半导体器件数值分析

主要内容2.12.22.32.1 器件模拟的基本方程组2.1.3 载流子输运的基本方程2.1.3.2小尺寸半导体器件的载流子输运方程(a) (b)图2.1 半导体中的载流子过冲. (a) GaAs材料, (b) Si材料2.1 器件模拟的基本方程组2.1.6光波导方程由Maxwell 方程组同样可以导出在半导体材料中传输的光波的电场分量E 所满足的方程：式中n 为材料的折射率，k 0 =2π/λ，λ是波长。

对于沿z 方向传播的波，式中β是波沿z 方向的传播常数，可得到Helmholtz 方程为，2022=+∇E E k n )(exp ),,(),,,(z t j E E E t z y x z y x βω−=E 222/,/ββ−=∂∂−=∂∂z j z 所以,)(22022=−+∇E E βk n T 式中,22222//y x T ∂∂+∂∂=∇2.3 半导体器件的分级模拟2.3.1 问题目的提出判断一个半导体器件模拟软件优劣的指标是功能全、精度高、速度快和便于用户使用。

功能全主要指能处理问题面广，便于用户使用则主要指程序输入参数形式简单，并以交互或对话方式工作。

实际开发半导体器件模拟软件时要考虑这两点，但这不是衡量半导体器件模拟方法本身优劣的指标。

衡量半导体器件模拟方法优劣的指标是速度快、精度高。

在半导体器件的计算机模拟中，除了从指标要求出发选取好的方法外，在给定精度的条件下，还经常使用分级模拟技术以减少计算时间和提高计算速度。

2.3 半导体器件的分级模拟2.3.3 分级模拟的意义随着工件条件的变化，模型方程的复杂性越来越高，相应地，模拟的复杂性也越来越高。

对于复杂的模拟问题，往往需要采用分级模拟的方法，该方法包括两点：（1）根据具体的工作条件，选用级别较低的模型方程，以在保证精度的条件下大大减少计算时间。

（2）利用低一级的解作为初值。

由于低一级的解是本级的很好近似，这样做将有效减少计算时间。

半导体器件参数1.电流参数：电流参数是半导体器件最重要的参数之一、常见的电流参数包括最大连续电流、最大尖峰电流、门极漏极饱和电流等。

这些参数描述了器件在正常运行或特殊工作条件下能够承受的电流负载。

合理选取电流参数能够保证器件的稳定性和可靠性。

2.电压参数：电压参数也是半导体器件的关键参数之一、常见的电压参数包括最大工作电压、最大反向电压等。

这些参数描述了器件能够承受的最大电压。

在设计电路时，必须合理选取电压参数，以确保器件正常工作并避免损坏。

3.频率参数：频率参数描述了器件可处理的最高工作频率。

这个参数对于高速数字电路和射频（RF）电路非常重要。

频率参数通常是以最大工作频率或截止频率来衡量的。

4.噪声参数：噪声参数描述了器件的噪声特性。

这对于需要高信噪比和低噪声性能的应用非常重要，比如通信系统和音频设备。

常见的噪声参数包括等效输入噪声电压、等效输入噪声电流等。

5.温度参数：温度参数描述了器件的温度特性。

这包括工作温度范围、最大工作温度、温度系数等。

合理选取温度参数能够确保器件在不同温度环境下的性能和可靠性。

6.功率参数：功率参数描述了器件的功率特性。

常见的功率参数包括最大功率耗散、最大功率传输等。

这些参数对于设计高功率电路和功率放大器非常重要。

7.延迟参数：延迟参数描述了器件的传输延迟。

这对于需要高速响应和低延迟的应用非常重要，比如数字电路和通信系统。

常见的延迟参数包括传输延迟、上升时间、下降时间等。

8.容量参数：容量参数描述了器件的电容特性。

这对于高频电路和模拟电路特别重要。

常见的容量参数包括输入电容、输出电容等。

9.可靠性参数：可靠性参数描述了器件的寿命和可靠性。

这对于长期使用和高可靠性要求的应用非常重要。

常见的可靠性参数包括失效率、故障率等。

10.尺寸参数：尺寸参数描述了器件的物理尺寸和封装。

这对于电路布局和设计非常重要。

常见的尺寸参数包括封装尺寸、引脚布局、引脚排列等。

总之，半导体器件的参数涉及到各个方面，包括电流、电压、频率、噪声、温度、功率、延迟、容量、可靠性以及尺寸等。

半导体物理与器件公式以及参数KT =0.0259ev N c =2.8∗1019N v =1.04∗1019SI 材料的禁带宽度为：1.12ev. 硅材料的n i =1.5∗1010Ge 材料的n i =2.4∗1013 GaAs 材料的n i =1.8∗106介电弛豫时间函数：瞬间给半导体某一表面增加某种载流子，最终达到电中性的时间，ρ(t )=ρ(0)e −(t /τd )，其中τd =ϵσ，最终通过证明这个时间与普通载流子的寿命时间相比十分的短暂，由此就可以证明准电中性的条件。

