电子技术工艺基础(2)

第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。

电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和两种载流子。

自由电子2、半导体有P型和两种类型。

N型3、PN结具有特性。

单向导电4、二极管按结构分有点接触型和接触型。

面5、差动放大电路的电路参数。

对称6、差动放大电路的目的是抑制。

共模信号7、反馈分有正反馈和反馈。

负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。

甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。

第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。

功率输出级11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。

模拟12、过零电压比较器具有极高的。

电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。

选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。

正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。

开关16、逻辑代数又叫代数。

二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。

逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为。

119、数字集成器件民用品标为系列。

7420、集成逻辑门是最基本的。

数字集成器件21、反相器就是实现的器件。

逻辑非22、编码是的逆过程。

译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。

当前输入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。

集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。

N进制26、一个触发器可以存放位二进制数。

127、多谐振荡器又称。

方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。

单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。

CMOS30、读写存储简称。

RAM31、只读存储器简称。

ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

DA、二B、三C、四D、五2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。

BA、二B、三C、四D、五3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

CA、大于B、等于C、小于D、与温度有关4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

（2-13）
• 小规模集成电路(SSI-Small Scale 小规模集成电路(SSI(SSI Integration)， 每片组件内包含10~100 10~100个元件 Integration)， 每片组件内包含10~100个元件 10~20个等效门 个等效门) (或10~20个等效门)。 • 中规模集成电路(MSI-Medium Scale 中规模集成电路(MSI (MSIIntegration)，每片组件内含100~1000 100~1000个元件 Integration)，每片组件内含100~1000个元件 20~100个等效门 个等效门) (或20~100个等效门)。 • 大规模集成电路(LSI-Large Scale 大规模集成电路(LSI (LSIIntegration)， 每片组件内含1000~100 000个 Integration)， 每片组件内含1000~100 000个 元件( 100~1000个等效门 个等效门) 元件(或100~1000个等效门)。 • 超大规模集成电路(VLSI-Very Large Scale 超大规模集成电路(VLSI (VLSIIntegration)， 每片组件内含100 000个元件 Integration)， 每片组件内含100 000个元件 1000个以上等效门 个以上等效门) (或1000个以上等效门)。
•
+5V
R1
T1
T5 R3
•
（2-30）
前级
后级
灌电流的计算
饱和
I OL
5 − T5压降 − T1的be结压降 = R1
5 − 0.3 − 0.7 ≈ 1.4mA = 3
（2-31）
关于电流的技术参数
名称及符号 输入低电平电流 IiL 输入高电平电流 IiH IOL 及其极限 IOL（max） IOH 及其极限 IOH (max) 含义 输入为低电平时流入输 入端的电流-1 入端的电流 .4mA。 。 输入为高电平时流入输 入端的电流几十 几十μ 。 入端的电流几十μA。 当 IOL> IOL(max)时，输出 不再是低电平。 不再是低电平。 当 IOH >IOH(max)时， 输出 不再是高电平。 不再是高电平。

电子工艺技术电子工艺技术：1. 定义：电子工艺技术是指以电子设备为工艺流程，以计算机系统控制和测试设备为法兰，以高层次的计算机系统和应用软件为支持，以精密电子零件和光电元件为可靠的控制核心，以装配技术和装配的固件和结构件为基础，最终用于控制、监控、测试和现场管理的技术。

2. 特点：（1）技术新颖：电子工艺技术使工业过程得以实用化，可以节约更多的能源，提高生产效率和质量；（2）自动化：电子工艺技术使工业生产可以实现“自动化”，即可以根据设备和流程要求获得最佳的控制结果，更好地满足客户的需求；（3）节能环保：电子工艺技术让工业生产更污染，也可以节省能源和节约宝贵的自然资源。

3.应用：（1）汽车行业：汽车制造工艺采用电子工艺技术，包括汽车总装、终装行业；（2）电子行业：电子行业可以采用电子工艺技术来生产印制电路板，小型电子设备，电脑系列等；（3）家电行业：电子工艺技术在家电行业中可以控制压铸、组装、测试等过程；（4）包装行业：电子工艺技术可以用于各种设备的包装，如医药行业的贴标机，食品包装机械等。

