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半导体测试公司简介Integrated Device Manufacturer (IDM):半导体公司，集成了设计和制造业务。
IBM：（International Business Machines Corporation）国际商业机器公司，总部在美国纽约州阿蒙克市。
Intel：英特尔，全球最大的半导体芯片制造商，总部位于美国加利弗尼亚州圣克拉拉市。
Texas Instruments：简称TI，德州仪器，全球领先的数字信号处理与模拟技术半导体供应商。
总部位于美国得克萨斯州的达拉斯。
Samsung：三星，韩国最大的企业集团，业务涉及多个领域,主要包括半导体、移动电话、显示器、笔记本、电视机、电冰箱、空调、数码摄像机等。
STMicroelectronics：意法半导体，意大利SGS半导体公司和法国Thomson半导体合并后的新企业，公司总部设在瑞士日内瓦。
是全球第五大半导体厂商。
Strategic Outsourcing Model（战略外包模式）：一种新的业务模式，使IDM厂商外包前沿的设计，同时保持工艺技术开发Motorola：摩托罗拉。
总部在美国伊利诺斯州。
是全球芯片制造、电子通讯的领导者。
ADI：（Analog Devices, Inc）亚德诺半导体技术公司，公司总部设在美国，高性能模拟集成电路（IC）制造商，产品广泛用于模拟信号和数字信号处理领域。
Fabless:是半导体集成电路行业中无生产线设计公司的简称。
专注于设计与销售应用半导体晶片，将半导体的生产制造外包给专业晶圆代工制造厂商。
一般的fabless公司至少外包百分之七十五的晶圆生产给别的代工厂。
Qualcomm：高通，公司总部在美国。
以CDMA(码分多址)数字技术为基础，开发并提供富于创意的数字无线通信产品和服务。
如今，美国高通公司正积极倡导全球快速部署3G网络、手机及应用。
Broadcom：博通，总部在美国，全球领先的有线和无线通信半导体公司。
IGBT静态参数测试系统简介1.概述BR3500新型半导体分立器件测试系统是西安佰人科技有限公司研发、生产的，用于测试各类半导体元器件的专用设备。
本系统是在国家科技部、国家高新技术西安产业园、西安市政府、国家外专局联合支持下, 结合国外进口先进测试系统技术研制、采用航天军用工艺生产的新型半导体全静态参数测试设备。
本系统主机获得国家科技部06年度创新基金支持，被誉为”比国内同类产品技术先进十年以上”; 大电流选件获得国家科技部09年度第一批创新基金支持；技术上获得多项国家专利。
本系统产品技术水平高于日本同类产品，接近美国和欧洲同类产品领先水平，产品综合技术性能可与国际同类先进产品媲美，性价比和售后技术服务明显优于进口产品。
成为目前我国唯一可以替代国外进口高端同类产品的半导体测试系统。
本系统经过中国信息产业部电子计量中心的校准认定，所有测量值和参数指标均达到国际同类产品允许误差范围之内。
多年来产品销往国内航天、航空、兵器、中船、电子、汽车多个领域的百余家单位，得到了广泛的应用，以产品性价比好、可测器件和参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、稳定性可靠性高、故障率极低、软件丰富、操作使用方便、售后服务及时周到得到用户的广泛赞誉。
被用户认为“用国产中档机价格买到了进口高档机产品和国际知名厂家难以做到的技术服务”。
1.1 产品应用领域半导体元器件生产厂：应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率；电子电力产品生产、检修厂：应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；航空、航天、兵器、电子信息等领域：应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；机车、汽车、船舶控制系统生产厂：应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；水力、电力控制系统生产厂：应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。
第1章半导体测试基础第1节基础术语描述半导体测试的专业术语很多，这里只例举部分基础的：1．DUT需要被实施测试的半导体器件通常叫做DUT（Device Under Test，我们常简称“被测器件”），或者叫UUT（Unit Under Test）。
首先我们来看看关于器件引脚的常识，数字电路期间的引脚分为“信号”、“电源”和“地”三部分。
信号脚，包括输入、输出、三态和双向四类，输入：在外部信号和器件内部逻辑之间起缓冲作用的信号输入通道；输入管脚感应其上的电压并将它转化为内部逻辑识别的“0”和“1”电平。
输出：在芯片内部逻辑和外部环境之间起缓冲作用的信号输出通道；输出管脚提供正确的逻辑“0”或“1”的电压，并提供合适的驱动能力（电流）。
三态：输出的一类，它有关闭的能力（达到高电阻值的状态）。
双向：拥有输入、输出功能并能达到高阻态的管脚。
电源脚，“电源”和“地”统称为电源脚，因为它们组成供电回路，有着与信号引脚不同的电路结构。
VCC：TTL器件的供电输入引脚。
VDD：CMOS器件的供电输入引脚。
VSS：为VCC或VDD提供电流回路的引脚。
GND：地，连接到测试系统的参考电位节点或VSS，为信号引脚或其他电路节点提供参考0电位；对于单一供电的器件，我们称VSS为GND。
2．测试程序半导体测试程序的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的设计指标。
测试程序通常分为几个部分，如DC测试、功能测试、AC测试等。
DC测试验证电压及电流参数；功能测试验证芯片内部一系列逻辑功能操作的正确性；AC测试用以保证芯片能在特定的时间约束内完成逻辑操作。
程序控制测试系统的硬件进行测试，对每个测试项给出pass或fail的结果。
Pass指器件达到或者超越了其设计规格；Fail则相反，器件没有达到设计要求，不能用于最终应用。
