封装介绍
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封装介绍
5/10、转移成型过程
1、芯片及完成互连的框架置于模具中； 2、将塑封料预加热后放入转移成型机转移罐中； 3、在一定温度和转移成型活塞压力作用下，塑 封料注射进入浇道，通过浇口进入模具型腔； 4、塑封料在模具内降温固化，保压后顶出模具 进一步固化。
6/10、去飞边毛刺
毛刺飞边是指封装过程中塑封料树脂溢出、贴带毛边、引 线毛刺等飞边毛刺现象。随着成型模具设计和技术的改 进，毛刺和飞边现象越来越少。
2/10、硅片切割Leabharlann 硅片切割机3/10、芯片贴装
• 芯片贴装又称芯片粘贴，是将IC芯片固定于封装 基板或引脚架承载座上的工艺过程。
• 芯片应贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘尺寸要
与芯片大小相匹配。 • 芯片贴装方式主要有四种：共晶
粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴 法和玻璃胶粘贴法。
3/10、芯片贴装
• 随着系统朝轻薄短小的方向发展，芯片封装后模块的厚度变得越来越薄，因 此，在封装之前，一定要将晶圆的厚度减薄到可以接受的程度，以满足芯片 装配的要求。
• 在硅片减薄的工序中，受力的均匀性将是关键，否则，晶圆很容易变形、开 裂。
• 如6英寸晶圆，厚度是675微米左右，减薄后一般为150微米。
1/10、硅片减薄
• 超声键合使金属丝与铝电极在常温下直接键合。 由于键合工具头呈楔形，故而又称楔压焊。
4/10、引线键合——超声键合
加压
超声压头
Al 丝
超声波振动
芯片电极
基板电极
1. 定位（第一次键合）
2. 键合
3. 定位（第2次键合）
拉引
4. 键合－切断
4/10、超声键合实物图
4/10、引线键合——热压键合
41 /10、引线键合——2 热压键合
芯片封装形式介绍
-39-芯片封装形式介绍●实用资料库芯片封装形式介绍1、通孔封装(1)D IP (双列直插式封装)此封装为常用封装形式,通常为有SH -D IP (收缩双列直插式封装)、S K -D IP (膜状双列直插式)、SL -D IP (细长双列直插式),引脚数都为偶数,常见为16、24、40脚等。
(2)D IP (单列直插式封装)此封装引脚排成一列,引脚数可为任意。
(3)ZIP (Z 字形直插式封装)双列,两列引脚错开。
(4)P GA (针栅阵列或柱形封装)芯片为四方形,引脚尺寸较小。
2.表面安装尺寸(1)小型封装(SO ,Small Outline )小外形封装(SO 或SO IC )通常有SO P 和SOJ 两种形式,前者引脚呈翼型,后者引脚为“J ”型,引脚间距通常为1.27mm 。
各类存储器大多用此类封装。
(2)四边扁平封装(Q FP ,Quad Flat Pack 2a g e )四边扁平封装(Q FP )有陶瓷封装(CQ FP )、塑料封装(PQ FP )和金属封装(MQ FP )三种形式,PQ FP出现取代了同样规格的有引线塑料芯片载体(PL CC ,Plastic LeadedChi p Carri 2er )。
与PL CC 不同的是,PQ FP 引脚通常呈翼形。
Q FP 普遍用于ASIC 、逻辑电路,广泛应用于300条引脚以内的封装,而其成本也较低。
(3)带载封装(TCP ,Ta p e Carrier Packa g e )与Q FP 相比,TCP 的引线间距可以做得很窄,而且外形可以做得更薄,因此,TCP 是比Q FP 更薄的高密度封装,可以用于高I/O 口数的ASIC 和微处理器。
(4)球栅阵列封装(B GA ,Ball Grid Arra y )与P GA 相比,B GA 是用焊料球来代替引脚。
由于多层布线衬底的不同,可有不同类型的B GA ,如陶瓷球栅阵列封装(CBA G ),带状球栅阵列封装(TB GA )、塑料球栅阵列封装(PB GA )和金属球栅阵列封装(MB GA )等。
集成电路封装技术
集成电路封装技术一、概述集成电路封装技术是指将芯片封装成实际可用的器件的过程，其重要性不言而喻。
封装技术不仅仅是保护芯片，还可以通过封装形式的不同来满足不同应用领域的需求。
本文将介绍集成电路封装技术的基本概念、发展历程、主要封装类型以及未来发展趋势等内容。
二、发展历程集成电路封装技术随着集成电路行业的发展逐渐成熟。
最早的集成电路封装形式是引脚直插式封装，随着技术的不断进步，出现了芯片级、无尘室级封装技术。
如今，随着3D封装、CSP、SiP等新技术的出现，集成电路封装技术正朝着更加高密度、高性能、多功能的方向发展。
三、主要封装类型1.BGA封装：球栅阵列封装，是一种常见的封装形式，具有焊接可靠性高、散热性好等优点。
2.QFN封装：裸露焊盘封装，具有体积小、重量轻、成本低等优点，适用于尺寸要求严格的应用场合。
3.CSP封装：芯片级封装，在尺寸更小、功耗更低的应用场合有着广泛的应用。
4.3D封装：通过将多个芯片垂直堆叠，实现更高的集成度和性能。
5.SiP封装：系统级封装，将多个不同功能的芯片封装在一起，实现更复杂的功能。
