电子技术试题及答案 (1)

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电子技术试题及答案 (1)

1、PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。

2、漂移电流是扩散电流和漂移电流之和,它由杂质离子形成,其大小与电场强度有关,而与外加电压无关。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻无限大,等效成断开。

4、三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结正偏。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic增加,发射结压降减小。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射、共基、共集放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用直流负反馈,为了稳定交流输出电压采用交流负反馈。

9、负反馈放大电路的放大倍数AF=1/(1+β),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF≈1/β。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=AF×XXX,其中BW是放大电路的本身带宽,β称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交叉失真,而采用甲类互补功率放大器。

13、OCL电路是单电源互补功率放大电路;OTL电路是无输出变压器互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小,输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制共模漂移,也称为共模干扰,所以它广泛应用于微弱信号放大电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调制,未被调制的高频信号是载波。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U=V1×V2,电路符号是×。

选择题:

1、B、小于、截止。 2、B、C、E、NPN。

3、高效率、低失真、大输出功率。

1、导通或截止;2、少数载流子;3、无穷大;4、功率;5、放大信号;6、流串负;7、2;8、电流;9、U-≈U+、I-≈I+;10、串联;11、抑制零点漂移;12、交越失真;13、共模抑制比;14、近似等于1;15、温度漂移;16、调幅信号;17、K(Ux-Uy)。

二、选择题(每空2分共30分)

1、B;2、C;3、E;4、D;5、B;6、C;7、B;8、B;9、A;10、C;11、C;12、A;13、B;14、D;15、C。

三、分析计算题

1、①导通;②0.7V(理想二极管导通时正向压降为0.7V)。

2、①ICQ=1.08mA;②UCEQ=6.96V;③Au=-23.17;④Ri=1.94KΩ;⑤R0=5.56KΩ。

3、(1)V1静态工作点:ICQ1=ICQ2=0.5IB=0.5(VCC-UBEQ)/RB=0.04mA,VCEQ1=VCEQ2=VCC-ICQ1(RC+RE)=6.24V;(2)Aud=-(RC||RE)/(2re)=-(2KΩ)/(2×50Ω)= -20;(3)Rid=2β(re+RBB)=40.2KΩ,RO=RC=2KΩ。

4、(1)当ui=0时,V1=0,V2=0,V3=0,V4=0,IC=0,IB=0,IRL=0,流过RL的电流为0;(2)如果V3、V4中有一个接反,会导致两个晶体管均进入饱和区,输出波形失真;(3)为保证输出波形不失真,ui的最大幅度应小于(UC-UB)/2=5V,管耗为P=ICQ×VCEQ=0.6mW。

5、能够产生振荡,F=1/(2πRC)。

5、在共射极放大电路中,输出电阻较小的是()。

A、基本放大电路B、共集电路C、共基极电路D、均压电路

6、对于共源极放大电路,正确的说法是()。

A、输入电阻大,输出电阻小B、输入电阻小,输出电阻大

C、输入电阻和输出电阻都大D、输入电阻和输出电阻都小

7、对于放大电路,正确的负反馈可以()。

A、增大放大倍数B、减小输出电阻C、提高稳定性D、增大失真

8、以下哪种元件不属于半导体器件? A、电阻B、二极管C、三极管D、场效应管

9、以下哪种元件属于双极型晶体管?

A、MOSFETB、JFETC、IGBTD、BJT

10、在桥式整流电路中,最大输出电压是输入电压的()倍。

A、1B、2C、π/2D、π/4

三、简答题(共38分)

1、简述PN结的正向偏置和反向偏置的特点和导电性。

2、简述三极管的三个电极的作用和工作原理。

3、简述共射极放大电路的特点和放大倍数的计算公式。

4、简述负反馈放大电路的作用和实现方法。

5、简述振荡电路的基本原理和常见的振荡电路类型。

6、简述深度负反馈放大电路的作用和实现方法。

7、简述桥式整流电路的原理和特点。

8、简述低频放大电路和高频放大电路的区别和应用场景。

四、计算题(共40分)

1、已知二极管V截止,UA0=-4V,求其正向电压Uf。

2、已知三极管放大电路中,ICQ=2.4mA,CEQ=7.2V,求其放大倍数A。 3、已知三极管放大电路中,ICQ1=0.5mA,UCEQ1=6V,求其输出电阻ro。

4、已知共射极放大电路中,RL=100Ω,求其最大输出功率Pmax。

5、已知LC振荡电路中,L=10mH,C=0.1μF,求其振荡频率fo。

A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移

5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路的抑制共模信号能力。

A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低

6、LM386是一款集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在0~200之间变化。

7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=0.9Uz。

8、当集成运放线性工作时,有两条分析依据:U-≈U+,I-≈I+≈0.

