低频电子线路复习题一
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高频电子线路复习题第一章 复习题一、填空题:1、 (1)为了改善系统的性能、实现信号的(远距离有效传输)及(多路复用),通信系统中广泛采用调制技术。
(2)用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程,称为(调制),用基带信号去改变载波信号的幅度,称为(调幅)。
(3)无线电波传播方式大体可分为(沿地面传播)、(直线传播)、(依靠电离层的传播)。
(4)非线性器件能够产生(新频率分量),具有(频率变换)的作用、1、3已知调制信号()2cos(2π500)V,u t t Ω=⨯载波信号5()4cos(2π10)V,c u t t =⨯令比例常数1a k =,试写出调幅波表示式,求出调幅系数及频带宽度。
画出调幅波频谱图。
解: ))](cos cos(1[00t t m U U c a m ϖΩ+==4(1+0、5cos V t t )102cos()50025⨯⨯ππ5.0420===Ωm m aa U U k m 14212121=⨯⨯=ma a U m BW=2F=2⨯500=1000Hz2、已知调制信号 ,)8002cos(3)(V t t u ⨯=Ωπ 载波信号 ,)102cos(66V uc ⨯=π令比例常数1a k =,试写出调幅波表示式,求出调幅系数及频带宽度。
画出调幅波频谱图。
解:))](cos cos(1[00t t ma U U c m ϖΩ+==6(1+0、5cos2πV t t )102cos()8006⨯⨯π5.0630===Ωm m a a U U k m 5.16212121=⨯⨯=ma maU BW=2F=HZ 16008002=⨯三、问答题:下图就是通信系的基本组成框图。
试述各组成部分的作用?信源:信息的来源输入变换器:将信源输入的信息变换成电信号,该信号称为基带信号发送设备:将基带信号进行某种处理并以足够的功率送入信道信道:信号传输的通道接收设备:由信道传送过来的已调信号由接收设备取出并进行处理,得到与发送端相对的基带信号(解调),复原成原来形式的信息、输出调换器:将信源输出电信号复原成原来形式的信息、第二章复习题一、单选题:1、单调谐放大器中,Qe对选择性与通频带的影响就是(B )。
练习试卷一、填空题1. 丙类功放按晶体管集电极电流脉冲形状可分为__欠压、__临界__、__过压__ 三种工作状态,它一般工作在___临界____ 状态。
2. 振荡器的主要性能指标_频率稳定度_、_振幅稳定度_。
3. 放大器内部噪声的主要来源是__电阻__和__晶体管__。
4. 某发射机输出级在负载RL=1000Ω上的输出信号Us(t)=4(1+0.5cosΩt)COSWctV。
试问Ma=__0.5__,Ucm=__4V__,输出总功率Pav=__0.009W_ 。
5. 实现频率调制就是使载波频率与调制信号呈线性规律变化,实现这个功能的方法很多,通常可分为__直接调频__和__间接调频___两大类。
6. 相位鉴频器是先将调频信号变换成__调相-调频__信号,然后用___相位检波器___进行解调得到原调制信号。
二、选择题1. 频率在1.5—30MHz范围的短波主要依靠( C )方式传播。
A 沿地面传播B 沿空间直线传播C 依靠电离层传播2. 在实际振荡器中,有时会出现不连续的振荡波形,这说明振荡器产生了周期性的起振和停振现象,这种现象称为( B )。
A 频率占据B 间歇振荡C 寄生振荡4. 集成模拟相乘器是( B )集成器件。
A 线性B 非线性C 功率5. 自动增益控制电路是( A )。
A AGCB AFC C APC三、分析题(共4题,共45分)1. 通信系统中为什么要采用调制技术。
(8分)答:调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。
采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上,从而缩短天线尺寸,易于天线辐射,实现远距离传输;其次,采用调制可以进行频分多路通信,实现信道的复用,提高信道利用率。
2.晶体振荡电路如图1所示,若f1为L1C1的谐振频率,f2为L2C2的谐振频率,试分析电路能否产生自激振荡。
若能振荡,指出振荡频率与f!、f2之间的关系。
(12分)+V CC答:由图可见电路可构成并联型晶体振荡器。
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。
A.β增加,I CBO,和u BE减小 B. β和I CBO增加,u BE减小C.β和u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的茶分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
《高频电子线路》模拟考试试卷1及参考答案一、填空题(每空1分,共30分)1、接收机分为直接放大式、和超外差式两种。
2、扩展放大器通频带的方法有组合电路法、负反馈法和集成电路法三种。
3、在集成中频放大器中,常用的集中滤波器主要有:LC带通滤波器、陶瓷、石英晶体、声表面波滤波器等四种。
4、丙类谐振功放有欠压、临界和过压三种工作状态,其性能可用负载特性、调制特性和放大特性来描述。
5、普通调幅波的数学表达式U AM t=Ucm(1+Ma cosΩt)cosωct,为了实现不失真调幅,Ma一般≤1。
6、实现AGC的方法主要有改变发射级电流I E和改变放大器的负载两种。
7、根据频谱变换的不同特点,频率变换电路分为频谱搬移电路和频谱的非线性变换电路。
8、要产生较高频率信号应采用、LC振荡器,要产生较低频率信号应采用RC振荡器,要产生频率稳定度高的信号应采用石英晶体振荡器。
9、三点式振荡器有电容和电感三点式电路。
10、丙类功放最佳工作状态是临界状态,最不安全工作状态是强欠压状态。
11、反馈式正弦波振荡器由放大部分、选频网络、反馈网络三部分组成。
12、调频电路有直接、间接调频两种方式。
13、调幅测试中,根据示波器所显示的调幅波波形可以计算出相应的调幅度Ma。
已知某普通调幅波波形及其参数如图1-1所示,试求Ma =0.25%。
