常用元器件的符号及封装

三极管元器件的符号表示如下：
1. 二极管表示符号：D。

2. 变容二极管表示符号：D。

3. 双向触发二极管表示符号：D。

4. 稳压二极管表示符号：ZD，D。

5. 桥式整流二极管表示符号：D。

6. 肖特基二极管、隧道二极管、光敏二极管或光电接收二极管表示符号：LED。

7. 双色发光二极管表示符号：LED。

8. 光敏三极管或光电接收三极管表示符号：Q，VT。

9. 单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q，VT。

10. 复合三极管表示符号：Q，VT。

11. NPN型三极管表示符号：Q，VT。

12. PNP型三极管表示符号：Q，VT。

13. 带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q，VT。

14. 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管表示符号：Q，VT。

15. IGBT场效应管表示符号：Q，VT。

16. 带阻尼二极管IGBT场效应管表示符号：Q，VT。

17. 接面型场效应管P-JFET。

在电路符号中，三极管的电路符号有一个圆圈，中间是三极管
的电路符号，分别是基极（B）、集电极（C）和发射极（E）。

其中，NPN和PNP是常见的三极管器件型号，它们的电路符号也有所不同。

此外，各种封装的三极管器件型号也有所不同，引脚识别需要参考具体器件的型号手册。

protel99常用元件的电气图形符号和封装形式1.电阻原理图中常用的名称为RES1-RES4；引脚封装形式：AXIAL系列从AXIAL-0.3到AXIAL-1.0，后缀数字代表两焊盘的间距，单位为Kmil.2.电容原理图中常用的名称为CAP（无极性电容）、ELECTRO（有极性电容）；引脚封装形式：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.3.电位器原理图中常用的名称为POT1和POT2；引脚封装形式：VR-1到VR-5.4.二极管原理图中常用的名称为DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）5.引脚封装形式：DIODE0.4和DIODE 0.7;引脚封装形式：无极性电容6.三极管原理图中常用的名称为NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装形式TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）7.场效应管原理图中常用的名称为JFET N（N沟道结型场效应管），JFET P（P沟道结型场效应管）MOSFET N（N沟道增强型管）MOSFET P（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。

8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。

9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列。

11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。

1、单片机在原理图中用8031或8051、8052，在原理图库protel DOS schematic intel2、PROTEL 99 SE的原理图元器件库中的数码管没有公共端，对于共阳和共阴数码管，最好自己EDIT一下，加一个公共端，到时就可以用做共阳或共阴数码管了。

电气元器件符号大全电气元器件符号是电路图中的重要组成部分，它们用来表示电气元器件的种类、性能、连接方式等信息。

了解和掌握电气元器件符号对于电子工程师和电气工程师来说至关重要。

本文将介绍一些常见的电气元器件符号，帮助大家更好地理解和应用这些符号。

1. 电阻符号。

电阻是电路中常用的元器件，用来限制电流、降低电压等。

在电路图中，电阻通常用一个波浪线来表示，两端有两条线分别连接到电路中的其他元器件。

2. 电容符号。

电容是储存电荷的元器件，用来在电路中存储能量、滤波等。

在电路图中，电容通常用两条平行的线表示，两端也有连接线连接到电路中的其他元器件。

3. 电感符号。

电感是储存磁场能量的元器件，用来限制电流、滤波等。

在电路图中，电感通常用一个卷曲的线圈表示，两端也有连接线连接到电路中的其他元器件。

4. 二极管符号。

二极管是一种常用的半导体元器件，用来实现电流的单向导通。

在电路图中，二极管通常用一个三角形和一条垂直线表示，三角形一端连接到连接线，垂直线连接到另一端。

5. 晶体管符号。

晶体管是一种半导体元器件，用来放大信号、开关电路等。

在电路图中，晶体管通常用三个交叉的线条表示，每个交叉点都连接到其他元器件。

6. 电源符号。

电源是电路中的能量来源，用来提供电压和电流。

在电路图中，电源通常用一个加号和一个减号表示，加号代表正极，减号代表负极。

7. 开关符号。

开关是控制电路通断的元器件，用来实现电路的开关功能。

在电路图中，开关通常用一个加粗的连接线表示，连接线上有一个斜线表示断开或闭合状态。

8. 传感器符号。

传感器是用来感知环境信息并将其转换成电信号的元器件，用来实现自动控制等功能。

在电路图中，传感器通常用一个特定的图形表示，具体形状根据传感器的类型而定。

总结。

以上是一些常见的电气元器件符号，掌握这些符号对于理解和设计电路图至关重要。

希望本文能够帮助大家更好地理解和应用电气元器件符号，提高电子工程师和电气工程师的工作效率。

常用元件电气及封装1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR52.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K）4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）以上的封装为三角形结构。

