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平板DR与CCD-DR对比表
在数字化医用X摄影系统中，目前市场上存在两种成像方式，即CCD成像方式和平板探测器成像方式。
平板探测器技术是医学X射线摄影技术的一次革命，发展至今市场主流产品都为非晶硅平板探测器，随着时代技术的进步未来DR的发展主流仍然是平板探测器。
非晶硅平板具有高对比度和分辨率、高动态范围、丰富的图像处理功能，将X射线的数字摄影时代带入了一个新的高度。
以下分别就CCD成像系统与平板DR成像系统从原理、结构、性能等多方面进行对比：。
影像学专家：1、CCD DR实际上就是一个高分辨率数码相机，内部结构有一个超大的光学镜头和CCD相机，采集平板与飞利浦、西门子DR一样都是碘化铯柱状晶体，根本没有什么影像增强器，拍片和脉冲透视是不同的方式，拍片用影像增强器没有任何意义，而实际上最好的影像增强器造价高达三十多万，比佳能的平板探测器还贵，请飞利浦、西门子、GE、柯达、岛津等厂家所谓的“专业技术人员”不要再拿这些谬论来蒙骗我们的放射科医生。
2、CCD DR与碘化铯非晶硅平板DR相比，从理论上来说成像质量应该是要差点的。
因为碘化铯非晶硅平板DR的成像是1:1对称的，没有光学传导的过程，信号衰减较少，而CCD DR由于CCD制造工艺的问题，必须采用光学系统来传导信号，信号衰减客观存在，如果想做到和碘化铯非晶硅平板DR一样的图像质量，必须采用感光度更高的超大口径光学镜头、更高分辨率的CCD相机、碘化铯采集平板和更先进的图像处理技术，而这些都是需要付出很大的成本代价的，目前优质的CCD DR的材料成本实际上要比平板探测器更高。
3、平板探测器的材料成本实际上并不高，由于非晶硅光电管阵列和碘化铯都是自己生产，因此实际上成本只有十万元人民币左右，而卖给中国用户的价格高达五十万元人民币，其中最关键的原因在于技术垄断，目前能够生产大面阵DR探测器的厂家主要有TREXELL（泰雷兹、西门子、飞利浦合资）、瓦里安、佳能，韩国三星和日本东芝也有产品面世但是还在测试中，所谓的非晶硅光电管阵列其实和我们日常的液晶显示器里的非晶硅光电管阵列是一样的产品，只是成像过程相反，目前国际上一块17英寸的医用非晶硅光电管阵列板价格大约为2000美金，只要由台湾厂家代工，只是技术不够成熟。
碘化铯非晶硅平板的成本构成很大程度来自于碘化铯晶体，但是原材料就高达数万元人民币。
很多时候我们中国人是很悲哀的，总是为外国人的技术垄断买单，就拿医药行业的药品来说，国外最新推出的新药材料成本只有几块钱人民币，可是卖给中国人则高达数百元人民币，而我们的中国业务员和给了费用的医生还要给他们唱颂歌。
平板探测器的原理及应用1. 简介平板探测器是一种常用于科学研究和工业应用的探测器，其原理基于能量的转换和信号的放大，可以实现对多种物理量或信号的检测和测量。
本文将介绍平板探测器的原理和应用领域。
2. 原理平板探测器的工作原理基于能量的转换，通过将被测量的物理量转换为电荷或电压信号来实现信号的采集和处理。
2.1 材料选择平板探测器的材料选择非常重要，常见的材料有硅(Si)、镓(GaAs)、硅锗(Ge)等。
这些材料具有良好的导电性能和较高的灵敏度，能够实现高效的能量转换。
2.2 结构设计平板探测器通常由P型半导体和N型半导体组成的PN结构构成。
当外加电压施加于其上时，形成电场，当有质子或光子等粒子进入探测器时，引起PN结内的电离和电荷产生。
这些电荷会在电场的驱动下漂移至电极，产生电流或电压信号。
3. 应用领域平板探测器由于其灵敏度高、响应快等特点，在许多领域得到广泛应用。
