电子技术工艺基础(2)

第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。

电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和两种载流子。

自由电子2、半导体有P型和两种类型。

N型3、PN结具有特性。

单向导电4、二极管按结构分有点接触型和接触型。

面5、差动放大电路的电路参数。

对称6、差动放大电路的目的是抑制。

共模信号7、反馈分有正反馈和反馈。

负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。

甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。

第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。

功率输出级11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。

模拟12、过零电压比较器具有极高的。

电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。

选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。

正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。

开关16、逻辑代数又叫代数。

二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。

逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为。

119、数字集成器件民用品标为系列。

7420、集成逻辑门是最基本的。

数字集成器件21、反相器就是实现的器件。

逻辑非22、编码是的逆过程。

译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。

当前输入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。

集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。

N进制26、一个触发器可以存放位二进制数。

127、多谐振荡器又称。

方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。

单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。

CMOS30、读写存储简称。

RAM31、只读存储器简称。

ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

DA、二B、三C、四D、五2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。

BA、二B、三C、四D、五3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

CA、大于B、等于C、小于D、与温度有关4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

电子工艺技术电子工艺技术：1. 定义：电子工艺技术是指以电子设备为工艺流程，以计算机系统控制和测试设备为法兰，以高层次的计算机系统和应用软件为支持，以精密电子零件和光电元件为可靠的控制核心，以装配技术和装配的固件和结构件为基础，最终用于控制、监控、测试和现场管理的技术。

2. 特点：（1）技术新颖：电子工艺技术使工业过程得以实用化，可以节约更多的能源，提高生产效率和质量；（2）自动化：电子工艺技术使工业生产可以实现“自动化”，即可以根据设备和流程要求获得最佳的控制结果，更好地满足客户的需求；（3）节能环保：电子工艺技术让工业生产更污染，也可以节省能源和节约宝贵的自然资源。

3.应用：（1）汽车行业：汽车制造工艺采用电子工艺技术，包括汽车总装、终装行业；（2）电子行业：电子行业可以采用电子工艺技术来生产印制电路板，小型电子设备，电脑系列等；（3）家电行业：电子工艺技术在家电行业中可以控制压铸、组装、测试等过程；（4）包装行业：电子工艺技术可以用于各种设备的包装，如医药行业的贴标机，食品包装机械等。

4.优势：（1）准确度高：电子工艺技术可以精准地控制设备，控制频率范围宽，无需更改工况和装置结构即可实现工艺参数的调节；（2）响应时间快：电子工艺技术以控制响应时间快，可以适应效率要求；（3）动态控制能力强：电子工艺技术可以实现动态控制，不仅可以改善原有的动态特性，而且还可以控制脉动；（4）可编程性强：电子工艺技术的可编程可以允许我们自由地定义、修改、调整和优化控制参数，使工艺更加灵活；（5）计量准确：电子工艺技术可以有效地限制设备的能耗，实现计量准确率较高。

5. 发展趋势：电子工艺技术越来越深入，向智能化、网络化和多语种控制方向发展。

不仅要满足精准控制和实时反应的需求，还要积极地尝试新型特性，如：改善机器通信技术，发展图形化和交互式的界面集成，优化工艺流程，应用新型集成电路和系统，深入研究可编程逻辑控制器，开发新型检测和调试设备等。

一、P N结的形成在基材本征半导体上利用一定的工艺制作一个P区(P型半导体)，制作一个N区(N型半导体)，在两区交界处，由于多子的扩散运动，在交界处形成了正负电荷(正负离子)区。

空穴的扩散运动自由电子的扩散运动3价杂质原子形成的负离子5价杂质原子形成的正离子正负电荷产生静电场静电场静电场方向少子产生漂移运动静电场促使少子漂移静电场阻止多子扩散扩散运动和漂移运动达到平衡(动态平衡)，形成P N结，又称为空间电荷区还称为耗尽层。

二、P N 结的单向导电性P N 结正偏:外加电源使P 区的电位高于N 区的电位，称外加正向电压。

P N 结反偏:外加电源使P 区的电位低于N 区的电位，称外加反向电压。

P N 结正偏限流电阻◆正偏状态的P N结称为导通状态，扩散电流称为正向导通电流。

◆外电场使空间电荷区变窄，多子扩散运动加强，阻止少子的漂移运动。

P N 结反偏◆反偏状态的P N 结称为截止状态，漂移电流称为反向电流。

◆外电场使空间电荷区变宽，阻止多子扩散运动，加强少子的漂移运动。

◆因为少子量少，漂移电流很小，在近似计算中认为该电流为0。

◆单向导电性：正向导通，反向截止。

三、P N 结的电容效应◆ P N 结内部有动态电荷和束缚电荷两种，这两种电荷的多少都受外电场的影响，所以P N 结有电容效应。

P N 结正偏时外电场对动态电荷影响较大，此时的电容称为扩散电容C d 。

P N 结反偏时外电场对束缚电荷影响较大，此时的电容称为势垒电容C b 。

结电容bd j C C C +=◆ P N 结的电容效应使半导体器件在电子电路中对信号频率有一定的限制，当频率太高时，P N 结将失去单向导电性。

总结：本节知识点的关键词：扩散运动；漂移运动；空间电荷区；单向导电性；结电容。

思考题1.P N结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？2.为什么半导体器件有最高工作频率？。

电子技术工艺基础考试试题考试时间：60分钟,满分100分学号__________ 姓名__________ 班级___________ 评分__________一、填空题每空1分,共50分1、各代电子组装工艺中的技术：手工装联焊接技术、通孔插装技术、表面组装技术、微组装技术。

2、1904年,弗莱明发明了第一只电子二极管真空二极管标志着世界从此进入了电子时代；1947年,Bell实验室肖克利发明第一只晶体管点接触三极管；1958年,TI基尔比研制成功第一块数字IC ,宣布电子工业进入了集成电路时代。

3、皮肤干燥时,人体电阻可呈现 100kΩ以上,一旦潮湿,电阻可降到 1kΩ一下。

4、下列logo代表什么A： B： C：A、中国强制认证 China pulsory Certification,CCCB、国际标准化组织 International Organization for Standardization,ISOC、国际电信联盟 International Telemunication Union,ITU5、电烙铁的握法如图a 反握法b 正握法c 握笔法6、下列英文缩写名词对应的中文,ASIC：专用集成电路 ,FPGA：现场可编程逻辑门阵列 ,SoC：片上系统 ,DFM：可制造性设计 ,DFX：最优化设计。

7、CPLD/FPGA芯片设计流程：设计输入、设计编译、综合优化、仿真校验、测试下载。

8、列举三个敏感电阻：光敏电阻、热敏电阻、压敏电阻。

9、IC引脚的形状主要有：针式引脚、 J形引脚、 L形引脚、球状引脚。

10、IC产业链上、中、下游分别对应： IC设计、 IC制造、 IC封装和测试。

11、芯片按使用领域可分为军用品、工业用品、民用/商用品三大类。

12、电容器的国际单位是法/法拉 F ,其中1F= 1012 PF,电阻器的国际单位是欧姆Ω ,其中1MΩ= 103 KΩ,电感器的国际单位是亨 H ,其中1mH= 10-3 H13、直热式电烙铁的分为内热式、外热式。