模拟电子技术作业补充题

模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。

图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。

五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。

试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模拟电子技术复习试题二一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_________电流，由外加电场引起载流子运动形成_________电流。

2.温度升高时，晶体二极管的I s将_________，V D(on)将_________。

3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。

4.N沟道MOSFET中，为保证器件正常工作，_________极应接在电位的最低点，而P沟道的MOSFET，则该电极应接在电位的_________。

5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。

6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。

7.电流源电路的主要参数是_________和_________。

8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈，否则为_________反馈。

9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________，相位条件是_________。

10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。

二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1.杂质半导体中多数载流子浓度( )A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.一个硅二极管在正向电压V D=0.6V时，正向电流I D为10mA，若V D增大到0.66V(即增加10%)，则电流I D( )A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.某晶体三极管的I B为10μA，I C为1mA，I CEO为0.1mA则该管的β值为( )A. 100B. 110C. 90D. 804.已知某三极管V BE=0.7V，V CE=3V，则该管工作在_________区。

《模拟电子技术》模拟题及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分）一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。

2.稳压二极管正常工作......区；光电二极管正常工作...... 区；变容二极管正常工作......区；发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。

3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。

4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。

5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。

电路中的正反馈环节起.....作用；电路中的负反馈环节则起.....作用。

6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。

（本题共11小题, 每小题1分, 共11分）二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。

2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。

3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。

..）4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。

..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。

..）6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。

..）7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。

模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。

A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。

A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。

A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。

稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。

A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。

《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。

二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F ）状态。

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

(单选题) 1: 温度升高，晶体管输入特性曲线（）A: 右移B: 左移C: 不变正确答案:(单选题) 2: 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。

A: 电压串联负反馈B: 电压并联负反馈C: 电流串联负反馈D: 电流并联负反馈正确答案:(单选题) 3: 在（）三极管发射结和集电结都处于正向偏置状态，管子的集电极电流基本不随基极电流变化。

( )A: 截止区B: 放大区C: 饱和区正确答案:(单选题) 4: 通用型集成运放适用于放大( )A: 高频信号B: 低频信号C: 任何频率信号正确答案:(单选题) 5: 单相整流电路中，二极管承受的反向电压最大值出现在二极管（）A: 截止时B: 导通时C: 由导通转截止时D: 由截止转导通时正确答案:(单选题) 6: 功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（）A: 都使输出电压大于输入电压B: 都使输出电流大于输入电流C: 都使输出功率大于信号源提供的输入功率正确答案:(单选题) 7: 在放大电路的三种工作状态中，哪种功耗最小（）。

A: 甲类B: 甲乙类C: 乙类D: 一样大正确答案:(单选题) 8: 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）A: 共射放大电路B: 共集放大电路C: 共基放大电路正确答案:(单选题) 9: 功率放大电路的转换效率是指（）A: 输出功率与晶体管所消耗的功率之比B: 最大输出功率与电源提供的平均功率之比C: 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比正确答案:(单选题) 10: 在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( )A: 输出电压约为2UDB: 变为半波直流正确答案:(单选题) 11: 稳压管的稳压区是其工作在（）A: 正向导通B: 反向截止C: 反向击穿正确答案:(单选题) 12: 在多级放大器中，对零点漂移影响最大的是（）。

A: 前级B: 后级C: 前后级一样D: 中间级正确答案:(单选题) 13: 一个单管共射放大电路如果通过电阻网络引入负反馈，那么它。

《模拟电子技术》模拟题1一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。

（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。

（）3、PN结具有单向导电特性。

（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。

（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。

（）6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。

（）7、直流负反馈不能稳定静态工作点。

（）8、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（）9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。

（）10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。

（）二、选择（10分）1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下，可以稳定电压。

A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。

A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路 ( )。

A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大，表明电路（）。

5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。

6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（ ）反馈，为减小输出电阻，应引入（ ）反馈。

A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（ ）。

A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形，设二极管为理想二极管。

（每题10分，共20分）R(a )(b )图1四、简答题（每题5分，共10分）1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件，以及起振条件。

营口职业技术学院成人教育分院平时作业科目：模拟电子技术班级：______________________姓名：______________________任课教师：_秦绪玲_________________ 总成绩：____________________《模拟电子技术》作业一得分：一、单选题（每题2分，共20分）1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流于是。

A.电子B.空穴C.正离子D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体中载流子浓度。

A.大于B.等于C.小于3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加。

A.载流子B.多数载流子C.少数载流子4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管，反向饱和电流比锗二极管。

A.大B.小C.相等5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。

A.增大B.减小C.不变6、工作在放大状态的晶体管，流过发射结的是电流，流过集电结的是电流。

A.扩散B.漂移7、当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：NPN管的u C u B u E，PNP管的u C u B u EA.＞B.＜C.＝A.基极电流B.栅-源电压C.集电极电流D.漏极电流E.电压F.电流8、晶体管电流由形成，而场效应管的电流由形成。

因此晶体管电流受温度的影响比场效应管。

A.一种载流子B.两种载流子C.大D.小9．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如下图3所示。

分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。

图310．测得放大电路中六只晶体管的直流电位如下图4所示。

在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

图4二、填空题（每题2分，共20分）1、纯净的半导体叫做。

2、PN结正偏时，正向电阻，正向电流，呈状态；PN结反偏时，反向电阻，反向电流，呈状态。

这就是PN结的单向导电性，3. 2AP9其中“2”表示“A”表示“P”表示4.对于指针式万用表，当测得电阻较小时，与黑表笔相接的极为二极管；测得电阻很大时，与红表笔相接的极为二极管。