四、未来发展趋势随着物联网、人工智能等领域的兴起，集成电路封装技术也将迎来新的挑战和机遇。
未来，集成电路封装技术将朝着更高密度、更低功耗、更可靠、更环保的方向发展。
同时，新材料、新工艺和新技术的应用将为集成电路封装技术带来更多可能性。
五、结语集成电路封装技术是集成电路产业链中至关重要的一环，其发展水平直接关系到整个集成电路的性能和应用范围。
随着技术的不断进步，集成电路封装技术也在不断演进，为各个领域的技术发展提供了强有力的支撑。
希望本文能够帮助读者更好地了解集成电路封装技术的基本概念和发展趋势，为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
芯片封装介绍
一、什么叫封装封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。
因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
封装时主要考虑的因素：1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；3、基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP 公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP （薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装二、具体的封装形式1、 SOP/SOIC封装SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。
芯片的封装形式
芯片的封装形式芯片的封装形式是指将芯片组件封装在外壳中，以保护芯片并便于安装和使用。
芯片的封装形式有多种类型，每种封装形式都有其特点和适应的应用领域。
下面将介绍几种常见的芯片封装形式。
1. DIP封装（Dual In-line Package）：DIP封装是最早使用的一种芯片封装形式。
它的特点是引脚以两列直线排列在芯片的两侧，容易焊接和插拔。
DIP封装广泛应用于电子产品中，如电视机、音响等。
2. QFP封装（Quad Flat Package）：QFP封装是一种表面贴装技术（SMT）的封装形式，是DIP封装的一种改进。
QFP封装将引脚排列在芯片的四边，并且引脚密度更高，能够容纳更多的引脚。
QFP封装适用于集成度较高的芯片，如微处理器、FPGA等。
3. BGA封装（Ball Grid Array）：BGA封装是一种表面贴装技术的封装形式，与QFP封装类似，但是引脚不再直接暴露在外，而是通过小球连接到印刷电路板上。
BGA封装具有高密度、小体积和良好的电气性能等优点，广泛应用于高性能计算机、通信设备等领域。
4. CSP封装（Chip Scale Package）：CSP封装是一种尺寸与芯片近似的封装形式，将芯片直接封装在小型外壳中。
CSP封装具有体积小、重量轻和引脚密度高的特点，适用于移动设备、无线通信和消费电子产品等领域。
5. COB封装（Chip On Board）：COB封装是将芯片直接焊接在印刷电路板上的一种封装形式，是一种简化的封装方式。
COB封装具有体积小、可靠性高和成本低的特点，在一些低成本产品中得到广泛应用，如LED显示屏、电子称等。
除了以上几种常见的芯片封装形式，还有一些特殊封装形式，如CSP/BGA混合封装、QFN封装（Quad Flat No-leads）等。
这些封装形式的出现主要是为了应对芯片不断增加的功能需求和尺寸要求。
总的来说，芯片封装形式的选择取决于芯片的功能、尺寸和应用环境等因素。
半导体封装简介
EOL– Molding（注塑）
L/F L/F
Cavity
Molding Tool（模具）
➢EMC（塑封料）为黑色块状，低温存储，使用前需先回温。其特 性为：在高温下先处于熔融状态，然后会逐渐硬化，最终成型。
➢Molding参数：
Molding Temp：175~185°C；Clamp Pressure：3000~4000N； Transfer Pressure：1000~1500Psi；Transfer Time：5~15s； Cure Time：60~120s；
半导体封装简介
一、半导体封装介绍 二、封装主要原材料 三、封装工艺流程—IC芯片 四、封装工艺流程—功率模块
一、半导体封装介绍
1.1 半导体工艺流程
目前半导体材料已经发展到第三代，第一代以硅（Si）为代表材料；第二代以砷化镓（GaAs）为代表材料； 第三代以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为主流材料。目前Si仍然是半导体行业使用最多的材料。
二、封装原材料简介 2.1 wafer（晶圆）
【Wafer】晶圆