T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP （P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。

6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感）8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。

9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列，不如40管脚的单片机封装为DIP40。

电子元器件符号大全电子元器件符号是电子工程师在设计电路图时必不可少的工具，它们能够简洁明了地表示各种电子元件的性能和连接方式。

在电子设计和制造领域，了解和掌握各种电子元器件符号是非常重要的。

本文将为大家详细介绍一些常见的电子元器件符号，帮助大家更好地理解和运用它们。

1. 电阻器符号。

电阻器是电子电路中常用的被动元件，用于限制电流、调节电压和分压等。

在电路图中，电阻器的符号通常由一个波浪线和两条相连的直线组成，波浪线表示电阻器的阻值，直线表示电阻器的两端。

2. 电容器符号。

电容器是一种能够在电路中存储电荷的元件，用于滤波、耦合和延时等。

在电路图中，电容器的符号通常由两条相连的直线和一对平行的直线组成，直线表示电容器的两端，平行直线表示电容器的极板。

3. 电感符号。

电感是一种能够在电路中储存能量的元件，用于滤波、耦合和振荡等。

在电路图中，电感的符号通常由一个螺线圈和两条相连的直线组成，螺线圈表示电感的线圈，直线表示电感的两端。

4. 二极管符号。

二极管是一种具有单向导电性的半导体元件，用于整流、开关和稳压等。

在电路图中，二极管的符号通常由一个三角形和一条垂直的直线组成，三角形表示二极管的P型半导体，直线表示二极管的N型半导体。

5. 晶体管符号。

晶体管是一种具有放大和开关功能的半导体元件，用于放大、振荡和数字逻辑等。

在电路图中，晶体管的符号通常由一个三极管和若干直线组成，三极管表示晶体管的结构，直线表示晶体管的引脚。

6. 集成电路符号。

集成电路是一种将多个电子元件集成在一起的元件，用于逻辑运算、存储和控制等。

在电路图中，集成电路的符号通常由一个矩形和若干引脚组成，矩形表示集成电路的功能，引脚表示集成电路的连接。

7. 传感器符号。

传感器是一种能够将物理量转换为电信号的元件，用于测量、控制和反馈等。

在电路图中，传感器的符号通常由一个椭圆和若干直线组成，椭圆表示传感器的感受部分，直线表示传感器的输出部分。

8. 电源符号。

电子元件符号
电子元件符号是一种用于电路图设计和表示电子元器件的标记
符号。

它们是标准化的图形表示，用于传达元件的特性和用途给工
程师和技术人员。

下面是一些常见的电子元件符号：
1. 电源符号（电池、电源模块）：用于表示电路供电源的符号，通常为一个或多个线条和一个加号或减号。

2. 电阻符号：用于表示电路中电阻元件的符号，通常为一个平
行线段。

3. 电容符号：用于表示电路中电容元件的符号，通常为一个平
行线段之间带有曲线。

4. 电感符号：用于表示电路中电感元件的符号，通常为螺线或
平行线段。

5. 二极管符号：用于表示二极管元件的符号，通常为一个三角形和一条箭头。

6. 晶体管符号：用于表示晶体管元件的符号，通常为三个箭头和一个线段。

7. 集成电路符号：用于表示集成电路元件的符号，通常为一组线段和标识符。

以上只是一些常见的电子元件符号，实际应用中可能会有更多种类的符号。

在进行电路设计时，工程师需要熟悉这些符号，以便正确地理解和使用它们。

电子元件符号在电路图中起到了承载元件信息和连接关系的重要作用。

通过合理使用符号，工程师能够清晰地表达设计意图，方便后续的电路制造和维修工作。

总结：电子元件符号是标准化的图形表示，用于在电路图中表示和传达电子元件的特性和用途。

掌握这些符号对于电路设计和工程师的工作非常重要。

protel99常用元件的电气图形符号和封装形式protel99常用元件的电气图形符号和封装形式1.电阻原理图中常用的名称为RES1-RES4；引脚封装形式：AXIAL系列从AXIAL-0.3到AXIAL-1.0，后缀数字代表两焊盘的间距，单位为Kmil.2.电容原理图中常用的名称为CAP（无极性电容）、ELECTRO（有极性电容）；引脚封装形式：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.3.电位器原理图中常用的名称为POT1和POT2；引脚封装形式：VR-1到VR-5.4.二极管原理图中常用的名称为DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）5.引脚封装形式：DIODE0.4和DIODE 0.7;引脚封装形式：无极性电容6.三极管原理图中常用的名称为NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装形式TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）7.场效应管原理图中常用的名称为JFET N（N沟道结型场效应管），JFET P（P沟道结型场效应管）MOSFET N（N沟道增强型管）MOSFET P（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。