9、对功率放大器的主要要求有:U0高,P0大,效率高,Ri大,波形不失真。

10、振荡器的输出信号最初由干扰或噪声信号而来。

三、分析计算题 1、(6分)

根据电路图可知,Vi=V1,Vo=-V2,因此V1=-Vi,V2=-Vo。

在频带内,C1和C2均为短路,等效电路如下:

由于运放输入电阻很大,可以认为电流不流入运放,因此:

V1/R1 = V2/R2

V2/V1 = -R2/R1

在频带内,V1=Vi,V2=-Vo,代入上式得:

Vo/Vi = R2/R1 = 10/1

因此,电压放大倍数Auf = -Vo/Vi = -10(取整数)。

截止频率fL = 1/2πRC = 1/2π×10k×0.1u = 159Hz ≈ 160Hz。

答案:①-10,②160Hz。

2、(8分)

根据电路图可知,当Ui=0.1V时,D1导通,D2截止,电容C开始充电,电路等效如下:

由于D1导通,可以认为C为短路,因此Uc(0+) = Ui =

0.1V。 当Ui=0时,D1截止,D2导通,电容C开始放电,电路等效如下:

由于D2导通,可以认为C为开路,因此Uc(∞) = 0V。

因此,U01 = Uc(0+) - Uc(∞) = 0.1V - 0V = 0.1V。

根据电路图可知,R1和R2并联,等效电阻为R1//R2 =

333.3Ω。

由于C为短路,可以认为电路等效如下:

在t=10s时,电容C充满电后,电路等效如下:

根据电路图可知,Uc(10s) = Ui = 0V。

因此,输出电压U = U01 + Uc(10s) = 0.1V + 0V = 0.1V。

答案:①0.1V,②0V,③0.1V。

3、(10分)

首先,根据电路图可知,BE极间的电压为0.7V,因此:

IE = (Vcc - UBEQ) / (RB1 + RB2) = (12V - 0.7V) / (40kΩ +

20kΩ) ≈ 0.257mA 由于β = IC / IB,因此IB = IE / (β + 1) ≈ 2.5μA,IC ≈ βIB

≈ 250μA。

根据电路图可知,CE极接地,因此:

UCEQ = Vcc - ICRC = 12V - 250μA × 2kΩ = 11.5V

根据电路图可知,输入电阻Ri = RB1 // RB2 // (β + 1)re ≈

1.8kΩ。

根据电路图可知,输出电阻Ro = RC ≈ 2kΩ。

在频带内,C1和C2均为短路,等效电路如下:

由于运放输入电阻很大,可以认为电流不流入运放,因此:

V1/RB1 = V2/RB2

V2/V1 = -RB2/RB1

在频带内,V1=Vi,V2=VBE,代入上式得:

VBE/Vi = -RB2/RB1 ≈ -0.5

因此,电压放大倍数Au = VBE/Vi ≈ -0.5.

答案:①2mA,②11.5V,③-0.5,④1.8kΩ,⑤2kΩ。

4、(9分)

根据电路图可知,当电路稳定时,振荡电路等效如下:

因此,振荡频率为:

fo = 1 / (2πRC) = 1 / (2π×7.9kΩ×0.02uF) ≈ 1.01MHz

由于RF = R1 + R2,因此R1 = RF - R2 = 10kΩ - 1kΩ =

9kΩ。

根据电路图可知,R1和R2并联,等效电阻为R1//R2 ≈

900Ω。

因此,R1的冷态电阻值为900Ω,温度特性为负温度系数。

答案:①1.01MHz,②9kΩ,③负温度系数。

5、(7分)

由于R1和R2并联,等效电阻为R1//R2 = 333.3Ω。

因此,电路等效如下:

根据XXX电压定律可得:

U = IQ(R1 + R2) = 5mA × (500Ω + 1kΩ) = 3.5V

答案:3.5V。

1.1kHz,5Ω,正温度导数,Uo=20V,AE10,C5,2kΩ。

2.填空题:

1.空穴为正载流子。自由电子为负载流子的杂质半导体称为P型半导体。