集成电路封装考试答案

1.集成电路芯片封装狭义：是指利用膜技术及微加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。

2.封装的分类：依引脚分布，封装元件有单边引脚、双边引脚、四边引脚与底部引脚四种。

3.芯片封装所用材料包括：金属、陶瓷、玻璃、高分子等(金属最具气密性)4.为了获得最佳的共晶贴装，IC芯片背面通常先镀上一层金的薄膜或在基板的芯片承载座上先植入预型片。

5.芯片互连方法：打线键合、载带自动键合、倒装芯片键合。

6.TAB技术分为以下三方面：一芯片凸点制作技术，二TAB载带制作技术，三载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术。

7.厚膜浆料的两个共性：（2）由两种不同的多组分相组成，一个是功能相，提供最终膜的电学和力学性能，另一个是载体相，提供合适的流变能力。

8.三个参数表征厚膜浆料：①颗粒、②固体粉末百分比含量、③粘度9.厚膜电阻：把金属氧化物颗粒与玻璃颗粒混合，在足够的温度\时间进行烧结，以使玻璃熔化并把氧化物颗粒烧结在一起。

10.薄膜技术方法：真空蒸镀、溅射镀膜、电镀、光刻工艺11.常见电路板有硬式印制电路板、软式印制电路板、金属夹层电路板、射出成型电路板12.污染种类：非极性/非离子性污染、极性/非离子性污染、离子性污染、不溶解/粒状污染13.氧化铝为陶瓷封装最常用的材料，浆料的准备为陶瓷封装工艺的首要步骤14.无机材料中添加玻璃粉末的目的：调整纯氧化铝的热膨胀系数、介电系数等特性；降低烧结温度15.芯片封装完成之后，要进行质量和可靠性两方面的检测16.塑料封装的成型技术：转移成型技术、喷射成型、预成型技术，最主要的转移成型17.球栅阵列式BGA技术四种主要形式：塑料球栅阵列、陶瓷球栅阵列、陶瓷圆柱栅格阵列和载带球栅阵列1.厚膜技术：厚膜技术按不同的方式进行分类：聚合物厚膜、难熔材料厚膜和金属陶瓷厚膜；金属陶瓷厚膜浆料具有四种主要成分：1有效物质，确立膜的功能，2粘贴成分，提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体，3有机粘贴剂，提供丝网印制的合适流动性能，4溶剂或稀释剂，它决定运载剂的粘度。

计算机集成考试题及答案[题目一]1. 计算机集成电路(CIC)是指什么？答：计算机集成电路是把电子器件、线路和封装组合在一起，形成一个或多个功能完整的电路模块，在单个芯片上集成电子器件、线路和封装。

2. 请简要描述计算机集成电路的发展历程。

答：计算机集成电路的发展经历了多个阶段。

1960年代末，诞生了初级大规模集成电路，可以集成数百个逻辑门。

1970年代中期，产生了中级大规模集成电路，集成门数达到数千个。

1980年代初，出现了高级大规模集成电路，门数达到数万个。

1990年代初，随着超大规模集成电路的出现，门数更是达到了数亿个。

目前，超大规模和超大规模以上级别的集成电路已成为主流。

3. 请解释贝尔定律对集成电路发展的影响。

答：贝尔定律是指，每隔18至24个月，集成电路中所能容纳的晶体管数量将翻倍，而价格将减半。

这一定律推动了集成电路技术的快速发展，使得集成电路的性能不断提高，成本不断降低，为计算机技术的革新提供了强大的支持。

4. 请列举三种常见的计算机集成电路类型。

答：常见的计算机集成电路类型包括：数字集成电路、模拟集成电路和混合集成电路。

[题目二]1. 什么是计算机集成制造技术？答：计算机集成制造技术是指将电子器件、线路和封装等组合在一起，通过一系列制造工艺，实现对集成电路芯片的生产和加工。

2. 描述计算机集成制造技术的主要工艺流程。

答：计算机集成制造技术的主要工艺流程包括：晶圆加工、沉积、光刻、刻蚀、清洗、温度退火、封装、测试和分选等环节。

3. 请解释深亚微米工艺对计算机集成制造技术的意义。

答：深亚微米工艺是指制造集成电路中特征尺寸在0.1微米至0.25微米之间的工艺。

深亚微米工艺的采用使得集成电路的微细特征得以实现，使得芯片的密度增加、速度提高、功耗降低，从而推动了计算机集成制造技术的进步。

4. 请说明集成制造技术在计算机硬件发展中的重要性。

答：集成制造技术是计算机硬件发展中的关键技术之一。

1+X集成电路理论试题库（附参考答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、若想取下蓝膜上的晶圆或晶粒，需要照射适量（），能降低蓝膜的黏着力。

