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硅稳压管稳压电路
1、稳压原理
硅稳压管稳压电路如图1所示。
当稳压管工作在反向击穿状态时，如果输入直流电压有波动或负载发生变化，将会使UO有变化的趋势，这时Iz会发生剧烈变化，通过限流电阻R两端电压的变化来补偿输入电压或负载的变化，从而达到
了稳定UO的目的。
图1 硅稳压管稳压电路2、稳压条件
图1电路中稳压管Dz能工作在反向电击穿状态的条件是：
3、限流电阻计算
在图1所示电路中，使流过稳压管的电流满IZmin≤IZ≤IZM的条件时，稳压电路才能正常工作。
限流电阻的计算公式如下：
式中：UImax、UImin分别为输入直流
电压的最大值和最小值；IZM是稳压管最大允许工作电流，IZmin是最小稳定电流；IOmax、IOmin分别为输出电流的最大值和最小值。
硅稳压管稳压电路
一、有“特异功能”的二极管稳压管
一般二极管都是正向导通，反向截止；加在二极管上的反向电压、如果超过二极管的承受能力，二极管就要击穿损毁。
但是有一种二极管，它的正向特性与普通二极管相同，而反向特性却比较特殊：当反向电压加到一定程度时，虽然管子呈现击穿状态，通过较大电流，却不损毁，并且这种现象的重复性很好；反过来着，只要管子处在击穿状态，尽管流过管子的电在变化很大，而管子两端的电压却变化极小起到稳压作用。
这种特殊的二极管叫稳压管。
稳压管的型号有2CW 、2DW 等系列，它的电路符号如图所示。
由硅稳压管组成的简单稳压电路如图5-l9 （a）所示。
硅稳压管DW与负载Rfz ，并联，R1为限流电阻。
这个电路是怎样进行稳压的呢？若电网电压升高，整流电路的输出电压Usr 也随之升高，引起负载电压Usc 升高。
由于稳压管DW与负载Rfz 并联，Usc 只要有根少一点增长，就会使流过稳压管的电流急剧增加，使得I1也增大，限流电阻R1上的电压降增大，从而抵消了Usr 的升高，保持负载电压Usc 基本不变。
反之，若电网电压降低，引起Usr 下降，造成Usc 也下降，则稳压
管中的电流急剧减小，使得I1减小，R1上的压降也减小，从而抵消了Usr 的下降，保持负载电压Usc 基本不变。
目录：《模电》第一章重点掌握内容： (1)《模电》第二章重点掌握内容： (4)《模电》第四章重点掌握内容： (10)《模电》第五章集成运算放大电路重点掌握内容： (10)《模电》第六章重点掌握内容： (10)《模电》第七章模拟信号运算电路重点掌握内容 (11)《模电》第九章波形发生电路重点掌握内容： (12)《模电》第十章重点掌握内容： (12)《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体器件，主要是利用半导体材料制成，如硅和锗。
34、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
5、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
67、P P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而自由电子为少子。
8、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
9、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
10、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
11、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
P6,图1.2.5二极管的伏安特性。
其死区电压：S i 管约0.5V ，G e 管约为0.1 V 。
其导通压降：S iG e 管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10（压降为0.7V ，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U ﹥U Z ）时便稳压为U Z 。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