测试程序还会将器件按照它们在测试中表现出的性能进行相应的分类，这个过程叫做“Binning”，也称为“分Bin”. 举个例子，一个微处理器，如果可以在150MHz下正确执行指令，会被归为最好的一类，称之为“Bin 1”；而它的某个兄弟，只能在100MHz下做同样的事情，性能比不上它，但是也不是一无是处应该扔掉，还有可以应用的领域，则也许会被归为“Bin 2”，卖给只要求100MHz的客户。
创建功能时序要正确创建测试时序，器件规格书中定义的时序参数必须清晰明了。
为了缩减测试时间，需要根据器件的时序要求选择能力最合适的测试机，在一个高性能的测试机上，你也许可以在运行一个功能向量的时候测试所有的时序参数。
如果目标测试系统资源有限而又必须执行多路测试，那么在运行每个功能测试的时候使用不同的时序条件，直到所有的时序参数都得以验证。
创建时序的第一步通常是定义测试周期（test cycle or test period），也就是测试频率；更重要的一步则是花费必要的时间去完全地理解器件的时序。
如果测试向量由仿真数据生成，一定要复查仿真时的时序，它需要和测试程序的时序完全一致。
仿真时序应该反映器件的真实时序，且需要兼容测试系统的性能。
通过上一章节对256x4静态RAM时序图的理解，我们现在来建立它读、写周期的时序。
从写周期开始，步骤如下：1．定义周期时间，画两条垂直的直线代表周期并显示此周期持续的时间；2．确定控制信号在周期内的行为（信号的样式及转换地点），画出它并标注跳变沿产生的时间；3．确定数据信号在周期内的行为（信号的样式及转换地点），画出它并标注跳变沿产生的时间；4．画好信号并标明时间后，在考虑控制信号有效状态和无效状态的基础上，需要为每个信号定义信号格式。
写周期时序根据256x4静态RAM的规格书，可以创建写周期的测试时序图形：1.根据参数t WC确定周期时间。
2.确定哪个信号控制“写”功能。
可以看到，信号“WE”的上升沿控制输入数据何时被RAM读入，它就是控制信号；再仔细点你会发现其他所有信号时序均以“WE”作为参考。
3.确定输入信号保持装态。
测试周期内“WE”信号有效沿位置取决于参考它的信号的建立和保持时间。
地址信号（t AW）要求13纳秒的建立时间和2纳秒的保持时间，两者之和为周期时间，加上片选信号和输入数据时序，决定了“WE”信号的上升沿出现在周期内的13纳秒位置。
另外，规格书中提到的数据输出（data out）信号时序在此可以忽略，因为它在写周期不会被测试。
ST2722半导体粉末电阻率测试系统技术使用说明书苏州晶格电子有限公司目录第 1章概述 ...........................................................................................................2第2章技术参数 ...................................................................................................2第 3章工作原理 ...................................................................................................3第 4章结构特征 ...................................................................................................4第 5章使用方法 ...................................................................................................4第 6章 ST2722毫欧计软件安装使用简要说明 ................................................9欢迎使用 ST2722半导体粉末电阻率测试系统! 由衷地感谢您加入本公司的用户队伍!第 1章概述ST2722半导体粉末电阻率测试系统是运用四端子测量原理的多用途综合测量装置, 可对各种半导体粉末进行电阻率的测量。
本仪器特色为:1本测试仪有对测试结果自动分类功能,特别适合生产线分类测试!2仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入;自动转换量程。
YB6500高速多用途半导体分立器件测试系统广泛应用于航天、航空、兵器、中船、电子多个领域，以产品性价比好、可测器件和参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、稳定性可靠性高、故障率极低、软件丰富、操作使用方便、售后服务为宗旨。
1、电学指标
A-K 极间加压范围: ±2.500mV--2000V A-K 极间测流范围: ±1nA--49.90A
A-K 极间加流范围: ±100nA--49.90A
A-K 极间测压范围: ±2.500mV--2000V
G-K 极间加压范围: ±2.500mV--20V
G-K 极间测流范围: ±1nA--10A
G-K 极间加流范围: ±100nA--10A
G-K 极间测压范围: ±2.500mV--20V
最大电压分辨率: 1mV
最大电流分辨率: 1nA
A-K 极间加/测压精度: 1%+10mV
A-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V
G-K 极间加/测压精度: 1%+5mV
G-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V
电参数测试重复性： 1%
2、可测试器件（DUT）种类共计19大类, 27分类分立器件。
序号类型名称符号
1 二极管DIODE
2 稳压（齐纳）二极管ZENER
3 晶体管TRANSISTOR（NPN/PNP）
4 单向可控硅（普通晶闸管）SCR
5 双向可控硅（双向晶闸管）TRIAC
6 金属-氧化物-半导体场效
MOSFET（N-CH/P-CH）
