74LS164移位寄存器数据手册

74LS164简介74LS164是一种8位串行输入/并行输出移位寄存器，广泛应用于数字电子领域。

它由TI（Texas Instruments）公司制造，是74系列（TTL）的一员。

功能74LS164具有以下主要功能：•8位位移寄存器：可以将8位数据进行位移操作，并将结果存储在内部存储器中。

•串行输入：通过一个输入引脚，可以逐位地输入8位数据。

•并行输出：通过8个输出引脚，可以同时输出寄存器中存储的8位数据。

引脚描述74LS164具有如下引脚：1.DS（Data Serial Input）：串行数据输入引脚，用于输入通过位移操作需要存储的8位数据。

2.SHCP（Shift Clock Input）：移位时钟输入引脚，用于控制位移操作的时钟信号。

3.STCP（Storage Clock Input）：存储时钟输入引脚，用于控制存储数据的时钟信号。

4.GND（Ground）：接地引脚。

5.Q7’（Serial Output）：串行输出引脚，用于输出移位操作的结果。

6.Q0-Q6（Parallel Outputs）：并行输出引脚，用于输出存储的8位数据。

7.VCC（Positive Supply）：正电源引脚。

工作原理74LS164工作时，可以通过两个时钟信号控制其行为。

下面是其工作原理的描述：•存储器清零：在存储器清零时，将SHCP和STCP引脚设置为高电平，并将DS引脚设置为低电平。

此时，存储器中所有的输出引脚将保持低电平状态。

•位移操作：在进行位移操作时，将SHCP引脚设置为低电平，然后将输入引脚DS设置为要输入的数据位状态（0或1）。

接下来，通过将SHCP 引脚设置为高电平，使得数据在寄存器内进行位移，具体移位方向取决于输入引脚DS的状态。

重复进行8次位移操作，即可完成8位数据的输入。

•存储数据：要将位移操作的结果存储在内部存储器中，需要控制STCP引脚的信号。

当所有位移操作完成后，将STCP引脚设置为高电平，将移位结果存储在寄存器中。

//74HC164是个移位寄存器，以下程序是我用过的，绝对没问题：//其中ShowData为164数据脚，ShowClck为164时钟脚；void Show_164(unsigned char _ShowValue){unsigned char Count0;for(Count0=0;Count0<=7;Count0++){if((_ShowValue&0x80)==0x80)ShowData=1;elseShowData=0;_ShowValue<<=1;ShowClck=0;_nop_();_nop_();ShowClck=1;}}//X5045读写一体化C51程序2009-04-17 08:42void X5045SpiOpen(void);//打开X5045片选void X5045SpiClose(void);//关闭X5045片选void X5045WriteEnable(void);//软件使能X5045写操作void X5045WriteDisable(void);//软件禁止X5045写操作unsigned char X5045SpiSend(unsigned char val);//X5045收发SPI协议void X5045WriteByte(unsigned int addr, unsigned char val);//写X5045一个字节void X5045WriteWord(unsigned int addr, unsigned int val);//写X5045一个字unsigned char X5045ReadByte(unsigned int addr);//读X5045一个字节unsigned int X5045ReadWord(unsigned int addr);//读X5045一个字unsigned char X5045ReadStatus(void);//读X5045状态void X5045WriteStatus(unsigned char val);//写X5045状态void X5045WriteWait(void);//等待X5045写入完成/*--------------------------------------打开X5045片选--------------------------------------*/void X5045SpiOpen(void){EEPROMCS = 1;//WDTEEPROMSCK = 0;EEPROMSIO = 1;//SO=SI=1,释放总线EEPROMCS = 0;//WDT;打开X5045片选CS }/*--------------------------------------关闭X5045片选--------------------------------------*/void X5045SpiClose(void){EEPROMCS = 1;//关闭X5045片选CSEEPROMSIO = 1;//SO=SI=1,释放总线EEPROMSCK = 0;}/*--------------------------------------软件使能X5045写操作--------------------------------------*/void X5045WriteEnable(void){X5045SpiOpen();//打开X5045片选EEPROMWP = 1;//硬件使能X5045写操作X5045SpiSend(WREN);//发送使能X5045写命令X5045SpiClose();//关闭X5045片选}/*--------------------------------------软件禁止X5045写操作--------------------------------------*/void X5045WriteDisable(void){X5045SpiOpen();//打开X5045片选X5045SpiSend(WRDI);//发送禁止X5045写命令EEPROMWP = 0;//硬件禁止X5045写操作X5045SpiClose();//关闭X5045片选}/*--------------------------------------X5045收发SPI协议--------------------------------------*/unsigned char