8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。

9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列。

11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。

P 塑料或环氧树脂密封双列直插R 微型“SQ”封装S 塑料四面引线扁平封装T TO-92型封装RS 缩小的微型封装ST 薄型四面引线扁平封装U 薄型微型封装W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插Y 单列直插Z 陶瓷有引线芯片载体高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 6前缀器件编号老化选择电性等级封装形式军品工艺1、器件分类：A DC A/D转换器OP 运算放大器AMP 设备放大器BUF 缓冲器PKD 峰值监测器PM PMI 二次电源产品CMP 比较器PM PMI二次电源产品REF 电压比较器DAC D/A转换器RPT PCM线重复器JANMil-M-38510SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2、器件编号：3、老化选择：4、电性等级：5、封装形式：H 6腿TO-78 J 8腿TO-99 K 10腿TO-100P 环氧树脂B双列直插PC 塑料有引线芯片载体Q 16腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体S 微型封装T 28腿陶瓷双列直插TC 20引出端无引线芯片载体V 20腿陶瓷双列直插X 18腿陶瓷双列直插Y 14腿陶瓷双列直插Z 8腿陶瓷双列直插6、军品工艺：ALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 6前缀 器件编号 封装形式 温度范围 脚数 速度 1、前缀：EP 典型器件 EPC 组成的EPROM 器件 EPX 快闪逻辑器件 EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列 EPF FLEX 10K 或FLFX 6000系列、FLFX8000系列2、器件编号：3、封装形式： D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 B 球阵列P 塑料双列直插 R 功率四面引线扁平封装 L 塑料J 形引线芯片载体S 塑料微型封装 T 薄型J 形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装J 陶瓷J 形引线芯片载体 4、温度范围： C 0℃至70℃ I -40℃至85℃ M -55℃至125℃ 5、脚数： 6、速度：AM XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 6 7 前缀 系列 生产工艺 器件编号 封装 温度 分类1、前缀： AM 为AMD 公司产品2、系列： 21 MOS 存储器 25 中规范(MSI) 26 计算机接口27 双极存储器或(EPROM) 28 MOS 存储器29 双极微处理器54/74 中规范(MSI) 60.61.66 模拟,双极79 电信80 MOS 微处理器 81.82 MOS 和双极处围电路90 MOS91 MOS.RAM 92 MOS 95 MOS 外围电路 98 EEPROM1004 ECL 存储器104 ECL 存储器 PAL 可编程逻辑陈列3、生产工艺： "L" 低功耗 "S" 肖特基"LS" 低功耗肖特基4、器件编号：5、封装形式： D 铜焊双列直插(多层陶瓷 L 无引线芯片P 塑料双列直插 X 管芯A 塑料球栅B 塑料芯片载体 C.D 密封双阵列列Z.Y.U.K.H 塑料四面引线扁平E 扁平封装(陶瓷扁平) J 塑料芯片载体(PLCC)V.M 薄是四面引线扁平P.R 塑料双列S 塑料小引线封装JS.J 密封双列R 陶瓷芯片载体 A 陶瓷针栅阵陈列E 薄的小引线封装G 陶瓷针栅阵列 L 陶瓷芯片载体(LCC) P 塑料双列直插W 晶片NS.N 塑料双列Q.QS 陶瓷双列直插NG 塑料四面引线扁平封装W 扁平6、温度范围： C 商用温度(0～70)℃或(0～75)℃ M 军用温度(-25～-125)℃N 工业用(-25～85)℃H 商用(0～100)℃ I 工业用(-40～85)℃K 特殊军用(-30～125)℃ L 限制军用(-55～85)℃<125℃7、分类： 没有标志的为标准加工产品,标有"B"的为老化产品ATXX X XX XX X X X12 3 4 5 6前缀 器件编号速度 封装形式温度范围工艺1、前缀： ATMEL 公司产品代号2、器件编号：3、速度：4、封装形式：A TQFP 封装B 陶瓷钎焊双列直插C 陶瓷熔封D 陶瓷双列直插F 扁平封装G 陶瓷双列直插，一次可编程 J 塑料J 形引线芯片载体K 陶瓷J 形引线芯片载体N 无引线芯片载体，一次可编程 L 无引线芯片载体 M 陶瓷模块P 塑料双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装R 微型封装集成电路S 微型封装集成电路 T 薄型微型封装集成电路U 针阵列V 自动焊接封装 W 芯片 Y 陶瓷熔封Z 陶瓷多芯片模块5、温度范围： C 0℃至70℃ I -40℃至85℃ M -55℃至125℃6、工艺：空白 标准B Mil-Std-883，不符合B 级 /883 Mil-Std-883, 完全符合B 级XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6 前缀 