电子技术基础(第二版)前三章习题答案

模块一电路基础及简单直流电路课题一熟悉电路基础知识填空题：（请将正确答案填在空白处）1.电源负载开关连接导线2.电荷有规则的定向移动正电荷3. 0.12 1204．电路中任意两点之间的电位差称为两点之间的电压5.导体绝缘体半导体6.通过导体的电流电压7. 越小8.标称阻值额定功率允许偏差9. 交流电压最高挡10. 含有电源的闭合电路内电路外电路11. 开路通路12.电源的电动势13. 大负载小负载14. 115.满载轻载过载16．外电阻等于电源的内阻选择题：（请在下列选项中选择一个正确答案并填在括号内）1.C2. B3. D4. A5. C判断题：（判断正误并在括号内填√或×）1.√2.√3.×4.×5. ×6.√7.×8.×9.× 10.√ 11.√ 12.× 13.√简答题：1.电路的作用主要有两个方面：一是可以进行电能的传输、分配和转换，例如供电线路可以把发电厂发出的电能传输到远处的负载，再由负载将电能转换成其他形式的能；二是可以实现电信号的产生、传递和处理。

2.（略）3.电流大小的定义：单位时间内通过导体横截面的电荷的多少。

在直流电路中，若在时间t内通过导体横截面的电量为Q，则电流的大小为：因此，电流的大小与时间和电荷量有关。

4.直流电是方向不随时间变化的电流，但大小可能会发生变化，如脉动直流电；交流电流是指大小和方向都随着时间的变化而变化的。

5.6.①电位是相对量，随着参考点的改变而改变；电压是绝对量，与参考点的选择无关。

②电压就是两点之间的电位差，所以电位相同的各点间的电位差为零，电流也为零。

7.电阻为5Ω。

8.测量时，将转换开关转到交流电压挡，测量交流电压不分正、负极，所需量程由被测电压高低来确定，如电压不知，也需从高到低逐级调到合适的挡位。

9.部分电路欧姆定律：在部分电路中，通过电阻的电流与电阻两端的电压成正比，与电阻成反比。

电子技术基础1.1 检验学习结果1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？答：由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发；同时进行的价电子定向连续填补空穴的的现象称为复合。

掺入三价杂质元素后，由于空穴数量大大增加而称为多子，自由电子就是少子；掺入五价元素后，由于自由电子数量大大增加而称为多子，空穴就是少子。

即多数载流子和少数载流子的概念是因掺杂而形成的。

2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？答：金属导体中存在大量的自由电子载流子，因此金属导体导电时只有自由电子一种载流子；而半导体内部既有自由电子载流子又有空穴载流子，在外电场作用下，两种载流子总是同时参与导电，这一点是它与金属导体导电机理的区别。

3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？答：原子排列得非常整齐、结构完全对称的晶体称为本征半导体．．．．．。

本征半导体掺入五价元素后形成N型半导体；掺入三价元素后形成P形半导体。

4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。

这种说法正确吗？为什么？答：这种说法不正确。

因为，虽然N型半导体中有多子和少子之分，造成定城的离子带正电，但是整个晶体上的正、负电荷总数在掺杂过程中并没有失去或增加，所以晶体不带电。

5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。

这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。

6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？说说PＮ结有什么特性？答：由多子形成的导通电流称扩散电流，由少子形成的电流称为漂移电流；当PN 结的阳极P接电源正极，阴极N接电源负极时称为正向偏置，反之为反向偏置；PN结具有“正向导通、反向阻断”的单向导电性。

1.2 检验学习结果1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？答：二极管虽然具有单向导电性，但是当正向电压较小时，由于外加正向电压的电场还不足以克服PN结的内电场对扩散运动的阻挡作用，二极管仍呈现高阻态，所以通过二极管的正向电流几乎为零，即基本上仍处于截止状态，这段区域通常称为死区．．。

第一章1.1 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。

1.2已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解：U O1＝6V ，U O2＝5V 。

1.3写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。

（该题与书上略有不同）解：U O1≈1.3V ，U O2＝0，U O3≈－1.3V ，U O4≈2V ，U O5≈1.3V ，U O6≈－2V 。

1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。

试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值（该题与书上数据不同）解：u O 的波形如解图P1.5所示。

解图P1.51.9电路如图T1.9所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。

试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？ （2）若T 临界饱和，则R b ≈？ 解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。

1.11电路如图P1.11所示，试问β大于多少时晶体管饱和？ 解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则Cb C BECC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb=≥R R β时，管子饱和。

