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半导体封装过程中的散热技术研究
王伟;姜亮;吴清光
【期刊名称】《新潮电子》
【年(卷),期】2024()1
【摘要】随着半导体技术的飞速发展,半导体器件的集成度和功率密度不断提高,导致封装过程中的散热问题日益突出。
本文首先分析了半导体器件热特性,揭示了散热问题对半导体性能的影响,强调了散热技术的重要性,探讨了热导材料和热界面材料的特点、选择,以及热传导路径的优化和散热结构设计的原则,以实现最佳的散热效果。
【总页数】3页(P121-123)
【作者】王伟;姜亮;吴清光
【作者单位】济南市半导体元件实验所
【正文语种】中文
【中图分类】TP3
【相关文献】
1.高功率半导体激光器陶瓷封装散热性能研究
2.同轴封装半导体激光器的散热研究
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5.电子封装中高散热铜/金刚石热沉材料的电镀技术研究
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封装工艺对芯片性能的影响封装工艺对芯片性能的影响芯片作为现代电子产品的核心组件之一，其性能直接影响着整个电子产品的质量和性能。
而封装工艺作为芯片制造过程中的重要环节之一，对芯片性能也有着重要的影响。
封装工艺的质量和精确度，决定了芯片的可靠性、散热性能和电气性能等方面，因此对于芯片制造过程来说，封装工艺的优劣至关重要。
首先，封装工艺对芯片的可靠性有着直接的影响。
芯片在运行过程中会产生一定的热量，而封装工艺可以影响芯片的散热性能。
如果封装工艺不合理，散热效果不佳，芯片温度过高，容易导致芯片的损坏或寿命缩短。
因此，在设计封装工艺时，需要充分考虑芯片的散热需求，采用合适的散热材料和散热结构，以确保芯片能够稳定运行并延长其使用寿命。
其次，封装工艺对芯片的电气性能也具有重要影响。
芯片的电气性能包括传输速度、信号稳定性等方面。
封装工艺中的电路设计、金属层堆叠方式、焊接工艺等，都会影响芯片的电气性能。
例如，对于高速芯片来说，要求信号传输的速度和稳定性都非常高，因此在封装工艺中需要采用低损耗的材料，合理布局电路，以减小信号传输的延迟和失真，提高芯片的电气性能。
此外，封装工艺还可以影响芯片的尺寸和外观。
随着电子产品的发展，对芯片的尺寸和外观要求也越来越高。
封装工艺可以通过微缩工艺、多层堆叠等方式，使芯片尺寸更小、外观更美观，以满足电子产品的小型化和美观化的要求。
综上所述，封装工艺对芯片性能的影响是多方面的。
它直接影响着芯片的可靠性、散热性能和电气性能等方面。
因此，在芯片的制造过程中，需要重视封装工艺的选择和优化，以提高芯片的整体质量和性能。
只有通过合理的封装工艺，才能生产出更加可靠、高性能的芯片，满足不断发展的电子产品市场的需求。
2.5D和3D封装技术的比较与选择随着信息技术的飞速发展，集成电路封装技术作为连接芯片与外部系统的桥梁，其进步直接关系到电子产品的性能、体积和成本。
在众多封装技术中，2.5D封装与3D封装作为高端封装技术的代表，正逐渐成为高性能计算、数据中心、移动通信等领域不可或缺的关键技术。
本文将从六个维度对这两种封装技术进行比较，并探讨在不同应用场景下的选择策略。
一、技术原理与结构差异2.5D封装技术，顾名思义，是一种介于传统的二维平面封装与三维立体封装之间的过渡形式。
它通过中介层（Interposer）来实现芯片间的高密度互连，中介层通常由硅、玻璃或有机基板制成，具有大量的过孔和布线，可承载多个芯片，实现高速、短距离的数据传输。
而3D封装则直接将多个芯片堆叠在一起，通过硅通孔（TSV, Through-Silicon Vias）或其他微细互联技术实现芯片间的垂直互联，进一步缩小了芯片间的物理距离，提升了集成度。
二、性能对比在性能方面，3D封装技术因芯片间的直接堆叠，显著缩短了信号传输路径，降低了延迟，提高了数据传输速度，特别适用于高性能计算和大规模并行处理领域。