器件编号 一般说明 温度范围 封装形式 筛选等级 DAC 87 X XXX X /883B 4 7 8温度范围 输入编码 输出 1、前缀：放大器： OPA 运算放大器 ISO 隔离放大器INA 仪用放大器 PGA 可编程控增益放大器转换器： ADC A/D 转换器 ADS 有采样/保持的A/D 转换器DAC D/A 转换器MPC 多路转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D 和D/A 转换器SDM 系统数据模块 SHC 采样/保持电路模拟函数： MPC 多功能转换器 MPY 乘法器DIV 除法器LOG 对数放大器频率产品： VFC 电压-频率转换器UAF 通用有源滤波器其它： PWS 电源（DC/DC转换器） PWR 电源 REF 基准电压源XTR 发射机RCV 接收机2、器件编号：3、一般说明： A 改进参数性能 L 锁定 Z +12V 电源工作 HT 宽温度范围4、温度范围： H 、J 、K 、L ： 0℃至70℃A 、B 、C ：-25℃至85 ℃ R 、S 、T 、V 、W ：-55℃至125℃5、封装形式： L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插 M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6、筛选等级： Q 高可靠性QM 高可靠性，军用7、输入编码： CBI 互补二进制COB 互补余码补偿二进制输输入入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8、输出：V 电压输出I 电流输出XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 6前缀器件编号速度封装形式温度范围工艺1、前缀：CY Cypress公司产品CYM 模块VIC VME总线2、器件编号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101 微处理器3、速度：4、封装：A 塑料薄型四面引线扁平封装J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封R 带窗口的针阵列B塑料针阵列L 无引线芯片载体S 微型封装IC D 陶瓷双列直插N 塑料四面引线扁平封装T 带窗口的陶瓷熔封E 自动压焊卷P 塑料U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装F 扁平封装PF 塑料扁平单列直插V J形引线的微型封装G 针阵列PS 塑料单列直插W 带窗口的陶瓷双列直插Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体X 芯片HD 密封双列直插PZ 塑料引线交叉排列式双列直插Q 带窗口的无引线芯片载体HV 密封垂直双列直插5、温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军用（-55℃至125℃）6、工艺： B 高可靠性MC XXXX X X (G)1 2 3 4 5前缀器件编号温度封装无铅标志1、前缀：MC 有封装的IC MCC IC芯片MFC 低价塑料封装功能电路MCB 扁平封装的梁式引线IC MCBC 梁式引线的IC芯片MCCF 倒装的线性电路MLM 与NSN线性电路引线一致的电路MCH 密封的混合电路MHP 塑料的混合电路MCM 集成存储器MMS 存储器系统2、器件编号：1500～1599 (-55～125)℃军用线性电路1400～1499;3400～3499 (0～70)℃线性电路:1300～1399.3300～3399 消费工业线性电路3、温度或改型： C 0～70℃ A 表示改型的符号4、封装形式：L 陶瓷双列直插(14或16) U 陶瓷封装G 金属壳TO-5型R 金属功率型封装TO-66型K 金属功率型TO-3封装F 陶瓷扁平封装T 塑料TO-220型P 塑料双列P1 8线性塑料封双列直插P2 14线塑料封双列直插PQ 参差引线塑料封双列(仅消费类器件)封装SOIC 小引线双列封装5、无铅标志：G 无铅产品无标识有铅产品IDT XX XXX XX X X X1 2 3 4 5 6 7前缀系列器件编号功耗速度封装温度1、前缀：IDT为IDT公司产品前缀2、系列：29:MSI逻辑电路39:有限位的微处理器和MSI逻辑电路49:有限位的微处理器和MSI逻辑电路54/74:MSI逻辑电路61:静态RAM 71:静态RAM(专卖的)72:数字信号处理器电路79:RISC部件7M/8M:子系统模块(密封的) 7MP/8MP:子系统模块(塑封)3、器件编号：4、功耗：L或LA低功耗:S或SA:标准功耗5、速度：6、封装：P:塑料双列TP:塑料薄的双列TC:薄的双列(边沿铜焊)TD:薄的陶瓷双列D:陶瓷双列 C:陶瓷铜焊双列XC:陶瓷铜焊缩小的双列G:针栅阵列(PGA) SO:塑料小引线ICJ:塑料芯片载体L:陶瓷芯片载体XL:精细树脂芯片栽体ML:适中的树脂芯片载体E:陶瓷封装 F:扁平封装U:管芯7、温度范围：没标:(0～70)℃B:833B级 (-55～125)℃I:工业级(-40～85)℃XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 6前缀器件编号电性能选择温度范围封装形式脚数1、前缀： D 混合驱动器G 混合多路FET MM 高压开关NE/SE SIC产品ICL 线性电路ICM 钟表电路DGM 单片模拟开关ICH 混合电路IH 混合/模拟门IM 存储器AD 模拟器件DG 模拟开关2、器件编号：3、电性能选择：4、温度范围：A -55℃至125℃ B -20℃至85℃ C 0℃至70℃I -40℃至125℃M -55℃至125℃5、封装形式：A TO-237型 B 微型塑料扁平封装 C TO-220型D 陶瓷双列直插E TO-8微型封装F 陶瓷扁平封装H TO- 66型I 16脚密封双列直插J 陶瓷双列直插K TO-3型L 无引线陶瓷芯片载体P 塑料双列直插S TO-52型T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型U TO-72、TO-18、TO-71型V TO-39型Z TO-92型/W 大圆片/D 芯片Q 2引线金属管帽6、脚数： A 8 B 10 C 12 D 14 E 16 F 22 G 24H 42 I 28 J 32 K 35 L 40 M 48 N 18P 20 Q 2 R 3 S 4 T 6 U 7V 8（引线间距0.2"，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23"，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2"，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23"，5脚接外壳）MAX XXX (X) X X X X 1 2 3 4 5 6 7 前缀器件编号等级温度范围封装形式脚数尾标1、前缀：MAXIM公司产品代号2、器件编号：100-199 模数转换器600-699 电源产品200-299 接口驱动器／接受器700-799 微处理器外围显示驱动器300-399 模拟开关模拟多路调制器800-899 微处理器监视器800-899 微处理器监视器400-499运放900-999 比较器500-599 数模转换器3、指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4、温度范围：C= 0℃ 至70℃（商业级）A = -40℃至+85℃（汽车级）M =-55℃ 至+125℃（军品级）E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级）I =-20℃ 至+85℃（工业级）G =-40℃ 至+105℃（AEC-Q100 2级）T =-40℃ 至+150℃（AEC-Q100 0级）U = 0℃ 至+85℃ （扩展商业级）5、封装形式：A SSOP(缩小外型封装) B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装 H 模块封装,SBGAJ CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列LLCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100 U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y窄体铜顶封装ZTO-92MQUAD/D裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆6、管脚数量：A 8,25,46B 10，64C 12，192D 14,128E 16,144F 22，256G 24,81H 44I 28,57 J 32 K 5,68,265 L 9,40M 7，48,267 N18,56O 42 P 20,96Q 2，100 R 3，84S 4，80 T 6，160U 38,60 V 8（圆形）,30,196 W 10（圆形）,169 X 36 Y 8（圆形）,52 Z 10（圆形）,727、尾标：T或T&TR表示该型号以卷带包装供货＋表示无铅(RoHS)封装-表示未经过无铅认证#表示符合RoHS标装器件拥有无-D或-TD表示器件潮湿灵敏度等级(MSL)大于1供铅豁免权 货时需防潮包装PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 前缀 器件编号 改进类型 速度和标识 温度范围 封装形式 1、前缀：PIC MICROCHIP 公司产品代号2、编号和类型： C CMOS 电路LC 小功率CMOS 电路 LCS 小功率保护AA 1.8VLCR 小功率CMOS ROM F 快闪可编程存储器HC 高速CMOSCR CMOS ROM LV 低电压 FR FLEX ROM3、改进类型或选择：4、速度及标识： -55 55ns -70 70ns -90 90ns -10 100ns-12 120ns -15 150ns -17 170ns -20 200ns -25 250ns-30 300ns晶体标示： LP 小功率晶体 RC 电阻电容 XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体频率标示： -20 2MHZ -04 4MHZ -10 10MHZ -16 16MHZ -20 20MHZ-2525MHZ -3333MHZ5、温度范围： 空白 0℃至70℃I -45℃至85℃E -40℃至125℃6、封装形式： L PLCC 封装 SP 横向缩小型塑料双列直插 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插 SS 缩小型微型封装 PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片 TS 薄型微型封装8mm×20mm SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil PT 薄型四面引线扁平封装 VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil TQ 