4.优势：（1）准确度高：电子工艺技术可以精准地控制设备，控制频率范围宽，无需更改工况和装置结构即可实现工艺参数的调节；（2）响应时间快：电子工艺技术以控制响应时间快，可以适应效率要求；（3）动态控制能力强：电子工艺技术可以实现动态控制，不仅可以改善原有的动态特性，而且还可以控制脉动；（4）可编程性强：电子工艺技术的可编程可以允许我们自由地定义、修改、调整和优化控制参数，使工艺更加灵活；（5）计量准确：电子工艺技术可以有效地限制设备的能耗，实现计量准确率较高。

5. 发展趋势：电子工艺技术越来越深入，向智能化、网络化和多语种控制方向发展。

不仅要满足精准控制和实时反应的需求，还要积极地尝试新型特性，如：改善机器通信技术，发展图形化和交互式的界面集成，优化工艺流程，应用新型集成电路和系统，深入研究可编程逻辑控制器，开发新型检测和调试设备等。

一、P N结的形成在基材本征半导体上利用一定的工艺制作一个P区(P型半导体)，制作一个N区(N型半导体)，在两区交界处，由于多子的扩散运动，在交界处形成了正负电荷(正负离子)区。

空穴的扩散运动自由电子的扩散运动3价杂质原子形成的负离子5价杂质原子形成的正离子正负电荷产生静电场静电场静电场方向少子产生漂移运动静电场促使少子漂移静电场阻止多子扩散扩散运动和漂移运动达到平衡(动态平衡)，形成P N结，又称为空间电荷区还称为耗尽层。

二、P N 结的单向导电性P N 结正偏:外加电源使P 区的电位高于N 区的电位，称外加正向电压。

P N 结反偏:外加电源使P 区的电位低于N 区的电位，称外加反向电压。

P N 结正偏限流电阻◆正偏状态的P N结称为导通状态，扩散电流称为正向导通电流。

◆外电场使空间电荷区变窄，多子扩散运动加强，阻止少子的漂移运动。

P N 结反偏◆反偏状态的P N 结称为截止状态，漂移电流称为反向电流。

◆外电场使空间电荷区变宽，阻止多子扩散运动，加强少子的漂移运动。

◆因为少子量少，漂移电流很小，在近似计算中认为该电流为0。

◆单向导电性：正向导通，反向截止。

三、P N 结的电容效应◆ P N 结内部有动态电荷和束缚电荷两种，这两种电荷的多少都受外电场的影响，所以P N 结有电容效应。

P N 结正偏时外电场对动态电荷影响较大，此时的电容称为扩散电容C d 。

P N 结反偏时外电场对束缚电荷影响较大，此时的电容称为势垒电容C b 。

结电容bd j C C C +=◆ P N 结的电容效应使半导体器件在电子电路中对信号频率有一定的限制，当频率太高时，P N 结将失去单向导电性。

总结：本节知识点的关键词：扩散运动；漂移运动；空间电荷区；单向导电性；结电容。

思考题1.P N结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？2.为什么半导体器件有最高工作频率？。

电子技术工艺基础考试试题考试时间：60分钟,满分100分学号__________ 姓名__________ 班级___________ 评分__________一、填空题每空1分,共50分1、各代电子组装工艺中的技术：手工装联焊接技术、通孔插装技术、表面组装技术、微组装技术。

2、1904年,弗莱明发明了第一只电子二极管真空二极管标志着世界从此进入了电子时代；1947年,Bell实验室肖克利发明第一只晶体管点接触三极管；1958年,TI基尔比研制成功第一块数字IC ,宣布电子工业进入了集成电路时代。

3、皮肤干燥时,人体电阻可呈现 100kΩ以上,一旦潮湿,电阻可降到 1kΩ一下。

4、下列logo代表什么A： B： C：A、中国强制认证 China pulsory Certification,CCCB、国际标准化组织 International Organization for Standardization,ISOC、国际电信联盟 International Telemunication Union,ITU5、电烙铁的握法如图a 反握法b 正握法c 握笔法6、下列英文缩写名词对应的中文,ASIC：专用集成电路 ,FPGA：现场可编程逻辑门阵列 ,SoC：片上系统 ,DFM：可制造性设计 ,DFX：最优化设计。