X5045SpiSend(unsigned char val){unsigned char i;WDTRST = 0x1e;//89s52内狗WDTRST = 0xe1;//89s52内狗ACC = val;for (i = 8; i > 0; i --){CY = EEPROMSO;//取数据SO_rlca_();//存数据ACC.0读数据ACC.7同时进行EEPROMSI = CY;//送数据SIEEPROMSCK = 1;//上升沿打入数据_nop_();EEPROMSCK = 0;//下降沿读入数据(首次为假动作) }return ACC;}/*--------------------------------------写X5045一个字节--------------------------------------*/void X5045WriteByte(unsigned int addr, unsigned char val) {unsigned char temp;temp = WRITE;if ((addr >> 8) & 0x01) temp |= 8;X5045WriteEnable();//使能X5045写操作X5045SpiOpen();//打开X5045片选X5045SpiSend(temp);//发送X5045写命令及高位地址X5045SpiSend(addr & 0xff);//发送X5045写低位地址X5045SpiSend(val);//发送X5045写数据X5045SpiClose();//关闭X5045片选X5045WriteWait();//等待本次X5045写入完成X5045WriteDisable();//禁止X5045写操作}/*--------------------------------------写X5045一个字--------------------------------------*/void X5045WriteWord(unsigned int addr, unsigned int val) {unsigned char temp;temp = WRITE;if ((addr >> 8) & 0x01) temp |= 8;X5045WriteEnable();//使能X5045写操作X5045SpiOpen();//打开X5045片选X5045SpiSend(temp);//发送X5045写命令及高位地址X5045SpiSend(addr & 0xff);//发送X5045写低位地址X5045SpiSend(val & 0xff);//发送X5045写低位数据X5045SpiSend(val >> 8);//发送X5045写高位数据X5045SpiClose();//关闭X5045片选X5045WriteWait();//等待本次X5045写入完成X5045WriteDisable();//禁止X5045写操作}/*--------------------------------------读X5045一个字节--------------------------------------*/unsigned char X5045ReadByte(unsigned int addr){unsigned char val;X5045SpiOpen();//打开X5045片选val = READ;if ((addr >> 8) & 0x01) val |= 8;X5045SpiSend(val);//发送X5045读命令及高位地址X5045SpiSend(addr & 0xff);//发送X5045读低位地址val = X5045SpiSend(0xff);//接收X5045读数据X5045SpiClose();//关闭X5045片选return val;}/*--------------------------------------读X5045一个字--------------------------------------*/unsigned int X5045ReadWord(unsigned int addr){unsigned char val;X5045SpiOpen();//打开X5045片选val = READ;if ((addr >> 8) & 0x01) val |= 8;X5045SpiSend(val);//发送X5045读命令及高位地址X5045SpiSend(addr & 0xff);//发送X5045读低位地址val = X5045SpiSend(0xff);//接收X5045读低位数据addr = X5045SpiSend(0xff);//接收X5045读高位数据X5045SpiClose();//关闭X5045片选addr <<= 8;addr |= val;return addr;}/*--------------------------------------读X5045状态--------------------------------------*/unsigned char X5045ReadStatus(void){unsigned char val;X5045SpiOpen();//打开X5045片选X5045SpiSend(RDSR);//发送读X5045状态命令val = X5045SpiSend(0xff);//接收X5045状态数据X5045SpiClose();//关闭X5045片选return val;}/*--------------------------------------写X5045状态--------------------------------------*/void X5045WriteStatus(unsigned char val){X5045SpiOpen();//打开X5045片选X5045SpiSend(WRSR);//发送写X5045状态命令X5045SpiSend(val);//发送X5045状态数据X5045SpiClose();//关闭X5045片选}/*--------------------------------------等待X5045写入完成--------------------------------------*/void X5045WriteWait(void){while (X5045ReadStatus() & WIP);//WIP=0 退出}。