薄型四面引线扁平封装 ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmLM XXX X X 1 2 3 4系列器件编号温度封装1、系列：AD 模拟对数字AH 模拟混合 AM 模拟单片CD CMOS 数字 DA 数字对模拟LF 线性FEF LH 线性混合 LM 线性单片 LP 线性低功耗LMC CMOS 线性LX 传感器 MM MOS 单片 TBA 线性单片 NMC MOS 存储器2、器件编号： 用3位,4位或5位数字表示3、温度： A 表示改进规范的; C 表示商业用的温度范围线性电路的1XX,2XX,3XX 表示三种温度分别为 (-55～125)℃(-25～85)℃(0～70)℃4、封装形式： D 玻璃/金属双列直插 F 玻璃/金属扁平 H TO-5(TO ～99,TO ～100,TO ～46)J 低温度玻璃双列直插(黑陶瓷) K TO-3(钢的) KC TO-3(铝的)N 塑料双列直插P TO-202(D-40 耐热的) S "SGS"型功率双列直插T TO-220型 W 低温玻璃扁平封装(黑瓷扁平)Z TO-92型E 陶瓷芯片载体Q 塑料芯片载体 M 小引线封装L 陶瓷芯片载体μP X XXXX X 1 2 3 4 前缀 产品类型 器件编号 封装形式 1、前缀： 2、产品类型： A 混合元件 B 双极数字电路 C 双极模拟电路 D 单极型数字电路 3、器件型号： 4、封装形式： A 金属壳类似TO-5型封装 D 陶瓷双列 H 塑封单列直插 L 塑料芯片载体 B 陶瓷扁平封装 E 陶瓷背的双列直插 J 塑封类似TO-92型 M 芯片载体 C 塑封双列 G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体 V 立式的双列直插封装XX X XXX XX1234系列 温度 器件编号 封装 1、系列： 1 数字电路用两位符号区别系列.2 单片电路用两符号表示.第一符号 S 数字电路T 模拟电路U 模拟/数字混合电路第二符号 除"H"表示混合电路外,其它无规定3 微机电路用两位符号表示MA 微计算机和CPUMB 位片式处理器 MD 存储器有关电路ME 其它有关电路(接口,时钟,外围控制,传感器等)2、温度范围： A 没有规定范围 如果器件是别的温度范围,可不标,亦可标"A".B (0～70)℃C (-55～125)℃D (-25～70)℃E (-25～85)℃F -40～85)℃G (-55～85)℃3、器件编号：4、封装： 第一位表示外观C 圆壳封装D 双列直插E 功率双列(带散热片)F 扁平(两边引线)G 扁平(四边引线) K 菱形(TO-3系列)M 多列引线(双.三.四列除外) Q 四列直插R 功率四列(外散热片)S 单列直插 T 三列直插 第二位表示封装材料 C 金属-陶瓷 G 玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍) M 金属P 塑料 (半字符以与前符号混淆)XXX XXX X X XX1 2 3 4 5系列 器件编号 封装 无铅标识 包装 1、系列： DPA 低电压大功率直流解决方案 LNK 替代线性变压器以及阻/容降压解决的方案TNY 具有峰值功率模式大功率范围的高效离线式开关ICTOP 拥有EcoSmart 技术的集成离线式开关电源芯片2、器件编号：3、封装： G SMD-8,SMD-8B 封装 P DIP-8,DIP-8B 封装PFI DIP-8B 封装Y.YAI TO-220封装 R TO263-7C 封装F TO-262封装 4、无铅标识： 空白 有铅产品N 无铅产品5、包装： TL 或Bx 表示XX XXXXX X X1 2 3 4前缀 器件编号 改进类型 封装形式1、前缀： HA 模拟电路HB 存储器模块HG 专用集成电路 HD 数字电路HL 光电器件（激光二极管/LED ）HN 存储器（NVM ） HM 存储器（RAM ） HR 光电器件（光纤） PF RF 功率放大器2、产品编号：3、改进类型：4、封装形式： P 塑料双列 PG 针阵列SO 微型封装C 陶瓷双列直插S 缩小的塑料双列直插G 陶瓷熔封双列直插CP 塑料有引线芯片载体FP 塑料扁平封装CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体LAXXXX 1 2 前缀 器件编号1、前缀： LA 双极线性电路 LB 双九数字电路 LC CMOS 电路 LE MNMOS 电路 LM PMOS.NMOS 电路 SKT 厚腊电路 LD 薄膜电路2、器件编号：普通线性、逻辑器件 M XXX XXXXX XXX X 1 2 3 4 5 产品系列 器件编号速度封装温度1、产品系列：74AC/ACT先进CMOS HCF4XXXM74HC高速CMOS2、器件编号：3、速度：4、封装：BIR，BEY陶瓷双列直插M，MIR塑料微型封装5、温度：普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 7系列工艺器件编号封装速度温度等级1、系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAM TS27 EPROMETC27 EPROM MK41 快静态RAM S28 EEPROMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAM TS29 EEPROM2、工艺：空白NMOS CCMOS L小功率3、器件编号：4、封装： C 陶瓷双列J 陶瓷双列N 塑料双列Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5、速度：6、温度：空白0℃~70℃E -25℃~70℃V -40℃~85℃M -55℃~125℃7、等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8系列类型容量改进等级电压范围速度封装温度1、系列：27EPROM 87EPROM锁存2、类型：3、容量：6464K位（X8）256256K位（X8）16116M位（X8/16）可选择512512K位（X8）10011M位（X8）16016M位（X8/16）1011M位（X8）低电压10241M位（X8）4014M位（X8）低电压20012M位（X8）2012M位（X8）低电压8014M位（X8）40014M位（X8）40024M位（X16）4、改进等级：5、电压范围：空白5V +10%Vcc X5V +10%Vcc6、速度：55 55n 60 60ns 70 70ns80 80ns 90 90ns 100/10 100 n120/12 120 ns 150/15 150 ns 200/20 200 ns250/25 250 ns7、封装： F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）M 塑料微型封装B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8、温度：10℃~70℃6-40℃~85℃3-40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10电源类型容量擦除结构改型Vcc 速度封装温度1、电源：2、类型： F 5V +10% V 3.3V +0.3V3、容量：11M 22M 33M 88M 1616M4、擦除：0大容量1顶部启动逻辑块2 底部启动逻辑块 4 扇区5、结构：0 ×8/×16可选择1 仅×82 仅×166、改型：空白 A7、Vcc：空白5V+10%VccX +5%Vcc8、速度：60 60ns 70 70ns 80 80ns 90 90ns100 100ns 120 120ns 150 150ns 200 200ns9、封装：C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双列直插M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插10、温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃3-40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 器件系列类型容量Vcc 速度封装温度1、器件系列：29快闪2、类型： F 5V单电源V 3.3单电源3、容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块100B （128K×8.64K×16）底部块040 （12K×8）扇区200T （256K×8.64K×16）顶部块200B （256K×8.64K×16）底部块080 （1M×8）扇区400T （512K×8.64K×16）顶部块400B （512K×8.64K×16）底部块016 （2M×8）扇区4、Vcc：空白5V+10%VccX +5%Vcc5、速度：60 60ns 70 70ns 80 80ns 90 90ns 120 120ns6、封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7、温度：10℃~70℃6-40℃~85℃3-40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 6器件系列类型工艺容量改型封装温度1、器件系列：24 12C 25 12C（低电压）93 微导线95 SPI总线28EEPROM2、类型/工艺：C CMOS（EEPROM）E 扩展I C总线W 写保护P SPI总线LV 低电压（EEPROM） CS 写保护（微导线）3、容量：01 1K 02 2K 04 4K 08 8K 16 16K 32 32K 64 64K4、改型：空白 A、 B、 C、 D5、封装： B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6、温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃3-40℃~125℃微控制器编号ST X XX X XX X X1 2 3 4 5 6前缀系列版本器件编号封装温度范围1、前缀：2、系列：62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列 72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3、版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMlessP 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4、序列号：5、封装：B 塑料双列直插D 陶瓷双列真插 F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6、温度范围：1.50℃~70℃(民用) 2-40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业)E-55℃~125℃一般IC型号XXXX XXX X XX1 2 6 3前缀器件编号温度封装数字和接口电路XXXX XXXX XXXX XXXX XXXX1 6 42 3前缀温度系列器件编号封装1、前缀：AC 改进的双极电路SN 标准的数字电路TL TII的线性控制电路TIEF 跨导放大器TIES 