3、分类 光电二极管(PIN) 雪崩光电二极管(APD)
二、PIN光电二极管
1、结构
图3-13 光电二极管结构
2、工作原理画
PN结界面
电子和空穴 的扩散运动
内部电场N-----P 漂移运动
能带倾斜
当入射光作用在PN结时 如或果等光于子带的隙能( h量f ≥大E于g ) 发生受激吸收
在耗尽层
内部电场的作用,电子向 N区运动,空穴向P区运动
图 3 – 9 面发光型LED结构
② 边发光型LED结构 图3 - 10所示是采用双异质结InGaAsP/InP的边发 光型LED结构。 波长范围为1.3 μm 左右, 光束的水平反 散角为120°, 垂直反散角为25°~35°。 该型LED的 方向性好, 亮度高, 耦合效率高, 但发光面积小。
半导体激光器(LD)与发光二极管(LED)的比较
在光纤通信系统中, 最常用的光源器件便是半导体激 光器(LD)和发光二极管(LED), 二者均是用半导体材料构 成的, 能发出光波, 能通过调制技术携带数据信息, 实现 光传输。 这两种光源器件的比较见表3 - 1。 通过比较, 读者会进一步掌握这两种光源的异同及其应用。
光振荡的激励电流。某半导体激光器P - I曲线如图3 - 6 所示。
图 3 – 6 P - I曲
当激励电流I<Ith时, 有源区无法达到粒子数反转, 也无
法达到谐振条件, 自发辐射为主, 输出功率很小, 发出的是 荧光;
当激励电流 I>Ith时,有源区不仅有粒子数反转, 而且达
到了谐振条件, 受激辐射为主, 输出功率急剧增加, 发出的 是激光, 此时P - I曲线是线性变化的。 对于激光器来说, 要求阈值电流越小越好。
图 3 – 3 同质结砷化镓半导体激光器