超声扫描显微镜-三极管内部失效分析
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三极管失效机理 (2009-08-13 16:00)分类:照明知识失效模式节能灯损坏、寿命短的主要原因是大功率开关三极管的失效。
通过对失效功率管的解剖分析,绝大多数失效管属发射结烧毁短路。
用显微镜观察解剖的失效管子时,可以见到在发射区焊位附近有明显的烧毁发黑斑点(参见图1)。
这是典型的烧毁现象。
三极管工作时,由于电流热效应,会消耗一定的功率,这就是耗散功率。
耗散功率主要由集电极耗散功率组成:PT≈VceIc即PT≈PCM 我们知道,三极管的工作电流受温度的影响很大。
PN结的正向电流与温度的关系为:I∝e-(Eg-qV)/kT 当三极管工作时,耗散功率转化为热,使集电结结温升高,集电结结电流进一步加大,会造成恶性循环使管子烧毁。
这种情况叫热击穿。
使管子不发生热击穿的最高工作温度定义为最高结温。
硅材料PN结的最高结温是: Tjm=6400/(10.45+lnρ) 另一种情况,当管子未达到最高结温时,或者未超过最大耗散功率时,由于材料的缺陷和工艺的不均匀性,以及结构原因造成的发射区电流加紧效应,使得三极管的工作电流分布不均匀。
当电流分布集中在某一点时,该点的功耗增加,引起局部温度增高,温度的增高反过来又使得该处的电流进一步增大,从而形成“过热点”,其温度若超过金属电极与半导体的共熔点,造成三极管烧毁。
另一方面,局部的温升和大电流密度会引起局部的雪崩(击穿),此时的局部大电流能使管子烧通,使击穿电压急剧降低,电流上升,最后导致管子烧毁。
这种情况就是所谓的二次击穿。
三极管二次击穿的特性曲线如图2所示[1]。
二次击穿是功率管失效的重要原因。
为保证管子正常工作,提出了安全工作区SOA的概念。
SOA示意图如图3所示,它由集电极最大电流Icm线、击穿电压BVceo线、集电极最大耗散功率Pcm线和二次击穿功耗Psb线组成。
由于使用时工作电流和最大电压的设计都不会超过管子的额定值,因此,正常情况下,集电极耗散功率和二次击穿特性就是造成管子失效烧毁的主要因素。
三极管的损坏机理分析半导体三极管的损坏[摘要]三极管的损坏, 主要是指其PN结的损坏。
按照三极管工作状态的不同, 造成三极管损坏的具体情况是: 工作于正向偏置的PN 结, 一般为过流损坏, 不会发生击穿; 而工作于反向偏置的PN 结, 当反偏电压过高时, 将会使PN 结因过压而击穿。
[关键词]三极管; 击穿; 偏置NPN型三极管I CI E半导体三极管在工作时,电压过高、电流过大都会令其损坏。
在课堂上我们了解到,其实三极管被击穿还不至于到损坏,但其击穿后功率过大、温度过高会令三极管烧坏。
下面,我们将对每一种可能的情况进行探讨、浅析。
从半导体三极管的内部结构来看, 它相当于两个背靠背的PN 结(即发射结和集电结)。
这两个PN结, 对于PN P 型三极管来讲, 相当于两只负极在一起的二极管, 如图1 所示; 对于N PN 型三极管来讲, 相当于两只正极在一起的二极管, 如图2 所示。
SJTU图1PN P 型三相管图2N PN 型三相管而其实三极管的损坏,一般是由于二极管的PN结损坏构成的。
在不同的工作状态下, 发生损坏的情况与这两个PN 结的偏置情况有关。
总的来讲, 工作于正向偏置的PN 结, 当通过的电流过大时, 将会使它的功率损耗过大而烧坏, 但由于正向偏置的PN 结两端电压很低(锗PN 结约为0. 2V 左右, 硅PN结约为0. 7V 左右) , 故此时不会使PN 结发生击穿; 而工作于反向偏置的PN 结, 当反偏电压过高时, 将会使PN 结击穿, 如击穿后又未限制流过它的反向击穿电流, 将会使击穿成为永久性的、不可逆的击穿, 从而造成其彻底损坏。
在这里,我们先介绍一下三极管的各种参数:主要了解三极管的3个极限参数:Icm、BVceo、Pcm即可满足95%以上的使用需要。
1. Icm是集电极最大允许电流。
三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时,它的电流放大系数β将下降。
为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。
失效分析项目
项目参考标准检测目的
光学显微镜检测
观察样品外观,表面形状、芯片裂缝、沾污、划伤、
氧化层缺陷及金属层腐蚀等,测量尺寸及观察功能。
X-RAY检测观察焊线,装片,空洞等
*超声波扫描显微镜
检测
JEDEC J-STD-035-1999 用来检测界面分层,塑封体的空洞、芯片裂缝等JUNO测试机检测
二、三极管;数字晶体管;稳压管等半导体器件的电
性测试
*半导体特性图示仪
检测GB/T 13973-2012
确认失效模式和失效管脚定位,识别部分失效机理,
与失效管与与同批次好品曲线有任何差异需要引起
注意。
封装级定位(TDR)检测TDR是通过测量反射波的电压幅度,从而计算出阻抗的变化; 同时,只要测量出反射点到发射点的时间值,就可计算出传输路径中阻抗变化点的位置。
主要用来失效点定位、阻抗测量、OS测试等等。
封装开封检测
LASER开封:用来减薄塑封体的厚度、保留管脚
手工开封:用湿法开帽暴露内部芯片、内引线和压区芯片探针台检测探针测试芯片,观察芯片的电参数或特性曲线
