微电子封装技术-模拟题2及答案

微电子封装技术知到章节测试答案智慧树2023年最新潍坊学院第一章测试1.封装会使芯片包裹的更加紧实，因此提供散热途径不是芯片封装要实现的功能。

（）参考答案:错2.按照封装中组合使用的集成电路芯片的数目，芯片封装可以分为单芯片封装和多芯片封装两类。

（）参考答案:对3.按照针脚排列方式的不同，针栅排列可以提供较高的封装密度，其引脚形式为（）。

参考答案:底部引脚形态4.针栅阵列式封装的引脚分布形态属于（）。

参考答案:底部引脚5.集成电路的零级封装，主要是实现（）。

参考答案:芯片内部器件的互连;芯片内部不同功能电路的连接第二章测试1.硅晶圆可以直接用来制造IC芯片而无需经过减薄处理工艺。

（）参考答案:错2.当金-硅的质量分数为69%和31%时能够实现共熔，且共熔温度最低。

（）参考答案:对3.玻璃胶粘贴法仅适用于（）。

参考答案:陶瓷封装4.以下芯片互连方式，具有最小的封装引线电容的是（）。

参考答案:FC焊接5.集成电路芯片封装的工序一般可分为（）。

参考答案:前道工序;后道工序第三章测试1.轴向喷洒涂胶工艺的缺点为成品易受到水气侵袭。

（）参考答案:对2.碳化硅是半导体，因此它不能作为陶瓷封装的材料。

（）参考答案:错3.陶瓷封装工艺首要的步骤是浆料的制备，浆料成分包含了无机材料和（）。

参考答案:有机材料4.金属封装所使用的的材料除了可达到良好的密封性之外，还可提供良好的热传导及（）。

参考答案:电屏蔽5.降低密封腔体内部水分的主要途径有以下几种（）。

参考答案:采取合理的预烘工艺;尽量降低保护气体的湿度;避免烘烤后管壳重新接触室内大气环境第四章测试1.双列直插封装的引脚数可达1000以上。

（）参考答案:错2.球栅阵列封装形式的芯片无法返修。

（）参考答案:错3.以下封装方式中，具有工业自动化程度高、工艺简单、容易实现量产的封装形式为（）。

参考答案:塑料双列直插式封装4.载带球栅阵列封装所用的焊球，其成分为（）。

参考答案:90%Pb-10%Sn5.陶瓷熔封双列直插式封装结构简单，其三个基本零部件为（）。

微电子封装必备答案微电子封装答案微电子封装第一章绪论1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、9页）答：特点：（1）微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。

（2）微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。

（3）从陶瓷封装向塑料封装发展。

（4）从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。

发展趋势：（1）微电子封装具有的I/O引脚数将更多。

（2）微电子封装应具有更高的电性能和热性能。

（3）微电子封装将更轻、更薄、更小。

（4）微电子封装将更便于安装、使用和返修。

（5）微电子封装的可靠性会更高。

（6）微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。

2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。

（P15～18页）答：（1）一级微电子封装技术把IC芯片封装起来，同时用芯片互连技术连接起来，成为电子元器件或组件。

（2）二级微电子封装技术这一级封装技术实际上是组装。

将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。

（3）三级微电子封装技术由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成，是一种立体组装技术。

3、微电子封装有哪些功能？（P19页）答：1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护4、芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？。

（P12页）答：(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分：芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。

（2）Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分：芯片背面用Au层或Ni 层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu(3)导电胶粘接法(点浆型) 成分：导电胶（含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。

）(4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分：有机树脂基（低应力且要必须去除α粒子）5、简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能。

答：系统组成部分：1 机械传动系统2 运动控制系统3 图像识别（PR）系统4 气动/真空系统5 温控系统6、和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？答：名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶第二章芯片互连技术1、芯片互连的方法主要分为哪几类？各有什么特点？（P13页）答：（1）引线键合（WB）特点：焊接灵活方便，焊点强度高，通常能满足70um以上芯片悍区尺寸和节距的焊接需要。