2.2 【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用； ➢主要材料为铜，会在上面进行镀银、NiPdAu等材料； ➢L/F的制程有Etch和Stamp两种； ➢易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; ➢除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame，BGA采用的是Substrate；
➢磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域， 同时 研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
常用元件封装形式
常用元件封装形式常用的元件封装形式有多种，每种形式适用于不同的应用和需求。
下面将介绍一些常见的元件封装形式及其特点。
1. 圆柱形封装（Axial package）：圆柱形封装适用于通过引脚连接的元件，例如二极管、电容器、电感等。
这种封装形式有一定的体积，较容易安装于面板或PCB上，并且容易进行焊接。
2. 表面贴装封装（Surface Mount Package）：表面贴装封装是目前常见的封装形式，特点是体积小、重量轻、可以高密度安装于PCB上，适用于高速电路和小型电子设备的需求。
常见的表面贴装封装有QFP（Quad Flat Package）、BGA（Ball Grid Array）、SOT（Small Outline Transistor）等。
3. 转接式封装（Dual in-line package，DIP）：转接式封装是早期常用的封装形式，特点是引脚两侧对称排列，并通过两个直插式插座安装于PCB上。
这种封装形式适用于需要频繁更换元件的应用，如实验室、教学等场合。
4. 焊接式封装（Through-Hole Package）：焊接式封装是最早使用的封装形式，适用于需要较大功率处理和较高的可靠性要求的元件。
由于焊接的强度较高，这种封装形式通常用于工业领域的电子设备。
5. 塑料封装（Plastic package）：塑料封装是一种经济实用的封装形式，适用于大批量生产和消费电子产品的需求。
常见的塑料封装有TO-92、SOP（Small Outline Package）、DIP等，具有体积小、稳定性好和可靠性高的特点。
6. 瓷封装（Ceramic package）：瓷封装适用于高温和高频率电路的需求，因为瓷封装具有较好的绝缘性能和热传导性能。
常见的瓷封装有TO-3、TO-220等，适用于功率放大器、稳压器等高功率元件。
7. 裸露芯片封装（Chip Scale Package，CSP）：裸露芯片封装是一种高密度封装形式，将芯片直接封装在PCB上，没有外部封装物。
简单介绍封装的定义和意义。
封装是指将电子器件进行外部包装和保护的过程。
在封装过程中，芯片和其他元器件被放置在一个特定的封装材料中，并通过焊接或粘合等方式固定在一块基板上。
封装材料可以是塑料、陶瓷或金属等，具体的选择取决于应用需求和要求。
封装不仅仅是将芯片和其他元器件放置在一个外壳中，它还包括对电子器件进行测试、标记和质量控制等步骤。
整个封装过程旨在确保电子器件的正常运行和可靠性。
封装的意义在于保护电子器件免受环境影响，提高其可靠性和稳定性。
同时，封装也方便了电子器件的安装和维修，使其更加适应实际应用的需求。
uson 封装技术 介绍
uson 封装技术介绍什么是封装技术？封装技术是一种将具体实现细节隐藏起来，通过简化接口，提供更高层次的抽象的方法。
它允许将数据和功能封装在一个独立的单元中，使得这个单元对外部不可见，从而提供了一种更好的实现模块化和可维护性的方式。
为什么需要封装技术？封装技术的主要目的是隐藏细节和实现，以及提供更高层次的抽象。
这对于复杂的系统来说尤为重要，因为隐藏细节可以提供更直观、更易于理解的界面，简化了系统的使用和维护。
此外，封装技术还可以提高代码的重用性和可测试性，使得开发人员可以更方便地构建和测试模块化的代码。
封装技术的实现方式封装技术的实现可以通过两种主要方式来进行：类和接口。
1. 类封装通过类的定义，可以将数据和功能封装在一个独立的单元中。
类提供了一个用于访问和操作这些数据和功能的接口，同时隐藏了具体的实现细节。
这使得类可以作为一个黑盒子，对外部提供一致的接口，从而简化了代码的编写和维护。
在类封装中，通常会使用访问修饰符来定义成员的可见性。
私有成员只能在类内部访问，而公共成员可以在类外部访问。
这种方式可以确保对外部隐藏不必要的细节，同时只暴露需要的接口。
2. 接口封装接口是另一种封装技术的实现方式。
接口定义了一组方法的规范，类可以实现这些接口来提供相应的功能。
接口封装通过将相关的方法组织在一起，提供了一种清晰、简洁的方式来定义和使用功能。
接口封装的主要好处是解耦。
通过接口，不同的类可以实现相同的接口，从而实现了代码的解耦合。
这使得系统更加灵活和可扩展，可以方便地替换或添加新的实现。
封装技术的优势封装技术带来了许多优势，使得它成为现代软件开发的重要组成部分。
1. 提高代码的可维护性：封装技术隐藏了实现细节，使得代码更易读、易理解。
这使得开发人员可以更快地定位和修复问题，提高代码的可维护性。
2. 促进模块化和重用：封装技术将数据和功能封装在一个独立的单元中，使得代码变得模块化。