封装弹坑测试去除焊线及压区金属层,观察压区情况
封装截面分析检测-离子研磨系统对样品截取适当的观察面观察焊点结合情况,分层,void等
扫描式电子显微镜检测JY-T 010-1996
观察芯片表面金属引线的短路、开路、电迁移、氧化
层的针孔和受腐蚀的情况,还可用来观察硅片的层
错、位错及作为图形线条的尺寸测量等。
EDX确认样品表面成分。
芯片去层(RIE)检测主要用于解决芯片多层结构下层的可观察性和可测试性。
失效分析项目
项目参考标准检测目的
光学显微镜检测
观察样品外观,表面形状、芯片裂缝、沾污、划伤、
氧化层缺陷及金属层腐蚀等,测量尺寸及观察功能。
X-RAY检测观察焊线,装片,空洞等
*超声波扫描显微镜
检测
JEDEC J-STD-035-1999 用来检测界面分层,塑封体的空洞、芯片裂缝等JUNO测试机检测
二、三极管;数字晶体管;稳压管等半导体器件的电
性测试
*半导体特性图示仪
检测GB/T 13973-2012
确认失效模式和失效管脚定位,识别部分失效机理,
与失效管与与同批次好品曲线有任何差异需要引起
注意。
封装级定位(TDR)检测TDR是通过测量反射波的电压幅度,从而计算出阻抗的变化; 同时,只要测量出反射点到发射点的时间值,就可计算出传输路径中阻抗变化点的位置。
主要用来失效点定位、阻抗测量、OS测试等等。
封装开封检测
LASER开封:用来减薄塑封体的厚度、保留管脚
手工开封:用湿法开帽暴露内部芯片、内引线和压区芯片探针台检测探针测试芯片,观察芯片的电参数或特性曲线
封装弹坑测试去除焊线及压区金属层,观察压区情况
封装截面分析检测-离子研磨系统对样品截取适当的观察面观察焊点结合情况,分层,void等
扫描式电子显微镜检测JY-T 010-1996
观察芯片表面金属引线的短路、开路、电迁移、氧化
层的针孔和受腐蚀的情况,还可用来观察硅片的层
错、位错及作为图形线条的尺寸测量等。
EDX确认样品表面成分。
芯片去层(RIE)检测主要用于解决芯片多层结构下层的可观察性和可测试性。
半导体器件键合失效模式及机理分析范士海【摘要】This paper analyzed the effect of non-proper wire bonding process and packaging process on wire bonding failure by typical FA cases.Through detailed analysis of influential factors of wire bonding process parameter and environmental factors of packaging,and the summary of failure mode of wire bonding,the intrinsic failure mechanism of wire bonding caused by non-proper wire bonding process and packaging process is posed,and the using measures to control devices with defects are proposed,too.%本文通过对典型案例的介绍,分析了键合工艺不当,以及器件封装因素对器件键合失效造成的影响.通过对键合工艺参数以及封装环境因素影响的分析,以及对各种失效模式总结,阐述了键合工艺不当及封装不良,造成键合本质失效的机理;并提出了控制有缺陷器件装机使用的措施.【期刊名称】《环境技术》【年(卷),期】2018(000)003【总页数】9页(P54-61,65)【关键词】键合工艺;半导体器件;键合失效;本质失效【作者】范士海【作者单位】航天科工防御技术研究试验中心,北京 100854【正文语种】中文【中图分类】TN405.96引言半导体封装内部芯片和外部管脚以及芯片之间的连接起着确立芯片和外部的电气连接的重要作用。
集成电路器件的检测与失效分析摘要:集成电路产业是现代电子信息产业的基础和核心。
随着全球信息化、网络化和数字经济的迅速发展,集成电路产业在国民经济中的地位越来越重要,已成为支撑中国发展的战略物资,是国家实力竞争的战略制高点。
它以无穷的变革创新和极强的渗透力,推动着信息产业的快速发展。
集成电路行业中上游的对外依赖度长期居高。
本文主要就集成电路器件的检测与失效进行了分析。
关键词:集成电路器件;检测;失效引言各行各业的发展已经离不开集成电路的支持,而时代也朝着信息化的方向发展,随着集成电路的不断创新,其稳定性也应当随之不断上升,因此加强对集成电路的检测具有重要意义,对其失效分析流程的掌握具有重要作用。
1集成电路检测的特点在检测集成电路的失效情况前,首先要了解集成电路的内部组成结构,基本电路的走向也需要工作人员有效掌握,包括引线引脚走向、引脚波形状态等等,同时也需要确定各项参数,防止引发各项引脚短路等情况。
在采用示波器测试波形或者带电测量集成电路时,要避免出现短路的情况,采取规范化的操作方式测量外围电路。
而在测试过程中则要保证各个焊点的牢固性,切记不可出现虚焊的情况。
而在焊接过程中所采取的方法,务必要科学准确,以此完成内热式烙铁。
完成焊接作业以后,要在相应的条件下才可通电测试,首先要保证焊接牢固且没有短路的情况,才可以通电。
在应用接地设备测试时必须要有无隔离变压器。