LED封装考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10题，总分20分）1. LED封装中，以下哪种材料不适用于制作LED芯片的封装材料？A. 环氧树脂B. 硅橡胶C. 陶瓷D. 聚氯乙烯答案：D2. LED封装过程中，焊线技术的作用是什么？A. 提高亮度B. 连接芯片与引脚C. 散热D. 保护芯片答案：B3. 以下哪种封装技术不属于LED的封装技术？A. SMD封装B. COB封装C. DIP封装D. QFP封装答案：D4. LED封装中，透镜的主要作用是什么？A. 增加光的散射B. 改变光的传播方向C. 提高光的折射率D. 减少光的反射答案：B5. 在LED封装中，哪种材料通常用于提高光的折射率？A. 空气B. 玻璃C. 塑料D. 水晶答案：B6. LED封装中，哪种类型的封装可以提供更好的散热性能？A. 塑料封装B. 陶瓷封装C. 金属封装D. 玻璃封装答案：C7. LED封装中，以下哪种颜色的光波长最长？A. 红光B. 绿光C. 蓝光D. 紫光答案：A8. 在LED封装中，哪种封装方式可以实现更高的光效？A. 单芯片封装B. 多芯片封装C. 集成封装D. 独立封装答案：C9. LED封装中，哪种封装技术可以提供更好的抗冲击性能？A. 塑料封装B. 陶瓷封装C. 金属封装D. 玻璃封装答案：C10. 在LED封装中，以下哪种材料不适用于制作透镜？A. 硅胶B. 玻璃C. 塑料D. 石英答案：A二、多项选择题（每题3分，共5题，总分15分）1. LED封装中，以下哪些因素会影响LED的光效？A. 封装材料的折射率B. 封装结构的设计C. 芯片的尺寸D. 封装材料的颜色答案：A、B、C2. 在LED封装过程中，以下哪些因素会影响LED的散热性能？A. 封装材料的导热系数B. 封装结构的设计C. 芯片的功率D. 封装材料的厚度答案：A、B、D3. LED封装中，以下哪些技术可以提高LED的光效？A. 增加芯片的电流B. 使用高折射率的封装材料C. 优化封装结构设计D. 使用高功率的芯片答案：B、C4. 在LED封装中，以下哪些因素会影响LED的寿命？A. 封装材料的耐热性B. 封装结构的密封性C. 芯片的制造工艺D. 封装材料的抗老化性答案：A、B、D5. LED封装中，以下哪些因素会影响LED的抗冲击性能？A. 封装材料的硬度B. 封装结构的设计C. 芯片的尺寸D. 封装材料的弹性答案：A、B、D三、判断题（每题1分，共5题，总分5分）1. LED封装材料的折射率越高，光效越好。

电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析1. 电子封装的主要作用不包括（）A. 保护芯片B. 提供电气连接C. 提高芯片性能D. 增加芯片尺寸答案：D解析：电子封装的主要作用是保护芯片、提供电气连接以及在一定程度上优化芯片性能，而不是增加芯片尺寸。

2. 以下哪种材料常用于电子封装的基板（）A. 玻璃B. 陶瓷C. 木材D. 塑料答案：B解析：陶瓷具有良好的热性能和电性能，常用于电子封装的基板。

3. 电子封装中的引线键合技术常用的材料是（）A. 铝B. 铜C. 铁D. 锌答案：A解析：在电子封装中，铝是引线键合技术常用的材料。

4. 下列哪种封装形式具有较高的集成度（）A. DIPB. BGAC. SOPD. QFP答案：B解析：BGA（球栅阵列封装）具有较高的集成度。

5. 电子封装中用于散热的材料通常是（）A. 橡胶B. 金属C. 纸D. 布答案：B解析：金属具有良好的导热性能，常用于电子封装中的散热。

6. 以下哪种封装技术适用于高频应用（）A. CSPB. PGAC. LGAD. MCM答案：D解析：MCM（多芯片模块）适用于高频应用。

7. 电子封装中，阻焊层的主要作用是（）A. 增加电阻B. 防止短路C. 提高电容D. 增强磁场答案：B解析：阻焊层可以防止线路之间的短路。

8. 以下哪种封装的引脚间距较小（）A. QFPB. TSSOPC. PLCCD. DIP答案：B解析：TSSOP 的引脚间距相对较小。

9. 在电子封装中，模塑料的主要成分是（）A. 金属B. 陶瓷C. 聚合物D. 玻璃答案：C解析：模塑料的主要成分是聚合物。

10. 哪种封装形式常用于手机等小型电子产品（）A. CPGAB. BGAC. SPGAD. DPGA答案：B解析：BGA 由于其尺寸小、集成度高等特点，常用于手机等小型电子产品。