这样，可以更方便地重用已有的代码，提高开发效率。
芯片常见的封装方式
芯片常见的封装方式随着电子科技的发展，芯片技术也在不断地进步和发展。
芯片是电子产品中最关键的部件之一，它的封装方式直接影响到芯片的性能和应用范围。
在现代电子领域中，芯片封装的种类繁多，本文将介绍常见的芯片封装方式。
一、DIP封装DIP (Dual In-line Package)是芯片封装中最常见的一种类型。
DIP封装是一种双行直插式封装，它的引脚排列在两排中间，每排有一些引脚。
DIP封装的优点是结构简单，容易制造，成本低廉，同时也容易进行手工焊接。
但是，由于DIP封装引脚的间距较大，其封装体积较大，不适合在高密度电路板上使用。
二、QFP封装QFP (Quad Flat Package)是一种方形封装，它的引脚排列在四个边上。
QFP封装可以分为LQFP (Low-profile Quad Flat Package)和TQFP (Thin Quad Flat Package)两种类型。
QFP封装的优点是体积小，引脚数量多，适用于高密度电路板。
但是，QFP封装的制造工艺较为复杂，成本较高，同时也不适合手工焊接。
三、BGA封装BGA (Ball Grid Array)是一种球形网格阵列封装。
BGA封装的引脚是由许多小球组成，它们排列在芯片的底部。
BGA封装的优点是引脚数量多，封装体积小，适用于高密度电路板，同时也具有良好的散热性能。
但是，BGA封装的制造工艺极为复杂，需要高精度的制造设备和技术，因此成本较高。
四、CSP封装CSP (Chip Scale Package)是一种芯片级封装，也称为芯片级封装。
CSP封装的特点是封装体积非常小，几乎与芯片本身大小相同。
CSP封装的优点是封装体积小，引脚数量少，适用于高密度电路板，同时也具有良好的散热性能。
但是，CSP封装的制造工艺非常复杂，需要高精度的制造设备和技术，因此成本非常高。
五、COB封装COB (Chip-on-Board)是一种将芯片直接贴在电路板上的封装方式。
28种芯片封装技术的详细介绍
28种芯片封装技术的详细介绍1、BGA|ball grid array也称CPAC(globe top pad array carrier)。
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，随后在个人计算机中普及。
最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为MPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC。
2、C-(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
3、COB (chip on board)COB (chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
4、DIP(dual in-line package)DIP(dual in-line package)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
欧洲半导体厂家多用DIL。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
芯片封装介绍
1.BGA(ball grid array)球形触点陈列,表面贴装型封装之一。
在印刷基板得背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板得正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200,就是多引脚LSI 用得一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如,引脚中心距为1.5mm 得360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0、5mm 得304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA 不用担心QFP 那样得引脚变形问题。
该封装就是美国Motorola 公司开发得,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初,BGA 得引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚得BGA。
BGA 得问题就是回流焊后得外观检查。
现在尚不清楚就是否有效得外观检查方法。
有得认为, 由于焊接得中心距较大,连接可以瞧作就是稳定得,只能通过功能检查来处理。
美国Motorola 公司把用模压树脂密封得封装称为OMPAC,而把灌封方法密封得封装称为GPAC(见OMPAC 与GPAC)。