图1.11 1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态第二章2.1试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

第1章习题与参考答案【题1-1】将下列十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数。

（1）25；（2）43；（3）56；（4）78解：（1）25=（11001）2=（31）8=（19）16（2）43=（101011）2=（53）8=（2B）16（3）56=（111000）2=（70）8=（38）16（4）（1001110）2、（116）8、（4E）16【题1-2】将下列二进制数转换为十进制数。

（1）10110001；（2）10101010；（3）11110001；（4）10001000 解：（1）10110001=177（2）10101010=170（3）11110001=241（4）10001000=136【题1-3】将下列十六进制数转换为十进制数。

（1）FF；（2）3FF；（3）AB；（4）13FF解：（1）（FF）16=255（2）（3FF）16=1023（3）（AB）16=171（4）（13FF）16=5119【题1-4】将下列十六进制数转换为二进制数。

（1）11；（2）9C；（3）B1；（4）AF解：（1）（11）16=（00010001）2（2）（9C）16=（10011100）2（3）（B1）16=（1011 0001）2（4）（AF）16=（10101111）2【题1-5】将下列二进制数转换为十进制数。

（1）1110.01；（2）1010.11；（3）1100.101；（4）1001.0101解：（1）（1110.01）2=14.25（2）（1010.11）2=10.75（3）（1001.0101）2=9.3125【题1-6】将下列十进制数转换为二进制数。

（1）20.7；（2）10.2；（3）5.8；（4）101.71解：（1）20.7=（10100.1011）2（2）10.2=（1010.0011）2（3）5.8=（101.1100）2（4）101.71=（1100101.1011）2【题1-7】写出下列二进制数的反码与补码（最高位为符号位）。

第三章习题参考答案3-1 电路如图3-40所示，设40=β，试确定各电路的静态工作点，指出晶体管工作于什么状态？b) d)图3-40 题3-1图解 a）AIBQμ5.71102007.0153=⨯-=mAICQ86.20715.040=⨯=VUCEQ14.12186.215=⨯-=晶体管工作于放大状态。

b）AIBQμ8010]1)401(200[7.0203=⨯⨯++-=mAICQ2.308.040=⨯=VUCEQ39.10)12(2.320=+⨯-=晶体管工作于放大状态。

c）设晶体管工作在放大状态。

mAIBQ257.010757.0203=⨯-=mAICQ3.10257.040=⨯=VUCEQ9.1533.1015-=⨯-=+15Vk200+15V+15V+20Vk200说明晶体管已经深度饱和。

d) 由于发射结反偏，晶体管工作于截止状态。

3-2 试判断图3-41中各电路能否放大交流信号，为什么？a ） b) c)d) e) f) 图3-41 题3-2图解 a) 晶体管的发射结正偏，集电结反偏，故可以放大交流信号。

b) 缺少直流负载电阻C R ，故不能放大交流信号。

c) 晶体管为PNP 型，偏置电压极性应为负，故不能放大交流信号。

d) 电容C1、C2的极性接反，故不能放大交流信号。

e) 缺少基极偏置电阻B R ，故不能放大交流信号。

f) 缺少直流电源CC V ，故不能放大交流信号。

3-3 在图3-42中晶体管是PNP 锗管，（1）在图上标出CC V 和21,C C 的极性；（2）设V 12-=CC V ，k Ω3=C R ，75=β，如果静态值mA 5.1=C I ，B R 应调到多大？（3）在图3-42 题3-3图调整静态工作点时，如果不慎将B R 调到零，对晶体管有无影响？为什么？通常采取何种措施来防止这种情况发生？（4）如果静态工作点调整合适后，保持B R 固定不变， 当温度变化时，静态工作点将如何变化？这种电路能否稳定静态工作点？ 解 1)CC V 和21,C C 的极性如题3-3解图所示。

《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ，　； 1.4.6 1A 3A ，　； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。

二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。

第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。

二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。

第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10，　，　； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 不变、增加、减少；3.4.13 电阻性，电容性； 3.4.14 LC π21，阻抗，电流；3.4.15 1rad/s ，4；3.4.16 Ω10；3.4.17 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.18 P L 3U U =，P L I I =，超前。

部分习题参考答案第1章1.1 （1）5ab =U V ；（2）5ab =U V ；（3）2-=I A ；（4）2=I A1.2 （a ）－10W ；（b ）－48W ，30W ；（c ）－50W ，25W1.3 （3）5601-=P W ，5402-=P W ，6003=P W ，3204=P W ，1805=P W1.4 23-=I mA 。