二、选择题(每小题2分、共20分)将一个正确选项前的字母填在括号内1、下列不属于小信号谐振放大器的技术指标是( C )A、电压增益B、通频带C、非线性失真系数D、选择性2、某调幅广播电台的音频调制信号频率100Hz~8KHz,则已调波的带宽为( A )A、16KHzB、200KHzC、4KHzD、8KHz3、对于同步检波器,同步电压与载波信号的关系是(C )A、同频不同相B、同相不同频C、同频同相D、不同频不同相4、串联型石英晶振中,石英谐振器相当于( D )元件A、电容B、电阻C、电感D、短路线5、图1-2所示电路为( A )电路A、集电极串馈电路B、集电极并馈电路C、基极串馈电路D、基极并馈电路6、下列电路不属于频谱搬移电路的是( B )A、调幅电路B、调频电路C、检波电路D、变频电路7、反馈式正弦波振荡器的平衡条件是( A )A、AF=1,φA+φF = 2nπB、AF>1,φA+φF = 2nπC、AF<1,φA+φF = 2nπD、AF=1,φA+φF = nπ8、影响丙类谐振功率放大器性能的主要参数不包括( D )A、 V CCB、 V BBC、 U bmD、R i9、在大信号峰值包络检波器中,由于检波电容放电时间过长而引起的失真是(B )A、频率失真B、惰性失真C、负峰切割失真D、截止失真10、要求本振信号功率大,相互影响小,放大倍数大,宜采用( A )混频电路A、基极输入,发射极注入B、基极输入,基极注C、发射极输入,基极注入D、发射极输入,发射极注入三、判断题,对的打“√”,错的打“×”(每空1分,共10分)1、谐振放大器处在谐振时其增益最大。
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高频电子线路复习题一、填空1、调幅的几种调制方式是 普通调频(AM )、 抑制载波双边带调制(DSB )、 抑制载波单边带调制(SSB )。
2、集电极调幅,应使被调放大器工作于_过压_状态。
3、反馈式振荡器的振荡平衡条件是 T(jw )=1 、和πϕn T2= n=0,1,2,3,.。
。
4、通常将携带有信息的电信号称为 调制信号 ,未调制的高频振荡信号称为 载波信号 ,通过调制后的高频振荡信号称为 已调信号 .5、三点式振荡器判别法则是 发射极 和 相接的两个 电抗性质相同, 集电极和基极 和它们电抗性质相反 .6、LC 串联谐振回路品质因数(Q )下降,频带 越宽 ,选择性 越差 。
7、某高频功率放大器原来工作在临界状态,测得cm U =22v ,co I =100mA ,P R =100Ω,c E =24v ,当放大器的负载阻抗P R 变小时,则放大器的工作状态过渡到 欠压 状态,回路两端电压cm U 将 减小 ,若负载阻抗增加时,则工作状态由临界过渡到 过压 状态,回路两端电压cm U 将 增大 .8、调相时, 调相指数 与调制信号幅度成正比。
(瞬时频偏)9、模拟乘法器的应用很广泛,主要可用来实现调制 、混频和检波 等频谱搬移电路中。
10、谐振功率放大器的 负载特性 是当CC V 、BB V 、bm V 等维持不变时,电流、电压、功率和效率等随电阻p R 的增加而变化的特性。
低频电子线路课程理论考试题(A 卷)参考教材: 《电子线路》 机械工业出版社 林理明【闭卷】班级: 学号: 姓名: 成绩:1、电子线路包含了3门主要课程,它们是 。
A 、 模拟电子线路、数字电子线路、电子线路B 、 低频电子线路、高频电子线路、数字电子线路C 、 电工、电子技术、数字电子线路D 、 移动通信、模拟通信、数字通信2、一个PN 结构成了一个二极管,二极管具有 。
A 、双向导电性 B 、单向导电性 C 、双向绝缘性 D 、放大作用3、三极管在放大状态下的电流分配关系是 。
A 、E I =B I +C I B 、E I <B I +C I C 、E I >B I +C I D 、E I ≠B I +C I4、外加电压使三极管的 ,三极管工作于放大状态。
A 、发射结零偏,集电结零偏 B 、发射结反偏,集电结反偏 C 、发射结正偏,集电结正偏 D 、发射结正偏,集电结反偏5、放大电路的静态是指输入交流信号 时的电路状态。
A 、幅值不变 B 、频率不变 C 、幅值为零 D 、相位不变6、某放大器的输入信号电压为10mV ,输出电压是1V ,则电压放大倍数 V A 倍A 、10B 、100C 、1D 、10007、放大电路引入反馈之后,如果反馈信号x f 与输入信号x i 反相,使净输入信号减少,这种反馈方式称为 。
A 、正反馈B 、交流反馈C 、直流反馈D 、负反馈8、在负反馈放大电路中,反馈元件通常接在 之间。
A、电源与地B、输入与地C、输出与地D、输入与输出9、要提高放大电路的输入电阻,降低放大电路的输出电阻,应引入负反馈。
A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈10、直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是。
A、放大倍数太小B、放大倍数太大C、外界存在干扰太大D、环境温度的变化引起器件参数变化11、抑制零点漂移最有效的措施是放大电路采用。
A、直接耦合放大电路B、差分放大电路C、负反馈放大电路D、正反馈放大电路12、在下图所示的复合管中,组合方式是合理的。
《低频电子线路》一、单选题(每题2分,共28分:双号做双号题,单号做单号题)1.若给PN结两端加正向电压时,空间电荷区将()A变窄B基本不变C变宽D无法确定2.设二极管的端电压为 U,则二极管的电流与电压之间是()A正比例关系B对数关系C指数关系D无关系3.稳压管的稳压区是其工作()A正向导通B反向截止C反向击穿D反向导通4.当晶体管工作在饱和区时,发射结电压和集电结电压应为 ( ) A前者反偏,后者也反偏B前者反偏,后者正偏C前者正偏,后者反偏D前者正偏,后者也正偏5.在本征半导体中加入何种元素可形成N型半导体。
()A五价B四价C三价D六价6.加入何种元素可形成P 型半导体。
()A五价B四价C三价D六价7.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A 增大B 不变C 减小D 不受温度影响8. 稳压二极管两端的电压必须( )它的稳压值Uz 才有导通电流,否则处于截止状态。
A 等于B 大于C 小于D 与Uz 无关9. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V 、6V 、2.7V ,则三个电极分别是() A (B 、C 、E )B (C 、B 、E )C (E 、C 、B )D (B 、C 、E )10. 三极管的反向电流I CBO 是由( )形成的。
A 多数载流子的扩散运动B 少数载流子的漂移运动C 多数载流子的漂移运动D 少数载流子的扩散运动11. 晶体三极管工作在饱和状态时,集电极电流C i 将( )。
A 随B i 增加而增加B 随B i 增加而减少C 与B i 无关,只决定于e R 和CE uD 不变12. 理想二极管的正向电阻为( )A A.零 B.无穷大 C.约几千欧 D.约几十欧13. 放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力( )。
A 强B 弱C 一般D 不一定14. 某两级放大电路,第一级电压放大倍数为5,第二级电压放大倍数为20,该放大电路的放大倍数为( )。
A 100B25C 5D2015.如题47图所示电路中,静态时, T1、T2 晶体管发射极电位UEQ为( ) 。
(1)在半导体内部,只有电子是载流子.(2)在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.(3)一般来说,硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
