电子电工第一章练习题
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本章练习题
一、单项选择题
1．P型半导体中的多数载流子是B ，N型半导体中多数载流子是 A 。
A．电子 B．宽穴 C．正离子 D．负离子
2．杂质半导体中少数载流子的浓度C 本征半导体中载流子浓度。
A．大于 B．等于 C．小于
3．室温附近，当温度升高时，杂质半导体中C 浓度明显增加。
A．载流子 B．多数载流子 C．少数载流子
4．硅二极管的正方向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管 B 。
A．大 B．小 C．相等
BA5．温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流 C 。
A．增大 B．减小 C．不变 6．工作在放大状态的晶体管，流入发射结的是 A 电流，流过集电结的是 B 电流。
A．扩散 B．漂移
7．当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：
NPN管的UC A UB A UE，PNP管的UC B UB B UE；工作在饱和区时iC B βiB；工作在截止区时，若忽略ICBO和ICEO，则iB C 0，iC C 0。
A．＞ Ｂ．＜ Ｃ．＝
8．晶体管通过改变 A 来控制 C 。
A．基极电流 B．栅-源电压 C．集电极电流
D．漏极电流 E．电压 F．电流
9．晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成，因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。
A．一种载流子 B．两种载流子 C．大 D．小
10.空穴为少子的半导体称为___B_____,空穴为多子的半导体称为 A 。
A.P型半导体 B.N型半导体 C.纯净半导体 D.金属导体 11.已知整流二极管的反向击穿电压为20V,按通常规定，此二极管的最大整流电压为C 。
A. 20V B. 15V C. 10V D. 5V
二、填空题
1.物质按导电能力分为：导体 ， 半导体 和 绝缘体 。
2.常用的半导体材料有 硅 ，砷 和 锗 。
3.半导体的特点是 导电性能 随外界条件的改变有较大变化。
4.空穴也是一种载流子，但带正 电荷。
5.复合是激发 的反过程。
6.载流子的运动形式有两种：扩散 运动与 漂移 运动。
7.N型半导体中 电子为多数载流子，空穴 是少数载流子; P型半导体中 空穴为多数载流子，电子 是少数载流子;
8.本征半导体中掺入5价元素磷，成为 N型半导体；本征半导体中掺入3价元素硼，成为 P 型半导体；
9.载流子浓度差越大，扩散电流越 大 。 10.空间电荷区形成后，流过PN结的电流有两种：多数载流子形成的 集电极 电流和少数载流子形成的 放射极 电流。
11.当PN结外加正向电压（正向偏置）时，耗尽区变窄 ， 有
电流通过；而当外加反向电压（反向偏置）时，耗尽区变 宽 ， 没有电流流过或电流极小。
12.PN结的反向击穿又叫 热 击穿，分为 雪崩 击穿和 齐纳 击穿。
13.二极管用途： 整流 、 稳压 、 检波 、 开关 、 变容 。
14.齐纳二极管又叫 稳压管
15.二极管的主要参数之一反向峰值电流IRM，其值愈小，说明二极管的单向导电性能愈好。
三、判断题
1． 半导体中的空穴带正电。（ √ ）
2． 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（√ ）
3． P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ × ）
4． 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（ × ） 5． 稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为UZ。（ ×）