603=U V1.5 50=P W1.6 26ac =U V ，7bd =U V1.7 11ab =U V ，32-=I A ，23=I A ，5.53=R Ω1.8 －18W ，－18W ，4W1.9 0ab =U V ，0=I A1.10 75.8S2=U V1.11 （a ）8.2Ω；（b ）12.5Ω；（c ）2Ω1.12 4=U V1.13 5.2=I A ，7ab =U V1.14 1=I A1.15 1ab =U V1.16 31=I A ，82=I A ，113=I A1.17 11-=I A ，12=I A1.18 21=I A ，22-=I A ，4.03=I A1.19 71=I A ，5.112-=I A ，5.33=I A ，14-=I A1.20 （a ）7OC =U V ，60=R Ω；（b ）100OC =U V ，150=R Ω1.20 （a ）5.1=I A ；（b ）2=I A1.22 4=I A1.23 2=I A1.24 （a ）14OC =U V ，20=R Ω（b ）60OC =U V ，60=R Ω（c ）14OC =U V ，100=R Ω1.25 （a ）4OC =U V ，80=R Ω；（b ）3OC =U V ，340=R Ω电工电子技术基础（第二版） 2 1.26 1=I A1.27 25.0=I A1.28 5.0=I A第2章2.2 （1）)45100sin(210︒+=t i πA ；（2）90°，102A2.4 1366.14j B A +=+，366.2j B A +-=-，︒∠=1.83100AB ，︒∠=1.231/B A2.7 A )34.21314sin(8.1221︒+=+t i i ，A )67.98314sin(8.1221︒+=-t i i 2.8 )4510sin(210006︒+=t u s V2.9 )45sin(707.0︒+=t i A ，)45sin(07.7C ︒-=t u V2.10 )752sin(20︒+=t i A2.11 5A ，1A ，7A2.12 （a ）7.07V ；（b ）7.07V2.13 0.065H2.14 （a ）︒-∠4522Ω；（b ）︒∠452Ω；（c ）︒-∠4522Ω2.15 （1）)4510sin(23︒-=t i A ，)4510sin(203R ︒-=t u V ，)4510sin(403L ︒+=t u V ，)13510sin(203C ︒-=t u V ；（2）6.112=f H ，t i 310sin 22=A ，t u 3R 10sin 220=V ， )9010sin(403L ︒+=t u V ，)9010sin(403C ︒-=t u V 2.16 )4510sin(225.04︒+=t i A ，t i 4R 10sin 25.0=A ，)9010sin(25.04L ︒-=t i A ，)9010sin(5.04C ︒+=t i A2.17 ︒∠=45101I A ，︒∠=902102I A ，︒-∠=45103I A ，︒-∠=1.8100SU V 2.18 ︒∠=4525.01I A ，︒∠=9012I A ，︒-∠=4525.03I A 1.19 880=P W ，660=Q Var ，1100=S VA ，︒∠=9.3644Z2.20 200=r Ω，12.3=L H2.21 （1）2528=P W ，766.040cos =︒；（2）60=C μF2.22 55.0cos =ϕ，6=R Ω，22.9=X Ω2.23 350=R Ω，5=L mH2.24 ︒∠=6.2636.22UV ，150=P W ，50-=Q Var ，158=S VA ，95.0=λ 2.25 100=R Ω，3.57=L mH ，6.17=C μF2.26 120C =X Ω2.27 4010=ωrad/s ，2=I A ，8000L =U V ，160=Q2.28 19=L mH ，05.0=C μF部分习题参考答案 32.30 44P =I A ，44L =I A ，0N =I2.31 18.4L =I A ，18.4YP =I A ，42.2P =∆I A2.32 2.46j 5.61+=Z Ω2.33 8687W ，26061W第3章3.1 4)0(C =+u V ，1)0(1=+i A ，1)0(C =+i A ，0)0(2=+i A3.2 3)0(L =+u V ，3)0(L =+i A ，5.1)0(1=+i A ，5.1)0(2=+i A3.3 6)0(C =+u V ，6)0(L =+u V ，0)0(L =+i A ，0)0(C =+i A ，0)0(=+i A3.4 0)0(C =+u V ，0)0(L =+u V ，3)0(L =+i A ，0)0(C =+i A ，3)0(=+i A3.5 )e 1(2C t u -+=V ，t i --=e 2C A3.6 t i 5L e 1--=A ，t u 5L e 5-=V3.7 )e 1(44000C t u -+=V3.8 t u 2000C e 48--=V3.9 t u 1000C e 20-=V3.10 )e 1(425.0C t u -+=V 3.11 )e 1(4592000C t u --=V ，t i 92000C e 30-=mA ， t i 920001e 5.225.7-+=mA ，)e 1(5.7920002t i --=mA3.12 t u 5.0C e 