相比之下，2.5D封装虽然没有达到芯片直接堆叠的紧凑程度，但中介层的存在允许更灵活的芯片布局和更大的I/O数量，有利于高带宽内存（HBM）的集成，同样能满足大数据处理和图形处理的高速数据交换需求。
三、成本与复杂度成本是决定技术应用的关键因素之一。
3D封装技术由于涉及到复杂的硅通孔制作、芯片堆叠工艺及热管理问题，其成本通常高于2.5D封装。
2.5D封装利用成熟的中介层技术，成本相对较低，且生产难度较小，更易于实现商业化。
然而，随着技术成熟度的提高和规模效应的显现，3D封装的成本差距正在逐步缩小。
四、散热与可靠性散热是高密度封装面临的重大挑战。
3D封装因芯片堆叠导致的热密度高，需要更先进的散热解决方案。
而2.5D封装因中介层的存在，提供了更好的散热路径，相对更容易管理和控制温度。
数据中心高密度设计优化空间和散热效果数据中心是现代信息技术的核心设施，承载着各行各业日益增长的数据需求。
在数据中心的设计中，高密度的设备布局既可以提高处理能力，又可以有效利用空间。
然而，高密度设计也带来了散热问题，因此必须采取适当的优化措施，确保数据中心的正常运行。
本文将探讨数据中心高密度设计的优化空间和散热效果。
一、高密度设计的优势与挑战高密度设计是指在有限的空间中布置更多的设备和服务器，以提高计算密度和处理能力。
这样可以最大程度地利用空间资源，降低设备成本和维护成本。
与传统的低密度设计相比，高密度设计具有如下优势：1. 提高计算效率：高密度的设备布局可以减少设备之间的物理距离，缩短信号传输的时间，提高数据传输速度和性能。
2. 节约资源：高密度设计可以充分利用机房的空间，减少用地面积，降低建设成本。
然而，高密度设计也带来了一系列的挑战，特别是散热问题。
高密度设备产生的热量大，如果散热不良会导致设备过热，进而影响设备的性能和寿命。
因此，在高密度设计中必须注重散热效果的优化。
二、优化空间设计在高密度设计中，优化空间设计可以充分利用有限的空间资源。
以下是几种常见的优化空间设计方法：1. 机柜布局优化：合理的机柜布局可以最大限度地利用机柜内的空间，提高设备的密度。
可以采用可调节的机柜，根据不同的设备尺寸进行布局，以充分利用每一寸空间。
2. 机架分层设计：通过将机架分层，可以提高机房的空间利用率。
高温设备可以放置在顶层，冷却设备可以放置在底层，从而实现空间的优化。
3. 空间利用规划：在设计数据中心时，可以根据设备类型和工作流量对空间进行规划。
将高频使用的设备放置在易于访问的位置，而将稀疏使用的设备放置在较为隐蔽的位置，以提高空间利用效率。
三、散热效果的优化数据中心的散热效果直接影响设备的性能和寿命。
以下是一些常见的散热优化措施：1. 合理通风设计：通过合理设置通风孔，可以改善机柜内的空气流动，并促进热量的散发。
集成电路封装技术的发展方向随着科技的不断进步和人们对高性能电子器件的需求不断增长，集成电路封装技术也在不断地发展和改进。
本文将分析集成电路封装技术的现状和发展趋势。
一、集成电路封装技术的现状随着电子产品使用场景的不断扩大，对封装技术的要求也越来越高。
尤其是随着人工智能、大数据、云计算等高性能电子器件的出现，集成电路封装技术变得更加重要。
现代封装技术面临着一系列新的挑战，包括：1. 高密度封装随着电路尺寸的缩小，半导体晶体管的密度和数量的增加，同样面积的集成电路上需要容纳更多的电路和元器件。
因此，封装技术的发展需要满足更高的密度要求。
2. 多功能封装电子产品产品不断发展，用户对产品的功能要求也越来越高。
因此，一个封装器件要满足多种功能，如散热、脱焊、防水等。
3. 可重用封装传统的封装技术是一次性的，因此难以适应快速迭代的电子产品市场的需求，造成浪费和效益低下。
二、集成电路封装技术的未来发展为了应对上述挑战，并提供更多的解决方案，集成电路封装技术需要进一步发展。
1. 引入新的材料新材料的引入是提高封装性能和开发高级封装的关键。
例如，硅酸盐玻璃可以制成高质量的二层封装，以改善散热和崩裂问题；有机基板通过提高介电常数，提高信号速度和抑制互相干扰效果。
2. 工艺的优化工艺的优化可以很好的解决集成电路封装过程中遇到的问题。