7、CPLD/FPGA芯片设计流程：设计输入、设计编译、综合优化、仿真校验、测试下载。

8、列举三个敏感电阻：光敏电阻、热敏电阻、压敏电阻。

9、IC引脚的形状主要有：针式引脚、 J形引脚、 L形引脚、球状引脚。

10、IC产业链上、中、下游分别对应： IC设计、 IC制造、 IC封装和测试。

11、芯片按使用领域可分为军用品、工业用品、民用/商用品三大类。

12、电容器的国际单位是法/法拉 F ,其中1F= 1012 PF,电阻器的国际单位是欧姆Ω ,其中1MΩ= 103 KΩ,电感器的国际单位是亨 H ,其中1mH= 10-3 H13、直热式电烙铁的分为内热式、外热式。

9.3 调试的准备工作
(1)确定调试工艺方案，准备好调试工艺指导 卡、产品的电原理图、技术说明书等。
(2)确定整机电路及各单元电路的调试工艺流 程。
(3)正确合理地选择测试仪器、仪表，并按使 用要求将仪器、仪表摆放并连结好。
(4)对调试人员进行培训，使调试人员熟悉所 调电子产品的有关技术指标及本工序的调试 内容。
部分。 （3）先调试产品的独立电路，再调试相互关联的
电路。 （4）先调试电路的静态指标，再调试电路的动态
指标。 （5）先调试基本指标，再调试对整机质量影响较
大的指标。
9.6 调试工艺的过程
1.通电前的检查 2.通电后的检查 3.电源部分的调试 4.单元电路的调试 5.整机电路的调试 6.环境实验 7.对整机进行老化处理 8.老化后参数复查
1. 直流电压的测量 通过直电压的测量：
·可判断各单元电路静态工作的情况 可确定整机工作电 压是否正常
·可判断电路所提供的偏置电压是否正常 ·可以判断集成电路本身及其外围电路是否工作正常。 ·可判断电池的好坏。 ·通过测量电路关键点的直流电压，可大致判断故障所 在的范围。
2. 交流电压的测量 交流电压的测量一般是对输入到电子产品中的市电电
（1）用手触摸一般集成电路塑封包装时，一般都 没有温升或很低的温升。
（2）用手触摸大功率晶体管、功放集成电路和电 源集成电路时有一定的温度，但手放在上面应以不烫 手为正常。
（3）用手触摸电源变压器时仍还是冷冰冰的毫无温 升或温升不明显，应考虑其负载是否有正常的耗能或 存在故障。
（4）用手触摸电阻器、电容器时，其表面温度应能 使手有所感觉，但不感到不适。
3. 通过听觉发现故障所在 就是用耳朵去听电子产品的箱体内是否有异 常的声音出现。

（ a）
（ b）
（ c）
非线性集成电路
3
（ d）
（ e）
（a）为圆壳式
（b）为双列直插式 （c）为扁平式 （d）为单列直插式 （e）为菱形式
（ a）
（ b）
（ c）
（ d）
（ e）
4
4.1 直接耦合放大电路
两级直接耦合放大电路如图4-1所示
图4 –1 两级直接耦合放大器电路
5
4.1.1 直接耦合放大器和组成及其零点漂移现 象
KCMR20lgAuddB Au c
15
4.2 集成运算放大电路概述
1．集成运放电路的组成及各部分的作用
集成运算放大器实质上是一种双端输入、单端输出，具有高 增益，高输入阻抗、低输出阻抗的多极直接耦合放大电路。
当给他施加不同的反馈网络时，就能实现模拟信号的多种数 学运算功能（如比例、求和、求差、积分、微分……），故被称 为集成运算放大电路，简称集成运放。
1．零点漂移现象 当输入电压为0时，由于温度等原因，输出电压uo≠0。 并且随温度的变化而变化。 输入信号为0，而输出信号不为0的现象称为零点漂移简称 零漂 ( zero drift )。
图４-２ 直接耦合放大电路的零点漂移
6
２.产生零点漂移的原因
产生零点漂移的原因很多，如温度的变化（包括环境温 度的变化及三级管工作时由于管耗引起的结温变化），电源 电压的波动以及电路元件以及电路元件参数的变化等，都会 引起放大电路的零点漂移。其中又以温度的变化使三级管参 数随之变化引起的漂移最为严重。当温度上升时，将引起 ICBO及β增大，Ube减小。从而使静态工作点Q上移，集电极电 流IC增加，产生零点漂移现象。
(3)输出信号的响应参数 在书的69页，不再列出。