32-+=V3.13 t i 5.1L e -=A ，t u 5.1L e 5.1--=V 3.14 t i 34L e 82-+=A ，t u 34L e 332--=V 3.15 t i 2L e 35--=A ，t u 2L e 6-=V ，t i 21e 2--=A ，t i 22e 23--= A 3.16 t i 34L e 21--= A第4章4.2 33盏；25.21=I A ，75.132=I A4.3 10=k ，78.0=P W4.4 1.7=k ；51=U V ，71.02=U V ；5.121=I mA ，892=I mA ，63=P mW电工电子技术基础（第二版） 4 4.5 （1）10001=N 匝，1642=N 匝；（2）197.01=I A ，2.12=I A4.6 （1）362=U V ，243=U V ；（2）69.11=I A ，52=I A ，83=I A ；（3）130Ω4.8 230V ，133V ；133V ，133V4.9 10；310；10；3/104.10 （1）77.51N =I A ，3.144N 2=I A ；（2）1000盏；（3）500盏4.11 500匝，7.221=I A ，202=I A4.13 （1）280A ；（2）4.375A第5章5.4 2=p ，转速为0时1=s ，转速为1440 r/min 时04.0=s5.5 3=p5.6 04.0N =s ，22=f Hz5.15 （1）04.0N =s ，6.11N =I A ，5.36N =T N ·m ；（2）2.81=st I A ，2.80max =T N ·m ，2.80=st T N ·m ，43.61=P kW5.18 （1）3.131N =T N ·m ； （2）89.0cos = ；（3）7.106Yst =I A ，9.56Yst =T N ·m ；（4）不能起动第7章7.4 （1）1V ，0.5%；（2）0.5级7.5 5%；2.5%7.6 电流量程为0.5A 时：0.125W/div ，0.25W/div ，0.5W/div ，1W/div ； 电流量程为1A 时：0.25W/div ，0.5W/div ，1W/div ，1W/div ；7.7 41Ω，959Ω7.8 249.975k Ω，2250 k Ω第8章8.1 （a ）0.7V ；（b ）1.5V ；（c ）4.3V8.5 （a ）放大，7V ；（b ）饱和，0.3V ；（c ）截止，5V8.8 （1）50B =I μA ，2C =I mA ，6CE =U V8.9 3CE =U V 时：160B =R k Ω，75B =I μA ，3C =I mA部分习题参考答案 55.1C =I mA 时：320B =R k Ω，5.37B =I μA ，5.7CE =U V8.10 50B =I μA ，4C =I mA ，3.0CE =U V ，三极管饱和8.11 5.2C =R k Ω，200B =R k Ω8.13 （a ）50B =I μA ，2C =I mA ，6CE =U V（b ）33B =I μA ，33.1C =I mA ，8CE =U V8.14 空载时：180u -=A ；接上负载时：90u -=A8.15 （1）16B =I μA ，8.0C =I mA ，2.7CE =U V（3）76.1i =r k Ω，3o =r k Ω（4）5.37u -=A ，24us -=A8.16 （1）12BQ =I μA ，2.1CQ =I mA ，6CEQ =U V（3）3.2i =r k Ω，3o =r k Ω（4）6.6u -=A ，3.6us -=A8.17 （1）25B =I μA ，5.1C =I mA ，5.4CE =U V（3）92i =r k Ω，3o =r k Ω（4）73.0u -=A8.18 （1）25B =I μA ，5.2C =I mA ，7CE =U V（3）85i =r k Ω，13o =r Ω（4）99.0u =A8.19 （1）34B2B1==I I μA ，7.1C2C1==I I mA ，2.5CE2CE1==U U V（3）30u1-=A ，50u2-=A ，1500u =A8.20 （1）20B1=I μA ，1C1=I mA ，4CE1=U V40B2=I μA ，2C2=I mA ，6CE2=U V（3）116u1-=A ，98.0u2=A ，114u -=A8.21 （1）10B1=I μA ，5.0C1=I mA ，5.10CE1=U V20B2=I μA ，1C2=I mA ，8.5CE2=U V（3）95.0u1=A ，153u2-=A ，146u -=A第9章9.1 6~0o -=u V9.2 12~6o =u V9.3 50μA9.4 （1）o x 5.0Ru R =；（2）10=R k Ω 9.5 Ru i i o =电工电子技术基础（第二版） 6 9.6 Ru i i o =9.7 R U i =o 9.8 i F3F2F1F2F11o 1u R R R R R R u ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++-= 9.9 )(i2i1o u u u +-= 9.10 )(2i1i2o u u u -=9.11 i o 30u u = 9.12 i 12o 1u R R u ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+= 