74ls164应用电路
本文采用了74LS164 这个串入并出的移位寄存器,很好地解决了2051 与L ED 的显示接口电路。

1 硬件电路
2051 余下的并行I/ O 口线不足8 根,数据的并行输出已不可能,但可以考虑串行输出方法,图1 给出串行口扩展的4 位L ED 显示接口电路。

该电路只使用2051 的3 个端口,配接4 片串入并出移位寄
存器74LS164 与1 片三端可调稳压器LM317T
3 结束语
本串行口扩展的LED 显示接口电路已被笔者成功地应用到以AT89C2051 单片机为核心的智能仪表中,如单片机湿度测量仪、单片机温度测量仪等。

现场运行表明,LED 显示清晰稳定不闪烁,特别是在现场环境如光照强弱不同的情况下, 可以在线调整LED 发光的亮度,获得视觉与功耗的最佳效果。

图1 串行口
扩展的4 位LED显示电路.
74LS164是一个串行输入并行输出的移位寄存器，可用于扩展并行输出口。

8 位串入、并出移位寄存器1. 概述74HC164、74HCT164 是高速硅门 CMOS 器件，与低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引脚兼容。

74HC164、74HCT164 是 8 位边沿触发式移位寄存器，串行输入数据，然后并行输出。

数据通过两个输入端（DSA 或 DSB）之一串行输入；任一输入端可以用作高电平使能端，控制另一输入端的数据输入。

两个输入端或者连接在一起，或者把不用的输入端接高电平，一定不要悬空。

时钟 (CP) 每次由低变高时，数据右移一位，输入到 Q0， Q0 是两个数据输入端（D SA 和 DSB）的逻辑与，它将上升时钟沿之前保持一个建立时间的长度。

主复位 (MR) 输入端上的一个低电平将使其它所有输入端都无效，同时非同步地清除寄存器，强制所有的输出为低电平。

2. 特性•门控串行数据输入•异步中央复位•符合JEDEC 标准no. 7A•静电放电(ESD) 保护：·HBM EIA/JESD22-A114-B 超过2000 V·MM EIA/JESD22-A115-A 超过200 V 。

•多种封装形式•额定从-40 °C 至+85 °C 和-40 °C 至+125 °C 。

3. 功能图图 1. 逻辑符号图 2. IEC 逻辑符号图 3. 逻辑图图 4. 功能图4. 引脚信息图 5. DIP14、SO14、SSOP14 和 TSSOP14 封装的引脚配置引脚说明符号引脚说明DSA 1数据输入DSB 1数据输入Q0~Q3 3~6输出GND7 地(0 V)CP 8时钟输入（低电平到高电平边沿触发）/M/R 9中央复位输入（低电平有效）Q4~Q710~13输出VCC14正电源罗74HC164中文资料(功能,真值表,引脚图及电气参数介绍)SN54HC164,/SN74HC164是8位移位寄存器，当其中一个（或二个）选通串行输入端的低电平禁止进入新数据，并把第一个触发器在下一个时钟脉冲来后复位到低电平时，门控串行输入端（A 和B）可完全控制输入数据。