11. 电子封装中，芯片粘结材料常用的是（）A. 硅胶B. 水泥C. 胶水D. 沥青答案：A解析：硅胶是芯片粘结材料常用的一种。

微电子技术基础知识单选题100道及答案解析1. 微电子技术的核心是（）A. 集成电路B. 晶体管C. 电子管D. 激光技术答案：A解析：集成电路是微电子技术的核心。

2. 以下哪种材料常用于微电子器件的制造（）A. 钢铁B. 塑料C. 硅D. 木材答案：C解析：硅是微电子器件制造中常用的半导体材料。

3. 微电子技术中，芯片制造工艺的精度通常用（）来衡量。

A. 纳米B. 微米C. 毫米D. 厘米答案：A解析：芯片制造工艺精度通常用纳米来衡量。

4. 集成电路中，基本的逻辑门包括（）A. 与门、或门、非门B. 加法门、减法门C. 乘法门、除法门D. 以上都不对答案：A解析：与门、或门、非门是集成电路中的基本逻辑门。

5. 微电子技术的发展使得计算机的体积越来越（）A. 大B. 小C. 不变D. 随机答案：B解析：微电子技术进步使计算机体积逐渐变小。

6. 以下哪个不是微电子技术的应用领域（）A. 航空航天B. 农业种植C. 通信D. 医疗答案：B解析：农业种植通常较少直接应用微电子技术。

7. 在微电子制造中，光刻技术的作用是（）A. 刻蚀电路B. 沉积材料C. 图案转移D. 检测缺陷答案：C解析：光刻技术主要用于图案转移。

8. 微电子封装技术的主要目的是（）A. 保护芯片B. 提高性能C. 便于连接D. 以上都是答案：D解析：微电子封装技术能保护芯片、提高性能并便于连接。

9. 摩尔定律指出，集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔（）翻一番。

A. 18 个月B. 2 年C. 5 年D. 10 年答案：A解析：摩尔定律表明约每隔18 个月集成电路上晶体管数目翻番。

10. 微电子技术中的掺杂工艺是为了改变半导体的（）A. 电阻B. 电容C. 电导D. 电感答案：C解析：掺杂改变半导体的电导特性。

11. 以下哪种设备常用于微电子制造中的检测（）A. 显微镜B. 示波器C. 扫描仪D. 电子显微镜答案：D解析：电子显微镜常用于微电子制造中的检测。

第1章：绪论微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称。

主要封装形式: DIP、QFP(J)、PGA、PLCC、.SOP(J)、SOT、SMC/D BGA CCGA、KGD、CSP、DIP:双列直插式封装QFP(J):四边引脚扁平封装PGA:针栅阵列封装PLCC:塑料有引脚片式载体SOP(J): IC 小外形封装.SOT:小外形晶体管封装SMC/D:表面安装元器件BGA:焊球阵列封装CCGA:陶瓷焊柱阵列封装KGD:优质芯片(己知合格芯片)CSP:芯片级封装MC主要封装工艺技术: WB、TAB、FCB、OLB、ILB、C4、UBM、SMT、THT、COB、COG等。

M(P)、WLP等。

WB:引线键合TAB:载带自动焊FCB:倒装焊OLB:外引线焊接.ILB:内引线焊接C4:可控塌陷芯片连接UBM:凸点下金属化SMT:表面贴装技术THT:通孔插装技术COB:板上芯片COG:玻璃上芯片M(P):WLP:圆片级封装不同的封装材料: C、P等。

C:陶瓷封装P:塑料封装T:薄型F:窄节距B:带保护垫简写的名字DIP：双列直插式封装QFP：四边扁平封装BGA：焊球阵列封装MCP：多芯片封装/金属罐式封装MCM：多芯片组件3．芯片封装实现的5个功能。

