cr ITO 作用 传递扫描信号 传递数据信号 存储数据信号
5Mask 工程名 所需时间 lot构成 受入洗净 20 G-Sputter 36 G-PR 70 178 G G-WE 28 PR剥离 24 成膜前洗净 20 1stSiNx-CVD 25 成膜前洗净 20 I 3层-CVD 50 329 I-PR 70 I-DE 120 I-剥离 24 成膜前洗净 20 D-Sputter 40 D-PR 70 D 314 D-WE 40 PR剥离 24 CH-DE 120 成膜前洗净 20 PA-CVD 30 C C-PR 70 354 C-DE 210 PR剥离 24 成膜前洗净 20 PI-Sputter 31 PI-PR 70 PI PI-WE 32 287 PR剥离 24 退火前洗净 20 退火 90 总计： 1462 33