9.13 )(4i2i1o u u u +-=9.14 )(5.0i2i1o u u u +=9.15 )(4i1i2o u u u -=9.16 i3i2i1o 436u u u u -+=9.18 1=t s 时6o =u V ，2=t s 时12o =u V ，3=t s 时12o =u V9.19 2500=A ，01.0=F9.20 100f =A ，%1.0d ff =A A 9.26 16=f kHz ，40F ≥R k Ω第10章10.2 562=U V ，1782=I mA ；80D =I mA ，79RM =U V10.3 （1）13.75mA ；（2）19.44mA ；（3）244V10.4 （1）9V ，90mA ；（2）4.5V ，45mA ；（3）短路；（4）12V 10.6 （1）24V ；（2）20V10.9 二极管：75D =I mA ，3.35RM =U V ；电容：250=C μF ，耐压大于35.3V 10.11 （1）9.4omin =U V ，3.21omax =U V ；（2）P 21R R R == 10.12 （2）5.15=k ，250D =I mA ，20RM =U V ，100021==C C μF第11章11.1 100000011011，81B部分习题参考答案 711.2 5，25711.3 16102)37()55()110111(==，16102)D 4()77()1001101(== 11.4 111001101100，0011 0110 1001 001011.5 2345，92911.7 （1）011、101、110、111；（2）011、100、101；（3）001、010、100、111；（4）000、001、010、100 11.9 （1）C A AB F +=；（2）1=F ；（3）D AC CD A BC AB F +++=；（4）D B A F +=；（5）B F =；（6）B A F =；（7）0=F ；（8）B A F += 11.10 （1）ABC F =1，C B A F ++=211.11 （a ）AB F =；（b ）B A F += 11.12 AB F =1，B A F +=2，B A F ⊕=3，AB F =4，B A F +=5，B A F ⊕=6 11.13 C AB F +=1，B AC F +=2，C B B A F ⊕⊕⊕=3，CA BC AB F ++=4 11.14 （a ）BC C A AB F ++=；（b ）D BC D C C B A AB +++ 11.15 （a ）C A B A AB F ++=；（b ）BCD B A F +=11.16 （a ）B A AB F +=；（b ）D C B A F ⊕+⊕=11.17 （a ）D C B A F ⊕⊕⊕=；（b ）C B A F ⊕⊕=1，CA BC AB F ++=2 11.18 （a ）D C B A F ⊕⊕⊕=（b ）33B F =，232B B F ⊕=，121B B F ⊕=，010B B F ⊕= （c ）M B F ⊕=22，M B F ⊕=11，M B F ⊕=00 11.19 C B C A F +=1，ABC C B A C B A B A F +++=2，CA BC AB F ++=3 A C BC B A F ++=411.20（1）BCD ACD ABD ABC Y +++=（2）D C B A Y ⊕⊕⊕=（3）D C B A Y ⊕⊕⊕=（4）ABCD D C B A Y +=11.21 （1）0B Y =（2）0123012301230123B B B B B B B B B B B B B B B B Y +++=（3）02123B B B B B Y ++= （4）02123B B B B B Y ++= 11.22 D C B A Y ⊕⊕⊕=11.23 红灯AB Y =1，黄灯AC Y =2，白灯B A Y =311.24 红灯A C C B B A Y 1++=，黄灯C AB C B A BC A C B A Y +++= 2， 绿灯ABC Y =3 11.25 ACD ABC ABD BCD D C B D C A D B A C B A X +++++++= CD BD BC AD AC AB Y +++++=电工电子技术基础（第二版） 8 第12章12.12 2位二进制同步可逆计数器12.13 五进制同步计数器12.14 六进制异步计数器12.17 （a ）8421码8进制计数器；（b ）5421码6进制计数器；（c ）8421码7进制计数器12.18 （a ）10进制计数器；（b ）11进制计数器 12.19 （a ）50进制计数器；（b ）137进制计数器 12.20 （1）2Q CR =，02Q Q LD =；（2）045Q Q Q CR =，145Q Q Q LD =；（3）0156Q Q Q Q CR =，256Q Q Q LD =；（4）367Q Q Q CR =，01267Q Q Q Q Q LD = 12.21 （1）030B 0A Q Q R R ==；（2）02450B 0A Q Q Q Q R R ==；（3）460B 0A Q Q R R ==；（4）34560B 0A Q Q Q Q R R ==12.24 11s12.26 0.05V12.27 －4.5625V12.28 －4.98V ，－3.75V ，－0.0195V12.29 －3.75V。