（1）电能传输，主要是指电源电压的分配和导通。

电子封装首先要接通电源，使芯片与电路导通电流。

其次，微电子封装的不同部位所需的电压有所不同，要能将不同部位的电压分配适当，以减少电压的不必要损耗，这在多层布线基本上尤为重要，同时，还要考虑接地线的分配问题。

（2）信号传递，主要是要使电信号的延迟尽可能的小，在布线时要尽可能的使信号线与芯片的互连路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。

对于高频信号，还要考虑到信号间的串扰，以进行合理的信号分配布线和接地线的分配。

（3）提供散热途径，主要是指各芯片封装要考虑元器件、部件长时间工作时如何将聚集的热量散发出去的问题。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。

一、填空题：1．锡膏印刷时，所需准备的材料及工具：焊膏、模板、刮刀、擦拭纸、无尘纸、清洗剂、搅拌刀。

2．Chip 元件常用的公制规格主要有 0402 、 0603 、 1005 、 1608 、 3216 、3225 。

3．锡膏中主要成份分为两大部分合金焊料粉末和助焊剂。

4．SMB板上的Mark标记点主要有基准标记（fiducial Mark）和 IC Mark 两种。

5．QC七大手法有调查表、数据分层法、散布图、因果图、控制图、直方图、排列图等。

6．静电电荷产生的种类有摩擦、感应、分离、静电传导等，静电防护的基本思想为对可能产生静电的地方要防止静电荷的产生、对已产生的静电要及时将其清除。

7．助焊剂按固体含量来分类，主要可分为低固含量、中固含量、高固含量。

9．SMT的PCB定位方式有：针定位边针加边。

10．目前SMT最常使用的无铅锡膏Sn和Ag和Cu比例为 96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu 。

11．常见料带宽为8mm的纸带料盘送料间距通常为 4mm 。

二、SMT专业英语中英文互换1．SMD：表面安装器件2．PGBA：塑料球栅阵列封装3．ESD：静电放电现象4．回流焊：reflow(soldering) 5．SPC：统计过程控制6．QFP：四方扁平封装7．自动光学检测仪：AOI 8．3D-MCM：三维立体封装多芯片组件9．Stick:：棒状包装10．Tray:：托盘包装11．Test：测试12．Black Belt：黑带13．Tg：玻璃化转变温度14．热膨胀系数：CTE15．过程能力指数：CPK16．表面贴装组件：（SMA）（surface mount assemblys）17．波峰焊：wave soldering18．焊膏：solder paste 19．固化：curing 20．印刷机：printer21．贴片机：placement equipment 22．高速贴片机：high placement equipment 25．返修： reworking 23．多功能贴片机：multi-function placement equipment 24．热风回流焊：hot air reflow soldering三、画出PCB板设计中，一般通孔、盲孔和埋孔的结构图四、简答题：电子封装是指将具有一定功能的集成电路芯片，放置在一个与之相适应的外壳容器中，为芯片提供一个稳定可靠的工作环境；同时，封装也是芯片各个输出、输入端的向外过渡的连接手段，以及起将器件工作所产生的热量向外扩散的作用，从而形成一个完整的整体，并通过一系列的性能测试、筛选和各种环境、气候、机械的试验，来确保器件的质量，使之具有稳定、正常的功能。

《微电子封装技术》试卷标准答案一、填空题（每空2分，共40分）1、膜技术2、粘度3、金属氧化物4、金属5、转移成型技术6、软式印制电路板7、极性/非离子污染8、热膨胀系数9、倒线10、可靠性11、陶瓷球栅阵列12、预型片13、打线键合14、光刻工艺15、挥发性物质16、四边引脚17、凸点18、功能相19、收缩20、倒装芯片。

二、简答题（每小题6分，共30分）1、答：一般可将厚膜浆料分为：聚合物厚膜、难熔材料厚膜与金属陶瓷厚膜三种类型。

…………………………………………2分传统的金属陶瓷厚膜包括4种成分，分别为：（1）有效物质：确定膜的功能，即确定膜为导体、介质层、电阻。

…………………………………………1分（2）粘贴成分：提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体。

