当前位置：文档之家 › 2SB925资料

2SB925资料

  • 格式：pdf
  • 大小：98.16 KB
  • 文档页数：3

SavantIC Semiconductor Product Specification

Silicon PNP Power Transistors 2SB925 2SB925A

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Low collector saturation voltage ·High speed switching APPLICATIONS ·For low voltage switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1Emitter 2Collector;connected to mounting base 3Base Absolute maximum ratings(Ta=25

) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT 2SB925 -40 VCBO Collector-base voltage 2SB925A Open emitter -50 V

2SB925 -20 VCEO Collector-emitter voltage 2SB925A Open base -40 V

VEBO Emitter-base voltage Open collector -5 V ICCollector current (DC) -7 A ICM Collector current-Peak -12 A PCCollector power dissipation TC=25 30 W TjJunction temperature 150 Tstg Storage temperature -50~150 元器件交易网www.cecb2b.comSavantIC Semiconductor Product Specification

2Silicon PNP Power Transistors 2SB925 2SB925A

CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT

2SB925 -20 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SB925A IC=-10mA; IB=0 -40 V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB

=-0.16A -0.6 V

VBEsat Base-emitter saturation voltage I

C=-5A; IB

=-0.16A -1.5 V

2SB925 VCB=-40V; IE=0 ICBO Collector cut-off current 2SB925A VCB=-50V; IE=0 -50 µA

IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -50 µA

hFE-1 DC current gain IC=-0.1A ; VCE=

-2V 45

hFE-2 DC current gain IC=-2A ; VCE=

-2V 60 260

Cob Output capacitance IE=0 ; VCB=

-10V;f=

1MHz 140 pF

fTTransition frequency IC=-0.5A ; VCE=

-10V 150 MHz

Switching times

ton Turn-on time 0.1 µs

tstg Storage time 0.5 µs

tfFall time IC=-2A ; IB1=-IB2=-66mA

0.1 µs

󰂋hFE-2 Classifications RQP

60-120 90-180 130-260 元器件交易网www.cecb2b.comSavantIC Semiconductor Product Specification

3Silicon PNP Power Transistors 2SB925 2SB925A

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 元器件交易网www.cecb2b.com

合集下载

Incoloy925镍铁铬合金

Incoloy925镍铁铬合金

Incoloy925镍铁铬合金

Incoloy 925是一种添加钼、铜、钛和铝的时效硬化镍铁铬合金。这种合金的化学成分是为了提供高强度和优异的耐腐蚀性的组合。镍含量足以防止氯离子应力腐蚀开裂。镍与钼和铜一起，对化学还原也有显著的抗性。钼有助于抗点蚀和缝隙腐蚀。合金的铬含量能抵抗氧化环境。在热处理过程中，钛和铝的添加会引起强化反应。I

Incoloy 925（UNS N09925）镍基合金成份：

Incoloy 925（UNS N09925）镍基合金中的Cr含量通常为19.5-23.50%，镍含量为42.0-26.0%。Incoloy 925（UNS N09925）合金是一种含钼和铜的镍基合金，具有很好的热加工及冷加工性能。

Incoloy® 925等同牌号：

UNS N09925

Incoloy® 925（UNS N09925）镍基合金物理性能：

1、Incoloy 925 镍基合金的密度：8.14 gcm3。

2、Incoloy 925镍基合金熔点：1343 ℃。

3、Incoloy 925在常温下合金的机械性能的最小值：

4、Incoloy 925 抗拉强度650Rm Nmm2。

5、Incoloy 925（UNS N09925）屈服强度295 （RP0.2

Nmm2）。

6、Incoloy 925（UNS N09925）延伸率A5 %：30。

主要特性：

具有良好的机械强度和广泛的抗腐蚀性。

应用范围：

Incoloy 925用于各种需要高强度和耐腐蚀性组合的应用场合。由于合金在含硫化氢的原油和天然气中具有抗硫化物应力开裂和应力腐蚀开裂的性能， 故用于井下和地面气井部件，包括管状产品、阀门、悬架、坐放接头、工具接头和封隔器。这种合金也适用于紧固件、船用轴、泵轴和高强度管道系统。