6. 若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。（ × ）
四、计算题
1. 稳压值为7.5V和8.5V的两只稳压管串联使用时，可得到几种不同的稳压值？各为多少伏？设稳压管正向导通压降为0.7V。
2. 稳压管接成图题4-2所示电路。已知稳压管的稳压值为6V，在下述4种情况下：
（1） VI =12V，R1=4KΩ，R2=8kΩ；
（2） VI =12V，R1=4KΩ，R2=4kΩ；
（3） VI =24V，R1=4KΩ，R2=2kΩ；
（4） VI =24V，R1=4KΩ，R2=1kΩ。
试确定输出电压VO的值。 图题4-2 3. 图题4-3所示电路中，设vI =（3+10sinωt）V，稳压管Dz1和Dz2的反向击穿电压分别为VZ1=5V，VZ2=7V，正向压降为0.7V。试画出iZ 和vO的波形（要求时间坐标对齐）。
图题4-3
4. 图题4-4所示电路中，稳压管2CW16具有下列特性：稳定电压9伏，耗散功率允许值250mW，稳压管电流小于1mA时不能稳压，且动态电阻不大于20Ω。试按电路中的参数计算：
（1） 当RL=1kΩ 时，电流IR、IZ、IL的大小；
（2） 当电源电压VI变化±20%时，VO最多变化几伏？
（3） 稳压管在VI和RL变化至何值时功耗最大？其值是否已超过允许值？（V的变化范围不超过±20%，RL可任意变化。）
（4） 按照图中的参数，分析该电路在IL大于何值时将失去稳压能力？
图题4-4
五、分析设计题
1 已知二极管2AP9的伏安特性如图题5-1（a）所示。
（1） 若将其按正向接法直接与1.5V电池相连，估计会出现什么问题？
（2） 若将其按反向接法直接与30V电源相连，又会出现什么问题？
（3） 分析二极管、稳压管在电路中常常与限流电阻相连的必要性。
（4） 画出两只2AP9二极管 [图题5-1（a）]在：同向串联、反向串联、同向并联、反向并联四种情况下的合成伏安特性曲线。
图题5-1
2 当用万用表电阻档测量二极管[参见图题5-1（b）]，分析：
（1） 所测得的电阻值是二极管的直流电阻还是动态（微变）电阻？
（2） 设万用表内电池电压为1.5V，R×10Ω档的内阻Riˊ为240Ω，R×100Ω档的内阻Riˊ=2.4kΩ。试用图解分析法估算：
a）用R×10Ω档测得的正向电阻值；
b）用R×100Ω档测得的正向电阻值。
从概念上说明， 为什么用不同电阻档测得的二极管正向电阻相差悬殊？
3 二极管的伏安特性曲线如图题5-3所示。
（1） 二极管承受的反向电压VRM为多少？ （2） 若温度升高20°C，则二极管的反向电流IS应为多大？
（3） 当温度升高20°C时，定性画出变化后的伏安特性曲线。 图题5-3
4 二极管的正向伏安特性曲线如图题5-4所示，室温下测得二极管中的电流为20mA。试确定二极管的直流电阻RD和动态电阻rd的大小。
图题5-4
5 分析图题5-5电路中，各二极管是导通还是截止？并求出A、O两端的电压VAO（设D为理想二极管）。
图题5-5
6 二极管接成图题5-6所示的电路，分析在下述条件下各二极管的通断情况。
（1） VCC1 =6V，VCC2=6V，R1=2kΩ，R2=3kΩ
（2） VCC1 =6V，VCC2=6V，R1= R2=3kΩ
（3） VCC1 =6V，VCC2=6V，R1=3kΩ，R2=2kΩ
设二极管D的导通压降VD=0.7V，求出D导通时电流ID的大小。
7 图题5-7电路中，设 vi =12sinωt V，分别画出iD、vD和vO的波形（要求时间坐标对齐），并将二极管电流iD的峰值和其所承受的反向峰值标于图中（假定D为理想二极管）。
图题5-6
图题5-7
8 图题5-8（a）所示电路中，D1、D2为硅管，导通压降VD均为0.7V，图题5-8（b）为输入vA、vB的波形，试画出 vO的波形。
图题5-8
9 图题5-8电路中，输入端vA、vB如按下述各种方法连接：
（1） vA接 + 2V，vB 接 + 5V；
（2） vA接 + 2V，vB 接-2V； （3） vA悬空， vB接 + 5V；
（4） vA 经3kΩ电阻接地，vB悬空。
试确定相应的输出vO =？。