任务实施
实施 1 片式无源元件的认识与判读 实施 2 片式有源元件的认识与判读
知识 1 表面安装元器件
4
的分类
一、 按形状分类
表面安装元器件按形状的不同，分为圆柱形元器件、矩形（也称片式）元器件、扁平形元器件和不 规则形元器件等。
（1）圆柱形元器件包括各种电阻器、电容器和二极管等，如图4-26所示。 （2）矩形（片式）元器件包括电阻器、电位器、电容器、电感器和三极管等，如图4-27、图4-28 所示。
（1）确定标注方法。 （2）确定标称阻值。
任务实施
μH
三． 任务实施步骤 （3）核实标称阻值并填入表4-1。
元件名称 片式电阻器1 片式电阻器2 片式电阻器3 片式电阻器4 片式电阻器5 片式电阻器6 片式电容器1 片式电容器2 片式电容器3 片式电容器4 片式电容器5 片式电容器6 片式电感器1 片式电感器2 片式电感器3 片式电感器4
知识 2 表面安装元器件
8
的特点
二、 表面安装电容器
表面安装电容器的外形也有矩形片式和圆柱形两种， 可分为圆柱形瓷介电容、圆柱形铝电解电容、片式钽电 容、片式有机薄膜电容、片式云母电容和多层片式陶瓷 电容等。
三、 表面安装的集成电路
集成电路的规模在不断地扩大，使输入和输出的端子 数也在不断增加，进而使集成电路的引脚不断增多，现已 达400条以上。
1
电子元器件（下）
第 一 篇
电 子 技 术
微 积 分
工 艺 基 础
目录页
2
CONTENTS PAGE
项目四 电子元器件（下）
任务一 检测电声器件 任务二 检测开关和接插器件 任务三 检测显像器件 任务四 表面安装元器件
过渡页

织、肌肉甚至神经产生的伤害(灼伤)。灼伤会引起皮肤发红、起 泡、烧焦、坏死。
(2) 电烙伤。电烙伤是指由电流的机械和化学效应造成人体 触电部位的外部伤痕，通常是皮肤表面的肿块。
2) 电击 电流通过人体，严重干扰人体正常的生物电流，造成肌肉痉 挛(抽筋)、神经紊乱，导致呼吸停止，心脏室性纤颤，严重危害 生命。
解：通过人体的电流
I= U = 36V =3.6mA＜100mA R 10000Ω
因此安全电压为不高于36V的电压。
第2.2节电气事故与防护
2.2.1 人身安全
2、触电方式
§ 人体触电，主要方式有直接触电、间接触电和跨步电压引 起的触电。直接触电又分为单相触电和两相触电两种。
单相触电
§ 低压触电
两相触电 接触触电
人体还是一个非线性电阻，随着电压升高，电阻值减小。
表1-2给出人体电阻值随电压的变化。
电压/V 1.5 12 31 62 125 220 380 1000 电阻/kΩ ＞100 16.5 11 6.24 3.5 2.2 1.47 0.64 电流/mA 忽略 0.8 2.8 10 35 100 268 1560
电子技术工艺基础 安全用电(ppt)
优选电子技术工艺基础安全用电
第1章 安全用电
小心触电
高压危险
第2章目录
2.2
2.4
第2章
用电安全
2.5
2.3
2.6
电气事故与防护 用电安全技术简介 触电急救与电气消防 电子产品安全与电磁污染 注意防雷
第2.2节电气事故与防护
2.2.1 人身安全
1、 触电危害 1) 电伤 电伤是由于发生触电而导致的人体外表创伤，主要有： (1) 灼伤。灼伤是指由于电的热效应而对人体皮肤、皮下组

电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。

A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。

A B C D5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。

A B C D11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈，反向饱和电流I S ≈，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（）。