3.1 核物理平板探测器在核物理研究中扮演着重要角色，因为它能够探测到高能粒子、射线等。
在核物理实验中，平板探测器可以用于测量实验样品中的粒子能谱、运动轨迹以及粒子的电荷和能量等信息。
3.2 生命科学在生命科学研究中，平板探测器可用于细胞测量、蛋白质分析，甚至用于药物研发和基因检测等领域。
平板探测器能够提供准确的数据，并帮助科学家更好地了解生命现象。
3.3 材料科学平板探测器在材料科学中被广泛应用于材料分析和性能测试等。
通过对材料中的粒子进行测量和分析，可以评估材料的成分、结构和性能，从而指导材料的制备过程和应用。
3.4 辐射检测平板探测器能够探测和测量各种辐射，包括射线、γ射线、X射线等。
在辐射监测和辐射治疗等领域，平板探测器可用于监测辐射剂量，确保人员和环境的安全。
4. 总结平板探测器是一种重要的科学仪器，其原理基于能量的转换和信号的放大。
通过选择适当的材料和合理的结构设计，可以实现高效、准确的信号检测和测量。
平板探测器在核物理、生命科学、材料科学和辐射检测等领域都有广泛的应用。
x射线探测器工作原理介绍x射线探测器的种类和用途x射线探测器是一种重要的射线检测仪器，广泛应用于医疗、安检、工业和科学研究领域。
x射线探测器根据检测原理和应用场景的不同，可以分为以下几种类型。
1. 平板探测器平板探测器是一种使用晶闸管、硅探测器、CdTe探测器等材料构成的平板探测器。
这种探测器可以用于检测X射线、γ射线等辐射能量范围，在医疗和科学研究领域得到了广泛应用。
2. 线阵探测器线阵探测器采用多个单元探测器并列组成，可以对较大的面积进行全面的固态探测。
这种探测器应用于工业领域，在没有破坏物品的情况下非常适合对物品进行非破坏性检测。
3. 光片探测器光片探测器是一种光电转换器件，采用点阵结构，常用于医疗领域，检测能量在5keV到200keV之间的x射线。
4. 铷离子探测器铷离子探测器采用高纯度铷化铁锂晶体作为检测材料，应用在较高的放射性能量检测。
详细介绍x射线探测器的工作原理x射线探测器的基本原理是将x射线所激发的能量转换为电信号，通过电子学方式进行信号放大和处理，最终实现对射线的检测和量测。
x射线通过探测器的探测材料时，会发生能量吸收和电离，产生少量的电子和正离子，这些载流子会在探测材料内原地漂移产生空穴和电子对，最终达到探头电极。
电极会收集这些电子，并将它们从探测材料引出。
为了提高探测灵敏度，许多现代x射线探测器采用多层探测结构，激发出更多的载流子，增加信号的搜集效率。
此外，探测器制造商还可以在探测层的表面上涂上特殊的荧光体以进一步提高检测灵敏度，促进电子和正离子的重新组合，加速载流子的漂移速度等。
总结综上所述，x射线探测器应用广泛，种类繁多。
通过不同的探测原理和结构设计，x射线探测器可适用于医疗、安检、工业以及科学研究等领域，发挥着越来越重要的作用。
同时，随着科技的不断发展和进步，x 射线探测器的灵敏度、精度和效率也会有不断的提升和改进。
宠物DR的核心部件？浅谈平板探测器和武汉佳影全新CCD探测器的过去与将来｜影像前线宠物DR，全称为宠物用数字化X射线摄影设备。
如今，这一设备几乎成为一家新宠物医院的标配设备。
DR设备主要用于给宠物做X光检查，在宠物不会说话和不用做手术的情况下，检查宠物身体内是否有异物、骨折、炎症和肿瘤等常见疾病。
作为宠物DR的最核心部件，X光平板探测器——是把X光转换成数字信号的核心部件。
该核心部件的发展和特点直接决定了宠物DR拍摄效果以及可以达到的高度。
目前市场上主要应用非晶硅TFT静态平板探测器技术，在X射线摄影中，按照是否无线传输数字图像分为有线和无线两个版本。