例如，薄膜制程、金属ELP等制程的应用可以提高封装公差、拼接和可重用性。
3. 创新的封装结构创新的封装结构能够为集成电路提供更多的功能和易于纳入微小装置的能力。
例如，球网阵列封装结构能够实现紧凑型、轻量化、低成本和高可靠性的优势。
4. 智能化封装智能化封装是未来集成电路封装的趋势。
通过智能化设计，可以实现更高的产品精度、智能化质检功能以及让封装适应更多的场景。
结语本文从集成电路封装技术的现状和发展趋势两个方面对集成电路封装技术进行了分析。
未来集成电路封装技术的不断发展，必将为自动驾驶、5G通信和人工智能等领域的发展带来更加稳定的基础条件。
电子封装的散热设计原理电子封装的散热设计原理在现代电子产品中，散热是一个非常重要的设计考虑因素。
随着电子元件和集成电路的不断发展，电子封装的散热设计原理也变得越来越关键。
本文将介绍一些常见的电子封装散热设计原理。
首先，散热设计的目标是将电子元器件产生的热量迅速有效地传导、辐射和对流到周围环境中。
通过合理的散热设计，可以保持电子元器件的工作温度在安全范围内，提高其工作效率和寿命。
一种常见的散热设计原理是利用导热材料。
导热材料，如硅胶脂、硅胶垫等，具有良好的导热性能，可以将电子元器件的热量迅速传导到散热器或散热片上。
通过选择合适的导热材料，可以提高热量的传导效率，从而减少电子元器件的温度升高。
另一种散热设计原理是利用散热器或散热片。
散热器通常由铝或铜等材料制成，具有良好的热传导性能。
散热器通过增大表面积，提高空气的对流效果，加速热量的辐射。
同时，散热片的设计也非常重要。
通过增加散热片的数量和密度，可以增强散热器的散热能力，有效降低电子元器件的温度。
此外，风扇也是一种常用的散热设计原理。
风扇能够通过强制对流，将散热器表面的热量带走。
通过选择合适的风扇尺寸和转速，可以提供足够的风量，保持电子元器件的工作温度稳定。
最后，设计良好的散热路径也是散热设计的重要原则。
通过合理的散热路径设计，可以确保热量能够顺利地从电子元器件传导到散热器或散热片上，并最终通过对流、辐射等方式散发到周围环境中。
综上所述，电子封装的散热设计原理包括利用导热材料、散热器和散热片、风扇以及设计合理的散热路径等。
通过合理地应用这些原理，可以有效降低电子元器件的温度，提高其工作效率和寿命。
在未来的电子封装设计中，散热设计将继续发挥重要的作用，随着技术的不断发展，也会出现更多创新的散热设计原理。
集成电路封装中的散热设计与温度控制方法在集成电路（Integrated Circuit, IC）的封装设计中，散热是一个至关重要的因素。
随着集成电路发展的进步，封装密度也越来越高，电路器件越来越小，这使得散热变得更为困难。
因此，合理的散热设计和温度控制方法对保证集成电路的性能和可靠性起着至关重要的作用。
散热设计的一项重要任务是有效地将热量从集成电路中传导出去。
为了实现这一目的，可以采用多种方法。
首先，在封装设计中可以引入导热片和散热鳍片来增加散热面积，并提高热传导效率。
导热片通常由具有较高导热性能的材料制成，如铜、铝等。
而散热鳍片则可以增加封装上方的表面积，提高散热效果。
此外，在封装设计中还可以引入散热背板或散热器，以提供更大的散热面积和更好的散热效果。
其次，温度控制是有效进行散热设计的关键，主要包括监控和控制集成电路的温度。
监控温度可以通过在封装中引入温度传感器来实现，这样可以实时监测集成电路的温度变化。
而控制温度则可以通过调整散热装置的工作状态来实现。
例如，可以根据温度传感器的反馈信号，调整风扇的工作速度，增强散热效果。
另外，还可以利用热管、冷却片等被动散热措施来帮助降低集成电路的温度。
散热设计与温度控制方法的优化还可以通过电路布局的调整来实现。
优化电路布局可以减少集成电路之间的热互联，从而降低整个封装的总体温度。
例如，可以通过合理划分电路板的层次，将功耗较大的电路部分与散热设计较好的部分隔离开。
此外，可以采用不同的供电方式，将功耗大的集成电路与其他部分分开，避免集中产生热点。