在具体测试集成电路过程中,工作人员并不了解设备的实际性质,如果不采取正确方式,电路很容易出现短路,导致其他器件受到影响。
而对于电烙铁,则需要采取绝缘操作法,切记不可带电完成操作,要确保电烙铁的绝缘性。
尤其是MOS电路焊接,工作人员一定要按照流程标准开展焊接作业。
如果集成电路出现损坏,也要结合具体情况给出结论。
这主要是由于集成电路在常态下处于耦合状态,如果各个电路发生改变,这种结果也会发生改变,但电路实际可能没受到影响。
同时也要关注电路的实际散热情况,掌握散热器的运行情况。
2020.16测试工具声学扫描显微镜在塑封器件失效分析中的应用陈美静,赵海龙,黄杰(中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄,050000)摘要:为了适应高可靠性领域的要求,本文重点介绍了声学扫描显微镜的工作原理。
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关键词:塑封器件;声学扫描显微镜;失效分析Application of acoustic seanning microscope in failure analysis ofplastic packaging devicesChen Meijing,Zhao Hailong,Huang Jie(The13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,ShijiazhuangHebei,050000)Abstract订n order to meet the requirements of high reliability,this paper mainly introduces the working principle of acoustic scanning microscope.At the same time,the acoustic scanning technology was used to analyze the failure of a certain type of plastic sealed pressurizer after temperature cycling,and the failure location and failure reason were found accurately and efficiently.Keywords:plastic packaging device;acoustic scanning microscope;failure analysis0引言塑封器件(PEMs)是指用树脂类聚合物材料封装而成的半导体器件,具有成本低、重量轻、尺寸小以及机械坚固性好等优点。
理圯韹騸-S B理分冊_____________PTCA (PARTA:PHYS.TEST.)_____________?■验设答及应用lX)I:10.11973/lhjy-wl202102013扫描电镜系统辅助设备的故障分析及维护保养孙秋香,卢慧粉,宋庆军,宋鹏(济宁半导体及显示产品质量监督检验中心,济宁272000)摘要:介绍了扫描电镜系统的各辅助设备常见的故障及解决办法。
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图1 开封芯片表面表1 三极管性能测试数据图2 焊接不良示意图鱼尾也出现过断线,如图3所示,CT扫描发现管脚鱼尾不良,出现断点。
断点处与焊盘有轻微接触,导致故障不稳定,在使用中长期通电出现开路。
图3 鱼尾断线CT扫描图如图4所示,底板不平,底板四周出现高度差,导图4 鱼尾断线示意图鱼尾断线的不良原因为底板有硅碎,或在拆卸重新安装后未做水平高度差检测,导致底板不平,劈刀切线时,管脚呈悬空状态,管脚上下摆动,拉扯铜线,最终导致鱼尾断线。
1.1.4 虚焊故障模拟验证制作一颗硅碎,如图5所示,大概整颗芯片的1/3大小放在底板对应的基岛位置下面,将已上芯的产品拉到底板下,开始焊接,共计实验5颗。
当焊接到此颗芯图5 焊接故障模拟图综合以上分析,确认此次不良的根本原因为生产期间偶然有硅碎随着机器的振动移动到底板下,造成基岛不平,铜线焊接时焊接能量损失,导致产品焊球焊接不图6 X光透视图图8 塌丝故障分析鱼骨图3.2.2 出料盒改善焊线机料盒出料口处加装挡块,具体见图9,防止机器振动使框架从料盒振出压塌已焊线产品造成塌线。
图9 增加挡板3.2.3 包封台优化改善针对包封工序人为调整料片方法不规范,造成产品塌线的现象,将原来的凸台设计改为凹台设计,见图10,在四周增加挡边定位,防止料片移动,无需手动对料片位置进行调整,避免人为调整料片造成塌线。
图10 料片定位改为凹台3.2.4 检验方法优化针对产品检验时易受干扰导致塌线的情况更改检验方法,见图11,由之前取下料片在放大镜下检查改为在设备显示器上检查焊球和鱼尾,用设备显微镜检查线弧形状,减少人为干涉产品,预防塌丝。
QC检验频率:图11 显微镜检查3.2.5 人为调整专项打包针对产品包封前受人为干扰产品存在塌线风险的可能,将焊线工序、包封工位所有人为干预过的料片统一装入蓝色料盒,包封后再对其进行X-ray全检确认,将异常品剔除。
4 失效整改总结及意义三极管失效是厂家本身产品生产过程及筛选不良导致实际应用中出现故障。