在宠物DR整机中主要应用有线版本，数据传输快和没有干扰，同时在平板供电上，不依赖于电池，直接插电供电，无须电池插拔和更换烦恼。
除了外在有线或无线区分，内部构造和设计，及工作模式也相当重要。
从构造上看，在表层碳纤维外壳下第一层为闪烁体层，是一种晶体，作用是把X 光这种不可见光转换成可见光，转换效率直接决定了图像效果。
该层的晶体主要为GOS硫氧化钆和CSI碘化铯。
GOS硫氧化钆为圆粒体结构，即使是GOS也分高中低三个档次，每个档次的GOS的转换效率都不一样具体可以通过DQE来表示，价格也按照GOS的档次进行分类。
另外一种为CSI，呈现出针柱状体，该形态的结构将不可见的X光转换成可见光的效率要明显高于GOS圆粒体结构。
所以CSI碘化铯平板效果要好于GOS硫氧化钆平板。
工艺：直接生长型和贴膜型除了在闪烁体这层的材料区别，工艺上也有区分，主要分为直接生长型和贴膜型。
直接生长型主要为闪烁体晶体通过专业设备蒸镀在非晶硅TFT上，大致形式为将非晶硅TFT倒置在专业蒸镀设备上，这类型机器每台约为1000万人民币，可以精确到微米级的晶体生长。
约10小时后，晶体直接生长在TFT上，再通过惰性化学物质将晶体长期封装在TFT上。
该工艺十分复杂，设备高昂，但直接生长的碘化铯工艺和材料可以确保在低剂量下图像效果为最佳效果。
CCD探测器和平板DR系统的比较探测器系统分类：测器系统原理：非晶硅平板探测器是将闪烁体和感光体集成在一起，闪烁体将X 射线转化为可见光，感光体再将可见光转化为电信号然后采样；非晶硒平板探测器是直接将X射线转化为电信号然后采样。
这两种平板探测器的尺寸都是17英寸x17英寸的。
CCD DR的探测器系统实际上就是一个高分辨率数码相机，内部结构有一个超大的光学镜头和CCD相机。
由17英寸x17英寸的闪烁屏，反射镜面，镜头和CCD感光芯片构成。
闪烁屏将X射线转化为可见光，可见光被镜面反射，然后通过镜头聚焦投射到CCD芯片上。
CCD探测系统可以理解为一个闪烁体和感光体分离，然后通过光学通路连接起来的非晶硅平板。
CCD芯片尺寸相对于平板很小，即使1600万像素的CCD芯片光学尺寸也可以只有2英寸。
感测质量和开发成本：和平板探测不同，CCD探测系统中有光学通路，吸收和反射会损失相当多的光学信息。
早期的CCD芯片技术感光灵敏度不够高，光电转换效率DQE往往低于30%，当曝光时间不足(受辐射量限制)时，信噪比低，图像质量不佳。
而平板探测器没有光学衰减，即使只有30%DQE，也会优于CCD的30%。
不过目前CCD芯片的QE已经可以超过60%，甚至达到80%也有。
一般来讲，平板DR的图像质量优于CCD DR。
从平板探测器和CCD芯片的成本来说，CCD尺寸小，价格比平板要便宜。
平板探测器的材料成本实际上并不高，由于非晶硅光电管阵列和碘化铯都是可以生产，因此实际上最关键的原因在于技术研发成本。
图像的真实性图像的真实性主要来自于信息还原程度，事实上CCDDR面世，在图像真实性存在问题，任何透镜偏转, 都存在像差, 存在中心边缘不一致, 存在色散, 这是光学结构所决定的, 是CCD的先天不足.。
同时成像剂量相比较大，拍摄腰椎侧位常规剂量难以满足临床的需要。
随着平板DR材料成本降低，而且基本实现五年以上的无故障使用寿命，未来市场CCD DR将和CRT医用显示器一样被赶出市场。
一、平板DR20世纪90年代后期薄膜晶体管(TFT)技术的出现，很快被应用于DR平板探测器的研制上，并取得突破性进展，随后相继出现了多种类型的平板X射线摄影探测器(FPD)。
平板探测器技术的出现时医学X射线摄影技术的又一次革命。
它的高对比度分辨率、高动态范围、丰富的图像处理功能将X射线的数字时代带入了一个新的高度。