除了以上提到的散热设计与温度控制方法，还有一些其他的技术方法可以帮助提高散热效果和温度控制能力。
例如，可以在封装设计中加入风道和散热孔，以增加气流的流动性和散热效果。
另外，也可以利用热导率较高的热界面材料来改善芯片与散热装置之间的热传导效率。
此外，还可以采用温度补偿技术，通过智能调节芯片工作状态，以适应温度环境的变化。
封装技术存在问题
封装技术是确保芯片和相关电子组件可靠性和安全性的关键过程，但目前封装技术仍存在一些问题。
以下是一些主要的问题：
1. 热管理：随着技术的发展，芯片内部的晶体管数量不断增加，运行速度也在不断提升，这导致芯片的发热量急剧增加。
如何有效地将热量从芯片上散发出去，防止过热对芯片性能和寿命的影响，是封装技术面临的重要问题之一。
2. 封装密度：随着物联网、智能设备等领域的快速发展，需要更多的芯片和电子元件来支持这些设备的功能。
这要求封装技术不断提升封装密度，即在单位面积内集成更多的电子元件。
3. 异构集成：不同的芯片和电子元件可能采用不同的材料和工艺制成，如何将这些不同的元件集成在一起，并确保它们之间的可靠连接，是封装技术面临的另一个挑战。
4. 可靠性：封装技术对于保证芯片和电子元件的可靠性至关重要。
如果封装不良，可能会导致芯片性能下降、失效或寿命缩短等问题。
因此，封装技术需要不断提高可靠性，以确保电子产品的长期稳定运行。
5. 成本：封装技术的成本也是一个大问题。
随着技术的发展，封装技术的复杂性和成本也在不断增加。
为了使更多的电子产品能够使用先进的封装技术，需要降低其成本以促进更广泛的应用。
为了解决这些问题，科研人员正在研究新的封装技术和材料，以提高封装的密度、可靠性和效率，降低成本并更好地适应不断变化的市场需求。
集成电路封装高密度化与散热问题1 引言数字化及网络资讯化的发展，对微电子器件性能和速度的需求越来越高，高阶电子系统产品，如服务器及工作站，强调运算速度和稳定性，而PC机和笔记本电脑对速度及功能需求也不断提高，同时，个人电子产品，如便携式多媒体装置、数字影像装置以及个人数字处理器（PDA）等的显著需求，使得对具有多功能轻便型及高性能电子器件的技术需求越来越迫切。
此外，半导体技术已进入纳米量级，可在IC芯片上制造更多的晶体管，也使得摩尔定律能继续维持，基于轻便而需整合功能的需求，IC 设计技术上，目前也朝着系统单芯片（SOC）方向发展。
另一方面，从IC封装技术的发展来看，也朝向精密及微型化发展，由早期的插入式封装到表面贴装的高密度封装、封装体与印制电路板的连结由侧面的形式逐渐发展成为面阵列形式，芯片与封装的连结也由丝悍形式发展为面阵列形式的倒装芯片封装，而IC封装也朝向SIP发展，然而，在此发展趋势中，最大的障碍之一来自于热。
热主要是由IC中晶体管等有源器件运算时所产生的，随着芯片中晶体管的数目越来越多，发热量也越来越大，在芯片面积不随之大幅增加的情况下，器件发热密度越来越高，过热问题已成为目前制约电子器件技术发展的瓶颈，以CPU为例，其发热量随着速度的提高而逐渐增加，目前已达115W 以上，相对的发热密度也大幅度增加。
为顺应热的挑战，CPU的封装形式也在不断变化，以寻求更佳的散热形式，而散热模块所采用的强制空气冷却器也不断改进设计提高性能，然而由于发射量的不断提高，与之相匹配的散热技术却未及时赶上，使得CPU的发展逐渐面临重大的瓶颈，终于促使Intel等公司不得不从设计上转变或牺牲某些附加功能而非一味追求运算频率的提高，另一方面，即使是存储模块也逐渐面临热的问题，根据ITRS预估：2006年每只DRAM的发热量将从1W左右增加到2W，为了扩大存储模块容量，目前许多公司开始采用3D堆叠形式的封装，虽然提高了芯片的应用效率，但也使热的问题越来越显著，据统计，由热所引起的失效约占电子器件失效的一半以上。
温度过高除了会造成半导体器件的损毁，也会造成电子器件可靠性降低及性能下降，对于热问题的解决，必须寻求由封装级、PCB级到系统级的综合解决技术方案。
由于封装级进行散热设计，不但效果最显著而且成本也最少，因此，封装级的散热设计更显得非常重要。
