二 受体分类: 离子型受体
AMPA GluR1 GluR2 GluR3 GluR4 GluR5 GluR6 GluR7 KA1 KA2 NR1 NR2A NR2B NR2C NR2D
激动剂
Glu AMPA
拮抗剂
CNQX
Kainate
Glu KA
CNQX
NMDA
Glu NMDA
AP5 MK801
代谢型受体 GroupⅠ mGluR1 mGluR5 mGluR2 mGluR3 GroupⅢ mGluR4 mGluR6 mGluR7 mGluR8
(1)作用特征 AP4发挥突触前抑制时不改变突触后神经元的 电学特征,如输入阻抗,膜电位等. AP4既能抑制AMPA受体激动的作用,同时也 能抑制NMDA受体激动的效应,意味着突触前释放 的递质减少了,而非突触后效应所致. AP4发挥突触抑制作用时,外源性谷氨酸对突触 后受体的激动作用不受影响. AP4可以加强双脉冲刺激引起的突触前抑制作 用,后者是突触前抑制的标志. AP4引起的突触前抑制,主要改变EPSP的频率 而不是幅度.
(一)突触定位 mGluRs 的作用与它的突触分布关系密 切.即mGluRs若是在突触前分布,其作用主 要是调节递质的释放,而分布在突触后则作 用是产生突触后效应,即EPSP或IPSP.多数 情况来看,I型mGluRs分布在突触后,而II型 和III型mGluRs主要分布在突触前,一些区 域仍然有II型mGluRs分布在突触后,但III 型 mGluRs基本都分布在突触前.
(2)突触前作用机制 突触前抑制主要通过激活PTX敏感的G-蛋 白实现其作用. 具体机制可能涉及不同的途径,如抑制突 触前Ca++电导, 激活K+通道而增加K+电流. 增加K+电流可以降低突触前膜的去极化,从 而减少Ca++内流量.另外,增加K+电流可以增 加突触前膜产生动作电位的阈值和降低动 作电位的峰值,从而减少递质的释放.