A、红外线B、太阳光C、蓝色光源D、紫外线正确答案：D答案解析：对需要重新贴膜或加工结束后的晶圆，需要从蓝膜上取下，此时只需照射适量紫外线，就能瞬间降低蓝膜黏着力，轻松取下晶圆或晶粒。

2、一般情况下，待编至( )颗时，需更换卷盘，并在完成编带的卷盘上贴上小标签，便于后期识别。

A、2000B、4000C、6000D、8000正确答案：B答案解析：一般情况下，待编至4000颗左右时，需要更换卷盘，即一盘编带一般装有4000颗的芯片。

3、晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般为（）分钟。

A、20B、1C、10D、5正确答案：D4、用编带机进行编带前预留空载带的原因是( )。

A、比较美观B、防止芯片散落C、确认编带机正常运行D、节省人工检查时间正确答案：B答案解析：空余载带预留设置是为了防止卷盘上编带的两端在操作过程中可能会出现封口分离的情况，导致端口的芯片散落。

5、使用化学机械抛光进行粗抛时,抛光区域温度- 般控制在()A、38~50°CB、20~50°CC、20~30°CD、20~38°C正确答案：A答案解析：一般抛光区的温度控制在38~50°C (粗抛)和20~30°C (精抛)。

6、用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。

A、反射B、干涉C、衍射D、二氧化硅膜本身的正确答案：B答案解析：硅片表面生成的二氧化硅本身是无色透明的膜，当有白光照射时，二氧化硅表面与硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。

不同的氧化层厚度的干涉色彩不同，因此可以利用干涉色彩来估计氧化层的厚度。

7、芯片检测工艺中，进行管装包装时，将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后，需要在内盒的封口边（）处贴上“合格”标签。

1+X集成电路理论试题库（附答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、进行料盘包装时，一个内盒中通常装有( )袋真空包装完的料盘。

A、1B、2C、3D、4正确答案：A答案解析：进行料盘包装时，-个内盒中通常装有1袋真空包装完的料盘。

2、使用转塔式分选设备进行芯片测试时，其测试环节的流程正确的是（）。

A、测前光检→测后光检→测试→芯片分选B、芯片分选→测前光检→测后光检→测试C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选D、测前光检→测后光检→芯片分选→测试正确答案：C3、点银浆时，银浆的覆盖范围需要（）。

A、小于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%正确答案：C答案解析：引线框架被推至点银浆指定位置后，点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置点上定量的银浆（银浆覆盖范围>75%）。

4、载带的预留长度一般是( )。

A、10-30cmB、30-50cmC、70-90cmD、50-70cm正确答案：D5、下列语句的含义是（）。

A、-> OUT &= 0X00FF;B、-> OUT |= 0X0F00;C、GPIOB低八位端口，高四位为低，低四位为高D、GPIOB低八位端口，高四位为高，低四位为低E、GPIOB高八位端口，高四位为低，低四位为高F、GPIOB高八位端口，高四位为高，低四位为低正确答案：C6、下列选项中，（）是封装工艺中不涉及的工序。

A、第一道光检B、第二道光检C、第三道光检D、第四道光检正确答案：A答案解析：封装工艺中，第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检查，是否有出现废品（崩边等情况）。

引线键合完成后要进行第三道光检，主要是为了检查芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。

切筋成型之后需要进行第四道光检，针对后段工艺的产品进行检查、剔除。

7、解决铝尖刺的方法有（）。

A、在合金化的铝中适当地添加铜B、采用三层夹心结构C、在合金化的铝中适当地添加硅D、采用“竹节状”结构正确答案：C答案解析：解决铝尖刺的方法有在合金化的铝中适当地添加硅。

1+X集成电路理论模拟试题+参考答案一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.晶圆烘烤时长一般为( )分钟。

A、1B、5C、10D、20正确答案：B答案解析：晶圆烘烤长一般为5分钟。

烘烤时间太长会导致墨点开裂，时间太短可能会使墨点不足以抵抗后续封装工艺中的液体冲刷，导致墨点消失。

2.低压化学气相淀积的英文缩写是（）。

A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD正确答案：C答案解析：APCVD是常压化学气相淀积；PECVD是等离子体增强型化学气相淀积；LPCVD是低压化学气相淀积；HDPCVD是高密度等离子体化学气相淀积。

3.一般来说，( )封装形式会采用转塔式分选机进行测试。

A、LGA/TOB、LGA/SOPC、DIP/SOPD、QFP/QFN正确答案：A答案解析：一般来说，LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试，DIP/SOP 会采用重力式分选机进行测试，QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。