2.BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫得四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一,在封装本体得四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器与ASIC 等电路中采用此封装。
引脚中心距0、635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3.碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 得别称(见表面贴装型PGA)。
4.C－(ceramic)表示陶瓷封装得记号。
例如,CDIP 表示得就是陶瓷DIP。
就是在实际中经常使用得记号。
5.Cerdip用玻璃密封得陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。
IC封装大全(图文全解)
芯片封装大全集锦详细介绍一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。
采用DI P封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。
当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。
DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB (印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。
2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。
Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache )和早期的内存芯片也是这种封装形式。
二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。
用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。
采用S MD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。
将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。
用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。
PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。
唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。
QFP/PFP封装具有以下特点：1.适用于SMD表面安装技术在P CB电路板上安装布线。
2.适合高频使用。
3.操作方便，可靠性高。
4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。
Intel系列CPU中80286 、80386和某些486主板采用这种封装形式。
三、PGA插针网格阵列封装PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。
(五)封装知识介绍
9
封装形式介绍 9、其它封装形式
SIP：单列直插式封装 SOT：小外形晶体管 SOIC：小外形集成电路，8-24引脚 DCA：芯片直接贴装 SOJ：J形引线小外形封装 LCC：无引线芯片承载封装 CGA：柱栅阵列封装 LGA：矩栅阵列封装 FCIP：倒装片封装 TAPP：纤薄阵列塑料封装
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Thank You!
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封装形式介绍 5、CSP（芯片尺寸封装） CSP（芯片尺寸封装）
特点： 满足了芯片管脚不断增加的需要。 芯片面积和封装面积之间的比值很小很小。 极大的缩短了延迟时间。 分类： Lead Frame Type：传统导线架形式。 Rigid Interposer Type：硬质内插板型。 Flexible Interposer Type ：软质内插板型。 Wafer Level Package：晶圆尺寸封装。
特点：管脚在芯片底部，一般为正方形。 插拔操作方便，可靠性高。 可适应更高的频率。 分类： CPGA：陶瓷针栅阵列封装。 PPGA：塑料针栅阵列封装。
4
封装形式介绍 4、BGA（球栅阵列封装） BGA（球栅阵列封装）
特点：管脚在芯片底部，一般为正方形。 引脚间距远大于QFP，提高了成品率。 可以改善电热性能。 信号传输延迟小，适应频率大大提高。 组装可用共面焊接，可靠性大大提高。 分类： CBGA：陶瓷球栅阵列封装。 PBGA：塑料球栅阵列封装。 TBGA：载带球栅阵列封装。 FC-BGA：倒装球栅阵列封装（包括FC-PBGA和FC-CBGA）。 EPBGA：增强的塑胶球栅阵列封装。