机电技术应用专业《电子工艺基础》课程标准一、课程信息课程名称：电子工艺基础课程学时：120学时适用对象:机电技术应用专业一年级学生二、说明（一）课程性质《电子工艺基础》是机电技术应用专业的核心课程，该课程要求学生学会电子元器件识别、检测，常用电子工具使用，电子仪器仪表使用，产品装接、调试、检测等多种技能，使学生成为适应现代制造业需要，主要从事电子产品生产、设备维护和工艺管理、质量管理的技能型人才。

（二）教学目标和基本要求使学生从实体上认识并掌握焊接技能、电子元器件的识别与测试、印刷电路的设计方法与技巧、电子测试仪器的使用、电子产品的调试与维修等方面的知识和技能。

项目的制作与测试过程是培养“能力”的最关键的途径，是培养创新精神与实践能力最有效的手段。

操作过程的规范化要求，以及模拟职场环境的现场管理，对“素质”的养成有着独特的作用。

为此，在本《标准》中将把课程设计成在模拟职场的环境和规范化的要求下，以项目制作与测试为中心，围绕所作项目，认识、理解其中理论知识。

（三）课程目标（1）知识目标对知识的教学要求分为了解、理解和掌握两个层次。

了解：对基础知识有感性的、初步的认识。

理解：理解电子元件工作特性，仪器仪表的工作原理。

掌握：掌握电子常用工具、仪器仪表的使用，电子产品制作、调试、检测。

（2）技能目标熟练掌握电子元器件识别、检测，常用电子工具使用，电子仪器仪表使用，产品装接、调试、检测等多种技能（3）情感目标学生通过电子工艺课程的学习，了解电子世界，了解电子电路的实际应用，激发他们的学习兴趣，加深学生对行业的认知，初步了解电子产品生产的工艺规范，提高实际操作技能，学会主动地学习，达到能够独立进行任务操作的水平。

（四）教学方法与手段用实例教学法通过项目描述、学习目标、基础知识、操作分析、项目总结、项目拓展和思考与练习等形式，引导学生明确学习目标、掌握知识与技能、丰富专业经验、强化工艺设计与选择能力，逐步提高分析、解决和反思生产中实际问题的能力，以形成职业核心竞争力。

《电子技术工艺基础》实验报告直流稳压源的焊接指导老师：周克峰通信工程20131060XXX一、摘要随着现代科技的飞速发展，人们对电的要求越来越高，各种新型节能的电源应运而生，稳定高效的电源不仅方便而且可以延长产品的使用寿命。

直流稳压电源一般由电源变压器，整流滤波电路及稳压电路所组成。

变压器把市电交流电压变为所需要的低压交流电。

整流器把交流电变为直流电。

经滤波后，稳压器再把不稳定的直流电压变为稳定的直流电压输出。

本此实验是基于LM317的可调稳压源，电路简单实用，性能可靠安全，具有很强的实用价值。

关键词：LM317；直流；稳压；变压二、目的意义(1)了解常用电子器件的类别、型号、规格、性能及其使用范围，能查阅有关的电子器件图书。

能够正确识别和选用常用的电子器件，并且能够熟练使用万用表。

(2)通过手工焊接的使用使我们更加了解了各种元器件在焊接上的用途，在PCB板上懂得了如何安放元器件，如何分辨元器件正负，提高了我们的实验能力。

(3)熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理，基本掌握手工电烙铁的焊接技术。

(4)了解电子产品的焊接、调试与维修方法。

初步学习调试电子产品的方法，提高动手能力。

(5)学习并掌握超直流稳压电源充电器的工作原理.(6)通过手工装联焊接使我们更加了解整个操作流程，也更加了解了浸润现象在焊接中的作用，通过焊接使我们更加熟悉了电子产品制造流程，同时也对手工装联焊接有了更深层次的理解，掌握了手工焊接的基本焊接工艺。

三、实验设备（1）电烙铁（2）焊锡丝（3）助焊剂（4）螺丝刀和螺母（5）钳子（6）组装元器件(7)万用表（8）示波器四、实验电路及基本原理分析直流稳压源是一种将220V工频交流电转换成稳压输出的直流电的装置，它需要变压、整流、滤波、稳压四个环节组成。

一般由电源变压器、整流滤波电路及稳压电路组成。

首先通过变压器将二百二十伏电压降下来，然后通过四只二极管构成了桥式整流电路，然后通过rc电路和lm137芯片构成了稳压可调的稳定电压输出，通过CD4069六反向芯片构成了数电输出。