4.在一个花篮中有片号10/15/20/25的晶圆，其中片号为15的晶圆需放在花篮编号为( )的沟槽内。

A、10B、15C、20D、25正确答案：B答案解析：导片时需保证晶圆片号与花篮编号一致。

因此，片号为15的晶圆需放置在花篮编号为15的沟槽内。

5.塑封一般采用（）为塑封料。

A、热塑性塑料B、人工催化塑料C、热固性塑料D、芳烃类塑料E、结晶性塑料正确答案：C6.以全自动探针台为例，在上片时，将花篮放在承重台上后，下一步操作是( )。

A、前后移动花篮，确保花篮固定在承重台上B、按下降的按钮，承重台和花篮开始下降C、花篮下降到指定位置，下降指示灯灭D、合上承重台上的盖子正确答案：A答案解析：以全自动探针台为例，上片时，将花篮放在承重台上后，前后移动花篮，将花篮固定在承重台上。

7.料盘打包时,要在料盘的()个地方进行打包。

A、1B、2C、3D、4正确答案：C答案解析：料盘打包时，要在料盘的3个地方进行打包。

第1章集成电路封装概论2学时第2章芯片互联技术3学时第3章插装元器件的封装技术1学时第4章表面组装元器件的封装技术2学时第5章BGA和CSP的封装技术4学时第6章POP堆叠组装技术2学时第7章集成电路封装中的材料4学时第8章测试概况及课设简介2学时一、芯片互联技术1、引线键合技术的分类及结构特点？答：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。

2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。

于是，劈刀就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。

这种形变也破坏了Al层界面的氧化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固的焊接。

3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。

这是由于它操作方便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。

现代的金丝球焊机往往还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。

可实现微机控制下的高速自动化焊接。

因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。

2、载带自动焊的分类及结构特点？答：TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um，Cu-PI双层带Cu-粘接剂-PI三层带Cu-PI-Cu双金属3、载带自动焊的关键技术有哪些？答：TAB的关键技术主要包括三个部分：一是芯片凸点的制作技术；二是TAB载带的制作技术；三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。

制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ）4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点；电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。

1+X集成电路理论模考试题（含答案）1、打开安装好的keil软件，点击工具栏“魔术棒”按钮，点击（）选项，选择目标芯片。

A、C/C++B、TargetC、DebugD、Device答案：D2、以全自动探针台为例，上片过程中，当承重台下降到指定位置时，( )。

A、红色指示灯亮B、红色指示灯灭C、绿色指示灯亮D、绿色指示灯灭答案：B以全自动探针台为例，承重台前的两个按钮指示灯：绿色表示上升，红色表示下降。

承重台下降到指定位置后，下降指示灯灭，即红色指示灯灭。

3、在晶圆盒内壁放一圈海绵的目的是( )。

A、防止晶圆包装盒和晶圆直接接触B、防止晶圆之间的接触C、防止晶圆在搬运过程中发生移动D、美观答案：A在晶圆盒内壁放一圈海绵是为了防止晶圆盒和晶圆接触。

4、下列选项中，（）工序后的合格品进入塑封工序。

A、引线键合B、第二道光检C、芯片粘接D、第三道光检答案：D第三道光检通过的合格品，进入封装的后段工序，后段工艺包括塑封、激光打字、去飞边、电镀、切筋成型、第四道光检等工序。

5、下列关于平移式分选机描述错误的是（）。

A、传送带将料架上层的料盘输送至待测区料盘放置的指定区域B、料盘输送到待测区的指定位置后，吸嘴从料盘上真空吸取芯片，然后转移至“中转站”C、等待芯片传输装置移动到“中转站”接收芯片并将芯片转移至测试区D、当待测区料盘上的芯片全部转移后，需要更换料盘，继续进行上料答案：A6、在使用J-link驱动连接单片机是需在魔法棒按钮的（）中设置（）。

A、Debug；地址范围B、Output；工作频率C、Debug；工作频率D、Output；地址范围答案：A7、清洁车间内的墙面时要求使用（）进行清洁。

A、麻布B、不掉屑餐巾纸C、无尘布D、棉答案：C一周擦一次墙面，清洁车间内的墙时应使用无尘布。

无尘布由100%聚酯纤维双面编织而成，表面柔软，易于擦拭敏感表面，摩擦不脱纤维，具有良好的吸水性及清洁效率。

8、转塔式分选机日常维护包括（）。

1+X集成电路理论试题及参考答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、晶圆扎针测试在测到一定数量时，需要检查扎针情况。