目前主流的平板DR按其探测材料分为三大类，非晶硅、非晶硒和CMOS。
1、非晶硅平板探测器主要由闪烁体、以非晶硅为材料的光电二极管电路和底层TFT电荷信号读出电路组成。
工作时X射线光子激发闪烁体曾产生荧光，荧光的光谱波段在550nm左右，这正是非晶硅的灵敏度峰值。
荧光通过针状晶体传输至非晶硅二极管阵列，后者接受荧光信号并将其转换为电信号，信号送到对应的非晶硅薄膜晶体管并在其电容上形成存储电荷，由信号读出电路并送计算机重建图像。
2、非晶硒平板探测器非晶硒和非晶硅的主要区别在于没有使用闪烁体，而是通过非晶硒材料直接将X 射线转变为电信号，减少了中间环节，因此图像没有几何失真，大大提高了图像质量。
但其也有些缺憾，如对环境要求高（温度范围小，容易造成不可逆的损坏），存在疵点（区域）等，另外由于探测器暴露在X射线下，其抗射线损坏的能力相对较差。
此外，在提高DDR的响应时间时需要克服一定的技术障碍，而且成本较高。
3、 CMOS平板探测器和上面的非晶硅比较，CMOS平板探测器的探测材料为CMOS，由于目前CMOS的像素尺寸可以做到96um或48um，因此相对于上面两种，其分辨率要好很多，可以达到10lp/mm，如美国Rad-Icon公司产品。
可广泛应用于对分辨率要求较高的工业无损检测、医学影像及小动物CT等领域二、CCD DRCCD平面传感器成像方式是先把入射X射线经闪烁体转换为可见光，然后通过镜头或光纤锥直接耦合到CCD芯片上，由CCD芯片将可见光转换为电信号，并得到图像。
CCD平面数字成像技术在20世纪90年代中期就推入了市场，最近几年有了如下几个方面的改进和提高，将更有利于其的发展。
CCD简介英文全称：Charge-coupled Device，中文全称：电荷耦合元件。
可以称为CCD图像传感器,也叫图像控制器。
CCD是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号。
CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。
一块CCD上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。
CCD的作用就像胶片一样，但它是把光信号转换成电荷信号。
CCD上有许多排列整齐的光电二极管，能感应光线，并将光信号转变成电信号，经外部采样放大及模数转换电路转换成数字图像信号。
此外，CCD还是蜂群崩溃混乱症的简称。
CCD图像传感器可直接将光学信号转换为模拟电流信号，电流信号经过放大和模数转换，实现图像的获取、存储、传输、处理和复现。
其显著特点是：1.体积小重量轻；2.功耗小，工作电压低，抗冲击与震动，性能稳定，寿命长；3.灵敏度高，噪声低，动态范围大；4.响应速度快，有自扫描功能，图像畸变小，无残像；5.应用超大规模集成电路工艺技术生产，像素集成度高，尺寸精确，商品化生产成本低。
因此，许多采用光学方法测量外径的仪器，把CCD器件作为光电接收器。
CCD工作原理CCD从功能上可分为线阵CCD和面阵CCD两大类。
线阵CCD通常将CCD内部电极分成数组，每组称为一相，并施加同样的时钟脉冲。
所需相数由CCD芯片内部结构决定，结构相异的CCD可满足不同场合的使用要求。
线阵CCD有单沟道和双沟道之分，其光敏区是MOS电容或光敏二极管结构，生产工艺相对较简单。
它由光敏区阵列与移位寄存器扫描电路组成，特点是处理信息速度快，外围电路简单，易实现实时控制，但获取信息量小，不能处理复杂的图像（线阵CCD如右图所示）。