第3章电路的暂态过程一、思考题解答3.1 思考题【思3.1.1】电路在换路前储能元件没有储能，则在t＝0－和t＝0＋的电路中，可将电容元件视为短路，电感元件视为开路。

如果换路前储能元件已有储能，且电路已处于稳态，则在t＝0－电路中，电容元件视为开路，电感元件视为短路。

在t＝0＋电路中，电容元件可用一理想电压源代替，其电压为u C(0－)；电感元件可用一理想电流源代替，其电流为i L(0－)。

【思3.1.2】根据换路定律可知，开关S断开瞬间电容器的电压值不能突变，则在t＝0＋时的等效电路可简化为如图3-2所示的电路。

u C(0＋)＝u C(0－)＝112+×6＝2V，i2(0＋)＝0，i1(0＋)＝i C(0＋)＝622-＝2A【思3.1.3】根据换路定律可知，开关S断开瞬间电感的电流值不能突变，则在t＝0＋时的等效电路可简化为如图3-3所示的电路。

i L(0＋)＝i L(0－)＝42＝2A，U V＝R V×i L(0＋)＝－2500×2＝－5kV图3-2 思考题3.1.2的0＋电路图图3-3 思考题3.1.3的0＋电路图【思3.1.4】根据换路定律可知，开关S闭合瞬间电容器的电压值不能突变，则在t＝0＋时的等效电路可简化为如图3-4(a)所示的电路。

(1) i1(0＋)＝0，i(0＋)＝i2(0＋)＝100Au R1(0＋)＝100×1＝100V，u R2(0＋)＝u C(0＋)＝0第3章 电路的暂态过程• 1 •1(2) i (∞)＝i 1(∞)＝100199＋＝1A ，i 2(∞)＝0 u R1(∞)＝1×1＝1V ，u R2(∞)＝u C (∞)＝99×1＝99 V(3) 根据换路定律可知，当S 闭合瞬间电感的电流值不能突变，则在t ＝0＋时的等效电路可简化为如图3-4(b)所示的电路。

i 2(0＋)＝0，i (0＋)＝i 1(0＋)＝100199＋＝1A u R1(0＋)＝1×1＝1V ，u R2(∞)＝u L (0＋)＝99×1＝99 V S 闭合后电路达到稳态时，i 1(∞)＝0，i (∞)＝i 2(∞)＝1001＝100A u R1(∞)＝100×1＝100V ，u R2(∞)＝u C (∞)＝(a) (b) 图3-4 思考题3.1.4的0＋电路图【思3.1.5】i L (0＋)＝i L (0－)＝013E R R R ++＝12222++＝2Au C (0＋)＝u C (0－)＝2×2＝4Vt ＝0＋时的等效电路如图3-5所示，可得12＝2×［2＋i C (0＋)］＋2×i C (0＋)＋4 所以，i C (0＋)＝124422--+＝1A ，u L (0＋)＝12－2×(2＋1)－2×2＝2V【思3.1.6】(1) 根据换路定律可知，开关S 闭合瞬间电容器可视为短路，各电感可视为开路。

第3章集成逻辑门电路3-1 如图3-1a）～d）所示4个TTL门电路，A、B端输入的波形如图e）所示，试分别画出F1、F2、F3和F4的波形图。

A1A234a)b)c)d)F1F2F3F4BAe）图3-1 题3-1图解：从图3-1a）～d）可知，11F=，2F A B=+，3F A B=⊕，4F A B= ，输出波形图如图3-2所示。