E F 热平衡状态下半导体的费米能级，E Fi 本征半导体的费米能级，重新定义的E Fn 是存在过剩载流子时的准费米能级。

准费米能级：半导体中存在过剩载流子，则半导体就不会处于热平衡状态，费米能级就会发生变化，定义准费米能级。

n 0+∆n =n i exp (E Fn −E Fi kT )p 0+∆p =n i exp [−(E Fp −E Fi )kT] 用这两组公式求解问题。

通过计算可知，电子的准费米能级高于E Fi ，空穴的准费米能级低于E Fi ，对于多子来讲，由于载流子浓度变化不大，所以准费米能级基本靠近热平衡态下的费米能级，但是对于少子来讲，少子浓度发生了很大的变化，所以费米能级有相对比较大的变化，由于注入过剩载流子，所以导致各自的准费米能级都靠近各自的价带。

过剩载流子的寿命：半导体材料：半导体材料多是单晶材料，单晶材料的电学特性不仅和化学组成相关而且还与原子排列有关系。

半导体基本分为两类，元素半导体材料和化合物半导体材料。

GaAs主要用于光学器件或者是高速器件。

固体的类型：无定型（个别原子或分子尺度内有序）、单晶（许多原子或分子的尺度上有序）、多晶（整个范围内都有很好的周期性），单晶的区域成为晶粒，晶界将各个晶粒分开，并且晶界会导致半导体材料的电学特性衰退。

空间晶格：晶格是指晶体中这种原子的周期性排列，晶胞就是可以复制出整个晶体的一小部分晶体，晶胞的结构可能会有很多种。

半导体器件常用型号参数解析一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体器件微观结构和物理性质的数值计算研究第一章：引言近年来，随着半导体器件在电子技术中的广泛应用，对其微观结构和物理性质的认识和研究变得尤为重要。