面阵CCD的结构要复杂得多，它由很多光敏区排列成一个方阵，并以一定的形式连接成一个器件，获取信息量大，能处理复杂的图像。
一、平板DR与CCD DR综合比较<一>、探测系统成像原理：1、平板探测器平板探测器构成的DR主要分为两种:一种是非晶硅平板探测器,属于间接能量转换方式；另一种是非晶硒平板探测器,属于直接能量转换方式。
平板探测器是什么？
平板探测器（FPDs）是最常见的直接数字探测器。
它们分为两大类：
1.间接FPDs。
非晶硅（a-Si）是最常见的商用平板探测器材料。
将非晶硅探测器与探测器外层由碘化铯（CsI）或氧化钆（Gd2O2S）制成的闪烁体结合在一起，将X射线转化为光。
由于这种转换，非晶硅探测器被认为是一种间接成像设备。
光被引导通过非晶硅光电二极管层，在那里被转换成数字输出信号。
然后，数字信号由薄膜晶体管（TFTs）或光纤耦合CCD读出。
2.直接FPDs。
非晶硒（a-Se）平板探测器被称为“直接”探测器，因为X射线光子被直接转换成电荷。
在这种设计中，平板的外层通常是高压偏置电极。
X射线光子在非晶硒中产生电子-空穴对，这些电子和空穴的迁移取决于偏置电压电荷的电势。
当这些空穴被电子取代时，硒层中产生的电荷模式由TFT阵列、有源矩阵阵列、静电计探针或微等离子体线寻址读出。
（一）在数字化摄片中，X线能量转换成电信号是通过平板探测器来实现的，所以平板探测器的特性会对DR图像质量产生比较大的影响。
选择DR必然要考虑到平板探测器的选择。
平板探测器的性能指标会对图像产生很大的影响，医院也应当根据实际需要选择适合自己的平板探测器。
DR平板探测器可以分为两种：非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器，从能量转换的方式来看，前者属于直接转换平板探测器，后者属于间接转换平板探测器。
非晶硒平板探测器主要由非晶硒层TFT构成。
入射的X射线使硒层产生电子空穴对，在外加偏压电场作用下，电子和空穴对向相反的方向移动形成电流，电流在薄膜晶体管中形成储存电荷。
每一个晶体管的储存电荷量对应于入射X射线的剂量，通过读出电路可以知道每一点的电荷量，进而知道每点的X线剂量。
由于非晶硒不产生可见光，没有散射线的影响，因此可以获得比较高的空间分辨率。
非晶硅平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管或电荷耦合器件或互补型金属氧化物半导体构成它的工作过程一般分为两步，首先闪烁晶体涂层将X线的能量转换成可见光；其次TFT或者1CCD，或CMOS将可见光转换成电信号。
由于在这过程中可见光会发生散射，对空间分辨率产生一定的影响。
虽然新工艺中将闪烁体加工成柱状以提高对X线的利用及降低散射，但散射光对空间分辨率的影响不能完全消除。
Ø 不同平板探测器的比较评价平板探测器成像质量的性能指标主要有两个：量子探测效率和空间分辨率。
DQE决定了平板探测器对不同组织密度差异的分辨能力；而空间分辨率决定了对组织细微结构的分辨能力。
考察DQE 和空间分辨率可以评估平板探测器的成像能力。
（1）影响平板探测器DQE的因素在非晶硅平板探测器中，影响DQE的因素主要有两个方面：闪烁体的涂层和将可见光转换成电信号的晶体管。
首先闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力，因此对DQE会产生影响。
目前常见的闪烁体涂层材料有两种：碘化铯和硫氧化钆。
CCD探测器CCD探测器产品特点1) 反射式单CCD，大面阵设计像素矩阵4K×4K，1700万像素，极限空间分辨率可达到4.6lp/mm。
2) 17×17英寸成像面积,完全满足临床检查需要。