特点：一般为正方形，四边均有管脚。 表面安装技术（SMD）。 适合高频使用。 操作方便，可靠性高。 芯片面积与封装面积之间的比值小。 分类： CQFP：陶瓷四方扁平封装。 PQFP：塑料四方扁平封装。 SSQFP：自焊接式四方扁平封装。 TQFP：纤薄四方扁平封装。 SQFP：缩小四方扁平封装。
半导体封装形式介绍
半导体封装形式介绍1. Dual Inline Package (DIP)双列直插封装：DIP封装是最早也是最常用的封装形式之一、它具有两个平行的插座，通过焊接连接到电路板上，对于较大功率的应用有很好的散热性能。
由于体积较大，在高密度集成电路领域不常使用。
2. Quad Flat Package (QFP) 四边平封装：QFP封装采用均匀排列的焊盘，可有效降低封装尺寸和空间占用。
其较大的引脚数量适用于高密度集成电路，并且具有较好的散热性能。
QFP封装在电脑、手机等消费电子产品中广泛应用。
3. Ball Grid Array (BGA) 球型网格阵列封装：BGA封装是一种引脚排列在封装底部的封装形式。
它采用球形焊盘与电路板焊接，具有高密度和较低电感的优势，适用于高速和高频应用。
BGA封装在计算机芯片、射频模块等领域得到广泛应用。
4. Small Outline Integrated Circuit (SOIC) 小外延集成电路封装：SOIC封装采用了较小的引脚封装，使得器件更紧凑且易于安装在电路板上。
它适用于低电压和低功耗的应用，如音频放大器和传感器等。
SOIC封装在汽车和工业控制领域中广泛应用。
5. Chip Scale Package (CSP) 芯片尺寸封装：CSP封装是一种小型、轻型的封装形式，尺寸与芯片大致相当。
它具有较低的高频电感和电容，适用于高频应用和移动设备。
CSP封装通常由裸露芯片、覆盖层和引脚组成，是目前半导体封装领域的前沿技术。
6. System in Package (SiP) 系统封装：SiP是一种将多个芯片集成在一个封装中的封装形式。
它可以集成多个处理器、存储器、传感器等，从而提供更高的集成度和功能。
SiP封装可广泛应用于无线通信、物联网等领域。
除了上述常见的半导体封装形式，还有多层封装、系统级封装、立方封装等封装形式也在发展中。
这些封装形式都旨在提供更高的集成度、更好的散热性能和更小的尺寸，以满足不同应用的需求。
芯片封装大全(图文全解)
芯片封装大全集锦详细介绍一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。
采用DI P封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。
当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。
DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB (印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。
2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。
Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache )和早期的内存芯片也是这种封装形式。
二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。
用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。
采用S MD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。
将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。
用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。
PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。
唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。
QFP/PFP封装具有以下特点：1.适用于SMD表面安装技术在P CB电路板上安装布线。
2.适合高频使用。
3.操作方便，可靠性高。
4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。
Intel系列CPU中80286 、80386和某些486主板采用这种封装形式。
三、PGA插针网格阵列封装PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。
简单介绍封装的定义和意义
简单介绍封装的定义和意义封装是计算机编程中一个重要的概念，它指的是将数据和操作数据的方法捆绑在一起，形成一个整体，对外呈现为一个黑盒子。
封装的意义在于降低系统各部分之间的耦合度，提高代码的可重用性、可维护性和可扩展性。