F1F2F3F4AB图3-2题3-1输出波形图3-2 电路如图3-3a ）所示，输入A 、B 的电压波形如图3-3b ）所示，试画出各个门电路输出端的电压波形。

1A 23b)a)AB图3-3 题3-2图解：从图3-3a ）可知，1F AB =，2F A B =+，3F A B =⊕，输出波形如图3-4所示。

F 1F 2F 3AB图3-4 题3-2输出波形3-3在图3-5a ）所示的正逻辑与门和图b ）所示的正逻辑或门电路中，若改用负逻辑，试列出它们的逻辑真值表，并说明F 和A 、B 之间是什么逻辑关系。

b)a)图3-5 题3-3图解：（1）图3-5a ）负逻辑真值表如表3-1所示。

表3-1 与门负逻辑真值表F 与A 、B 之间相当于正逻辑的“或”操作。

（2）图3-5b ）负逻辑真值表如表3-2所示。

表3-2 或门负逻辑真值表F 与A 、B 之间相当于正逻辑的“与”操作。

3-4试说明能否将与非门、或非门和异或门当做反相器使用？如果可以，各输入端应如何连接？解：与非门、或非门和异或门经过处理以后均可以实现反相器功能。

1）与非门：将多余输入端接至高电平或与另一端并联； 2）或非门：将多余输入端接至低电平或与另一端并联；3） 异或门：将另一个输入端接高电平。

3-5为了实现图3-6所示的各TTL 门电路输出端所示的逻辑关系，请合理地将多余的输入端进行处理。

b)a)AB=A B=+A BC DABC D图3-6 题3-5图解：a ）多余输入端可以悬空，但建议接高电平或与另两个输入端的一端相连；b ）多余输入端接低电平或与另两个输入端的一端相连；c) 未用与门的两个输入端至少一端接低电平，另一端可以悬空、接高电平或接低电平；d ）未用或门的两个输入端悬空或都接高电平。

第1章电路的基本知识1.1电路的概念 (1) 略(2) 电路通常由电源、负载和中间环节(导线和开关)等部分组成。

A •电源的作用：将其他形式的能转换成电能。

B •负载的作用：将电能转换成其他形式的能。

C •中间环节的作用：传递、分配和控制电能。

1.2电路中的主要物理量 (1) 零、负电位、正电位 (2) 3、1.5、3、1.5、0、3 (3) -7,-5 1.3电阻 (1) 3: 4 (2)查表1.3，知锰铜合金的电阻率 J =4.4 10亠」m1.4欧姆定律 (1)电动势、内压降(2)当R= R 时，电路处于开路状态，其特点是电路中电流为零，电源端电压等于电 源电动势；当R=0时，电路处于短路状态，其特点是短路电流极大，电源端电压等于。

由于I =0.22A=220mA . 50mA ，故此人有生命危险。

1.5电功与电功率P 40(2)略(3) W 二Ult =220 0.2 7200 = 316800J思考与练习一、 判断题1" 2. X 3. V 4. X 5. V 6. X 7. X 8. V 9. X 二、 选择题1. C2. C3. B4. B5. B6. B7. C8. B根据t ，得1RS 3 0.21 10 P 4.4如0二=1.43 m(3)U 220R "1000= 0.22 A(1)t=W 二空£=25h三、填空题1 •正、相反；2•参考点；3•负极、正极； 4 •高、低、低、高； 5•材料、长度、横截面积、 R - ； 6• 1800、土 5%; 7. 220S四、计算题1 • U ab =V a -V b =10 - 5 = 5VU bc *b-V c =5-(-5) =10 V U ac 二V a-V c =10 -(-5) =15V U ca - —U ac - - 15VR = U420门I0.2 220100 10(2)U =IR =2 100=200V(3) U r =lr =2 10 =20V 4.( 1)P =UI = 220 4 =880W(2)W 二 Pt =880 1800 =1584000J2 2(3) Q =l Rt =4 0.5 1800 =14400J(4) E =W -Q =1584000 -14400 =1569600 J第2章直流电路的分析与计算2.1电阻的连接(1) I mb =0.5AR 1 4U 2 = IR 2 =0.5 20 =10V U U U 2 =210 =12VR 2故 P 2』P 二10 28 =14WR 2 202. I24 120= 0.2A 3・(1)(2)由于P P 2 R 1 U 2 R 2 R 1WORD 格式整理10(3) (a ) R ab(b) R ab(R R)RR 」R 3(R R) R (c) R ab=R=1门R (2 R)RR（汀）R32 —Q 52.2基尔霍夫定律 (1) 5、3、6、3 (2) 假设I 2、I 3的方向和回路绕行方向如图 I 1 R 1 1 3R 3 = E 1 12 R 2 T 3 R 3 = E2 0.008 I 2 =丨3 0.008 50 8OI3 =3 I 丨2艮 +8013 =12解得 =0.0245 A=24.5mA =0.0325 A=32.5mA R 2 = 384门2.3电压源与电流源的等效变换 （1） I s =—、不变、并、E — I s r 、不变、r （2） （ a ）把两个电压源等效变换为电流源，如图- ----1Q0Q200 n 10¥ a -O rn,evO匸(a)2.2（ a ）所示。