1
第 一 篇
电 子 技 术
微 积 分
工 艺 基 础
目录页
2
CONTENTS PAGE
项目一 常用电子测量仪器仪表
任务一 使用指针式万用表 任务二 使用数字万用表 任务三 使用信号发生器与示波器 任务四 使用晶体管毫伏表 任务五 使用扫描仪
过渡页
3
TRANSITION PAGE
任务四 使用晶体管毫伏表源自知识2 晶体管毫伏表的5
主要技术指标
DA16-1型晶体管毫伏表的主要技术指标如下： （1）测量交流电压的范围：100 μV ～300 V。 （2）测量电压的频率范围：20 Hz～1 MHz。 （3）测量误差：
① 基本误差：小于±3%。 ② 频率附加误差：当频率为20 Hz～100 kHz时，小于±3%；当频率为 20 Hz～1MHz时，小于±5%。 （4）输入阻抗：频率为1 kHz时，输入阻抗为1.5 MΩ。 （5）输入电容：被测电压为1 mV～0.3 V时，各挡约70 pF；当被测电压为 1～300 V时，各挡约50 pF。 （6）电源电压：220 V±10%；50 Hz±4%；消耗功率3 W。
预备知识
知识 1 晶体管毫伏表的应用 知识 2 晶体管毫伏表的主要技术指标 知识 3 晶体管毫伏表面板上各旋钮的主要作用
任务实施
实施 1 晶体管毫伏表的使用
知识1 晶体管毫伏表的应用
万用表中的交流电压挡只能测量零点几伏以 上的交流电压，不能测量无线电设备中的毫伏级 的微弱信号，如收音机、电视机的信号等；万用 表的内阻较小，工作频率又比较低，这样会引起 较大的测量误差，因此不能正确反映出频率较高 而又微弱的信号交流电压值。
任务实施
7
实施1 晶体管毫伏表的使用

在价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子的同时， 在共价键上留下了一个空位，称其为空穴，如图中A处 的价电子跑到B处，而在A处出现了空穴。
本征半导体自由电子、空穴导体基础知识
1.1.2 杂质半导体
在本征半导体中掺入微量有用的杂质，使杂质半导体的导电特性得到极大的改善，并能 加以控制，从而使半导体材料得到广泛的应用。由于掺入的杂质不同，杂质半导体可分为N 型半导体和P型半导体。
本征半导体的结构示意图
半导体器件>>> 1.1 半导体基础知识
在共价键结构中，原子中最外层的8个价电子虽被 束缚在共价键中，但不像绝缘体中
束缚得那样牢固，当本征半导体受到热或光激发 获得一定能量后，价电子即可摆脱原子核的束缚成为 自由电子，温度越高，光照越强，晶体中产生自由电 子数便越多，导电能力就越强。
1．PN结的形成 P区的多子是空穴，N区的多子是自由电子，由于PN结交界处两侧同类载流子浓度(单 位体积内的载流子数)差异极大，形成了高浓度的多子向低浓度的少子一侧的扩散运动，即 图 (a)中，P区的多子空穴向N区扩散，而N区的多子自由电子则向P区扩散。
半导体器件>>> 1.1 半导体基础知识
自由电子和空穴都是载流子，扩散的结果，在交界面P区一侧因失去了空穴而出现了负 离子区，而N区一侧因失去自由电子出现了正离子区。正负离子都被束缚在晶格内不能移动。 于是在交界面两侧形成了正、负空间电荷区。在空间电荷区内可以认为载流子已被“耗尽”， 故又称耗尽区或耗尽层，如图 (b)所示。
杂质半导体结构示意图
半导体器件>>> 1.1 半导体基础知识
2．P型半导体 在本征半导体硅和锗中，掺入微量三价元素如硼，杂质原子取代晶体中某些晶格中的硅 或锗原子，如上图 (b)所示。三价元素的三个价电子与周围四个原子组成共价键时缺少一个 电子而产生了空位。在室温下，价电子几乎能填满杂质元素上的全部空位，由此半导体中产 生了与杂质元素原子数相同的空穴，另外，半导体中同时还有少量的本征激发产生的自由电 子-空穴对。显然，在这类半导体中，空穴数就远大于自由电子数。导电时以空穴为主，故 称空穴型半导体，而空穴带正电(Positive)，又称P型半导体。在P型半导体中，空穴为多数 载流子(简称多子)，自由电子为少数载流子(简称少子)。

