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模拟电子技术应用(二)复习题及答案

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模拟电子技术应用（二）复习题与答案

1.设图中VD为普通硅二极管，正向压降为 0.7V，试判断VD是否导通，并计算UO的值。

5V1kUo5V1kVD3VUoVD10k10k( a )( b )

（a）设VD断开，求得UO－0.45V，小于硅二极管的死区电压，所以VD截止，UO－0.45V

（b）VD导通，UO＝2.3V

2.计算下图电路中二极管上流过的电流ID。设二极管的正向导通压降为0.7V，反向电流等于零。

( a )3k5VVD5V2kID( b )3kVD5V2kID10V

（a）V1DU，VD截止，0DI

（b）2.75mAmA37.0527.010DI

3.电路如图所示，VD为理想二极管，画出各电路的电压传输特性()(IOufu曲线），并标明转折点坐标值。

VD( a )( b )3VuI3VuIVDuoRuo1k

0/uOV33/uIV0/uOV－3－3/uIV( a )( b )

4.已知电路中，)V( Sin5itu，二极管正向压降为0.7V，画出各电路中uO1、uO2波形，并注明其电压幅值。 VDiutiu( a )( b )0/t03V1k1kuO13VVD1VD2uO1uO20π5－5uiVtuO22π1k

π0uO1tπ20.7－2.5 / V

tuO20ππ23.7－3.7 / V

5.在如图所示电路中，已知稳压管VDZ1的稳定电压UZ1＝6.3V， VDZ2的稳定电压UZ2＝7.7V，它们的正向导通电压UD均为0.7V，UI和R的取值合理，UI的实际极性和UO1～UO4的假设极性如图中所标注。填空：

UO1＝V，UO2＝V，UO3＝V，UO4＝V。

RRRRUIUIUIUIUO1UO2UO3UO4VDZ1VDZ2VDZ1VDZ1VDZ1VDZ2VDZ2VDZ2

14 ， 7，－0.7，－6.3

6.从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。

用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

（A．放大， B．饱和， C．截止， D．损坏）

⑴；⑵；⑶；⑷；⑸。

( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+3.3V+2.5V+9V+12V－6.3V+0.7V－12V－6V－6V0V+2.3V+3V0V( 4 )－0.7V+3V硅硅锗硅锗

（1）C（2）A（3）C（4）B（5）D

7. 从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。

用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

（ A．放大， B．饱和，

C．截止， D．损坏）

⑴；⑵；⑶；⑷；⑸。

( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+2V+3.7V+6V－5.6V－0.7V－6.7V－7.8V－12V－6V－3V－8.5V+12V+3V－6.3V( 4 )－6V

（1）D（2）A （3）A（4）C（5〕B

8.已知图示电路中晶体管β＝50，100'bbr，UBEQ＝0.7V。判断在下列两种情况下晶体管工作在什么状态。

1．bR＝10k，cR＝1k2．bR＝510kcR＝5.1k

如果工作在线性放大状态，则进一步计算静态工作点BQI、CQI、CEQU以与电压放大倍数uA、输入电阻iR、输出电阻oR（设电容C1、C2对交流信号可视为短路）。

1．饱和2．线性放大

22bBECCBQRUVIμA mA1.1 BQCQIβI

V4.6cCQCCCEQRIVU

k27.126 1EQbbbeIβrr200

becrβRAu

iR= Rb //ber≈1.27koR= Rc = 5.1k

9.已知图示电路中晶体管的β＝80，300bbr，UBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。

(1) 要求静态电流CQI＝1mA，估算Re1的值；

(2) 求电压放大倍数uA、输入电阻iR和输出电阻oR。

1．V93.2b2b1b1CCBRRRVU

k1.2-e2EQBEQBe1RIUUR

2．k38.2 1EQTbbbeIUβrr Rb+VCCC2C1(+12V)Rcuiuo

+VCCC2C1Rb1Rb2RL62k20k3k10k(+12V)RiRo51RcRe2Re1Ceuiuo uA28 1//

e2beLcRβrRRβ

iR＝Rb1 // Rb2 // [ber+(1+β)Re2]≈4.6koR＝cR＝3k

10.某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图所示，设晶体管的UBEQ＝0.6V。

1．在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线，标明静态工作点Q；

2．确定静态时ICQ和UCEQ的值；

3．当逐渐增大正弦输入电压幅度时，首先出现饱和失真还是截止失真？

4．为了获得尽量大的不失真输出电压，bR应增大还是减小？

RbRc+VCCC2RLC1uiuo60236uCEV60A40A50A30A51424=10AIB20A(+6V)270k1.5k1351.5kiCmA

1．IBQ＝20μA，作图如下：

60236uCEV60A40A50A30A51424=10AIB20A135iCmAQ

2．ICQ≈2mA，UCEQ≈3V3．首先出现截止失真 4．减小Rb

11.某硅晶体管的输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路与其直流、交流负载线如图所示。求：