…………………………………………1分（3）有机粘贴剂：提供丝网印刷印制的合适流动性能。

…………………………………………1分（4）溶剂或稀释剂：它决定运载剂的粘度。

…………………………………………1分2、答：（1）传递电能，主要是电源电压的分配和导通。

（2）传递电信号，主要是将电信号的延迟尽可能减小，在布线时应尽可能使信号线与芯片的互联路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。

（3）提供散热途径，主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散失的问题。

（4）提供结构保护与支撑，主要是指芯片封装的机械可靠性。

…………………………………………6分3、答：工艺流程如下：……………………3分先划片后减薄：即在背面磨削之前先将硅片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削；减薄划片：即在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出切口，然后用磨削的方法减薄到一定厚度以后，采用常压等离子体腐蚀去除剩余加工量，实现裸芯片的自动分离。

……………………3分4、答：工艺流程如下：PCB板覆铜箔——镀胶（光刻胶，正胶或负胶）——曝光（利用掩膜板，正胶的掩膜板和实际电路模型一样，负胶的掩膜板则是实际电路外地线路模型）——显影（显出实际电路图型，以正胶为例）——镀锡（保护实际电路防止污染）——去胶（显出非电路部分的铜箔，实际电路被锡覆盖）——刻蚀（刻蚀掉非线路部分的铜箔）——去锡（显出实际电路图形）。

微电子封装作业与答案麻烦各位同学在作业本上不要写上自己的名字、班级和学号，另外题目也需要抄写，答案抄的时候自己稍微改变下，谢谢！第一次作业:1.什么是摩尔定律?摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。

当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

2.什么是集成电路封装？集成电路封装不仅起到集成电路芯片内键合点与外部进行电气连接的作用，也为集成电路芯片提供了一个稳定可靠的工作环境，对集成电路芯片起到机械或环境保护的作用，从而集成电路芯片能够发挥正常的功能，并保证其具有高稳定性和可靠性。

3.请简述集成电路封装发展趋势。

I/O脚数发展趋势:朝多脚化发展 ; 几十個I/O到几百個I/O封裝厚度发展趋势:朝薄且表面贴装发展封裝大小发展趋势:朝向芯片大小封裝发展 ; CSP功能性发展趋势:朝向多功能，多芯片封裝发展; MCM第二次作业：1.简述晶圆减薄及其作用。

晶圆减薄是指按产品结构或客户的需求，将晶圆背面研磨至适当的厚度，以利于后续工序的封装。

其作用如下：1).封装的尺寸要求2).热可靠性3).降低分立器件的串联电阻4).应力释放2.请简述划片中冷却水的主要作用。

冷却切割晶圆表面以及切割缝，确保切割的品质，同时冷却刀片、延长刀片寿命，并可以帮助把切割产生的碎屑冲掉。

3.请简述划片刀的金刚石密度对划片质量的影响。

低密度划片刀能有效地对抗切割时的负载，晶圆背面崩裂小；高密度划片刀对抗切割负载性较差，切割后晶圆背面崩裂大。

第三次作业：1.什么是键合？将芯片上的焊点以极细的金属导线连接到引线框架上的对应的内引脚上，从而完成芯片上的信号与芯片外部信号的互连互通。

2.球焊中的Bond Force有什么作用？将金球或金线固定于焊线位置以便于超声能量的传播；焊线压力使金线与焊接表面紧密压合，并将金线延伸变形；金线延伸使其表面污染破裂，露出纯金；金线的纯金表面与键合表面相互接触即可发生金属间的分子键合。

微电子封装与焊接技术复习题一•填空题1•微焊接工艺设计的主要内容包括（焊点可靠性设计）、（电路板焊盘设计）、（印刷网板开口设计）2•焊点可靠性设计的目标是确定（必要的焊料量）。