74ls164芯片和74ls165芯片74ls164为8位移位寄存器图1 74ls164芯片封装图图2 逻辑符号图3 内部逻辑图功能表（真值表）H = HIGH（高）电平h = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间(set-up time) 的HIGH（高）电平L = LOW（低）电平l = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间(set-up time) 的LOW（低）电平q = 小写字母代表先于低-至-高时钟跃变一个建立时间的参考输入(referenced input) 的状态↑= 低-至-高时钟跃变时序图电器特性动态特性(TA=25℃)推荐工作条件[1] 对于DIP14 封装：Ptot 在超过70 °C 时以12 mW/K 的速度线性降低。

[2] 对于SO14 封装：Ptot 在超过70 °C 时以8 mW/K 的速度线性降低。

[3] 对于SSOP14 和TSSOP14 封装：Ptot 在超过60 °C 时以5.5 mW/K 的速度线性降低。

[4] 对于DHVQFN14 封装：Ptot 在超过60 °C 时以4.5 mW/K 的速度线性降低。

74ls165芯片名称：八位移位寄存器（并行输入，互补串行输出）芯片封装图：内部逻辑图：引出端符号CLK，CLK INK 时钟输入端（上升沿有效）A-H 并行数据输入端SER 串行数据输入端QH 输出端QH' 互补输出端Sh/LD' 移位控制/置入控制（低电平有效）工作原理：当移位\植入控制端（SH/LD）为低电平时，并行数据（A-H) 被置入寄存器，而时钟（CLK，CLK INH）及串行数据（SER）均无关。

当SH/LD）为高电平时，并行置数功能被禁止。

CLK和CLK INK在功能上是等价的，可以交换使用。

当CLK和CLK INK有一个为低电平并且SH/LD为高电平时，另一个时钟可以输入。

当CLK和 CLK INK有一个为高电平时，另一个时钟被禁止。

74HC164D中文资料参数SN54HC164,/SN74HC164是8位移位寄存器，当其中一个（或二个）选通串行输入端的低电平禁止进入新数据，并把第一个触发器在下一个时钟脉冲来后复位到低电平时，门控串行输入端（A 和B）可完全控制输入数据。

一个高电平输入后就使另一个输入端赋能，这个输入就决定了第一个触发器的状态。

虽然不管时钟处于高电平或低电平时，串行输入端的数据都可以被改变，但只有满足建立条件的信息才能被输入。

时钟控制发生在时钟输入由低电平到高电平的跃变上。

为了减小传输线效应，所有输入端均采用二极管钳位。

功能表：Inputs输入Outputs输出CLRCLK A B QA QB ...QHL X X X L L LH L X X QAQBQH0H↑H H H QAnQGnH↑L X L QAnQGnH↑X L L QAnQGnH=高电平（稳定态）L=低电平（稳定态）×=不定↑=从低电平转换到高电平QA0…QH0=在稳定态输入条件建立前QA…QH 的相应电平QAn…QHn=在最近的时钟输入条件（↑）建立前QA…QH 的相应电平，表示移位一位图1 逻辑图（正逻辑）图2 引脚图Absolute Maximum Ratings绝对最大额定值Supply voltage range, 电源电压范围VCC–0.5 V to 7V Input clamp current, 输入钳位电流IIK (VI < 0 or VI > VCC) (seeNote 1)±20 mA Output clamp current,输出钳位电流IOK (VO < 0 or VO > VCC) (seeNote 1)±20 mA Continuous output current,连续输出电流IO (VO = 0 to VCC)±25 mA Continuous current through 连续通过电流VCC or GND±50 mA封装热阻thermal impedance, θJA (see Note 2):D 封装86℃/W N 封装80℃/W NS 封装76℃/W PW 封装113℃/WStorage temperature range, Tstg储存温度范围–65℃ to 150℃DC SPECIFICATIONS直流电气规格表：符号Parameter 参数SN54HC164SN74HC164最小典型最大最小典型最大VCCSupply Voltage 电源电压256256图3 参数测量信息图4 typical clear, shift, and clear sequence典型清除、移位和清除时序应用电路：图5 LCD驱动电路图6 LED驱动电路74HC164中文资料参数时间：2016-06-15 来源：资料室作者：编号:颖展电子SN54HC164,/SN74HC164是8位移位寄存器，当其中一个（或二个）选通串行输入端的低电平禁止进入新数据，并把第一个触发器在下一个时钟脉冲来后复位到低电平时，门控串行输入端（A 和B）可完全控制输入数据。