快速发展的计算机科学为研究人员提供了一种新的方法，即利用数值计算技术来探究半导体器件的微观结构和物理性质。

本文旨在介绍半导体器件微观结构和物理性质的数值计算研究的重要性，并对其研究方法和应用进行探讨。

第二章：半导体器件的微观结构半导体器件的微观结构是指其内部晶体结构和原子间的排列方式。

在研究半导体器件的微观结构时，我们可以使用分子动力学模拟、密度泛函理论等数值计算方法。

分子动力学模拟可以通过模拟原子间的相互作用力来获取器件内部原子的位置和速度信息，从而揭示器件的微观结构。

而密度泛函理论则通过求解薛定谔方程来计算能带结构、电子密度和电子态密度等物理性质。

这些数值计算方法可以为我们提供有关器件内部原子位置、晶体缺陷、晶界以及材料的电子性质等方面的信息。

第三章：半导体器件的物理性质半导体器件的物理性质是指其在电磁场、热场以及应力场等外部条件下的响应行为。

对于半导体器件的物理性质研究，数值计算方法同样发挥了重要作用。

例如，我们可以利用有限元方法对应力场对器件性能的影响进行模拟和计算。

此外，利用数值计算手段，我们还可以研究材料的光电响应特性、载流子输运行为以及材料表面和界面的物理性质。

这些数值计算方法为我们揭示半导体器件的物理性质提供了有效的手段。

第四章：半导体器件微观结构和物理性质相关性的数值计算研究半导体器件的微观结构和物理性质之间存在着紧密的关联。

在数值计算研究中，我们可以通过模拟和计算分析器件的微观结构对器件的物理性质产生的影响。

例如，研究晶体缺陷对器件性能的影响可以揭示晶体缺陷与载流子的相互作用机制，从而优化器件的设计和性能。

此外，通过研究材料的表面和界面结构以及与之相关的物理性质，我们可以改善器件的光电性能和寿命。

因此，将微观结构和物理性质的数值计算研究相结合，可以为我们提供更深入的了解和优化半导体器件的方法。

半导体技术的关键指标与性能评估方法在当今的科技领域，半导体技术被广泛应用于各个领域，包括通信、电子设备、能源、医疗等。

为了确保半导体产品的质量和性能，在开发和生产过程中，我们需要关注一些关键指标和使用适当的性能评估方法。

本文将介绍一些常见的关键指标和性能评估方法，以帮助读者更好地理解和应用半导体技术。

一、关键指标1. 器件尺寸：半导体器件尺寸是衡量其性能和功能的重要指标之一。

通常使用纳米单位（nm）来表示器件的尺寸，如纳米级晶体管（NMOS）和互补金属氧化物半导体（CMOS）等。

2. 衰减系数：衰减系数是指半导体材料在电磁波传输过程中对信号强度的减弱程度。

衰减系数越小，半导体器件的信号传输能力越好。

3. 效率：半导体器件的效率决定了其能量转换的效率。

在太阳能电池和发光二极管（LED）等应用中，高效率是一个重要的考虑因素。

4. 噪声：噪声是指在半导体器件中产生的干扰信号。

噪声水平对于电子设备的性能和可靠性起着重要的影响。

二、性能评估方法1. 电性能测试：电性能测试是评估半导体器件的主要方法之一。

通过测量器件的电阻、电容、电流和电压等参数，可以评估其电气特性和性能。

2. 温度测试：温度是影响半导体器件性能的重要因素之一。

通过在不同温度下对器件进行测试，可以评估其在不同条件下的工作性能和稳定性。

3. 可靠性测试：可靠性测试用于评估半导体器件的寿命和可靠性。

常见的可靠性测试方法包括加速寿命测试和热循环测试等。

4. 光谱测试：光谱测试是评估光学性能的一种方法。

通过测量器件在不同波长下的反射、透射和发射等光学性能，可以评估其在光学应用中的性能。

三、结论本文介绍了半导体技术的关键指标和性能评估方法。

了解和应用这些指标和方法对于开发和生产高质量的半导体产品至关重要。

通过电性能测试、温度测试、可靠性测试和光谱测试等方法，我们能够全面评估半导体器件的性能和可靠性，确保其在各个领域中的应用效果。

希望本文能为读者提供有益的信息，促进半导体技术的发展和应用。

半导体物理与器件公式以及参数KT=0.0259ev N c=2.8∗1019N v=1.04∗1019 SI材料的禁带宽度为：1.12ev. 硅材料的n i=1.5∗1010Ge材料的n i=2.4∗1013 GaAs材料的n i=1.8∗106介电弛豫时间函数：瞬间给半导体某一表面增加某种载流子，最终达到电中性的时间，ρ(t)=ρ(0)e−(t/τd)，其中τd =ϵσ，最终通过证明这个时间与普通载流子的寿命时间相比十分的短暂，由此就可以证明准电中性的条件。

E F热平衡状态下半导体的费米能级，E Fi本征半导体的费米能级，重新定义的E Fn是存在过剩载流子时的准费米能级。

准费米能级：半导体中存在过剩载流子，则半导体就不会处于热平衡状态，费米能级就会发生变化，定义准费米能级。

n0+∆n=n i exp(E Fn−E FikT) p0+∆p=n i exp[−(E Fp−E Fi)kT]用这两组公式求解问题。

通过计算可知，电子的准费米能级高于E Fi，空穴的准费米能级低于E Fi，对于多子来讲，由于载流子浓度变化不大，所以准费米能级基本靠近热平衡态下的费米能级，但是对于少子来讲，少子浓度发生了很大的变化，所以费米能级有相对比较大的变化，由于注入过剩载流子，所以导致各自的准费米能级都靠近各自的价带。

过剩载流子的寿命：半导体材料：半导体材料多是单晶材料，单晶材料的电学特性不仅和化学组成相关而且还与原子排列有关系。

半导体基本分为两类，元素半导体材料和化合物半导体材料。

GaAs主要用于光学器件或者是高速器件。

固体的类型：无定型（个别原子或分子尺度内有序）、单晶（许多原子或分子的尺度上有序）、多晶（整个范围内都有很好的周期性），单晶的区域成为晶粒，晶界将各个晶粒分开，并且晶界会导致半导体材料的电学特性衰退。

空间晶格：晶格是指晶体中这种原子的周期性排列，晶胞就是可以复制出整个晶体的一小部分晶体，晶胞的结构可能会有很多种。

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体器件特性的测量与分析引言近几十年来，半导体材料和器件的发展很快。