(4)在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流.(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极.(7)三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量;直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。
(8)在单管放大电路中,若V G不变,只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值.(9)两个放大器单独使用时,电压放大倍数分别为A v1、A v2,这两个放大器连成两级放大器后,总的放大倍数为A v,A v=A v1+A v2。
(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大.(1)当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是( )。
A.少数载流子 B.多数载流子 C.既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压应视为( ).A.v o=i c R c B.v o=-R c i c C.v o=—I c R c(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拔到()。
A.R×100Ω或R×1000Ω挡 B.R×1Ω C.R×10KΩ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压时,则晶体二极管相当于().A.大电阻 B.断开的开关 C.接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时,它的I C将( )。
A.随I B增加而增加 B.随I B增加而减小 C.与I B无关,只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( ).A.同相位 B.相位差90° C.相位差180°(7)NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管( ).A.基极电流不变; B.集电极对发射极电压V CE下降; C.集电极对发射极电压V CE上升(8)当晶体三极管发射结反偏时,则晶体三极管的集电极电流将( )。
低频电子线路复习题一1.1 在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示,该晶体管的类型是 [ ]A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示,可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中,当电源V=5V 时,测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ,则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言,反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中,不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时,三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中,多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中,设二极管的正向压降可以忽略不计,反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化,这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中,多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中,不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点;B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET;C 场效应管工作时多子、少子均参与导电;D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
1.16 在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的[ ]A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是[ ]A.电流放大系数βB.跨导gm =ΔID/ΔUGSC.开启电压UT D.直流输入电阻RGS1.18 下列选项中,不属场效应管直流参数的是[ ]A.饱和漏极电流IDSS B.低频跨导gmC.开启电压UT D.夹断电压UP1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是[ ]A 多子B 少子C 多子和少子D 多子或少子1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ ]A 发射结正偏,集电结正偏B 发射结正偏,集电结反偏C 发射结反偏,集电结反偏D 发射结反偏,集电结正偏1.21 选择括号中的答案填空(只填答案a、b、c、……)。
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系,(a.温度,b.掺杂工艺,c.杂质浓度,d.晶体缺陷)2、当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。
当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。
(a.大于,b.小于,c.等于,d.变宽,e.变宽f.不变)3、温度升高时,晶体管的电流放大系数β,反向饱和电流ICBO,正向结电压UBE。
(a.变大,d.变小,c.不变)4、温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。
(a.上移,b.下移,c.左移,d.右移,e.增大,f.减小,g.不变)1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空:1、在本征半导体中,电子浓度空穴浓度;2、在P型半导体中,电子浓度空穴浓度;3、在N型半导体中,电子浓度空穴浓度。
1.23 判断下列说法是否正确,并在相应的括号内画√或×。