2 SIP发展及其散热问题SIP技术是目前IC封装发展的必然趋势，SIP和SOC的概念不同，SOC是以IC前端制造技术为基础。
而SIP则是以IC后段制造技术为基础，SOC又称系统单芯片、具有功耗小、性能高及体积小等优点，系统单芯片在集成不同功能芯片时，芯片制造上尚面临着一些有待克服的问题，其技术发展目前尚不完全成熟，产业的投入风险较高，因此产生了SIP的概念，目前对SIP的定义仍有许多不同的说法，SIP的广义定义是：将具有全部或大部分电子功能，可能是一系统或子系统也可能是组件，封装在同一封装体内，如图1所示，在本质上，系统级封装不仅是单芯片或多芯片的封装，同时可含有电容、电阻等无源器件，电子连接器、传感器、天线、电池等各种元件，他强调功能的完整性，具有更高的应用导向性。
目前，SIP的形式可说是千变万化，就芯片的排列方式而言，SIP可能是2D平面或是利用3D堆叠，如图2（a）所示，或是多芯片封装以有效缩减封装面积，如图2（b）所示；或是前述两者的各种组合，如图2（c）所示，和多芯片模组封装的定义不大相同，其内部结合技术可以是单纯的丝线接合，也可使用倒装芯片接合，也可以两者混用，甚至还有用TAB或其他的芯片级内部连接，或是上述方式的混合，更广义的SIP还包含了内埋置无源器件或有源器件的功能性基板结构，以及包含光电器件集成为一体的设计等。
由SIP结构所产生的散热问题大致有以下几点：1）芯片堆叠后发热量将增加，但散热面积并未相对增加，因此发热密度大副提高；2）多芯片封装虽然仍保有原散热面积，但由于热源的相互连接，热耦合增强，从而造成更为严重的热问题；3）内埋置基板中的无源器件也有一定的发热问题，由于有机基板或陶瓷基板散热不良，也会产生严重的热问题；4）由于封装体积缩小，组装密度增加，使得散热不易解决，因此需要更高效率的散热设计。
评估IC封装热传导问题时，一般采用热阻的概念，由芯片表面到环境的热阻定义如下：其中Tj是芯片界面温度，Ta是环境温度，P是发热量。
热阻大表示器件传热阻抗大，热传困难，因此较容易产生热的问题，热阻小的表示器件传热较容易，因此散热问题较小，除了几个不同热阻值的定义之外，还有热传特性参数等定义，了解不同热阻的定义及用途，对于电子热传设计非常重要，不同热阻组成的热阻网络，可分析器件热传特性。
分析SIP封装时，两类重要的结构特性分别是3D堆叠芯片封装及多芯片封装，对散热都有显著的影响，在传热分析上和单芯片封装的概念是相同的，都可以用热阻网络来解析，3D芯片堆叠封装或多芯片封装则较为复杂。
以散热路径来看，封装中芯片产生的热主要分成向上和向下两部分，向上部分的热会透过封装上表面传递到环境空间，向下的热则是透过PCB或陶瓷基板传递到环境空间。
在自然对流条件下可假设封装产生的热大部分都往下传，因此向上的热阻路径可以忽略，对于3D芯片堆叠而言，热源是以串联方式增加，因此器件发热密度相应增如，图3（a）所示，而多芯片封装则有不同的热阻网络架构，并联的热源使发热密度大幅度增加，如图3（b）所示，分析结果显示，对相同发热量的芯片而言，堆叠芯片封装中越下方的芯片越低，而多芯片封装中相同尺寸的芯片温度会比较接近。
对于SIP封装而言，若要从内部传出热量，必须缩短传热路径或减少路径中的热阻。
这可通过由改变布局设计或是封装结构实现，也可由增加材料热传性能来实现，另外则可由外加均热片或散热片来降低热源的集中，以图4的例子而言，当环境对流明显时，可把产生最热的芯片放置在最外面的内插板上来增加和空气接触的面积，或者通过提高内插板的热传导系数，甚至使用较薄的内插板和芯片，可以降低热阻和增强封装结构热的性能，此外也可使用散热通道来降低芯片表面到空气的热阻。
对于SIP热传而言，如果使用有机材质的基板，则其热传导性很低，因此热阻很大，基板的散热设计就显得相对重要，可通过增加铜箔层或是散热通孔来增强效果。
对于SIP的热传问题，目前的相关研究并不多，例如图5是Amkor公司开发的利用两个芯片SIP的封装技术的DC-DC变换器的结构，在散热设计上利用陷入阵列（Land Grid Array；LGA）的封装结构。