移位寄存器74LS164中文资料
164为8位移位寄存器,其主要电特性的典型值如下：
54/74164 185mW 54/74LS164 80mW
当清除端（CLEAR）为低电平时，输出端（QA－QH）均为低电平。

串行数据输入端（A，B）可控制数据。

当 A、B任意一个为低电平，则禁止新数据输入，在时钟端（CLOCK）脉冲上升沿作用下Q0 为低电平。

当A、B 有一个为高电平，则另一个就允许输入数据，并在CLOCK 上升沿作用下决定Q0 的状态。

71LS164引脚图及引脚功能：
CLOCK ：时钟输入端
CLEAR：同步清除输入端（低电平有效）
A，B ：串行数据输入端
QA－QH：输出端
图1 74LS164封装图
74LS164内部结构图
图2 74LS164 内部逻辑图
74LS164电气参数:
极限值
电源电压7V
输入电压……… 5.5V
工作环境温度54164………… -55～125℃ 74164………… -0～70℃
储存温度…… -65℃～150℃建议操作条件
74LS164真值表及时序图
图3 真值表H－高电平 L－低电平 X－任意电平
↑－低到高电平跳变
QA0,QB0,QH0 －规定的稳态条件建立前的电平
QAn,QGn －时钟最近的↑前的电平
图4 时序图。

脚位图74HC164N(DIP1474HC164D(SOP14管脚功能定义符号管脚名称管脚号说明 A/B数据输入 1,2 该管脚为与门输入 QA,QB,QC,QD,QE,QF,QG,QH.数据输出 3 ,4 ,5 ,6 10,11,12, 13 并行输出口 CLK时钟输入 8 在上升沿读取串行数据 CLR _______ 复位 9 该端口输入为低时,所有输入无效,所有输出口清零,该端口为高时,发送数据VDD 逻辑电源 14 2V~6VGND 逻辑地 7系统地逻辑框图*注: 输入输出脚位与脚位图对应. 时序图复位清”0” 复位清”0”极限参数SM74HC164最小值典型值最大值单位 VCC 供应电源2 5 6 V VCC=2V 1.5 VCC=4.5V 3.15V IH 输入电压高电平VCC=6V 4.2 V VCC=2V 0.5 VCC=4.5V 1.35 V IL 输入电压低电平VCC=6V 1.8 V V I 输入电压0 VCC V V O 输出电压0 VCC V VCC=2V 1000 VCC=4.5V 500△t/△v 输入信号转换时间VCC=6V 400 ns T A 正常工作温度范围 -40 85 0C时序要求T A =25 0C SM74HC164VCC 最小最大最小最大单位 2V 6 5 4.5 31 25f clock 时钟频率6V 36 28 MHz 2V 100 125 4.5V 20 25 CLR ______为低 6V17 21 2V80 100 4.5V16 20t W 脉冲宽度 CLK 为高或低 6V14 18 ns 2V100 125 4.5V20 25 数据 6V17 21 2V100 125 4.520 25 t SU 数据在CLK 上升沿到达前的建立时间 CLR ______不变 6V17 21 ns 2V5 5 4.55 5 t h 数据在CLK 上升沿到达后的保持时间6V 5 5 ns电气特性T A =25 0C SM74HC164 参数测试条件 VCC 最小典型最大最小最大单位 2V 1.9 1.998 1.9 4.5V 4.4 4.499 4.4 I OH =-20uA 6V 5.9 5.999 5.9 I OH = -4mA4.5V 3.98 4.3 3.84输出高电平输入为高电平或低电平I OH =-5.2mA6V 5.48 5.8 5.34 V 2V 0.002 0.1 0.1 4.5 0.001 0.1 0.1I OL =20uA6V 0.001 0.1 0.1 I OL = -4mA4.5V 0.17 0.26 0.33 输出低电平输入为高电平或低电平I OL =5.24mA6V 0.15 0.26 0.33 V 输入电流输入为高电平6V ±0.1 ±1000 ±1000 nA 电源电流输入为高或低电平,输出电流为06V 8 80 uA 输入电容2V—6V 3 10 10 PF注:I OH 为输出为高电平时的输出电流I OL 为输出为低电平时的输出电流转换特性T A =25 0C SM74HC164 参数从至 VCC 最小典型最大最小最大单位 2V 6 10 5 4.5V 31 54 25 f max6V 36 62 28 MHz 2V 140 205 255 4.5V 28 41 51t PHLCLR ______ 任一输出 6V 24 35 46 2V 115 175 220 4.5V 23 35 44 t pdCLK 任一输出 6V 20 30 38 ns 2V 38 75 95 4.5V 8 15 19t t6V 6 13 16 nsLED CONTROLLER -6- 参数波形描述 V0903A 第 6 页共 7 页LED CONTROLLER -7- 典型应用电路 V0903A 第 7 页共 7 页。