在现实生活中，封装的例子比比皆是。
以汽车为例，驾驶员只需关注方向盘、油门和刹车等部件，而无需关心汽车的内部结构和工作原理。
这种封装使得汽车的使用变得更加简单、便捷。
在编程领域，封装的好处同样显著。
通过封装，开发者可以将复杂的逻辑和实现细节隐藏起来，只暴露简单的接口供其他部分调用。
这样，程序的各个模块可以独立开发、测试和修改，降低了模块间的耦合度，使程序更加稳定。
然而，封装也有一定的局限性。
过度封装可能导致代码的可读性降低，不利于后期的维护和优化。
因此，在实际编程中，我们需要在封装与可读性之间找到一个平衡点。
要在编程中实现封装，我们可以使用以下几种方法：1.使用面向对象编程（OOP）中的类和对象。
类是一种高级的封装形式，它将数据和操作数据的方法组织在一起，并提供了一个统一的接口。
通过创建对象，我们可以将类实例化，实现对数据的封装。
2.使用模块化和组件化开发。
将程序划分为若干独立的模块或组件，每个模块负责完成特定功能。
通过接口或事件驱动的方式，实现模块间的通信和协作。
3.遵循编程规范和设计模式。
编程规范和设计模式为我们提供了一组最佳实践，帮助我们更好地实现封装。
例如，遵循单一职责原则，每个类或模块只负责一个明确的功能；使用工厂模式，实现对象的创建和管理。
总之，封装是编程中不可或缺的概念。
通过合理地封装代码，我们可以提高程序的稳定性、可维护性和可扩展性。
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封装成型过程中，塑封料可能从模具合缝处渗出来， 流到外面的引线框架上，毛刺不去除会影响后续工艺。
6/10、去飞边毛刺
• 毛刺飞边去除工艺：
• 介质去毛刺飞边：
研磨料和高压空气一起冲洗模块，研磨料在去除毛刺 的同时，可将引脚表面擦毛，有助于后续上锡操作。
• 溶剂去飞边毛刺和水去飞边毛刺：
利用高压液体流冲击模块，利用溶剂的溶解性去除毛 刺飞边，常用于很薄毛刺的去除。
7/10、引脚上焊锡
• 上焊锡目的： 增加保护性镀层，以增加引脚抗蚀性，并增加 其可焊性。
上焊锡方法：电镀或浸锡工艺 电镀工艺:引脚清洗→电镀槽电镀→烘干
浸锡工艺:去飞边→去油和氧化物→浸助焊剂→
加热浸锡→清洗、烘干
8/10、切筋打弯
切筋成型其实是两道工序：切筋和打弯，通 常同时完成。 切筋工艺：切除框架外引脚之间的堤坝（dam bar）及在框架带上连在一起的地方； 打弯工艺：将引脚弯成一定的形状，以适合 装配的需要。
• 塑料(高分子材料)封装与陶瓷封装相比具有：
• 优点：成本低、薄型化、工艺较为简单、 适合自动化生产。 • 缺点：散热性、耐热性、密封性、可靠度 逊于陶瓷封装。
二、塑料封装基本流程
• 一般所说塑料封装，如无特别说明，都是指转移成型封装。 • 芯片封装在IC晶圆完成之后，主要工艺为：
硅片减薄
硅片切割
1 2 4/10、引线键合——热压键合
压头下降，焊球被锁定在端部中央
在压力、温度的作用下形成连接
3
4
压头上升
压头高速运动到第二键合点， 形成弧形
4/10、引线键合——热压键合
第一键合点的形状
5
6
4/10、引线键合——热压键合
在压力、温度作用下形成第二点连接
压头上升至一定位置，送出尾丝
7
8
夹住引线，拉断尾丝
粘结方式 共晶粘 贴法 焊接粘 结法 导电胶 粘结法 玻璃胶 粘结法 技术要点 技术优缺点 高温工艺、CTE失配 严重，芯片易开裂 金属共晶化 预型片和芯片背面 合物：扩散 镀膜 锡铅焊料 合金反应 环氧树脂 （填充银） 化学结合 绝缘玻璃胶 物理结合
背面镀金或镍，焊 导热好，工艺复杂， 盘淀积金属层 焊料易氧化 芯片不需预处理 粘结后固化处理 或热压结合 热稳定性不好，吸潮 形成空洞、开裂
在完成打码工序后，所有器件都要100％进行测 试。这些测试包括一般的目检、老化试验和最终的 产品测试。
谢谢观赏
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4/10、引线键合——超声键合
• 目前，通过铝丝进行引线键合大多采用超 声键合法。
• 超声键合采用超声波发生器产生的能量，通过磁致伸缩换 能器，在超高磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动，经 过变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动。同时在劈刀上施加 一定的压力。于是，劈刀就在这两种力的共同作用下使铝 丝和焊区两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键 合”，从而形成牢固的焊接。
芯片贴装
引线键合
测试
转移成型
打码
切筋打弯
引脚上焊锡
去飞边毛刺
1/10、硅片减薄
• • 硅片减薄是在专门的设备上，从晶圆背面进行研磨，将硅片减薄到适合封装 的程度。 由于晶圆的尺寸越来越大（从4英寸、5英寸、6英寸，发展到8英寸、甚至12 英寸），为了增加晶圆的机械强度，防止晶圆在加工过程中发生变形、开裂， 晶圆的厚度也一直在增加。 随着系统朝轻薄短小的方向发展，芯片封装后模块的厚度变得越来越薄，因 此，在封装之前，一定要将晶圆的厚度减薄到可以接受的程度，以满足芯片 装配的要求。 在硅片减薄的工序中，受力的均匀性将是关键，否则，晶圆很容易变形、开 裂。 如6英寸晶圆，厚度是675微米左右，减薄后一般为150微米。
5/10、转移成型过程
1、芯片及完成互连的框架置于模具中； 2、将塑封料预加热后放入转移成型机转移罐中； 3、在一定温度和转移成型活塞压力作用下，塑 封料注射进入浇道，通过浇口进入模具型腔； 4、塑封料在模具内降温固化，保压后顶出模具 进一步固化。
6/10、去飞边毛刺
毛刺飞边是指封装过程中塑封料树脂溢出、贴带毛边、引 线毛刺等飞边毛刺现象。随着成型模具设计和技术的改 进，毛刺和飞边现象越来越少。
2/10、硅片切割
硅片切割机
3/10、芯片贴装
• 芯片贴装又称芯片粘贴，是将IC芯片固定于封装 基板或引脚架承载座上的工艺过程。 • 芯片应贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘尺寸要 与芯片大小相匹配。
•
芯片贴装方式主要有四种：共晶 粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴 法和玻璃胶粘贴法。
3/10、芯片贴装
•
• •
1/10、硅片减薄
贴膜 切膜 减薄 测厚 揭膜
•将晶圆进行背面研磨，来减薄晶圆达到封装需要的厚度
（8mils~10mils）；
•磨片时，需要在正面贴胶带保护电路区域同时研磨背面。
2/10、硅片切割
晶圆安装 晶圆切割 清洗
•将晶圆粘贴在蓝膜上，使得即使被切割开后，不会散落； •通过切刀将整片晶元切割成一个个独立的芯片； •清洗主要清洗切割时候产生的各种粉尘。
9/10、打码
打码是在封装模块顶部印上去不掉的、字迹 清楚的字母和标识，包括制造商信息、国家、器 件代码等，主要是为了便于识别和可跟踪。打码 方法有多种，其中最常用的是印码（Print）方 法：包括油墨印码(ink marking)和激光印码 (Laser Marking)两种。
10/10、测试
4/10、引线键合——热超声键合
5/10、转移成型
热固性塑料转移成型工艺是将“热流道注塑”和“压力成 型” 组合工艺。传统热流道注塑成型中，熔体腔室中保 持一定的温度，在外加压力作用下塑封料进入芯片模具型 腔内，获得一定形状的芯片外形。
热固性聚合物：低温时聚合物是塑性或流动的，当加热 到一定温度时，聚合物分子发生交联反应，形成刚性固 体，并不能反复加热使之塑性流动，不可回收利用。
• 超声键合使金属丝与铝电极在常温下直接键合。 由于键合工具头呈楔形，故而又称楔压焊。
4/10、引线键合——超声键合
超声压头 Al 丝 加压 超声波振动 基板电极 芯片电极
1. 定位（第一次键合）
2. 键合
拉引
3. 定位（第2次键合）
4. 键合－切断
4/10、超声键合实物图
4/10、引线键合——热压键合
引燃电弧，形成焊球 进入下一键合循环源自4/10、引线键合——热压键合
第二键合点
4/10、引线键合——热压键合
球形焊点
契形焊点
丝球焊点形状
4/10、引线键合——热超声键合
• 热超声键合也叫做金丝球焊。热超声键合 和热压键合的原理基本相同，区别在于： • 热压键合采用加热加压； • 热超声键合采用加热加压加超声。
8/10、切筋打弯——打弯工艺
对于打弯工艺，最主要的问题是引脚变形。对于PTH装
配，由于引脚数较少且较粗，基本没有问题。对SMT装配来 讲，尤其是高引脚数目框架和微细间距框架器件，一个突 出的问题是引脚的非共面性（lead non Coplanarity）。
造成非共面性原因： (1)工艺过程处理不恰当 (2)成型后降温过程引起的框架翘曲
• 热压键合是通过加热和加压力，是焊区金 属发生塑性形变，同时破坏金属焊区界面 上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属 接触面的原子达到原子引力的范围，进面 通过原子吸引力，达到“键合”的目的. • 此外，金属界面不平整，通过加热加压可 使两金属相互镶嵌. • 但这种焊接使金属形变过大而受损，影响 焊接键合质量，限制了热压焊的使用。
上胶加热至玻璃熔 成本低、去除有机成 融温度 分和溶剂需完全
实例：共晶芯片粘贴法
4/10、引线键合
• 引线键合是将芯片电极面朝上粘贴在封装 基座或基板上后，用金丝、铝丝或铜丝将 芯片电极与引线框架或布线板电路上对应 的电极键合连接的工艺技术。 • 根据键合工艺分为：超声键合、热压键合 和热超声键合；
塑料封装
IC的封装形式
• • • • 按封装材料划分为： 塑料封装 金属封装 陶瓷封装
一、塑料封装介绍
二、塑料封装基本流程
一、塑料封装介绍
• 塑料封装是指对半导体器件或电路芯片采用树脂 等材料进行包装的一类封装塑料封装，一般认为 是非气密性封装。
• 塑料封装又分为上百种类型。 • 塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简 单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额；