在热通孔里镀上铜（Cu）以加强基底的热传散热效果，进而得到较高的热性能，由图6的ANYSY热传分析解决显示，其较高温度的地方出现在两个芯片所在的地方，由于采用了合理的散热设计，使得发热问题得到很大的改善。
图7（a）及图7（b）所示的分别是Toshiba公司同样对并列芯片和堆叠两芯片的SIP结构所做的热分析结果，由图中看出，其在自然对流空气中，并列芯片的SIP温度分布比堆叠的SIP有较显著的均匀温度分布，而堆叠的SIP其高温温度值较集中在芯片的附近，越远离芯片处则温度越低，然而就芯片周期的温度分布强调来看，堆叠的SIP所造成的高温强度相对强很多。
3 存储器封装的发展趋势及散热问题目前的DIMM封装量产形式仍是以DIP、SOP/TSOP、QFP/TQFP等传统封装结构为主，往SDRAM及大多数DDR SDRAM均采用TSOP II封装，但随着DDR SDRAM的时钟频率的提高，且为满足产品轻、薄、短、小与系统整合的需求，各种样式的封装结构不断推陈出新，逐渐开始采用了CSP标准的封装，如μBGA、Tiny BGA、Window BGA、圆片级封装（Wafer Level Chip Scale Package，WLCSP）和FPGA等，而为了增加组装密度，各式的3D堆叠式封装也渐渐受到重视，目前应用最多的除了PC 机NB的存储模块之外，许多应用在便携式装置上的封装形式已开始采用芯片堆叠的形式，从发热量来看，闪存及SRAM的发热量很小，散热问题不大，但是在高速的DIMM模块中，目前发热量为0.5W/Package，随着时间的推移，到DDR II规格时的发热量会高达1.0W/Package以上，热传导所造成的问题将逐渐被凸现出来，由于存储器模块体积有限，因此散热设计相对较为困难，加上系统内部风流场常受其他装置阻挡破坏，因此如何利用封装自身的结构的特性来提高散热能力，将直接决定存储模块性能的优劣。
目前新一代的存储器封装开始采用Windows BGA的形式，与一般TSOP封装的体积相比足足小了约50%，因此在相同面积的SO-DIMM PCB板上，可多放置一倍的存储器芯片数，进而增加一倍的存储容量，而Windows BGA在电性上也有相当的优势，此外，如图8所示其内部接线也较短。
WLCSP圆片级芯片封装方式的最大特点是能有效缩小封装体积，如图9所示，WLCSP封装除了电性优异外，相较于FBGA与TSOP封装，WLCSP少了介于芯片与环境的传统密封塑料或陶瓷衬底，同时也少了介于芯片与PCB间的基板，因此IC芯片运算时的热量能更有效地散逸，而不致增加封装体的温度，而此特点对于散热问题帮助极大，也因此WLCSP的热阻值，无论是Rja、Rjb或Rjc，都较其他形式封装体小，如图10所示。
一些存储器封装目前也开始朝芯片堆叠或是封装堆叠的形式发展，并可有效地整合不同功能的芯片于同一封装体中，从而大幅度减少了电子组装的尺寸与体积，更能达到SIP的功能，此外，若采用散热锡球、散热通孔及外露铜箔层的综合散热设计，则可使3D堆叠封装的散热效能大幅度改善。
3D堆叠封装结构的热分析如图11所示，分别为单层、双层堆叠及三层堆叠的芯片封装与自然对流状态下的热流模拟，其发热功率设定为1W/Package，图11（a）为一般的单层封装，图11（b）及图11（c）则是双层及三层堆叠形式在自然对流状态下的温度场分布，由分析结果发现，堆叠式封装体的芯片堆叠数越多，热传问题越严重，堆叠封装中下层的芯片可由锡球传导将热向下传递到基板，而上方芯片由于自然对流散热效果较差，造成表面温度较高。
4 CPU封装的发展趋势及散热问题由CPU封装的发展角度来看散热问题是最明显的例子，以Intel的CPU为例，由早期8086的陶瓷DIP封装，到486及Pentium 的PGA封装，在功能整合的要求下，双槽陶瓷PGA发展成为Pentium Pro CPU的设计核心，而Pentium2的OLGA卡式模组的设计虽然使功能提高，但也加大了封装的体积，随着IC向高密度集成及高密度封装发展，目前所有的CPU都已不采用线焊形式的芯片连结方式以及陶瓷封装形式，取而代之的是有机基板封装及倒装芯片形式的芯片连结方式，这使得I/O脚数更多，电性功能更强，体积更小，成本也更低。