3•下图所示现象称为（曼哈顿）现象。

4•下图所示连接器所采用的连接技术为（压配）连接。

5•板对板连接器的两个主要类别为：（卡边缘连接器）和（两件式连接器）。

6•连接器的可靠性是指在特定时间间隔内在规定条件下产品执行其所设计功能的（概率）7•连接器使用的贵金属镀层有（金）、（钯）和（金或者钯的合金）等。

8•连接器使用的非贵金属镀层有（锡）、（银）和（镍）。

9•锡镀层发生微振腐蚀的主要根源为（插合）循环。

10•接触镀层的选择很大程度上取决于（应用）要求，主要是（耐用性）和（电阻稳定性）11. 接触界面的主要设计参数包括（接触镀层）、（接触正压力）和（接触表面的几何形状）12. 压接系统包括（电线）、（压接端）和、（压接工具的适当组合）。

13. 在可控气氛下进行软钎焊，其中可控气氛一般可分为（反应性）气氛和（保护性）气氛。

14. 对焊点可靠性设计和可靠性评价重点应该是（焊料）的材料特性。

15. 无铅焊料的基体必须是（锡基）。

16. 无铅合成物的熔化温度一般都（高于）63Sn/37Pb的熔化温度。

17. 连接器按应用分类，可分为（信号）应用和（功率）应用。

18. 下图所示连接器采用的连接技术为（压接连接技术）。

19. 连接器的可靠性是指在特定时间间隔内在规定条件下产品执行其所设计功能的（概率）20. 连接器的插合耐久性取决于（接触镀层）、（正压力）和（接触件的几何形状）。

21. 在保持弹性的同时，接触簧片实现的最大正压力由簧片材料的（屈服强度）决定。

22. 电线的规格通常用（其横截面积（平方毫米））或（美国线规（AWG ））来表示。

23. 连接器外壳的电气功能是使各个接触簧片间（相互绝缘）。

24. 除了手工焊接，对于通孔安装的元器件，一般采用（波峰焊）焊接技术，对于SMT元器件，一般采用（回流焊）焊接技术。

微电⼦封装考试内容（带选择题）PLUS版第1章：绪论微电⼦封装技术中常⽤封装术语英⽂缩写的中⽂名称。

主要封装形式: DIP、QFP(J)、PGA、PLCC、. SOP(J)、SOT、SMC/D BGA CCGA、KGD、CSP、DIP:双列直插式封装QFP(J):四边引脚扁平封装PGA:针栅阵列封装PLCC:塑料有引脚⽚式载体SOP(J): IC ⼩外形封装.SOT:⼩外形晶体管封装SMC/D:表⾯安装元器件BGA:焊球阵列封装CCGA:陶瓷焊柱阵列封装KGD:优质芯⽚(⼰知合格芯⽚)CSP:芯⽚级封装MC主要封装⼯艺技术: WB、TAB、FCB、OLB、ILB、C4、UBM、SMT、THT、COB、COG等。

M(P)、WLP等。

WB:引线键合TAB:载带⾃动焊FCB:倒装焊OLB:外引线焊接.ILB:内引线焊接C4:可控塌陷芯⽚连接UBM:凸点下⾦属化SMT:表⾯贴装技术THT:通孔插装技术COB:板上芯⽚COG:玻璃上芯⽚M(P):WLP:圆⽚级封装不同的封装材料: C、P等。

C:陶瓷封装P:塑料封装T:薄型F:窄节距B:带保护垫简写的名字DIP：双列直插式封装QFP：四边扁平封装BGA：焊球阵列封装MCP：多芯⽚封装/⾦属罐式封装MCM：多芯⽚组件3．芯⽚封装实现的5个功能。

（1）电能传输，主要是指电源电压的分配和导通。

电⼦封装⾸先要接通电源，使芯⽚与电路导通电流。

其次，微电⼦封装的不同部位所需的电压有所不同，要能将不同部位的电压分配适当，以减少电压的不必要损耗，这在多层布线基本上尤为重要，同时，还要考虑接地线的分配问题。

（2）信号传递，主要是要使电信号的延迟尽可能的⼩，在布线时要尽可能的使信号线与芯⽚的互连路径以及通过封装的I/O接⼝引出的路径达到最短。

对于⾼频信号，还要考虑到信号间的串扰，以进⾏合理的信号分配布线和接地线的分配。

（3）提供散热途径，主要是指各芯⽚封装要考虑元器件、部件长时间⼯作时如何将聚集的热量散发出去的问题。