应管
7 结型场效应管J-FET（N-CH/P-CH）
8 绝缘栅双极大功率晶体管IGBT（N-CH/P-CH）
9 达林顿阵列器件DARLINGTON
10* 光电耦合器OPTO-COUPLER（NPN/PNP）
11* 光电逻辑器件OPTO-LOGIC
12* 光电开关管OPTO-SWITCH
13* 固态过压保护器SSOVP
14* 硅触发开关STS，SBS
15* 继电器RELAY（A，B，C型）
16* 金属氧化物压变电阻MOV
17* 压变电阻VARISTOR
18* 双向触发二极管DIAC
19* 三端稳压器REGULATOR
* 需要另行定制专门的测试适配器和测试夹具。
1)、二极管DIODE
IR；BVR ；VF
2)、晶体管TRANSISTOR
ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEV；IEBO；BVCEO (电流大于10mA，脉冲宽度300us)；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE(间接参数)；
3)、J型场效应管J-FET
IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；IDSON；RDSON；GFS；VGSOFF
4)、MOS场效应管MOS-FET
IDSS；IDSV；IGSSF；IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS
5)、双向可控硅开关器件（双向晶闸管）TRIAC
IDRM；IRRM；IGKO；；VD+；VD-；BVGKO；VT+ ；VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-
6)、单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR
IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH
7)、绝缘栅双极大功率晶体管IGBT
ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS
8)、硅触发可控硅STS
IH+；IH-；VSW+ ；VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-
9)、达林顿阵列DARLINTON
ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；
BVEBO；hFE ；VCESAT；VBESAT；VBEON
10)、光电耦合器件OPTO-COUPLER
ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；；CTR；hFE；VCESAT；VSAT；VF(Opto-Diode)
11)、稳压二极管、齐纳二极管ZENER
IR；BVZ；VzMIN；IR；VF；ZZ
12)、三端电源稳压器件REGULATOR
V o Input；Output ；IIN；
13)、光电开关管OPTO-SWITCH
ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF
14)、光电逻辑器件测OPTO-LOGIC
IR；VF；VOH；VOL；IFON；IFOFF；ITH+B；ITH-B；ITH+I；ITH-I；
15)、金属氧化物压变电阻MOV
ID+ ID-；VN+；VN-；VC+ ；VC-
16)、固态过压保护器SSOVP
ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- ；VT+ VT-；
3、技术特征
该系统产品为供方引进的合作技术项目，功率电源等方面采用新的航天技术做了改进，各项技术指标同于进口产品，测试稳定性、可靠性高于进口产品，故障率明显低于进口产品。
代表了目前国际先进技术水平。
具有下面特征：
* 采用嵌入式计算机，运行速度快，扩展能力强，实现脱机运行；
* 采用高速16位并行D/A、A/D和专用并行内部总线技术设计，速度快、稳定性高；
* 采用脉冲法测试参数、脉宽可为300μS，占空比可达1/3000以上；
* 采用多级开尔文技术，系统稳定性高，测试结果准确，重复性好；
* 在线系统状态、测试结果、故障定位显示功能，使得使用方便简单；
* 完整的系统自检、校准能力，10分钟将系统故障定位到元件级，30分钟完成系统精度检测；
* 完整的软、硬件升级/扩展功能；
* DUT引腿接触性测试、加压限流能力、A-K短路保护、过压/过流保护
能力，保证了系统安全，有效防止DUT损伤；
* 关键元器件均采用进口原装，精密电阻采用国产军级，全部采用进口
装湿型继电器，装焊工艺现已采用航天工艺线代工，保证系统可靠性高于进口产品；
* 二极管极性自动判别功能，不需人工关注极性，提高操作速度，减少失误；
* 填表式编程，3分钟内即可完成一个新器件编程；
* 混合参数编程方式，使电参数测试编程不受器件类别的限制，支持技术人员实现分析编程；
* 单参数测试延时功能，用户可根据需要选择参数测试延迟时间，增加参数测试稳定性；
* 提供系统内部流性负载、阻性负载选择和外部负载接口，最大极限地满足测试需求；
* 计算步功能，允许将任意测试程序步的测试结果列式计算，形成新的参数，方便新参数定义；
* 分类、分档功能，以便通过编程确定DUT的同异性，测试后自动分类、分档、配对等，提高DUT使用价值；
* 单步测试功能，用于对单个参数进行测试，同时将测试结果值在前面板上显示，方便在线分析；
* 完整的其它后测试处理能力；
* 所有测试夹具进行了误差补偿和噪声抑制设计。
4、说明：
a、测试方法符合IEC 60747-5-3-1997标准、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法，美国军标标准；
b、提供上述各类器件测试所用的不同封装形式的测试夹具和测试适配器；
c、可以定做各种阵列、组合封装、表贴器件的测试夹具；
d、帮助用户开发各种器件的测试程序。
