ESDBVD5V0Y1
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ELECTRICAL PARAMETER
Symbol
Parameter
IPP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
VC
Clamping Voltage @ IPP
VRWM IR Ierse Voltage Maximum Reverse Leakage Current @ VRWM Test Current Breakdown Voltage @ IT
3. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in. Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only.Functional operation
ESDBVD5V0Y1
REVERSE CURRENT I (mA) R
Reverse Characteristics
100
75
T =25℃
50
a
25
T =100℃ a
0
-25
-50
-75
-100
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
REVERSE VOLTAGE V (V) R
8
10
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS C (pF)
AMBIENT TEMPERATURE T (℃) a
A-1,Jul,2013
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】
样品申请单
南山联系资料
总机：025-52188228 技术支持：025-84712971 客服：400-888-5058 传真：025-84710486 电邮：Tech@
2. Non-repetitive current pulse 8/20µs exponential decay waveform according to IEC61000-4-5.
Unit
kV
W A
℃ ℃ ℃
A-1,Jul,2013
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
客户基本资料
公司名称 联系方式 收货地址 生产产品
联络人
电话：
姓名： 电话：
传真：
职务： 手机：
网址： □生产型企业
□贸易商
□技术 电邮：
□采购
□其他
样品明细资料
元器件名称 型号及封装
单机用量 申请数量 备注
预计生产情况
预计小批量生产日期：
规模生产日期：
样品申请日期：
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写，可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送，并请将此单打印盖章后，传真至：025-84710486。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，由样品小组负责确定该样品申请单是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后，南京库有现货2个工作日内发出；如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2周。 5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量：单个型号5～20pcs， 或根据 BOM 表清单按2～5套提供。 6、说明：接单后，样品小组将努力跟进，但由于原厂生产等环节存有不确定因素，我们无法保证样品数量、型号完
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Reverse stand off voltage Breakdown voltage Reverse current Clamping voltage Total capacitance
FEATURE z Low Reverse Stand−off Voltage: 5 V z Low Leakage Current z Response Time is Typically < 1 ns z ESD Rating of Class 3 per human body model z IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection z This is a Pb−Free Device APPLICATION z Computers and peripherals z Communications systems z Audio and video equipment z High speed data lines z Parallel ports
Symbol VRWM（1）
V(BR) IR
VC（2） Ctot
Test conditions
IT=1mA VRWM=5V IPP=5A VR=0V,f=1MHz
Min Typ Max
Unit
5
V
5.6
8
V
1
μA
10
V
3
pF
(1).Other voltages available upon request.
±18
Electrostatic Discharge Voltage
Contact model
±19
VESD
Per human body model
20
Machine model
0.4
Peak Pulse Power (8/20µs Waveform) (note 2)
PPP
50
Peak Pulse Current (8/20µs Waveform) (note 2)
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
WBFBP-02C-C Plastic-Encapsulate Diodes
ESDBVD5V0Y1 ESD PROTECTION DIODE
(2).Non-repetitive current pulse 8/20μs exponential decay waveform according to IEC61000-4-5.
A-1,Jul,2013
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
Typical Characteristics
IPP
5
Lead Solder Temperature − Maximum (10 Second Duration)
TL
260
Junction Temperature
TJ
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55 ~ +150
Note: 1. Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
MARKING: HD
WBFBP-02C-C
TOPVIEW MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Electrostatic Discharge Voltage (IEC61000−4−2 ) (note1) Air model
T
Capacitance Characteristics
4
T =25℃ a
f=1MHz
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
REVERSE VOLTAGE V (V) R
POWER DISSIPATION P (mW) D
Power Derating Curve
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
DESCRIPTION The ESDBVD5V0Y1 is designed to protect voltage sensitive components
from ESD. Excellent clamping capability, low leakage,and fast response time provide best in class protection on designs that are exposed to ESD.
above the Recommended.Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating
Conditions may affect device reliability.
全符合要求，也不承诺一定按期交出。
跟进记录
□已联系客户
□ 已中止进行 □ 已建议生产
□ 中止原因描述： □ 已发送样品/日期
□ 客户已签收/日期
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