3) CCD防X射线辐射设计,图像质量长期可靠一致，使用成本大幅降低。
主要技术参数有效视野：17英寸x17英寸/ 17英寸x14英寸像素填充系数：100%像素矩阵：4kx4k，3kx3k像素尺寸：108um /140um电源要求：220V AC 10A 50Hz一、电荷耦合器件(ChargeCoupledDevices),简称CCD。
CCD的最基本单元MOS电容器是构成CCD的最基本单元是，它是金属—氧化物—半导体（MOS）器件中结构最为简单的。
CCD原理：1、信号电荷的产生：CCD工作过程的第一步是电荷的产生。
CCD可以将入射光信号转换为电荷输出，依据的是半导体的内光电效应（也就是光生伏特效应）。
2、信号电荷的存储:CCD工作过程的第二步是信号电荷的收集，就是将入射光子激励出的电荷收集起来成为信号电荷包的过程。
3、信号电荷的传输（耦合）：CCD工作过程的第三步是信号电荷包的转移，就是将所收集起来的电荷包从一个像元转移到下一个像元，直到全部电荷包输出完成的过程。
图示为CCD成像区的一小部分（几个像素）。
图像区中这个图案是重复的。
4、信号电荷的检测：CCD工作过程的第四步是电荷的检测，就是将转移到输出级的电荷转化为电流或者电压的过程。
输出类型主要有以下三种：；1）电流输出；2）浮置栅放大器输出；3）浮置扩散放大器输出。
测量过程由复位开始，复位会把前一个电荷包的电荷清除掉。
电荷输送到相加阱。
此时，V out 是参考电平。
在这个期间，外部电路测量参考电平。
二、CCD的基本原理1、CCD的工作过程示意图2、基本原理（1）CCD的MOS结构CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS（金属—氧化物—半导体）电容器组成的阵列,其构造如图39所示。
在P型或N型硅衬底上生长一层很薄（约120nm）的二氧化硅,再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极）,形成规则的MOS电容器阵列，再加上两端的输入及输出二极管就构成了CCD芯片。
当向SiO2表面的电极加正偏压时，P型硅衬底中形成耗尽区（势阱），耗尽区的深度随正偏压升高而加大。
其中的少数载流子（电子）被吸收到最高正偏压电极下的区域内（如图中Ф1极下），形成电荷包（势阱）。
对于N型硅衬底的CCD器件，电极加正偏压时，少数载流子为空穴。
（2）CCD芯片的构造每个光敏元（像素）对应有三个相邻的转移栅电极1、2、3,所有电极彼此间离得足够近,以保证使硅表面的耗尽区和电荷的势阱耦合及电荷转移。
所有的1电极相连并施加时钟脉冲φ1,所有的2、3也是如此,并施加时钟脉冲φ2、φ3。
这三个时钟脉冲在时序上相互交迭。
电荷转移的控制方法，非常类似于步进电极的步进控制方式。
也有二相、三相等控制方式之分。
（3）线型CCD图像传感器线型CCD图像传感器由一列光敏元件与一列CCD并行且对应的构成一个主体,在它们之间设有一个转移控制栅。
在每一个光敏元件上都有一个梳状公共电极,由一个P型沟阻使其在电气上隔开。
当入射光照射在光敏元件阵列上,梳状电极施加高电压时,光敏元件聚集光电荷,进行光积分,光电荷与光照强度和光积分时间成正比。
在光积分时间结束时,转移栅上的电压提高(平时低电压),与CCD对应的电极也同时处于高电压状态。
然后,降低梳状电极电压，各光敏元件中所积累的光电电荷并行地转移到移位寄存器中。
当转移完毕,转移栅电压降低,梳妆电极电压回复原来的高电压状态,准备下一次光积分周期。
同时,在电荷耦合移位寄存器上加上时钟脉冲,将存储的电荷从CCD中转移,由输出端输出。