电子技术(数字部分)第二版课后习题参考答案-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII第1 章1.1 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于2-4 ) ：（l）43 (2)127 （3 ) 254.25 (4 ) 2.718解：（1）2 43 12 21 12 10 02 5 12 2 02 1 143=(101011)B(101 011)B=(53)O(0010 1011)B=(2B)H（2）2 127 1 263 12 31 12 15 12 7 12 3 12 1 1127=(1111111)B(001 111 111)B=(177)O(0111 1111)B=(7F)H（3）2254 00.25 2127 12 63 1102 312 15 1 2 7 11.00 1 2 3 12 1 1254.25=(11111110.01)B (011 111110.010)B =(376.2)O (1111 1110.0100)B =(FE.4)H(4 )20 0.71821 1 0.4360.78210.744 12.718=(10.1011)B(0.1011)B =2-1+2-3+2-4=0.6875 0.718-0.6875=0.0305<2-4=0.0625 满足要求。

(010.101 100)B =(2.54)O (0010.1011)B =(2.B)H1.2 将下列二进制数转换为十六进制数： ( l ) ( 101001）B （2）( 11.01101 ) B 解：（l ） ( 0010 1001)B =(29)H （2）( 0011.0110 1000 ) B =(3.68)H 1. 3 将下列十六制数转换为二进制数： ( l ) ( 23F . 45 ) H （2 ) ( A040.51 ) H 解：（1） ( 23F . 45 ) H =(100111111.01000101)B （2） ( A040.51 ) H =(1010000001000000.01010001)B 1.4 将下列十六进制数转换为十进制数：0 2 1( l ) ( 103.2）H （2）( A45D .0BC ) H解：( l ) ( 103.2)H=（1×162+3×160.2×16-1）=（259.125）（2）( A45D .0BC ) H=（1×163+4×162+5×161+13×160.11×16-2+13×16=3）=（42077.0459）1.5 写出下列十进制数的 842lBCD 码。

第1章习题与参考答案【题1-1】将以下十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数。

〔1〕25；〔2〕43；〔3〕56；〔4〕78解：〔1〕25=〔11001〕2=〔31〕8=〔19〕16〔2〕43=〔101011〕2=〔53〕8=〔2B〕16〔3〕56=〔111000〕2=〔70〕8=〔38〕16〔4〕〔1001110〕2、〔116〕8、〔4E〕16【题1-2】将以下二进制数转换为十进制数。

〔1〕10110001；〔2〕10101010；〔3〕11110001；〔4〕10001000解：〔1〕10110001=177〔2〕10101010=170〔3〕11110001=241〔4〕10001000=136【题1-3】将以下十六进制数转换为十进制数。

〔1〕FF；〔2〕3FF；〔3〕AB；〔4〕13FF解：〔1〕〔FF〕16=255〔2〕〔3FF〕16=1023〔3〕〔AB〕16=171〔4〕〔13FF〕16=5119【题1-4】将以下十六进制数转换为二进制数。

〔1〕11；〔2〕9C；〔3〕B1；〔4〕AF解：〔1〕〔11〕16=〔00010001〕2〔2〕〔9C〕16=〔10011100〕2〔3〕〔B1〕16=〔1011 0001〕2〔4〕〔AF〕16=〔10101111〕2【题1-5】将以下二进制数转换为十进制数。

〔1〕1110.01；〔2〕1010.11；〔3〕1100.101；〔4〕1001.0101解：〔1〕〔1110.01〕2=14.25〔2〕〔1010.11〕2=10.75〔3〕〔1001.0101〕2=9.3125【题1-6】将以下十进制数转换为二进制数。

〔1〕20.7；〔2〕10.2；〔3〕5.8；〔4〕101.71解：〔1〕20.7=〔10100.1011〕2〔2〕10.2=〔1010.0011〕2〔3〕5.8=〔101.1100〕2〔4〕101.71=〔1100101.1011〕2【题1-7】写出以下二进制数的反码与补码〔最高位为符号位〕。

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

三、选择题：（每小题2分，共20分）2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。

A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。