1．电源电压VCC，静态电流ICQ，静态电压UCEQ；

2．电路参数bR、cR、LR；

3．该电路此时的最大不失真输出电压幅值Uom。

RbRc+VCCC2RLC1uiuo120236uCEV120A80A100A60A51448=20AIB40A2610iCmA

1．VCC≈12V，ICQ≈3mA，UCEQ≈3V

2．Rc≈3k，k1//LcLRRR RL≈1.5k

Rb≈188k（取UBEQ＝0.7V ）或190k（取UBEQ＝0.6V ）

3．Uom＋≈3V，UOm－≈2.5V，取Uom≈2.5V

12.放大电路与相应的晶体管输出特性如图所示，直流负载线和Q点也标在图上。

1．确定VCC，cR、bR的数值（设UBEQ＝0.7V）；

2．画出交流负载线，要标出关键点的数值；

3．在这种情况下，最大不失真输出电压幅值是多少？（设UCES0.5V）

4．为了获得更大的不失真输出电压，bR应增大还是减小？

Rb+VCCC2RLC1uiuo120236icmAuCEV60A40A50A30A51448=10AIB20A26106kVTRcQ

1．VCC＝12V Rc＝2k Rb≈283k（设UBE＝0.7V ）

2．k5.1//LcLRRR

过Q点作斜率为k5.11的直线，与uCE轴交点为10V，与iC轴交点约为6.7mA

（至少应标明一个交点）

3．Uom＋＝6V，Uom－≈3.5V 取Uom＝3.5V

4．Rb应增大

13.某硅晶体管输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路与其交流负载线、静态工作点Q如图所示。设晶体管的UBE＝0.7V，UCES＝0.5V。

1．确定cR的数值，画出直流负载线（要标出关键点的数值）；

2．确定VCC和bR的值；

3．在这种情况下，最大不失真输出电压幅值是多少？

4．为了获得更大的不失真输出电压，bR应增大还是减小？

Rb+VCCC2RLC1uiuo023uCEV40A50A30A51448=10AIB20A26104kVTQiCmARc

1．由图可知k2//LcLRRRRc＝4k

直流负载线是过Q点、斜率为k41的直线，与uCE轴交点为14V，与iC轴交点为3.5mA

2．VCC＝14V， Rb≈665k

3．Uom＋≈4V，Uom－≈5.5V 取Uom＝4V

4．Rb应减小 14.试判断下列电路的级间交流反馈类型。

+VCCC1C2R5R4( a )R2R3R6RLC1C2R1R5R3( b )R2VCCR4R6uoRssuVT2VT1RssuVT2VT1uouoR1

图(a) R3 电流并联负反馈 图(b) 正反馈

R4 电压串联负反馈 图(b) 正反馈

+VCC

C1( c )C1C2( d )Rb1Rb2Rc1Re1Rc2C2+VCC

Rc1Rc2Re1Re3Re2CfuoVT2VT1uiRfuoRssuVT2VT1Rf

图(c) 电压串联负反馈 图(d)电流并联负反馈

C1( e )+VCC

Rc1Rc2Re1Re2Re3Rb1C2C3C4C3( f)+VCC

Rc1Re2Re1Rc2Re3C1C2Rc3RfuoRssuVT2VT1VT2VT1VT3uoVT3RssuRf

图(e) 正反馈 图(f) 电流并联负反馈

AuIuOR1R2R4R3VT+VV

(g)

图(g) 正反馈

15.由理想运算放大器A组成的电路如图（a）所示，输入信号I2I1uu、的波形如图（b）所示。

1．计算平衡电阻PR，写出输出电压Ou的表达式。

2．画出输出电压Ou的波形图，标明有关数值。

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模电各章重点内容及总复习 (2)

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《模电》第一章重点掌握内容

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一、概念

1、 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、 P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、 N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、 PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、 二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管(Ge管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、 二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏

时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压：Si管约0。5V，Ge管约为0。1 V ，

其死区电压：Si管约0.5V，Ge管约为0.1 V 。

其导通压降：Si管约0.7V，Ge管约为0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：

①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）

②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥UZ）时便稳压为UZ 。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

模拟电子技术综合复习题(有答案)

模拟电子技术综合复习题(有答案)

1 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。

A.二 B.三 C.四 D.五

2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。

A.二 B.三 C.四 D.五

3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于 B.等于 C.小于

4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于 B.等于 C.小于

5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同

6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子

7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定

9、稳压管的稳压区是其工作在 C

。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

B. 前者正偏、后者反偏

11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能

12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。

A. 83 B. 91 C. 100 D. 10

13、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能

14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流

15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 UCE 。

模拟电子技术》复习题

模拟电子技术》复习题

《模拟电子技术》复习

一、选择题：

1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。

（A） B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B

2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。

（A） B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B

3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC=6V，VB=0.7V，VE=0V，则该管子工作在

A 。

（A）放大区 （B）截止区 （C）饱和区

4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC=6V，VB=4V，VE=3.6V，则该管子工作在

B 。

（A）放大区 （B）截止区 （C）饱和区

5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。

（A）正向导通 （B）反向截止 （C）反向击穿

6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

（A）增大 （B）减小 （C）不变

7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。

（A）83 （B）91 （C）100

8. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。 （A）共射 （B）共集 （C）共基

模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2

模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2

1 《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止），所以PN结具有（ 单向 ）导电性。

2、漂移电流是（ 温度 ）电流，它由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温度 ）有关，而与外加电压（无关 ）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ 无穷 ），等效成断开；

4、三极管是（ 电流 ）控制元件，场效应管是（ 电压 ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏 ），集电结（ 反偏 ）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ 变小 ），发射结压降（ 不变 ）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 共基 ）、（ 共射 ）、（ 共集 ）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ 电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ 串联 ）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F） ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ 1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）BW，其中BW=（ ），

（ ）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ ）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（ ）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ ）失真，而采用（ ）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（ ）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（ ）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ ），输入电阻（ ），输出电阻（ ）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。