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
()2、在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
()3、P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( )4、PN 结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
( )5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
( )6、由于PN 结交界面两边存在电位差,所以,当把PN 结两端短路时就有电流流过。
( )7、PN 结方程可以描述PN 结在的正向特性和反向特性,也可以描述PN 结的反向击穿特性。
( )8、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。
( )9、通常的JFET 管在漏极和源极互换使用时,仍有正常的放大作用。
( )10、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ,I B =20μA ,因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35k Ω。
( )11、有人测得晶体管在U BE =0.6V ,I B =5μA ,因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2k Ω。
( )12、有人测得当U BE =0.6V ,I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- ( )1.24 选择正确的答案填空:1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN 型还是PNP 型)与三个电极时以测出 最为方便。
a.中极间电阻b.各极对地电位c.各极电流2、一个硅二极管在正向电压U D =0.6V 时,正向电流I D =10mA 。
若U D 增大到0.66V (即增加10%),则电流I D 。
a.约为11mA (也增加10%);b.约为20mA (增大1倍);c.约为100mA (增大到原先的10倍);d.仍为10mA (基本不变)。
3、设电路中保持V=5V 不变,当温度为20℃时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上升到40℃时,则U D 的大小将是 。
a. I =2mAb. I <2mAc. I >2mA1.25 填空:1、半导体中载流子的基本运动形式有:和。
2、二极管的最主要特性是,它的两个主要参数是反映正向特性的和反映反向的特性的。
3、在常温下,硅二极管的开启电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V;锗二极管的开启电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V。
4、场效应管从结构上分成和两大类型。
它们的导电过程仅仅取决于载流子。
5、场效应管属于控制型器件。
6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参于导电。
7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。
场效应管从结构上分成和两大类型,它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。
8、场效应管属于控制型器件,而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。
9、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置。
2.1 在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.2在基本共射放大电路中,负载电阻RL 减小时,输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.3 在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.4在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路2.5 在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.7以下电路中,可用作电压跟随器的是[ ]A.差分放大电路 B.共基电路C.共射电路 D.共集电路2.8 晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性2.9 对于图2.9所示的复合管,穿透电流为(设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流)A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =(1+2)ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图2.9 [ ]2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是[ ]B.饱和失真 B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.11对于基本共射放大电路, Rb 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.12在基本共射放大电路中,信号源内阻RS 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.13 在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.14 在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。
2.16 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
2.17 对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大,b.减小,c.不变),选择正确的答案填入空格。
1、Rb 减小时,输入电阻Ri。
2、Rb 增大时,输出电阻Ro。
3、信号源内阻Rs 增大时,输入电阻Ri。
4、信号源内阻Rs 减小时,电压放大倍数||||oussUAU=。
5、负载电阻RL 增大时,电压放大倍数||||oussUAU=。
6、负载电阻RL 减小时,输出电阻Ro。
2.18 选择正确的答案填空。