若发现针痕有异常，需如何处理（）。

A、记录测试结果B、继续扎针测试C、重新设置扎针深度或扎针位置D、重新输入晶圆信息正确答案：C2、使用转塔式分选设备进行芯片测试时，芯片在该工位完成操作后，需要进入（）环节。

A、测后光检B、测试C、测前光检D、旋转纠姿正确答案：A3、料盘打包时,要在料盘的()个地方进行打包。

A、1B、2C、3D、4正确答案：C答案解析：料盘打包时，要在料盘的3个地方进行打包。

4、封装工艺中，装片机上料区上料时，是将（）的引线框架传送到进料槽。

A、任意位置B、底层C、顶层D、中间位置正确答案：B5、芯片封装工艺中，下列选项中的工序均属于前段工艺的是（）。

A、晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边C、晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合D、晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边正确答案：C答案解析：封装工艺流程中前段工艺包括晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接以及引线键合，后段工艺则包括塑封、激光打字、去飞边、电镀以及切筋成型。

6、采用全自动探针台对晶圆进行扎针调试时，若发现单根探针发生偏移，则对应的处理方式是（）。

A、更换探针测试卡B、调节扎针深度C、利用微调档位进行调整D、相关技术人员手动拨针，使探针移动至相应位置正确答案：D7、( )可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一一对应。

A、测试机B、探针台C、塑封机D、真空包装机正确答案：B答案解析：探针台可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一一对应。

8、利用平移式分选设备进行芯片分选时，分选环节的流程是（）。

A、吸嘴吸取芯片→分选→收料B、吸嘴吸取芯片→收料→分选C、分选→吸嘴吸取芯片→收料D、分选→收料→吸嘴吸取芯片正确答案：A9、使用重力式分选机设备进行芯片检测，当遇到料管卡料时，设备会( )。

一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。

2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。

3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。

4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。

5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。

6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。

7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。

8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、瓷气密性封装、玻璃气密性封装。

9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。

10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。

11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。

12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。

13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。

14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。

15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。

16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。

二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。

1+X集成电路理论复习题与参考答案1、在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。

A、薄膜制备B、光刻C、刻蚀D、金属化答案：B在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是光刻。

2、晶圆进行扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对（）上的信息，确保三者的信息一致。

A、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单B、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单C、MAP图、软件版本、晶圆测试随件单D、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单答案：B3、在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）。

A、外延B、热氧化C、PVDD、CVD答案：A外延是在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层。

4、重力式外观检查是在( )环节之前进行的。

A、编带B、测试C、分选D、真空包装答案：D重力式分选机设备芯片检测工艺流程：上料→测试→分选→编带（SOP）→外观检查→真空包装。

5、使用化学机械抛光进行粗抛时,抛光区域温度- 般控制在()A、38~50°CB、20~50°CC、20~30°CD、20~38°C答案：A一般抛光区的温度控制在38~50°C (粗抛)和20~30°C (精抛)。

6、在版图设计过程中，N-MOS管的源极接（），漏极接（），P-MOS管的源极接（），漏极接（）。

A、地、高电位、电源、低电位B、地、高电位、GND、高电位C、地、高电位、GND、低电位D、电源、高电位、GND、低电位答案：C7、若遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是( )。

A、测试B、上料C、编带D、外观检查答案：C转塔式分选机的操作步骤一般为：上料→测试→编带→外观检查→真空包装。

8、使用测编一体的转塔式分选设备进行芯片测试时，如果遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是（）。

16.即温度循环测试。

17. T/S 测试：指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔 融焊料在基体表面形成良好润湿能力。

26. 模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。

27. 金线偏移:10. 为覆盖有单层或多层布线的 高分子复合材料基板。

11.气密性封装:30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元 器件贴放在印制板表面规定的位置上， 最后将贴装好元器件分印制板放在再 流焊设备的传送带上。

12. 是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。

1. 芯片封装实现了那些功能？14. 是对封装的可靠性相关参数 的测试。

传递电能、传递电路信号、提供散热途径、结构保护与支持2．芯片封装的层次名词解释： 18.测试封装体抗热冲击的能力。

1.集成电路芯片封装： 19. TH 测试:2.3. 4.5. 利用膜技术及微细加工技术， 将芯片及其他要素在框架或基板上布 置、粘贴固定及连接，引用接线端子 并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构 成整体立体结构的工艺。