红外光源TAL LSTTL逻辑阵列JANB 军用B级IC TAT STTL逻辑阵列JAN38510 军用产品TMS MOS存储器/微处理器JBP 双极PMOS 883C产品TM 微处理器组件SNC IV马赫3级双极电路TBP 双极存储器SNJ MIL-STD-883B双极电路TC CCD摄像器件SNM IV马赫1级电路TCM 通信集成电路RSN 抗辐射电路TIED 经外探测器SBP 双极微机电路TIL 光电电路SMJ MIL-STD-883B MOS电路VM 语音存储器电路TAC CMOS逻辑阵列; TIFPLA双极扫描编程逻辑阵列TLC 线性CMOS电路TIBPAL 双极可编程阵列逻辑2、器件编号：3、封装：J.JT.JW.JG 陶瓷双列PH.PQ.RC 塑料四扁平封装T 金属扁平封装LP 塑料三线 D.DW 小引线封装DB.DL 缩小的小引线封装DBB.DGV 薄的超小封装 DBV 小引线封装 GB 陶瓷针栅阵列RA 陶瓷扁平封装 KA.KC.KD.KF 塑料功率封装U 陶瓷扁平封装P 塑料双列 JD 黄铜引线框陶瓷双列 W.WA.WC.WD 陶瓷扁平封装N.NT.NW.NE.NF 塑料双列 MC 芯片DGG.PW 薄的再缩小是小引线封装 PAG.PAH.PCA.PCB.PM.PN.PZ 塑料薄型四列扁平封装FH.FN.FK.FC.FD.FG.FM.FP 芯片载体4、系列： GTL Gunning Transceiver Logic SSTL Seris-Stub TerminatedLogicCBT Crossbar Technolongy CDC Clock-DistributionCircuitsABTE 先进BiCMOS 技术／增强收发逻辑 FB Backplane TransceivrLogic/Futurebust没标者为标准系列 L 低功耗系列 AC/ACT 先进CMOS 逻辑H 高速系列 AHC/AHCT 先进高速CMOS 逻辑ALVC 先时低压CMOS 技术S 肖特基二极管箝位系列 LS 低功耗肖特基系列 BCT BiCMOS 总线-接口技术AS 先进肖特系列 F F 系列（FAST ） CBT Crossbar Techunogy ALS 先进低功耗肖特基 HC/HCT 高速CMOS 逻辑 LV 低压HCMOS 技术 ABT 先时BiCMOS 技术 5、速度： 15 150 ns MAX 取数 17 170 ns MAX 取数 20 200 ns MAX 取数 25 250 ns MAX 取数 35 350 ns MAX 取数 45 450 ns MAX 取数 20 200 ns MAX 取数 3 350 ns MAX 取数 4 450 ns MAX 取数6、温度范围：数字和接口电路系列 55.54 (-55～125)℃ 75.74 (0～70)℃CMOS 电路74表示(-40～85)℃76 (-40～85)℃双极线性电路 M (-55～125)℃ E (-40～85)℃I (-25～85)℃ C (0～70)℃ MOS 电路 M (-55～125)℃ R (-55～85)℃ L (0～70)℃ C (-25～85)℃ E (-40～85)℃ S (-55～100)℃ H (00～55)℃TXXXXXX1 2 3前缀 器件编号 封装1、前缀： TA 双极线性电路 TC CMOS 电路 TD 双极数字电路 TM MOS 存储器及微处理器电路2、器件编号： P 塑封 M 金属封装 C 陶铸封装3、封装形式： F 扁平封装 T 塑料芯载体(PLCC) J SOJD CERDIP(陶瓷浸渍) Z ZIPX XXXXXX X X (-XX) 1 2 3 4 5 6 前缀 器件编号 封装 温度范围 工艺等级存储时间EEPOTX XXXX X X X 1 2 7 3 4 前缀 器件编号阻值封装温度范围串行快闪X XX X XXXX X -X 1 2 3 4 8 前缀 器件编号封装温度范围Vcc 限制1、前缀：2、器件编号：3、封装形式： D 陶瓷双列直插 P 塑料双列直插 M 公制微型封装 Y 新型卡式 E 无引线芯片载体 L 薄型四面引线扁平封装 X 模块 F 扁平封装 S 微型封装 K 针振列 V 薄型缩小型微型封装 J 塑料有引线芯片载体 T 薄型微型封装4、温度范围： 空白 标准 B B 级（MIL-STD-883） E -20℃至85℃I -40℃至85℃ M -55℃至125℃ 5、工艺等级： 空白 标准 B B 级（MIL-STD-883） 6、存取时间（仅限EEPROM 和NOVRAM ）：15 150ns 20 200ns 25 250ns 空白 300ns35 350ns45 450ns 55 55ns 70 70ns 90 90ns 7、前端到末端电阻： Z 1K Ω Y 2K Ω W 10K Ω U 50K Ω T 100K Ω 8、Vcc 限制： 空白 1.8V 至3.6V -5 4.5V 至5.5VVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V -3 3V至5.5-2.7 2.7V至5.5V -1.8 1.8V至5.5VZ XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 7前缀器件编号速度封装温度范围环境特殊选择1、前缀：2、器件编号：3、速度：空白 2.5MHz A 4.0MHz B 6.0MHz H 8.0MHz L 低功耗的，直接用数字标示4、封装形式：A 极小型四面引线扁平封装C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5、温度范围：E -40℃至100℃M -55℃至125℃S 0℃至70 ℃6、环境试验过程：A 应力密封B 军品级C 塑料标准D 应力塑料E 密封标准7、特殊选择：。