74ls164 移位寄存器介绍（特点、引脚、参数、时
序）
74ls164 移位寄存器简介
74ls164 是8 位边沿触发式移位寄存器，串行输入数据，然后并行输出。

数据通过两个输入端（DSA 或DSB）之一串行输入；任一输入端可以用作高电平使能端，控制另一输入端的数据输入。

两个输入端或者连接在一起，或者把不用的输入端接高电平，一定不要悬空。

该8 位移位寄存器具有与门使能控制串口输入和一个异步复位输入的特点。

使能控制输入端能控制不需要的输入数据信号使其为低电平。

当复位信号为低电平时，不管其他信号为何状态，其输出均为低电平;复位信号为高电平时，寄存器从第一位开始在每个时钟信号的上升沿对输入数据依次移位存储。

74ls164 移位寄存器特点
工作电压范围宽：2V-6V；
输出能驱动达到10 个LSTTL 的负载；。

74HC164引脚图与中文资料8 位串入、并出移位寄存器1. 概述74HC164、74HCT164 是高速硅门CMOS 器件，与低功耗肖特基型TTL (LSTTL) 器件的引脚兼容。

74HC164、74HCT164 是8 位边沿触发式移位寄存器，串行输入数据，然后并行输出。

数据通过两个输入端（DSA 或DSB）之一串行输入；任一输入端可以用作高电平使能端，控制另一输入端的数据输入。

两个输入端或者连接在一起，或者把不用的输入端接高电平，一定不要悬空。

时钟(CP) 每次由低变高时，数据右移一位，输入到Q0，Q0 是两个数据输入端（DSA 和DSB）的逻辑与，它将上升时钟沿之前保持一个建立时间的长度。

主复位(MR) 输入端上的一个低电平将使其它所有输入端都无效，同时非同步地清除寄存器，强制所有的输出为低电平。

2. 特性•门控串行数据输入•异步中央复位•符合JEDEC 标准no. 7A•静电放电(ESD) 保护：·HBM EIA/JESD22-A114-B 超过2000 V·MM EIA/JESD22-A115-A 超过200 V 。

•多种封装形式•额定从-40 °C 至+85 °C 和-40 °C 至+125 °C 。

3. 功能图图 1. 逻辑符号图 2. IEC 逻辑符号图 3. 逻辑图图 4. 功能图4. 引脚信息图 5. DIP14、SO14、SSOP14 和TSSOP14 封装的引脚配置引脚说明符号引脚说明DSA 1 数据输入DSB 1 数据输入Q0~Q3 3~6 输出GND 7 地(0 V)CP 8 时钟输入（低电平到高电平边沿触发）/M/R 9 中央复位输入（低电平有效）Q4~Q7 10~13 输出VCC 14 正电源。