这个过程重复地进行就得到相继的行输出,从而读出电荷图形。
（4）面型CCD图像传感器面型CCD图像传感器由感光区、信号存储区和输出转移部分组成。
图(a)所示结构由行扫描电路、垂直输出寄存器、感光区和输出二极管组成。
行扫描电路将光敏元件内的信息转移到水平（行）方向上，由垂直方向的寄存器将信息转移到输出二极管，输出信号由信号处理电路转换为视频图像信号。
这种结构易于引起图像模糊。
面型CCD图像传感器结构图（b）所示结构增加了具有公共水平方向电极的不透光的信息存储区。
在正常垂直回扫周期内，具有公共水平方向电极的感光区所积累的电荷同样迅速下移到信息存储区。
在垂直回扫结束后，感光区回复到积光状态。
在水平消隐周期内，存储区的整个电荷图像向下移动，每次总是将存储区最底部一行的电荷信号移到水平读出器，该行电荷在读出移位寄存器中向右移动以视频信号输出。
当整帧视频信号自存储移出后，就开始下一帧信号的形成。
该CCD结构具有单元密度高、电极简单等优点，但增加了存储器。
图(c)所示结构是用得最多的一种结构形式。
它将图(b)中感光元件与存储元件相隔排列。
即一列感光单元，一列不透光的存储单元交替排列。
在感光区光敏元件积分结束时，转移控制栅打开，电荷信号进入存储区。
随后，在每个水平回扫周期内，存储区中整个电荷图像一次一行地向上移到水平读出移位寄存器中。
接着这一行电荷信号在读出移位寄存器中向右移位到输出器件，形成视频信号输出。
这种结构的器件操作简单，但单元设计复杂，感光单元面积减小，图像清晰。
目前，面型CCD图像传感器使用得越来越多，所能生产的产品的单元数也越来越多，最多已达1024×1024像元。
我国也能生产512×320像元的面型CCD图像传感器。
三、CCD传感器的结构类型1、按照像素排列方式的不同，可以将CCD分为线阵和面阵两大类（1）线阵CCD单沟道线阵CCD：转移次数多、效率低。
只适用于像素单元较少的成像器件。
双沟道线阵CCD：转移次数减少一半，它的总转移效率也提高为原来的两倍。
线阵CCD每次扫描一条线，为了得到整个二维图像的视频信号，就必须用扫描的方法实现。
（2）面阵CCD按照一定的方式将一维线阵CCD的光敏单元及移位寄作器排列成二维阵列。
就可以构成二维面阵CCD。
面阵CCD同时曝光整个图像常用面阵CCD尺寸系列平板探测器DR平板探测器常识一、非晶硒和非晶硅平板探测器的区别在数字化摄片中，X线能量转换成电信号是通过平板探测器来实现的，所以平板探测器的特性会对DR图像质量产生比较大的影响。
1、DR平板探测器可以分为两种：非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器，从能量转换的方式来看，前者属于直接转换平板探测器，后者属于间接转换平板探测器。
2、非晶硒平板探测器非晶硒平板探测器主要由非晶硒层TFT构成。
入射的X射线使硒层产生电子空穴对，在外加偏压电场作用下，电子和空穴对向相反的方向移动形成电流，电流在薄膜晶体管中形成储存电荷。
每一个晶体管的储存电荷量对应于入射X射线的剂量，通过读出电路可以知道每一点的电荷量，进而知道每点的X线剂量。
由于非晶硒不产生可见光，没有散射线的影响，因此可以获得比较高的空间分辨率。
3、非晶硅平板探测器非晶硅平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管或电荷耦合器件或互补型金属氧化物半导体构成。
它的工作过程一般分为两步，首先闪烁晶体涂层将X线的能量转换成可见光；其次TFT或者CCD，或CMOS将可见光转换成电信号。
由于在这过程中可见光会发生散射，对空间分辨率产生一定的影响。
