2010032第三章 晶体缺陷运动 (五)
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晶体中缺陷和运动晶体缺陷(crystal defect)1定义:实际晶体中原子规则排列遭到破坏而偏离理想结构的区域。
在理想完整晶体中,原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。
但在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响,原子的排列不可能那样完整和规则,往往存在偏离了理想晶体结构的区域。
这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷,它破坏了晶体的对称性。
2类型晶体结构中质点排列的某种不规则性或不完善性。
又称晶格缺陷。
表现为晶体结构中局部范围内,质点的排布偏离周期性重复的空间格子规律而出现错乱的现象。
根据错乱排列的展布范围,分为以下4种主要类型。
点缺陷——点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关点缺陷只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。
它包括:晶格位置上缺失正常应有的质点而造成的空位;由于额外的质点充填晶格空隙而产生的填隙;由杂质成分的质点替代了晶格中固有成分质点的位置而引起的替位等(图1)。
在类质同象混晶中替位是一种普遍存在的晶格缺陷。
(点缺陷定义由于晶体中出现填隙原子和杂质原子等等,它们引起晶格周期性的破坏发生在一个或几个晶格常数的限度范围内,这类缺陷统称为点缺陷。
这些空位和填隙原子是由热起伏原因所产生的,因此又称为热陷。
空位、填隙原子和杂质■空位:晶体内部的空格点就是空位。
由于晶体中原子热运动,某些原子振动剧烈而脱离格点跑到表面上,在内部留下了空格点,即空位。
■填隙原子:由于晶体中原子的热运动,某些原子振动剧烈而脱离格点进入晶格中的间隙位置,形成了填隙原子。
即位于理想晶体中间隙中的原子。
■杂质原子:杂质原子是理想晶体中出现的异类原子。
几种点缺陷的类型■弗仑克尔缺陷:原子(或离子)在格点平衡位置附近振动,由于非线性的影响,使得当粒子能量大到某一程度时,原子就会脱离格点,而到达邻近的原子空隙中,当它失去多余动能后,就会被束缚在那里,这样产生一个暂时的空位和一个暂时的填隙原子,当又经过一段时间后,填隙原子会与空位相遇,并同空位复合;也有可能跳到较远的间隙中去。
第3章晶体缺陷笔记及课后习题详解(已整理袁圆 2021.8.6) 第3章晶体缺陷3.1 复习笔记一、点缺陷1.点缺陷的定义点缺陷是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构正常排列的一种缺陷。
2.点缺陷的特征尺寸范围约为一个或几个原子尺度,故称零维缺陷,包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子。
3.点缺陷的形成晶体中,位于点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动,当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时,就可能克服周围原子对它的制约作用,跳离其原来的位置,使点阵中形成空结点,称为空位。
离开平衡位置的原子有三个去处:(1)迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上,而使晶体内部留下空位,称为肖特基(Schottky)缺陷;(2)挤入点阵的间隙位置,而在晶体中同时形成数目相等的空位和间隙原子,则称为弗仑克尔(Frenkel)缺陷;(3)跑到其他空位中,使空位消失或使空位移位;(4)在一定条件下,晶体表面上的原子也可能跑到晶体内部的间隙位置形成间隙原子图3.1 晶体中的点缺陷(a)肖特基缺陷(b)弗伦克尔缺陷(c)间隙原子4.点缺陷的平衡浓度(1)点缺陷存在的影响①造成点阵畸变,使晶体的内能升高,降低了晶体的热力学稳定性;②由于增大了原子排列的混乱程度,并改变了其周围原子的振动频率,引起组态熵和振动熵的改变,使晶体熵值增大,增加了晶体的热力学稳定性。
晶体组态熵的增值:最小,即式中,Qf为空位形成能,单位为J/mol,R为气体常数,R= 8.31J/(mol・K)。
(2)点缺陷浓度的几个特点对离子晶体而言,无论是Schottky缺陷还是Frenkel缺陷均是成对出现的事实;同时离子晶体的点缺陷形成能一般都相当大,故在平衡状态下存在的点缺陷浓度是极其微小的。
二、线缺陷 1.位错的定义晶体中某一列或若干列原子有规律的错排。
2.线缺陷的特征在两个方向上尺寸很小,另外一个方向上延伸较长,也称一维缺陷。
3.位错(1)位错的分类①刃型位错:晶体的一部分相对于另一部分出现一个多余的半排原子面。
晶体缺陷第3章晶体缺陷前⾔前⾯章节都是就理想状态的完整晶体⽽⾔,即晶体中所有的原⼦都在各⾃的平衡位置,处于能量最低状态。
然⽽在实际晶体中原⼦的排列不可能这样规则和完整,⽽是或多或少地存在离开理想的区域,出现不完整性。
正如我们⽇常⽣活中见到⽟⽶棒上⽟⽶粒的分布。
通常把这种偏离完整性的区域称为晶体缺陷(crystal defect; crystalline imperfection)。
缺陷的产⽣是与晶体的⽣成条件、晶体中原⼦的热运动、对晶体进⾏的加⼯过程以及其它因素的作⽤等有关。
但必须指出,缺陷的存在只是晶体中局部的破坏。
它只是⼀个很⼩的量(这指的是通常的情况)。
例如20℃时,Cu的空位浓度为 3.8×10-17,充分退⽕后铁中的位错密度为1012m-2(空位、位错都是以后要介绍的缺陷形态)。
所以从占有原⼦百分数来说,晶体中的缺陷在数量上是微不⾜道的。
但是,晶体缺陷仍可以⽤相当确切的⼏何图像来描述。
在晶体中缺陷并不是静⽌地、稳定不变地存在着,⽽是随着各种条件的改变⽽不断变动的。
它们可以产⽣、发展、运动和交互作⽤,⽽且能合并消失。
晶体缺陷对晶体的许多性能有很⼤的影响,如电阻上升、磁矫顽⼒增⼤、扩散速率加快、抗腐蚀性能下降,特别对塑性、强度、扩散等有着决定性的作⽤。
20世纪初,X射线衍射⽅法的应⽤为⾦属研究开辟了新天地,使我们的认识深⼊到原⼦的⽔平;到30年代中期,泰勒与伯格斯等奠定了晶体位错理论的基础;50年代以后,电⼦显微镜的使⽤将显微组织和晶体结构之间的空⽩区域填补了起来,成为研究晶体缺陷和探明⾦属实际结构的主要⼿段,位错得到有⼒的实验观测证实;随即开展了⼤量的研究⼯作,澄清了⾦属塑性形变的微观机制和强化效应的物理本质。
按照晶体缺陷的⼏何形态以及相对于晶体的尺⼨,或其影响范围的⼤⼩,可将其分为以下⼏类:1.点缺陷(point defects) 其特征是三个⽅向的尺⼨都很⼩,不超过⼏个原⼦间距。