74HC1648位串入并出移位寄存器产品说明书说明书发行履历：版本发行时间新制/修订内容2010-01-A 2010-01 更换新模板2012-01-B1 2012-01 增加说明书编号及发行履历1、概 述思扬74HC164是高速CMOS电路，管脚与低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列兼容。

74HC164是8位的串入并出、边沿触发的移位寄存器，串入数据由DSA、DSB输入，在每个时钟CP的上升沿数据向右移一位，数据由DSA和DSB相与而成，且在上升沿到来之前已满足了建立时间。

低电平有效的复位信号将直接把寄存器清零而输出为低。

其主要特点如下：●较宽的工作电压：2～6V●相与的串行输入，直接的清零信号●输出能驱动10个LSTTL负载●封装型式：DIP14 / SOP142、功能框图及引脚说明2.3、引脚说明及结构原理图2.4、功能说明h ：时钟上升沿前建立起来的高电平电压 L ：低电平l ：时钟上升沿前建立起来的低电平电压q ：对应于时钟上升沿时，前面一个寄存器的状态 ↑：时钟上升沿3、电特性3.1、 极限参数 除非另有规定，T amb =25℃参 数 名 称 符 号条 件最小值最大值单 位电源电压 V CC -0.5 +7 V 输入钳位电流 I IK V I ＜-0.5V 或V I ＞V CC +0.5V ±20 mA 输出钳位电流 I OK V O ＜-0.5V 或V O ＞V CC +0.5V ±20 mA 输出电流 I O V O = -0.5V ～V CC +0.5V±25 mA VCC 或GND 电流I CC ，I GND±50mA贮存温度 T STG -65 +150 ℃ DIP 封装 245 焊接温度T L10秒SOP 封装250℃3.2、推荐使用条件参数 符号条件最小典型最大单位电源电压 V CC 2.0 5.0 6.0 V 输入电压 V I 0 - V CC V 输出电压 V O 0 - V CC VV CC = 2.0V - - 1000 nsV CC = 4.5V - 6.0 500 ns 输入上升、下降时间tr,tfV CC = 6.0V - - 400 ns工作温度T amb -40 - +85 ℃3.3、电气特性除非另有规定，T amb =25℃规 范 值 参 数 名 称 符 号测 试 条 件最小典型最大单 位直流参数V CC = 2.0V 1.5 - - VV CC = 4.5V 3.15 - - V 高电平输入电压V IHV CC = 6.0V 4.2 - - V V CC = 2.0V - - 0.5 VV CC = 4.5V - - 1.35 V 低电平输入电压V ILV CC = 6.0V -- 1.8 V V I =V IH 或V ILI O =-20μA ；V CC =2.0V1.92.0 - V I O =-20μA ；V CC =4.5V 4.4 4.5 - V I O =-20μA ；V CC =6.0V 5.9 6.0 - V I O =-4mA ；V CC =4.5V3.984.32 - V 高电平输出电压V OHI O =-5.2mA ；V CC =6.0V5.48 5.81 - V V I =V IH 或V ILI O =20μA ；V CC =2.0V- 0 0.1 V I O =20μA ；V CC =4.5V - 0 0.1 V I O =20μA ；V CC =6.0V - 0 0.1 V I O =4mA ；V CC =4.5V - 0.19 0.26 V 低电平输出电压V OLI O =5.2mA ；V CC =6.0V- 0.21 0.26 V 静态电流 I CCV CC =6.0V ；I O =0A ；V I ==V C C或GND-3.9 8μA 输入电容 Ci - 3.5 - pFV M=50%; V I=GND～VCC图1.时钟(CP)到输出端(Qn)的传输延时、时钟脉宽、输出传输时间和最大时钟频率V M=50%; V I=GND～VCC图2.主复位(MR)脉宽，主复位到输出端(Qn)的传输延时、主复位结束到时钟(CP)的响应时间V M=50%; V I=GND～VCC图3. Dn输入前的数据建立时间和保持时间图4.测试开关时间的负载电路注：RT：终端电阻须与信号发生器的输出阻抗匹配CL：负载电容须包括夹具有探针电容4、封装尺寸与外形图4. 1、DIP14外形图与封装尺寸4. 2、SOP14外形图与封装尺寸无锡思扬微电子科技有限公司74HC164数据手册地址：无锡市长江路21-1号创源大厦601室 第11页5、声明及注意事项：5.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量有毒有害物质或元素部件名称铅（Pb）汞（Hg）镉（Cd）六阶铬（Cr（Ⅵ））多溴联苯（PBBs）多溴联苯醚（PBDEs）引线框○○○○○○塑封树脂○○○○○○芯片○○○○○○内引线○○○○○○装片胶○○○○○○说明○：表示该有毒有害物质或元素的含量在SJ/T11363-2006标准的检出限以下。