01
了解常见电子元器件的种类、符号、规格等参数，能够根据元
器件的外观和标识进行识别。
元器件质量检测
02
使用万用表等工具检测元器件的好坏，如电阻、电容、二极管
、三极管等。
元器件选用原则
03
根据电路需求选择合适的元器件，考虑规格、参数、精度、稳
定性等方面的要求。
Байду номын сангаас
电路板焊接与调试
焊接工具与材料
选择合适的焊接工具和焊料，如电烙铁、焊台、焊锡等。
电子测量仪器
万用表
介绍万用表的基本原理和功能，以及使用方法， 包括测量电压、电流和电阻等。
示波器
简要介绍示波器的基本原理和功能，以及使用方 法，包括测量信号波形、频率等。
频谱分析仪
简述频谱分析仪的基本原理和功能，以及使用方 法，主要用于信号的频谱分析。
03 电子工艺实践
制作简易电路板
电路板设计
测量结果分析
根据测量结果分析电路的性能指标，如频率响应、失真度等，能够 对电路进行调整和优化。
04 电子工艺应用
电子产品制作
总结词
通过电子工艺技术，可以制作各种电子产品，满足人们的生活和工作需求。
详细描述
电子工艺技术是制作电子产品的关键技术之一，包括电路板制作、元器件焊接 、调试等环节。通过这些技术，可以制作出各种实用的电子产品，如手机、电 视、电脑等。
详细描述
物联网是指通过网络连接各种物 理设备的技术，电子工艺技术在 物联网领域的应用包括传感器节 点制作、无线通信模块集成等。
智能硬件设计
总结词
智能硬件是物联网的重要组成部分，电子工艺技术在其中发挥着关键作用。
详细描述
智能硬件是指具有智能化功能的物理设备，如智能家居设备、智能穿戴设备等。 电子工艺技术在智能硬件设计中扮演着重要的角色，如电路板设计、传感器集成 等。

第二章习题2.1 既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管取代PN结并相联以构成一只BJT?试说明其理由。

答：不可以，因为BJT的两个PN结掺杂浓度、面积等制作工艺与二极管不同2.2 要使BJT具有放大作用，发射结和集电结的偏置电压应如何联接？答：集电极结反偏，发射结正偏2.3 一只NPN型BJT，具有e、b、c三个电极，能否将e、c两电极交换使用？为什么？答：不可以，因为为了吸收更多的电子，集电极面积大，为发射更多的电子发射极掺杂浓度高。

交换后，集电极发射电子的能力很低，三极管的放大能力降低。

2.4 为什么BJT的输出特性在V CE＞1V以后是平坦的？又为什么说，BJT是电流控制器件？答：BJT的输出特性在V CE＞1V以后因为发射极发射出来的所有电子都被集电极吸收，此时再增加集电极与发射极之间的电压，发射极也没有更多的电子向外发射了。

所以V CE＞1V 以后的输出特性是平坦的。

由于基极的空穴被发射区来的电子中和，为了维持基区空穴的浓度不变，所以要向电源索取空穴，不断的向基区补充。

2.5 BJT的电流放大系数α、β是如何定义的，能否从共射极输出特性上求得β值，并算出α值？在整个输出特性上，β或α值是否均匀一致？答：β =I C/I B，α=I C/I E，在整个输出特性上，β或α值基本是均匀一致的。

2.6 在分析电路时，为什么要规定参考电位点和正方向？答：便于计算和进行相位分析2.7放大电路为什么要设置合适的Q点？在图中，设R b=300kΩ，R c=4kΩ，V CC=12V。

如果使I B=0μA或80μA，问电路能否正常工作？答：放大电路设置合适的Q点可以放大电路工作在放大区还可以使输出电压达到最大值。

R b=300kΩ，R c=4kΩ，V CC=12V。

如果使I B=0μA放大电路工作在截止区。

如果使I B= 80μA，I CMAX=V CC/R C=12/4=3mA β =I C/I B =3/0.08=37.5如果β<37 放大器可以工作在放大区。