20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。

21. PC 测试:芯片贴装: 是将 IC 芯片固定于封装基板 或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。

芯片互联:将芯片与电子封装外壳的 I/O 引线或基板上的金属布线焊区相连接。

22. 是对封装体抵抗抗潮湿环境 能力的测试。

23. HTS 测试:24.是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。

封装产品 长时间放置在高温氮气炉中，然后测 试它的电路通断情况。

25.Precon 测试: 7.可润湿性: 8. 指在焊盘的表面形成一个平 坦、均匀和连续的焊料涂敷层。

28. 集成电路元器件常常因为金 线偏移量过大造成相邻的金线相互接 触从而产生短路，造成元器件的缺陷。

29. 再流焊: 6. 可焊接性:9. 印制电路板:1 3.可靠性封装:简答:15.T/C 测试:13. 常见的印制电路板有哪几种？五个层次:零级层次 : 在芯片上的集成 电路元器件间的连线工艺6. 请说明热压焊和超声焊的工艺原理，并 指出优缺点。

一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。

2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。

3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。

4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。

5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。

6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。

7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。

8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。

9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。

10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。

11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。

12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。

13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。

14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。

15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。

16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。

二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。

集成电路封装与测试技术知到章节测试答案智慧树2023年最新武汉职业技术学院第一章测试1.集成电路封装的目的，在于保护芯片不受或少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。

（）参考答案:对2.制造一块集成电路芯片需要经历集成电路设计、掩模板制造、原材料制造、芯片制造、封装、测试等工序。

（）参考答案:对3.下列不属于封装材料的是（）。

参考答案:合金4.下列不是集成电路封装装配方式的是（）。

参考答案:直插安装5.封装工艺第三层是把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间进行粘贴固定、电路电线与封装保护的工艺。

（）参考答案:错6.随着集成电路技术的发展，芯片尺寸越来越大，工作频率越来越高，发热量越来越高，引脚数越来越多。

（）参考答案:对7.集成电路封装的引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装、球状凹点。

（）参考答案:错8.封装工艺第一层又称之为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板引线架之间进行粘贴固定、电路连线与封装保护工艺。

（）参考答案:对9.集成电路封装主要使用合金材料，因为合金材料散热性能好。

（）参考答案:错第二章测试1.芯片互联常用的方法有：引线键合、载带自动焊、倒装芯片焊。

（）参考答案:对2.载带自动焊使用的凸点形状一般有蘑菇凸点和柱凸点两种。

（）参考答案:对3.去飞边毛刺工艺主要有：介质去飞边毛刺、溶剂去飞边毛刺、水去飞边毛刺。

（）参考答案:对4.下面选项中硅片减薄技术正确的是（）。

参考答案:干式抛光技术5.封装工序一般可以分成两个部分：包装前的工艺称为装配或称前道工序，在成型之后的工艺步骤称为后道工序。

（）参考答案:对6.封装的工艺流程为（）。

参考答案:磨片、划片、装片、键合、塑封、电镀、切筋、打弯、测试、包装、仓检、出货7.以下不属于打码目的的是（）。

参考答案:芯片外观更好看。

8.去毛飞边工艺指的是将芯片多余部分进行有效的切除。

（）参考答案:错9.键合常用的劈刀形状，下列说法正确的是（）。

1+X集成电路理论试题（附答案）一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.()是使硅片上的局部区域达到平坦化。

A、平滑处理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正确答案：C答案解析：局部平坦化是将硅片表面局部进行平坦化处理，使其达到较高的平整度。

2.一般来说，( )封装形式会采用转塔式分选机进行测试。

A、LGA/TOB、LGA/SOPC、DIP/SOPD、QFP/QFN正确答案：A答案解析：一般来说，LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试，DIP/SOP 会采用重力式分选机进行测试，QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。

3.重力式分选机进行芯片检测时，芯片测试完成后，下一个环节需要进行( )操作。

A、上料B、分选C、外观检查D、真空入库正确答案：B答案解析：重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→外观检查→真空包装。

4.用重力式选机设备进行芯片检测的第二个环节是( )。

A、分选B、测试C、上料D、外观检查正确答案：B答案解析：重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→编带（SOP）→外观检查→真空包装。

5.在电子电路方案设计中最简单的显示平台是（）。

A、OLEDB、LCDC、LEDD、数码管正确答案：C6.重力分选机手动装料要操作人员取下待测料管一端的（），并将料管整齐地摆放在操作台上。

A、挡板B、塞钉C、料盘D、螺母正确答案：B7.使用重力式分选机进行模块电路的串行测试时，假设A，B轨道测试合格，C轨道测试不合格，芯片移动的路线是（）。

A、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D合格轨道→分选梭4→不良品料管；B、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管；C、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管D、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管正确答案：D8.引线键合机内完成键合的框架送至出料口的引线框架盒内，引线框架盒每接收完一个引线框架会（）。