74HC164中文资料参数SN54HC164,/SN74HC164是8位移位寄存器，当其中一个（或二个）选通串行输入端的低电平禁止进入新数据，并把第一个触发器在下一个时钟脉冲来后复位到低电平时，门控串行输入端（A 和B）可完全控制输入数据。

一个高电平输入后就使另一个输入端赋能，这个输入就决定了第一个触发器的状态。

虽然不管时钟处于高电平或低电平时，串行输入端的数据都可以被改变，但只有满足建立条件的信息才能被输入。

时钟控制发生在时钟输入由低电平到高电平的跃变上。

为了减小传输线效应，所有输入端均采用二极管钳位。

功能表：Inputs输入Outputs输出CLR CLK A B QA QB ...QHL X X X L L LH L X X QA0QB0QH0H↑H H H QAn QGnH↑L X L QAn QGnH↑X L L QAn QGnH=高电平（稳定态）L=低电平（稳定态）×=不定↑=从低电平转换到高电平QA0…QH0=在稳定态输入条件建立前QA…QH 的相应电平QA n…QHn=在最近的时钟输入条件（↑）建立前QA…QH 的相应电平，表示移位一位图1 逻辑图（正逻辑）图2 引脚图Absolute Maximum Ratings绝对最大额定值Supply voltage range, 电源电压范围VCC–0.5 V to 7V Input clamp current, 输入钳位电流IIK (VI < 0 or VI > VCC) (see Note 1)±20 mA Output clamp current,输出钳位电流IOK (VO < 0 or VO > VCC) (see Note 1)±20 mA Continuous output current,连续输出电流IO (VO = 0 to VCC)±25 mA Continuous current through 连续通过电流VCC or GND±50 mA封装热阻thermal impedance, θJA (see Note 2):D 封装86℃/W N 封装80℃/W NS 封装76℃/W PW 封装113℃/WStorage temperature range, Tstg储存温度范围–65℃to 150℃DC SPECIFICATIONS直流电气规格表：DC SPECIFICATIONS直流电气规格（续）IOH=–4mA 4.5 V3.984.3- 3.84- 3.7-IOH=5.2mA6 V 5.485.8- 5.34- 5.2-VOL 输出低电平电压VI=VIHorVILIOL=20μA2 V-0.0020.1-0.1-0.1V4.5 V-0.0010.1-0.1-0.16 V-0.0010.1-0.1-0.1IOL = 4mA 4.5 V-0.170.26-0.4-0.33IOL=5.2mA6 V-0.150.26-0.4-0.33II 输入漏电流VI = VCC or 0 6 V-±0.1±100-±1000-±1000nA ICC 静态电源电流VI = VCC or 0,IO = 0 6 V--8-160-80μACi 电容-2V to6V-310-10-10pF 图3 参数测量信息图4 typical clear, shift, and clear sequence典型清除、移位和清除时序应用电路：图5 LCD驱动电路图6 LED驱动电路图7 4位数码显示电路。