4、不同平板探测器的比较平板探测器成像质量的性能指标主要有两个：量子探测效率和空间分辨率。
量子探测效率DQE决定了平板探测器对不同组织密度差异的分辨能力；而空间分辨率决定了对组织细微结构的分辨能力。
（1）影响DQE的因素主要有两个方面：闪烁体的涂层和晶体管。
常见的闪烁体涂层材料有两种：碘化铯和硫氧化钆。
碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强但成本比较高；将碘化铯加工成柱状结构，可以进一步提高捕获X线的能力，并减少散射光。
使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速度快，性能稳定，成本较低，但是转换效率不如碘化铯涂层高。
将闪烁体产生的可见光转换成电信号的方式也会对DQE产生影响。
在碘化铯(或者硫氧化钆)+薄膜晶体管(TFT)这种结构的平板探测器中，由于TFT的阵列可以做成与闪烁体涂层的面积一样大，因此可见光不需要经过透镜折射就可以投射到TFT上，中间没有可以光子损失，因此DQE也比较高；在碘化铯+CCD(或者CMOS)这种结构的平板探测器中，由于CCD(或者CMOS)的面积不能做到与闪烁体涂层一样大，所以需要经过光学系统折射、反射后才能将全部影像投照到CCD(或者CMOS)上，这过程使光子产生了损耗，因此DQE比较低。
（2）影响空间分辨率的因素：由于可见光的产生，存在散射现象，空间分辨率不仅仅取决于单位面积内薄膜晶体管矩阵大小，而且还取决于对散射光的控制技术。
总的说来，间接转换平板探测器的空间分辨率不如直接转换平板探测器的空间分辨率高。
5、非晶硒平板探测器X线转换成电信号完全依赖于非晶硒层产生的电子空穴对，DQE的高低取决于非晶硒层产生电荷能力。
总的说来，CsI+TFT这种结构的间接转换平板探测器的极限DQE高于a-Se直接转换平板探测器的极限DQE。
由于没有可见光的产生，不发生散射，空间分辨率取决于单位面积内薄膜晶体管矩阵大小。
矩阵越大薄膜晶体管的个数越多，空间分辨率越高，随着工艺的提高可以做到很高的空间分辨率。
量子探测效率与空间分辨率的关系对于同一种平板探测器，在不同的空间分辨率时，其DQE是变化的；极限的DQE 高，不等于在任何空间分辨率时DQE都高。
DQE的计算公式如下：DQE=S2×MFT2/NSP×X×CS：信号平均强度；MTF：调制传递函数；X：X线曝光强度；NPS：系统噪声功率谱；C：X线量子系数从计算公式中我们可以看到，在不同的MTF值中对应不同的DQE，也就是说在不同的空间分辨率时有不同的DQE。
非晶硅平板探测器的极限DQE比较高，但是随着空间分辨率的提高，其DQE下降得较多；而非晶硒平板探测器的极限DQE不如间接转换平板探测器的极限DQE高，但是随着空间分辨率的提高，其DQE下降比较平缓，在高空间分辨率时，DQE反而超过了非晶硅平板探测器。
这种特性说明非晶硅平板探测器在区分组织密度差异的能力较强；而非晶硒平板探测器在区分细微结构差异的能力较高。
不同类型的平板探测器在临床上的应用由于DQE影响了图像的对比度，空间分辨率影响图像对细节的分辨能力。
在摄片中应根据不同的检查部位来选择不同类型平板探测器的DR。
对于像胸部这样的检查，重点在于观察和区分不同组织的密度，因此对密度分辨率的要求比较高。
在这种情况下，宜使用非晶硅平板探测器的DR，这样DQE比较高，容易获得较高对比度的图像，更有利于诊断；对于象四肢关节、乳腺这些部位的检查，需要对细节要有较高的显像，对空间分辨率的要求很高，因此宜采用非晶硒平板探测器的DR，以获得高空间分辨率的图像。