产品形式： 各类锻件、锻坯、条杆、棒材、型材、丝材、无缝管、管件、板材、薄板、带材

925银饰介绍宝典

925银饰介绍宝典

925银饰介绍宝典

⼀、何为925银：

国际通⽤标准是925银，即925‰的银含量，其余是75‰的其他⾦属含量。纯银较软，容易变形，在制作

银饰品时，⼀般会在银料⾥加5%-7.5%的合⾦来增加银的硬度和亮度，更适合⾸饰的制作加⼯。

⼆、戒指尺⼨：

戒指尺⼨测量⽅法：如果您现在还没有合适的戒指，请⽤⼀个没有弹性的铁丝圈成⼀个可以佩带的

指圈（最好不要使⽤线或纸条来测量，这样误差较⼤），然后展开指圈，测量其周长再对照戒指尺⼨表

即可得出戒指的号数。记得不要直接沿指跟量，要做成环反复调整⼤⼩确保⼿指能通过。因为⼀般指关

节会⽐指跟稍粗⼀些，所以光沿指跟量将会偏⼩。

号数…………直径（mm）…………周长（mm）6………………14……………………45

7………………14.5…………………46

8………………15.1…………………47.5

9………………15.3…………………48

10…………… 16.1…………………50.5

11…………… 16.6…………………52

12…………… 16.9…………………53

13…………… 17……………………53.5

14…………… 17.7…………………55.5

15…………… 18……………………56.5

16…………… 18.2…………………57

17…………… 18.3…………………57.5

18…………… 18.5…………………58

19…………… 18.8…………………59

20…………… 19.4…………………61

21…………… 19.7…………………62

22…………… 20.2…………………63.5

23…………… 20.4…………………64

24…………… 21……………………66

三、银饰品的保养：

很多⼈喜欢银饰，却不知道要如何保养它，甚⾄认为银饰是很难保养的，事实并⾮如此。我们只需

在⽇常⽣活中花⼀点点⼼思，就可以让⾃⼰银饰历久如新了。在佩戴银饰时尽量不要同时佩戴其它⾦属

⾸饰，以免碰撞变形或划伤。保持银饰的⼲燥，别戴着游泳，切勿接近温泉和海⽔。若发现银饰有变黄

2SB1492中文资料

2SB1492中文资料

1Power Transistors

2SB1492

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

For power amplification

Complementary to 2SD2254

sFeatures

qOptimum for 60W HiFi output

qHigh foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000

qLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat): < –2.5V

sAbsolute Maximum Ratings (TC=25˚C)

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperatureSymbol

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

IC

PC

Tj

TstgRatings

–130

–110

–5

–10

–6

70

3.5

150

–55 to +150Unit

V

V

V

A

A

W

˚C

˚C

sElectrical Characteristics (TC=25˚C)

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Transition frequency

2SB562

2SB562

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SB562 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Low frequency power amplifier z Complementary pair with 2SD468 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min TypMax UnitCollector-base breakdown voltage V(BR)CBOIC=-10 A,IE=0 -25 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEOIC=-1mA,IB=0 -20 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBOIE=-10 A,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-20V,IE=0 -1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=-4V,IC=0 -1 µA DC current gain hFE VCE=-2V,IC=-0.5A 85 240 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-0.8A,IB=-0.08A

-0.5 V Base-emitter voltage VBE VCE=-2V,IC=-0.5A

-1 V Transition frequency fT VCE=-2V,IC=-0.5A 350 MHzCollector output capacitance Cob VCB=-10V,IE=0,f=1MHz 38 pF CLASSIFICATION OF hFE Rank B C Range 85-170 120-240 TO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE