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《CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能研究》篇一范文学术论文标题：CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能研究摘要：本文着重研究了CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电性能及储能性能。
通过实验测试和理论分析，探讨了其介电常数、介电损耗、击穿强度等关键参数，并对其储能密度、充放电性能等进行了深入研究。
本文旨在为该类型陶瓷材料在储能领域的应用提供理论支持和实践指导。
一、引言CaCu3Ti4O12基陶瓷作为一种新型功能材料，因其具有高介电常数、低介电损耗等优点，在储能领域具有广阔的应用前景。
研究其介电及储能性能，对于提高其在实际应用中的性能具有重要意义。
本文通过实验测试和理论分析，对CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能进行了深入研究。
二、实验方法与材料制备本实验采用传统固相反应法制备CaCu3Ti4O12基陶瓷。
首先，将原料按一定比例混合、球磨、干燥，然后进行预烧、成型和烧结等工艺过程。
在制备过程中，严格控制温度、时间和气氛等参数，以保证陶瓷材料的性能稳定。
三、介电性能研究1. 介电常数与介电损耗：通过测量不同频率下CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电常数和介电损耗，发现其介电常数随频率的增加而降低，而介电损耗则随频率的增加呈现先减小后增大的趋势。
这表明该材料在高频下具有较好的介电性能。
2. 击穿强度：通过测量击穿电压和击穿场强，发现CaCu3Ti4O12基陶瓷具有较高的击穿强度，表明其具有较好的绝缘性能。
四、储能性能研究1. 储能密度：通过测量不同电场下的充放电性能，发现CaCu3Ti4O12基陶瓷具有较高的储能密度。
随着电场的增加，储能密度逐渐增大，但当电场达到一定值时，储能密度趋于饱和。
2. 充放电性能：该材料具有较好的充放电性能，充放电过程中无明显的极化现象。
此外，该材料具有较快的充放电速度和较低的内耗。
五、结果讨论根据实验结果，CaCu3Ti4O12基陶瓷具有较高的介电常数、较低的介电损耗和较高的击穿强度，这使其在储能领域具有广阔的应用前景。
《B位施主-受主离子共取代制备高击穿场强CaCu3Ti4O12基陶瓷及其介电性能的研究》篇一B位施主-受主离子共取代制备高击穿场强CaCu3Ti4O12基陶瓷及其介电性能的研究一、引言随着电子技术的飞速发展，陶瓷材料在电力、电子、通信等领域的应用日益广泛。
其中，高击穿场强陶瓷材料因其出色的绝缘性能和介电性能，被广泛应用于高电压、高频率、高功率的电路中。
而CaCu3Ti4O12基陶瓷材料以其优异的物理性能和良好的应用前景，受到了广大科研工作者的关注。
然而，如何进一步提高其击穿场强和介电性能，仍是一个重要的研究课题。
二、B位施主/受主离子共取代制备技术针对上述问题，本研究采用B位施主/受主离子共取代技术来制备高击穿场强的CaCu3Ti4O12基陶瓷。
该技术通过在B位（即Ti位）引入施主离子和受主离子，以改变材料的电子结构和晶格结构，从而提高其击穿场强和介电性能。
施主离子通常具有较少的正电荷，能够向材料提供电子；而受主离子则具有较多的正电荷，能够从材料中吸引电子。
通过精确控制施主/受主离子的含量和种类，可以实现对材料电子结构和晶格结构的精确调控。
三、实验过程及材料制备在实验过程中，我们首先选择了适当的施主离子和受主离子。
考虑到与CaCu3Ti4O12基陶瓷的兼容性和实验条件，我们选择了Al3+、Cr3+等作为施主离子，以及Nb5+、Ta5+等作为受主离子。
然后，通过溶胶-凝胶法合成前驱体溶液，经过旋涂、烧结等工艺制备出CaCu3Ti4O12基陶瓷。
在制备过程中，我们严格控制了施主/受主离子的含量和种类，以确保制备出的材料具有优异的性能。
四、结果与讨论通过实验，我们成功制备出了B位施主/受主离子共取代的CaCu3Ti4O12基陶瓷。
与未改性的CaCu3Ti4O12陶瓷相比，其击穿场强和介电性能得到了显著提高。
具体来说，当施主/受主离子的含量达到一定比例时，材料的击穿场强可提高约30%，介电损耗则有所降低。
C aC u3T i 4012陶瓷制备和物性研究周彪(华北电力大学，河北保定071000)虞围抖夔喃要]C aC u3Ti 40，：(C C TO )是近年被广泛关注的一种非铁电性的新型高介电氧化物，采用传统的固相反应，通过对反应温度和恒温时间的组合，成功制备了巨介电常数陶瓷C aCu3T i 。
O ，。
样品，并对真合成温度，微观结构，烧结温度与微观结构关系，介电频谱进行分析。
联键词]巨介电常数；C aC u3Ti 。
O 。
：；介电频谱器件的高密度和小型化是驱动信息技术不断发展的动力以电容器作为动作元件的记忆器件，其小型化程度最终取决于铁电材料的相对介电常数E ’。
体心立方钙钛矿结构的CaC u3Ti 40，2材料具有极其高的介电常量和良好酶温度稳定特眭，Subram ani an 首次报道了CaCu3Ti 4012的介电性能，研究表明在1kH z 的介电常量高达12000，介电常量随温度的交化从室湿弱600K 萋本保持不变。
1实验方法j f!|用传统的固相反应T 艺制备，采用分析纯的CaC03(99．o ％)，C u0(99D ％)和Ti 02(99B ％)为霖料，按照相应的化学计量比混合并球磨，通过反应温度和恒温时间豹组合焙烧获得C a C u3丁i 40，：陶瓷样品。
将制备好的试样表面进行抛磨加工，制成10m m X 2m m 的样品并在样品的表面涂银浆后加热到550℃，从而获得可供测试豹镀银电极样品。
在1kH z 下测试介电性能，用X 光衍射仪作物相表征。
采用ZL 5型智能L C R 测量仪直接测量样品电容和介电损耗，电挢的基本精确度为0．05％，温度范围为80～300K 为了比较，利用锁相放大器灵敏度高、抗干扰性强的优点，实验中部分样品同时采用LC R 仪和M odel 5210型锁相放大器两种方法进行测量。
2实验缠粟分析与讨论2．1Caeu 艄12的夸成文献孛报遘的CaCuf fi 40，2的舍威条件差异很大，潼度从85a ℃．100[／'C ,懂温时问获咒啦时至咒‘誊昏时。
文献综述一、研究背景20世纪，固体电子学领域的一系列重大发现和发明，推动了信息电子产业的蓬勃发展，从而使人类社会开始了信息化的进程。
可以预见，21世纪上半叶，人类社会的信息化将会进入高潮期，并且走向信息社会的更高级阶段驱动信息技术不断发展的动力是器件的超高速，高密度和小型化。
介电材料介电常数的大幅提高，可以适应电子设备对高速电路的要求，并对电子产品的小型化和功能的扩大，计算机、电信工业的迅速发展，产生深远的影响。
介电常数高于1000的钙钛矿化合物大部分总是伴随着铁电和弛豫行为，从而使介电常数敏感于温度的变化，导致器件的稳定性降低在实际应用中有局限性。
现在研究较多的介电性能随温度变化比较稳定的材料包括有晶界层电容器材料和基于渗流理论效应采用导电相与绝缘相的复合材料。
前者一般的制各工艺比较复杂，处理温度比较高。
后者也需要采用2种以上材料进行复合，而且介电损耗会比较大。
最近文献报道了CaCu3Ti4O12 (简称ccro)具有反常的巨介电常数(104—105)和极低的损耗(约0．03)，特别是在很宽的温区范围内(100—400 K)介电常数值几乎不变，反映了介电响应的高热稳定性．”。
这些良好的综合性能，使其有可能成为在商密度能量存储、薄膜器件(如MEMS，GB．DRAM)、高介电电容器等一系列高新技术领域中获得广泛的应用。
可是，该类材料最大的反常还在于冷却到100 K以下介电常数发生急剧下降，x射线衍射(XRD)、拉曼散射和中子衍射分析没有发现任何长程结构上的相变。
以上这些特性至今也没有令人信服的解释。
目前，对于具有巨介电常数的CaCu3Ti4O12的研究中，不同学者所报道的实验介电常数还存在着数量级上的差别，在常温、IOKHz的频率条件下，W．S11测得介电常数的实验值约1500：M．A．Subramanian的实验结果从2000到12000不等；而且介电常数发生突变的温度值差别也很大。
这反映了不同的实验过程、实验方法和制各工艺对材料的介电性能起着明显的作用。
CaCu3Ti4O12介电陶瓷的掺杂及其介电性能研究的
开题报告
一、研究背景及意义
透明电子器件的发展推动了介电陶瓷材料的优化和应用。
CaCu3Ti4O12 (CCTO)是一种具有高比电容、低损耗和线性电容性能的新型介电陶瓷材料。
然而，CCTO存在着极高的电阻率和极低的荷载容量，同时其饱和极化电流也十分低。
这些特性限制了CCTO在实际应用中的性能和效率，因此对其进行掺杂以改善其电学性能至关重要。
二、研究内容及方法
本研究将对CCTO进行掺杂，通过比较不同掺杂元素对CCTO的电学性能的影响，找到合适的掺杂方式来改善其性能。
具体而言，我们将掺入La、K、Mg、Al、Cr等元素，并制备固态反应样品。
采用X射线衍射、扫描电子显微镜、热重分析等方法分析样品的结构、形貌和热稳定性，以及采用介电测试仪测试其介电性能，包括介电常数、介电损耗和电压依存性等。
三、预期结果与应用前景
本研究预期可以改进CCTO的电学性能，特别是提高其荷载容量和分析其极化机制。
这将有助于推动CCTO在电子设备领域的应用，比如在电容器、滤波器、天线和高频元件等方面。
此外，本研究也对材料掺杂和其性能的关系提供了一定的理论支持和实验数据。
《B位施主-受主离子共取代制备高击穿场强CaCu3Ti4O12基陶瓷及其介电性能的研究》篇一B位施主-受主离子共取代制备高击穿场强CaCu3Ti4O12基陶瓷及其介电性能的研究摘要：本文研究了B位施主/受主离子共取代制备高击穿场强CaCu3Ti4O12基陶瓷的方法，并对其介电性能进行了深入探讨。
通过施主和受主离子的共取代，成功制备了具有优异介电性能的陶瓷材料，并对其结构、形貌、电性能等方面进行了系统研究。
一、引言随着电子设备的快速发展，对高性能陶瓷材料的需求日益增长。
CaCu3Ti4O12（CCTO）基陶瓷因其高介电常数、低介电损耗等优点，在电子设备中具有广泛的应用前景。
然而，其击穿场强较低，限制了其在高压设备中的应用。
为了提高CCTO基陶瓷的击穿场强，本研究采用B位施主/受主离子共取代的方法，以期获得具有高击穿场强和优异介电性能的陶瓷材料。
二、实验方法1. 材料制备本实验选用CaCu3Ti4O12为基体材料，通过B位施主/受主离子共取代的方法，引入适量的离子以优化材料的性能。
制备过程中，采用传统的固相反应法，将原料按一定比例混合、研磨、压片、烧结，得到CCTO基陶瓷样品。
2. 性能测试对制备得到的陶瓷样品进行X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等结构分析，以及介电性能测试。
三、结果与讨论1. 结构分析XRD分析结果表明，施主/受主离子共取代后，CCTO基陶瓷的晶体结构保持不变，但仍发生了微小的晶格畸变。
SEM观察显示，共取代后的陶瓷样品具有致密的微观结构，晶粒尺寸均匀。
2. 介电性能在频率为1kHz~1MHz的范围内，对陶瓷样品的介电常数和介电损耗进行了测试。
结果表明，施主/受主离子共取代后，CCTO基陶瓷的击穿场强得到显著提高，同时介电常数和介电损耗均有所降低。
此外，还发现共取代后的陶瓷材料具有较好的温度稳定性。
3. 机制探讨施主/受主离子共取代可有效调节B位离子的价态和浓度，从而影响材料的电子结构和能带结构。
《B位施主-受主离子共取代制备高击穿场强CaCu3Ti4O12基陶瓷及其介电性能的研究》篇一B位施主-受主离子共取代制备高击穿场强CaCu3Ti4O12基陶瓷及其介电性能的研究一、引言随着电子技术的飞速发展，陶瓷材料在电子器件中的应用日益广泛。
其中，CaCu3Ti4O12（CCTO）基陶瓷因其优异的介电性能和稳定的物理化学性质，在高频、高温等复杂环境下表现出良好的应用前景。
然而，如何进一步提高其击穿场强，以适应更高电压、更大功率的电子设备需求，成为当前研究的热点问题。
本文以B位施主/受主离子共取代的方法，对CCTO基陶瓷进行改性，以提高其击穿场强和介电性能。
二、B位施主/受主离子共取代的原理及方法B位施主/受主离子共取代是指在CCTO基陶瓷的B位（即Ti 位）同时引入施主离子和受主离子，通过改变离子的价态和电荷分布，调整材料的电子结构和电性能。
这种方法可以在不改变材料晶体结构的前提下，有效地调整材料的电学性能。
具体实验方法包括：选择适当的施主离子和受主离子，通过固相反应法将它们引入CCTO基陶瓷中，制备出不同施主/受主离子比例的样品。
通过X射线衍射（XRD）等手段对样品的晶体结构进行分析，确保样品的晶体结构稳定。
三、实验结果与分析1. 样品制备与表征通过固相反应法成功制备了不同施主/受主离子比例的CCTO 基陶瓷样品。
利用XRD对样品进行晶体结构分析，发现施主/受主离子的引入没有改变CCTO基陶瓷的晶体结构，证明了B位施主/受主离子共取代方法的可行性。
2. 击穿场强与介电性能实验结果显示，B位施主/受主离子共取代可以有效提高CCTO基陶瓷的击穿场强。
随着施主/受主离子比例的增加，样品的击穿场强呈现出先增加后减小的趋势。
同时，样品的介电性能也得到了显著提高。
这主要是由于施主/受主离子的引入调整了材料的电子结构和电荷分布，从而改善了材料的电学性能。
3. 机制探讨B位施主/受主离子共取代提高击穿场强和介电性能的机制主要包括两个方面：一是施主/受主离子的引入可以调整材料的能带结构，降低电子在能带间的跃迁难度，从而提高材料的导电性能；二是施主/受主离子的引入可以改善材料的晶界结构，降低晶界电阻，从而提高材料的击穿场强和介电性能。
《CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能研究》篇一一、引言随着现代电子技术的飞速发展，陶瓷材料因其独特的物理和化学性质在电子器件中扮演着越来越重要的角色。
CaCu3Ti4O12基陶瓷作为一种新型的电子陶瓷材料，具有优异的介电性能和储能性能，因此在电容器、滤波器、传感器等电子设备中有着广泛的应用前景。
本文将针对CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能进行深入研究，以期为相关领域的研发和应用提供有益的参考。
二、CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电性能研究1. 介电常数与介电损耗介电性能是陶瓷材料的重要物理性质之一，而介电常数和介电损耗则是评价介电性能的两个关键指标。
在CaCu3Ti4O12基陶瓷中，介电常数的大小直接影响到电容器的容量，而介电损耗则关系到能量的损失和器件的效率。
因此，研究CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电常数和介电损耗具有重要意义。
通过实验测定，我们发现CaCu3Ti4O12基陶瓷具有较高的介电常数和较低的介电损耗。
这主要得益于其独特的晶体结构和良好的微观组织。
此外，我们还发现，通过调整掺杂元素和烧结工艺，可以进一步优化CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电性能。
2. 频率与温度稳定性在实际应用中，陶瓷材料的介电性能往往受到频率和温度的影响。
因此，研究CaCu3Ti4O12基陶瓷在不同频率和温度下的介电性能，对于评估其在实际应用中的可靠性具有重要意义。
我们发现，CaCu3Ti4O12基陶瓷在较宽的频率范围内表现出良好的介电性能稳定性。
同时，在一定的温度范围内，其介电性能也表现出较好的稳定性。
这表明CaCu3Ti4O12基陶瓷具有较好的频率和温度稳定性，适合应用于对介电性能稳定性要求较高的电子设备。
三、CaCu3Ti4O12基陶瓷的储能性能研究储能性能是衡量陶瓷材料在电能存储领域应用潜力的重要指标。
CaCu3Ti4O12基陶瓷因其高介电常数和低损耗特性，在电能存储方面展现出良好的应用前景。
《CaCu3Ti4O12介电陶瓷温度稳定性调控及机理研究》篇一一、引言随着电子技术的飞速发展，介电陶瓷在电子设备中的应用越来越广泛。
CaCu3Ti4O12（CCTO）介电陶瓷因其优异的介电性能和稳定的物理化学性质，在高频、高温、高功率等应用场景中表现出显著的优势。
然而，其温度稳定性仍有待提高以满足更严格的应用需求。
因此，对CCTO介电陶瓷的温度稳定性调控及机理研究具有重要的科学意义和应用价值。
二、CaCu3Ti4O12介电陶瓷概述CaCu3Ti4O12（CCTO）介电陶瓷是一种具有高介电常数的材料，其结构特点决定了其具有优异的介电性能。
然而，其介电性能的稳定性受温度影响较大，导致在实际应用中存在局限性。
为了改善这一问题，研究人员不断探索各种方法来提高CCTO介电陶瓷的温度稳定性。
三、温度稳定性调控方法（一）掺杂改性掺杂是提高CCTO介电陶瓷温度稳定性的常用方法。
通过在CCTO中掺入适量的其他元素，可以调整材料的晶体结构、电子结构和能带结构，从而提高其温度稳定性。
例如，通过掺杂稀土元素或过渡金属元素，可以改善CCTO的介电性能和温度稳定性。
（二）制备工艺优化制备工艺对CCTO介电陶瓷的性能具有重要影响。
通过优化制备工艺，如调整烧结温度、保温时间、气氛等参数，可以改善CCTO的微观结构和性能，从而提高其温度稳定性。
此外，采用先进的制备技术，如溶胶凝胶法、水热法等，也可以有效提高CCTO的温度稳定性。
（三）复合材料法将CCTO与其他具有优异性能的介电材料进行复合，可以充分利用各自的优势，提高复合材料的温度稳定性。
通过调整复合材料的组成和比例，可以优化其介电性能和温度稳定性。
此外，复合材料法还可以改善CCTO的机械性能和加工性能，拓宽其应用领域。
四、温度稳定性调控机理研究针对CCTO介电陶瓷的温度稳定性调控机理，研究人员进行了深入的研究。
通过对材料的晶体结构、电子结构和能带结构进行分析，揭示了掺杂改性、制备工艺优化和复合材料法对CCTO 温度稳定性的影响机制。
CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的研究CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的研究引言CaCu3Ti4O12（简称CCTO）是一种重要的多功能陶瓷材料，具有优异的介电性能。
随着其在电子工业、磁性材料和储能器件等领域的广泛应用，对其介电性能的研究变得尤为重要。
本文旨在系统地探讨CCTO陶瓷的介电性能、制备方法以及影响因素。
一、CCTO陶瓷的介电性能CCTO陶瓷具有极高的介电常数，通常在10^4至10^5之间。
这主要归因于CCTO中多个金属氧化物所引起的极化效应以及其特殊的晶体结构。
除了高介电常数外，CCTO还具有低损耗和温度稳定性高的特点，这使得它成为理想的介电材料。
二、CCTO陶瓷的制备方法目前，常用的制备CCTO陶瓷的方法主要有固相法、溶胶-凝胶法和水热法等。
其中，固相法是最常见的方法之一。
制备CCTO陶瓷的关键是合成高纯度的Ca、Cu、Ti原料，采用适当的配方和煅烧工艺进行反应。
溶胶-凝胶法和水热法相对较新，利用溶胶-凝胶方法可以得到具有优异性能的纳米CCTO陶瓷。
三、影响CCTO陶瓷介电性能的因素1. 元素配比：CCTO陶瓷的介电性能受到元素配比的影响。
不同比例的Ca、Cu、Ti元素会导致晶体结构和晶格常数的变化，进而影响其介电性能。
2. 烧结工艺：烧结温度和时间等热处理参数也会对CCTO陶瓷的介电性能产生重要影响。
合适的烧结工艺能够提高CCTO陶瓷的致密度和晶体结构的完整性，从而改善其介电性能。
3. 杂质控制：CCTO陶瓷的性能会受到杂质元素的影响。
一些常见的杂质元素，例如Fe、Mn等，会影响CCTO陶瓷的晶体结构和电子迁移率，从而降低其介电性能。
4. 粒径控制：CCTO陶瓷的颗粒粒径也会影响其介电性能。
较小的颗粒有助于提高陶瓷的致密度和晶体结构的完整性，从而提高其介电性能。
结论CCTO陶瓷作为一种高性能介电材料，在电子工业和储能器件领域具有广泛应用前景。
制备高性能CCTO陶瓷的关键是合适的制备方法和优化的工艺参数。
《B位施主-受主离子共取代制备高击穿场强CaCu3Ti4O12基陶瓷及其介电性能的研究》篇一B位施主-受主离子共取代制备高击穿场强CaCu3Ti4O12基陶瓷及其介电性能的研究一、引言近年来，CaCu3Ti4O12基陶瓷材料因其在高温超导材料、热障涂层和电子封装材料等领域中出色的物理性能而备受关注。
其中，其高击穿场强和优异的介电性能更是使其在高压电容器和脉冲功率器件等应用中具有巨大的潜力。
然而，要实现CaCu3Ti4O12基陶瓷的高性能，对其内部结构和组成的研究是关键。
B位施主/受主离子共取代作为一种有效的材料改性手段，被广泛应用于优化陶瓷材料的性能。
本文旨在研究B位施主/受主离子共取代对CaCu3Ti4O12基陶瓷的击穿场强和介电性能的影响。
二、B位施主/受主离子共取代的原理与方法在陶瓷材料中，B位离子主要指的是构成晶格八面体配位位置的金属离子。
施主离子具有更高的化合价，当它们替代B位离子时，会因电荷不平衡而引入额外的电子。
相反，受主离子具有较低的化合价，替代B位离子时会导致晶格中产生空穴。
通过控制施主和受主离子的比例和种类，可以实现对材料性能的优化。
本文选择适当的施主/受主离子对进行共取代，通过调整它们的含量比例，探究其对CaCu3Ti4O12基陶瓷的击穿场强和介电性能的影响。
在实验过程中，我们采用了传统的固相反应法进行陶瓷的制备。
三、实验过程与结果分析（一）实验过程首先，根据所需施主/受主离子的种类和比例，计算出每种原料的配比并混合均匀。
接着进行高温烧结，制备出CaCu3Ti4O12基陶瓷。
然后对制备出的陶瓷进行性能测试，包括击穿场强和介电性能等。
（二）结果分析实验结果表明，B位施主/受主离子共取代可以有效提高CaCu3Ti4O12基陶瓷的击穿场强和介电性能。
通过调整施主/受主离子的比例，可以实现对陶瓷材料性能的优化。
此外，我们还发现施主/受主离子的种类对陶瓷的性能也有显著影响。
不同种类的离子在替代B位离子时，会产生不同的电子和空穴浓度，从而影响陶瓷的电学性能。
《CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能研究》篇一一、引言随着电子技术的飞速发展，陶瓷材料因其独特的物理和化学性质在众多领域中得到了广泛的应用。
CaCu3Ti4O12基陶瓷作为一种典型的复相材料，具有优良的介电和储能性能，因此在高能量存储和能量转换等领域具有重要的应用前景。
本文将对CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能进行深入的研究和分析。
二、CaCu3Ti4O12基陶瓷的结构特点CaCu3Ti4O12基陶瓷属于一种复杂的复合材料体系，其晶体结构独特，具有良好的稳定性。
在组成中，Cu、Ca、Ti等元素形成了稳定的钙钛矿结构，其复杂的离子排布及独特的相界使得CaCu3Ti4O12基陶瓷在电性能方面表现出独特的特点。
三、介电性能研究介电性能是评价材料电子元器件性能的重要参数之一，CaCu3Ti4O12基陶瓷具有优良的介电性能。
首先，通过对不同温度下CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电常数进行测量，发现其介电常数随温度变化呈现出明显的变化趋势。
此外，在不同频率下对介电性能进行研究，发现该材料在高频区域表现出良好的频率稳定性。
这主要归因于其晶体结构的稳定性和特殊的电子结构。
此外，还发现CaCu3Ti4O12基陶瓷具有较高的绝缘电阻，使其在实际应用中具有良好的绝缘性能。
四、储能性能研究CaCu3Ti4O12基陶瓷的储能性能是其重要的应用领域之一。
通过对其充放电过程中的电场强度、储能密度等参数进行测量和分析，发现该材料具有较高的储能密度和优异的充放电性能。
这主要归因于其较高的介电常数和较低的介质损耗。
此外，通过改变材料中元素的含量及掺杂等因素，可实现对CaCu3Ti4O12基陶瓷储能性能的优化。
同时，该材料还具有优异的循环稳定性和热稳定性，使其在高温和高频率等恶劣环境下仍能保持良好的储能性能。
五、结论本文对CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能进行了深入的研究和分析。
结果表明，该材料具有优良的介电和储能性能，这为其在高能量存储和能量转换等领域的应用提供了广阔的前景。
《CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能研究》篇一范文学术论文标题：CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能研究摘要：本文针对CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电性能和储能性能进行了系统的研究。
通过分析该类陶瓷材料的物理性质、介电特性以及在不同电场下的储能行为，探讨了其潜在的应用价值。
本文首先介绍了CaCu3Ti4O12基陶瓷的制备工艺和材料特性，接着分析了其介电性能的测量方法和结果，最后对其储能性能进行了深入研究。
研究结果表明，CaCu3Ti4O12基陶瓷具有优异的介电性能和储能性能，为该类材料在电子器件和储能器件中的应用提供了重要的理论依据。
一、引言随着电子技术的飞速发展，对陶瓷材料的研究和应用逐渐引起了广泛关注。
CaCu3Ti4O12基陶瓷作为一种具有重要应用潜力的新型陶瓷材料，其介电性能和储能性能的研究对于推动电子器件和储能器件的发展具有重要意义。
本文旨在通过对CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能进行深入研究，为该类材料的应用提供理论依据。
二、CaCu3Ti4O12基陶瓷的制备工艺与材料特性2.1 制备工艺CaCu3Ti4O12基陶瓷的制备主要采用传统的固相反应法。
首先，将原料按照一定比例混合、球磨、干燥、预烧，然后进行成型、烧结等工艺，最终得到CaCu3Ti4O12基陶瓷样品。
2.2 材料特性CaCu3Ti4O12基陶瓷具有高介电常数、低损耗、良好的温度稳定性等优点。
其晶体结构为钙钛矿结构，具有较高的离子电导率和良好的电化学稳定性。
此外，该材料还具有较高的击穿强度和较低的漏电流，使得其在储能器件中具有潜在的应用价值。
三、介电性能的测量与结果分析3.1 介电常数的测量采用电容法测量了CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电常数。
在不同频率下，测量了该材料的介电常数，并分析了频率、温度等因素对介电常数的影响。
3.2 介电损耗的测量通过介电损耗测量仪，测量了CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电损耗。
《CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能研究》篇一一、引言陶瓷材料作为电容器材料中一类重要的代表，在当今电子工程、材料科学以及微电子领域得到了广泛的研究与应用。
而其中，CaCu3Ti4O12基陶瓷，由于其出色的电性能、机械性能以及相对廉价的制备成本，已经成为科研工作者的重点研究对象。
本文主要研究该类陶瓷的介电及储能性能，探讨其性能与微观结构的关系，以期为实际生产和应用提供理论支持。
二、CaCu3Ti4O12基陶瓷的制备与表征首先，本文对CaCu3Ti4O12基陶瓷的制备工艺进行了详细的描述。
该制备过程主要包括原材料的选取、配比、混合、成型和烧结等步骤。
同时，采用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段对所制备的陶瓷进行了结构和形貌的分析，验证了陶瓷样品的相纯度和结构特征。
三、介电性能的研究1. 测试方法与数据：在测试CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电性能时，主要采用阻抗谱仪等测试手段，分析了其频率响应特性和温度依赖性。
对不同工艺条件下的样品进行介电测试，得到其介电常数和损耗等关键数据。
2. 介电常数的解析：对于所获得的介电数据，通过结合实际理论分析，进一步探索其产生原因。
详细探讨了晶体结构、微粒组成等因素对介电常数的影响，同时通过模型对数据进行了解析和验证。
四、储能性能的研究1. 测试方法与结果：本文采用循环伏安法等方法对CaCu3Ti4O12基陶瓷的储能性能进行了研究。
测试了其在不同电场下的充放电过程，分析了其储能密度、充放电效率等关键参数。
2. 储能机制的分析：结合实验结果和理论分析，探讨了该类陶瓷的储能机制。
从微观角度出发，分析了其晶格结构、电子传输等特性对储能性能的影响。
同时，还研究了该类陶瓷在不同温度和频率下的储能性能变化规律。
五、结论与展望本文通过对CaCu3Ti4O12基陶瓷的介电及储能性能的研究，揭示了其良好的电性能、高储能性能和稳定性能的特点。
从晶体结构、微粒组成和充放电过程等角度探讨了这些性能的产生原因和影响因素。
第27卷 第11期 无 机 材 料 学 报Vol. 27No. 112012年11月Journal of Inorganic Materials Nov., 2012收稿日期: 2012-01-05; 收到修改稿日期: 2012-03-15基金项目: 国家自然科学基金(50972118) National Natural Science Foundation of China(50972118) 作者简介: 杨 雁(1984−), 女, 博士. E-mail:ffmrain@文章编号: 1000-324X(2012)11-1185-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.12012CaCu 3Ti 4O 12陶瓷深陷阱松弛特性研究杨 雁1, 李盛涛2, 李 晓2, 吴高林1, 王 谦1, 鲍明晖1(1. 重庆市电力公司 电力科学研究院 重庆 401123; 2. 西安交通大学 电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049)摘 要: 研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu 3Ti 4O 12陶瓷深陷阱松弛特性. 测试了CaCu 3Ti 4O 12陶瓷在频率为0.1~107 Hz, 温度为–100~100℃的范围内的介电频谱及温谱. 通过对不同温度下介电频谱的分析, 研究了双Schottky 势垒结构中深陷阱松弛特性. 研究表明：在交流小信号作用下, 由于Schottky 势垒中深陷阱与Fermi 能级的上下关系发生变化, 引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程, 在介电频谱中表现为松弛峰; 并且由介电谱的分析结果可得深陷阱能级等微观参数. 比较不同试样的深陷阱参数可知：在CaCu 3Ti 4O 12陶瓷中, 在导带以下约0.52和0.12 eV 的能级处存在由本征缺陷产生的深陷阱. 介电温谱与频谱的分析类似, 二者可以互为补充. 关 键 词: CaCu 3Ti 4O 12陶瓷; 介电频谱; 松弛特性; Schottky 势垒 中图分类号: TM283 文献标识码: AInvestigation on Relaxation Properties of Deep Bulk Trap inCaCu 3Ti 4O 12 ceramicsYANG Yan 1, LI Sheng-Tao 2, LI Xiao 2, WU Gao-Lin 1, WANG Qian 1, BAO Ming-Hui 1(1. Chongqing Electric Power Research Institute, Chongqing 401123, China; 2. State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)Abstract: The relaxation properties of deep bulk trap in CaCu 3Ti 4O 12 ceramics prepared by solid state reaction andcoprecipitation method were investigated. Dielectric spectra at frequency from 0.1 Hz to 107 Hz and in the tem-perature range from –100℃ to 100℃ were measured. With the analysis of dielectric spectra at different temperature, deep bulk trap relaxation in double Schottky barrier was studied. The relative position between deep bulk trap and Fermi level changed in double Schottky barrier under small AC signal, resulted in electron emission and capture of deep bulk trap, namely relaxation, which exhibited as a peak in dielectric frequency spectra. Furthermore deep bulk trap level, can be received based on frequency spectra analysis. Compared with the parameters of different samples, it is found that there exist deep bulk traps caused by interior defect at the levels with 0.52 eV and 0.12 eV lower than conduction band. The analysis of dielectric temperature spectra is similar, which can be complement for dielectric frequence spectra analysis.Key words: CaCu 3Ti 4O 12; dielectric spectra; relaxation properties; schottky barrierCaCu 3Ti 4O 12陶瓷是一种巨介电常数材料[1], 然而相对较高的介电损耗值制约其作为高储能密度材料的应用. 近年来, 学者们探索了多种降低CaCu 3Ti 4O 12陶瓷的介电损耗的方法, 包括掺杂[2-8]、复合[9]或者湿化学法[10-11]等, 但效果并不理想, 陶瓷的介电常数下降明显或者损耗降低不明显. 因此, 还需要对1186 无机材料学报第27卷CaCu3Ti4O12陶瓷内部松弛过程进行深入研究, 只有明确介电损耗的微观来源, 才能对损耗进行有效调控. 而现阶段, 对于CaCu3Ti4O12陶瓷电子结构的研究尚处于起步阶段, 对其势垒及陷阱松弛过程的影响更是缺乏研究.事实上, 对CaCu3Ti4O12陶瓷非线性特性[12]及扫描凯尔文探针显微镜[13]的研究已经证实CaCu3Ti4O12陶瓷晶界处势垒的存在[14-22]. 而压敏陶瓷的双Schottky势垒以及由势垒结构决定的电子输运及松弛过程, 对压敏陶瓷特性具有极为重要的影响[23]. 特别是在交流小信号作用下, 耗尽层边缘深陷阱的电子发射与俘获过程, 即深陷阱的松弛特性对压敏陶瓷的介电特性具有决定性作用[23-24].本工作通过测试及分析CaCu3Ti4O12陶瓷的介电频谱及温谱, 研究交流小信号作用下的深陷阱松弛的介电谱表现及微观参数.1 实验1.1 CaCu3Ti4O12陶瓷的制备采用固相反应法和共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷作为研究对象. CCTO-S试样由固相反应法制备, 为了避免过大或过多的气孔影响陶瓷的性能, 采用Cu与Ti均过量的配方[25]. CCTO-A、CCTO-B和CCTO-C试样由固相反应法制备, 其Ca、Cu混合反应溶液的pH值分别为5.10、5.20和5.60[26]. 通过反应溶液pH值的改变, 调节陶瓷内部结构特性, 获得不同的电性能.试样尺寸均为φ10 mm×1 mm的陶瓷片, 将两端面打磨光滑, 溅射Au电极, 测试介电性能.1.2 CaCu3Ti4O12陶瓷松弛特性的测试采用Novocontrol宽带介电谱测试系统, 测试CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1~107 Hz, 温度为−100~100℃范围内的介电频谱及温谱.2 实验结果与讨论2.1 CaCu3Ti4O12陶瓷的频率特性CCTO-S、CCTO-A、CCTO-B和CCTO-C试样在0.1~107 Hz频率范围, −100~100℃温度范围内的介电频谱(ε″~f ), 如图1所示. 由图1可知, 以20℃为例, CCTO-S和CCTO-A试样的介电谱分别在102Hz和105Hz出现A、B两个松弛峰, 如图1 (a)、(b)中箭头所示; 而CCTO-B和CCTO-C试样只能看到明显的B松弛峰. 因此, 需要在合适的温度范围对松弛峰进行分解, 才能表征出A峰和B峰的特性.图1 CaCu3Ti4O12陶瓷的介电频谱Fig. 1 Dielectric frequency spectra of CaCu3Ti4O12 ceramics第11期杨 雁, 等: CaCu 3Ti 4O 12陶瓷深陷阱松弛特性研究 11872.2 深陷阱松弛的介电谱表征在压敏陶瓷的晶界处, 存在大量界面态, 俘获负电荷后使得界面处电势上升, 为了达到电中性条件, 界面两侧聚集补偿的正电荷, 由此形成背靠背Schottky 势垒[23].在偏压为零的交流小信号作用下, V (t )=V 0+Ve i ωt , eV ≤ kT (V 0=0), 双Schottky 势垒的基本形貌未发生明显变化, 只是深陷阱能级与Fermi 能级的交点位置x , 随电压增减向两边移动, 由此带来深陷阱的电子俘获和发射. 当电压下降时, 交点位置x 向远离势垒的方向移动, 一部分原先位于Fermi 能级以上的深陷阱将位于Fermi 能级之下, 同时俘获电子; 同样, 当电压上升时, 一部分原先位于Fermi 能级以下的深陷阱将位于Fermi 能级之上, 同时发射电子. 这种电子发射和俘获即为电子松弛过程, 如图2所示. 通过对产生附加电流j d 的计算, 可以得到这种松弛过程为Debye 型[23].而在实测的介电谱中, 不仅含有松弛极化的响应, 还有电导的贡献, 再考虑多种陷阱的共同作用, 则ε″可以表示为:010012(1)100π()cos 2π12()sin ()2i i i i ni i i i ii k k αααααωτεωαωτωτ−−−=′′=+++∑(1) 因此可以根据介电谱的分解, 得到单个过程的k i 、τ0i 等特征参数, 以表征其微观特性.图2 交流小信号作用下的Schottky 势垒[23] Fig. 2 Schottky barrier under small AC signal [23]由于陷阱发射率e n 与温度之间的关系为0d c 011exp[()/]n n E E kT e e τ==−− (2)则对于不同温度下的松弛时间τ0, 有0d c o 1ln [()/]ln n E E k e Tτ−=−+ (3)因此, 根据不同温度下的介电频谱分解得到的τ0i , 做出ln τ0i ~1/T 曲线, 由曲线斜率即可得第i 种深陷阱能级位置E d –E c .2.3 CaCu 3Ti 4O 12陶瓷深陷阱能级的表征按照式(1) (n =2)分解图1所示的CaCu 3Ti 4O 12陶瓷介电频谱, 温度为−40℃的分解结果如图3所示. 由图3可知, CaCu 3Ti 4O 12陶瓷的介电频谱可以分解为两个松弛过程和电导叠加的结果, −40℃时分解得到的参数如表1所示.由于CCTO-B 和CCTO-C 试样中的A 松弛峰被掩盖, 表现并不明显, 因此分解得到的A 松弛峰特征参数不够准确, 不对其进行讨论.对比CCTO-A 、CCTO-B 和CCTO-C 试样的B 松弛峰可知, CCTO-C 试样的B 松弛峰峰值明显低于CCTO-A 和CCTO-B 试样. 这是由于B 松弛峰由CaCu 3Ti 4O 12晶粒本身产生, 而CCTO-C 试样中存在第二相TiO 2[26], 使得CaCu 3Ti 4O 12相的体积分数降低, 最终导致陶瓷的整体介电响应降低.将A 、B 松弛峰在不同温度下得到的τ0i 值做成ln τ0i ~1/T 曲线, 如图4所示, 由式3可得深陷阱的能级位置. 结果表明: CCTO-S 和CCTO-A 试样A 松弛峰对应的深陷阱能级位置分别为0.60和0.44 eV , 少许差异是由于松弛峰表现不够明显、分解带来的误差而致. CCTO-S 、CCTO-A 、CCTO-B 和CCTO-C 试样B 松弛峰对应的深陷阱能级位置分别为0.12、0.11、0.11和0.12 eV .由于四种试样中的杂质含量不同, 并且CCTO-C 试样中还存在第二相TiO 2, 但其中深陷阱的活化能并未发生变化, 表明这两处深陷阱为CaCu 3Ti 4O 12的本征缺陷. 由此可得知, 在CaCu 3Ti 4O 12陶瓷中, 在导带表1 CaCu 3Ti 4O 12压敏陶瓷松弛特性参数(−40℃)Table 1 Relaxation properties parameters of CaCu 3Ti 4O 12 ceramics (−40℃)Sample α 0 α 1 α2 k 0 k 1 k 2 t 1 t 2CCTO-S −0.45 0.06 0.47 2625 4.89×104 2.56×104 1.47×10−5 3.67×10−2 CCTO-A −0.27 0.05 0.46 418 1.24×104 1.93×103 1.66×10−6 8.18×10−3 CCTO-B −0.60 0.05 0.66 4241 1.11×104 1.00×104 1.81×10−6 2.30 CCTO-C−0.860.08 0.5737812.43×103 1.45×1049.31×10−7101188无 机 材 料 学 报 第27卷图3 CaCu 3Ti 4O 12陶瓷介电频谱的分解(−40℃)Fig. 3 Dielectric property analysis of CaCu 3Ti 4O 12 ceramics (−40℃)图4 CaCu 3Ti 4O 12陶瓷的ln τ0i ~1000/T 曲线 Fig. 4 ln τ0i ~1000/T curves of CaCu 3Ti 4O 12 ceramics以下约0.52和0.12 eV 处存在本征缺陷. 根据CaCu 3Ti 4O 12的n 型导电本质[12], 这两处本征缺陷应为施主能级. 但是, 目前由于对于CaCu 3Ti 4O 12的能带结构认识不够深刻, 对其禁带宽度尚未得到统一的结果[27-30], 对其中施主能级的位置更是缺乏研究, 要确定这两处本征缺陷的本质还需要进一步研究.2.4 CaCu 3Ti 4O 12陶瓷深陷阱松弛的温度特性CCTO-A 试样在−100~100℃温度范围、 0.1~107Hz 频率范围内的介电温谱σ~T 曲线如图5所示.由图5可知, 在CCTO-A 试样的介电温谱中, 也出现两个松弛峰, 标记为A 峰和B 峰, 只是B 峰出现的温度较低, 在测量范围内表现得不够明显, 在温谱中不易分析.图5 CCTO-A 试样的介电温谱Fig. 5 Dielectric temperature spectra of sample CCTO-A第11期杨 雁, 等: CaCu 3Ti 4O 12陶瓷深陷阱松弛特性研究 1189图6为CCTO-A 试样的ln f ~1000/T m 曲线, 得到深陷阱能级位置为0.52 eV , 这与介电频谱中得到0.44 eV 接近. 由于松弛峰相互重叠, 影响陷阱能级的分析结果. 因此, 介电温谱同介电频谱一样, 也可以表征深陷阱能级, 二者可以相互补充.图6 CCTO-A 试样的ln f ~1000/T m 曲线 Fig. 6 ln f ~1000/T m curve of CCTO-A3 结论1) 在交流小信号作用下, Schottky 势垒结构中深陷阱与Fermi 能级的上下关系发生变化, 由此引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程, 在介电频谱中表现为松弛峰.2) 根据松弛时间与温度的关系, 可以从介电谱得到深陷阱能级位置.3) 通过对不同CaCu 3Ti 4O 12陶瓷试样介电谱的分析可以得到, 在其导带以下约0.52和0.12 eV 处存在本征缺陷.4) 在温度特性中难以分析的B 松弛峰在频率特性中更易分析, 由此介电温谱同介电频谱的分析可以互为补充.5) 虽然现在尚未确定深陷阱对应的本征缺陷, 但是从频谱中可以看出, B 松弛峰即0.12 eV 对应的本征缺陷是CaCu 3Ti 4O 12陶瓷高频处产生高介电常数的原因. 这也为研究并控制CaCu 3Ti 4O 12陶瓷的高介电常数提供了参考.参考文献:[1] Subramanian M A, Li D, Duan N, et al . High dielectric constant inACu 3Ti 4O 12 and ACu 3Ti 3FeO 12 phases. Journal of Solid State Chemistry , 2000, 151(2): 323–325.[2] Grubbs R K, Venturini E L, Clem P G , et al . Dielectric and mag-netic properties of Fe- and Nb-doped CaCu 3Ti 4O 12. Physical Re-view B (Condensed Matter and Materials Physics ), 2005, 72(10): 104111–1–11.[3] Patterson E A, Kwon S, Huang C C, et al . Effects of ZrO 2 addi-tions on the dielectric properties of CaCu 3Ti 4O 12. Applied Physics Letters , 2005, 87(18): 182911–1–3.[4] Choi S W, Hong S H, Kim Y M. Effect of Al doping on the electricand dielectric properties of CaCu 3Ti 4O 12. Journal of American Ce-ramic Society , 2007, 90(12): 4009–4011.[5] Shao S F, Zhang J L, Zheng P, et al. High permittivity and low di-electric loss in ceramics with the nominal compositions of CaCu 3-x La 2x /3Ti 4O 12. Applied Physics Letters , 2007, 91(4): 042905–1–3.[6] Mu C H, Liu P, He Y , et al . An effective method to decrease di-electric loss of CaCu 3Ti 4O 12 ceramics. Journal of Alloys and Com-pounds , 2009, 471(1/2): 137–141.[7] Kwon S, Huang C C, Patterson E A, et al . The effect of Cr 2O 3,Nb 2O 5 and ZrO 2 doping on the dielectric properties of CaCu 3Ti 4O 12. Materials Letters , 2008, 62(4/5): 633–636.[8] Smith A E, Calvarese T G, Sleight A W, et al . An anion substitutionroute to low loss colossal dielectric CaCu 3Ti 4O 12. Journal of SolidState Chemistry , 2009, 182(2): 409–411.[9] Kobayashi W, Terasaki I. CaCu 3Ti 4O 12/CaTiO 3 composite dielec-trics: Ba/Pb-free dielectric ceramics with high dielectric constants. Applied Physics Letters , 2005, 87(3): 032902–1–3.[10] Guillemet F S, Lebey T, Boulos M, et al . Dielectric properties ofCaCu 3Ti 4O 12 based multiphased ceramics. Journal of the European Ceramic Society , 2006, 26(7): 1245–1257.[11] Marchin L, Guillemet-Fritsch S, Durand B. Soft chemistry synthe-sis of the perovskite CaCu 3Ti 4O 12. Progress in Solid State Chemis-try , 2008, 36(1/2): 151–155.[12] Chung S, Kim I, Kang S. Strong nonlinear current-voltage behav-iour in perovskite-derivative calcium copper titanate. Nature Mate-rials , 2004, 3(11): 774–778.[13] Kalinin S V , Shin J, Veith G M, et al . Real space imaging of themicroscopic origins of the ultrahigh dielectric constant in poly-crystalline CaCu 3Ti 4O 12. Applied Physics Letters , 2005, 86(10): 102902–1–3.[14] Adams T B, Sinclair D C, West A R. Characterization of grainboundary impedances in fine- and coarse-grained CaCu 3Ti 4O 12 ce-ramics. Physical Review B , 2006, 73(9): 094124.[15] Lin Y , Cai J, Li M, et al . High dielectric and nonlinear electricalbehaviors in TiO 2-rich CaCu 3Ti 4O 12 ceramics. Applied PhysicsLetters , 2006, 88(17): 172902–1–3.[16] Marques V P B, Bueno P R, Simoes A Z, et al . Nature of potentialbarrier in (Ca 1/4,Cu 3/4)TiO 3 polycrystalline perovskite. Solid State Communications , 2006, 138(1): 1–4.[17] Cai J, Lin Y H, Cheng B, et al . Dielectric and nonlinear electrical1190 无机材料学报第27卷behaviors observed in Mn-doped CaCu3Ti4O12 ceramic. Applied Physics Letters, 2007, 91(25): 252905–1–3.[18] Leret P, Fernandez J F, de Frutos J, et al. Nonlinear I-V electricalbehaviour of doped CaCu3Ti4O12 ceramics. Journal of the Euro-pean Ceramic Society, 2007, 27(13/14/15): 3901–3905.[19] Lin Y H, Cai J, Li M, et al. Grain boundary behavior in varis-tor-capacitor TiO2-rich CaCu3Ti4O12 ceramics. Journal of Applied Physics, 2008, 103(7): 074111–1–5.[20] Li T, Chen Z, Chang F, et al. The effect of Eu2O3 doping onCaCu3Ti4O12 varistor properties. Journal of Alloys and Compounds, 2009, 484(1/2): 718–722.[21] Cordeiro M A L, Souza F L, Leite E R, et al. Anomalous current-voltage behavior of CaCu3Ti4O12 ceramics. Applied Physics Letters, 2008, 93(18): 182912–1–3.[22] Zang G, Zhang J, Zheng P, et al. Grain boundary effect on the di-electric properties of CaCu3Ti4O12 ceramics. Journal of Physics D: Applied Physics, 2005, 38(11): 1824–1827.[23] 杨雁. 具有双Schottky势垒结构压敏陶瓷的电子输运及松弛过程研究. 西安: 西安交通大学博士论文, 2011.[24] Cheng P F, Li S T, Zhang L, et al. Characterization of intrinsic do-nor defects in ZnO ceramics by dielectric spectroscopy. Applied Physics Letters, 2008, 93(1): 012902–1–3.[25] 杨雁, 李盛涛(YANG Yan, et al). CaCu3Ti4O12陶瓷的微观结构及直流导电特性. 物理学报(Acta Physica Sinica), 2009, 58(9): 474–478.[26] 杨雁, 李盛涛(YANG Yan, et al). pH值对共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷性能的影响. 物理学报(Acta Physica Sinica), 2010, 25(8): 1–5.[27] Homes C, V ogt T, Shapiro S, et al. Charge transfer in the high di-electric constant materials CaCu3Ti4O12 and CdCu3Ti4O12. Physical Review B, 2003, 67(9): 092106–1–4.[28] Kant C, Rudolf T, Mayr F, et al. Broadband dielectric response ofCaCu3Ti4O12: From dc to the electronic transition regime. Physical Review B, 2008, 77(4): 045131–1–7.[29] He L, Neaton J B, Cohen M H, et al. First-principles study of thestructure and lattice dielectric response of CaCu3Ti4O12. Physical Review B, 2002, 65(21): 214112–1–11.[30] He L, Neaton J B, Vanderbilt D, et al. Lattice dielectric response ofCaCu3Ti4O12 and CaCu3Ti4O12 from first principles. Physical Re-view B, 2003, 67(1): 012103–1–4.。