半导体器件的种类很多，典型的放大器件有双极型晶体管和场效应晶体管，部分光电子器件的工作原理在先行课程中已有介绍。

近年来，半导体光电子器件的发展和应用更为迅速，它们的基本原理在本实验的附录中作了介绍。

了解这些器件的工作原理及掌握其主要参数的测量有重要的实用价值。

本实验的目的是了解并学会使用这些仪器，通过几种典型半导体管的测量，对半导体双极、场效应晶体管，发光、光敏二极管等单元器件工作原理及特性参数有进一步了解。

实验仪器1．半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其重要参数的测试仪器。

电路结构：该仪器主要由阶梯信号发生器、集电极扫描电压、Ｘ轴和Ｙ轴放大器、二簇电子开关、低压电源、高频高压电源及示波器控制电路等部分组成。

电路原理框图见图6.2-1。

该仪器最主要的电路是提供一个50Ｈｚ市电经全波整流后成为100Ｈｚ正弦波的集电极扫描电压和一个提供给基极的阶梯波电压（或电流），见图6.2-２。

2．“微机半导体器件特性测试仪”性能简介和使用说明实验采用的微机半导体器件特性测试仪，可以用来显示半导体器件的输入特性、输出特性、转移特性曲线；可以测量器件的电流放大系数、跨导、开启电压、夹断电压等一系列参数；具有教学演示模式和普通测量模式。

完整的测量系统，由测量主机和计算机系统组成。

测量主机通过EPP接口与微型计算机系统连接。

实验内容用XJ4810型半导体管特性图示仪测量双极型三极管、结型场效应管和各种类型二极管。

（1）了解图示仪的电路结构框图并掌握面板各旋钮用途。

（2）测量双极型晶体管3DG6C（NPN型硅管）的特性和参数：一般三极管管脚的辨认，把管脚朝向观察者，管脚的位置如图6.2-4所示。

二极管的管脚通常为一长一短，长者为正。

晶体管的管脚与图示仪的C，B，E三个接入端头（或插口）的连接法见图6.2-5。

①测量共射极电路的输出特性图6.2-6是3DG6管的输出和输入特性曲线，供参考。

半导体器件参数(精)半导体器件是现代电子技术中不可缺少的组成部分，而其参数则是评价半导体器件性能好坏的重要标准之一。

本文将针对半导体器件的常用参数进行详细阐述。

1. 直流参数1.1 正向漏电流 IF正向漏电流IF是指一个二极管或PN结管在正偏电压下的漏电流，其大小与元器件结构、材料、工艺等因素有关。

对于二极管来说，IF表明二极管的正向导通能力；对于PN结管而言，IF是影响器件工作稳定性和温度特性的原因之一。

1.2 反向漏电流 IR反向漏电流IR也称反向饱和电流，是指二极管或PN结管在反向电压下的漏电流，其大小与器件结构和工艺制程等因素有关。

反向漏电流IR越小，电路噪声和器件本身的损耗越小，器件的性能越好。

1.3 正向电压降 VF正向电压降VF是指一个二极管或PN结管在正向导通状态下的电压降，也叫动态电阻。

正向电压降VF低，说明器件正向导通能力强；反之，则说明器件正向导通能力弱。

1.4 反向电容 Cj反向电容Cj是指PN结管或MOSFET在反向电压下的电容。

它对于高频应用而言，是一个非常重要的参数。

反向电容Cj越小，说明器件交流响应能力更好，适合于高频应用。

1.5 反向击穿电压 VR反向击穿电压VR是指二极管或PN结管在反向施加电压下，电子流大幅增加而发生冲击电离现象时的电压值。

反向击穿电压VR高，说明器件耐压能力强。

2. 交流参数2.1 最大使用频率 fmax最大使用频率fmax是指半导体器件可靠工作的最高频率。

这个参数取决于器件工艺和封装方式等诸多因素，一般来说，当操作频率高于最大使用频率时，器件的工作可能会出现异常，如失真等。

2.2 开启时间 ton开启时间ton是指当半导体器件处于关状态转换至开状态所需的时间。

这个参数对于开关型半导体器件而言非常重要，因为它决定了器件的开关速度，也反映了器件逆变特性。

2.3 关闭时间 toff与开启时间ton对应的，则是关闭时间toff，即当半导体器件处于开状态转换至关状态所需的时间。

半导体器件常用型号参数解析一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二）姓名：单位：职务：得分：一、填空题（每题1分，共20分）：1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。

2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。

3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。

4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。

5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。

6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。

7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。

Rs(rs----串联电阻Rth----热阻结到环境的热阻动态电阻本机关单位或本系统rδ---衰减电阻r(th---Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人tg---电路换向关断时间12Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。

tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度p---发光峰值波长△λη---15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）、正向压降（正向直流电压）△政府、断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV履行职责交流输入电压最大输出平均电压C 和国家有关法律、法规制定的。

中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）反向峰值电压（最高测试电压）V2、参照执行《党政领导干部选拔任用工作条例》有关规定的单位有击穿电压CD Vth---阀电压（门限电压）反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压社团组织V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量3、在年度考核、干部考察中，民主测评不称职票超过（A）二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容发射极接地输出电容Ci---输入电容共基极输入电容Cie--- B考察材料 C证明材料共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）输出电容Cob---共基极输出电容。