电子技术基础模拟部分(模电)考试复习总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模拟电子技术总结（精选5篇）第一篇：模拟电子技术总结模拟电子技术总结集成运放：将管线结合在一起制成的具有处理模拟信号的电路称为运算放大电路。

集成运算放大电路中的元器件的参数具有良好的一致性。

二：集成运算放大电路的组成：1.输入级（差模信号，Up-Un）,抑制温漂。

2.中间级（复合管放大电路）。

3.输出级（互补输出电路）。

4.偏置电路（电流源电路为其提供合适的静态工作点）。

三：抑制温漂（零点漂移）的办法： 1.直流负反馈2.温度补偿（利用热敏元件来抵消管子的变化）3.构成差分放大电路四：失真：1.线性失真（我们所要的,构成电路的放大）2.非线性失真：a:饱和失真b：截止失真。

3.交越失真。

（直接耦合互补输出级）。

五：多级放大电路的耦合方式: 1.直接耦合：低频特性好，便与集成化；存在温漂问题。

2.阻容耦合：便于计算静态工作点，低频特性差。

3.变压器耦合：低频特性差，实现阻抗变换；常用于调谐放大电路，功率放大电路。

4.光电耦合：六：3种最基本的单级放大电路。

1.共发射极电路具有集电极电阻Rc将三极管集电极电流的变化转化成集电极电压的变化。

2.共集电极单级放大器无集电极负载电阻，输出信号取自发射级（发射级电压跟随器）。

原因：三级管进入放大工作状态后，基极与发射级之间的PN结已处于导通状态，这一PN结导通后压降大小基本不变，硅管0.7v。

3.共基极放大器。

七：正弦波振荡电路的组成：1.放大电路2.选频网络3.正反馈网络 4.稳幅环节。

八：负反馈对放大电路特性的影响：1.稳定放大倍数2.改变输入输出电阻：⌝串联负反馈增大输入电阻⌝并联负反馈减小输入电阻⌝电压负反馈减小输出电阻⌝电流负反馈增大输出电阻九：引入负反馈的原则：1.为了稳定静态工作点应引入直流负反馈，为了改善电路的动态性能则应引入交流负反馈。

2.为了稳定输出电压（即减小输出电阻，增强带负载能力），应引入电压负反馈3.为了稳定输出电流（即增大输出电阻）应引入电流负反馈4.为了提高输出电阻（即减小放大电路下信号源所取的电流）应引入串联负反馈5.为了减小输入电阻应引入并联负反馈十：交流负反馈的四种组态： 1.电压串联2.电流串联3.电压并联4.电流并联十一：负反馈的四大好处： 1.稳定放大倍数2.改变电路的输入输出电阻3.展宽频带4.减小非线性失真未完待续，敬请期待！第二篇：模拟电子技术总结《模拟电子技术》院精品课程建设与实践成果总结模拟电子技术是一门在电子技术方面入门性质的技术基础课程，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性；是高等院校工科电子信息、电气信息类各专业和部分非电类本科生必修的技术基础课，而且随着电子工业的飞速发展和计算机技术的迅速普及，它也不断成为几乎所有理工科本科生的必修课程。

模电考前知识点总结模拟电子技术主要研究内容包括模拟电路的设计和分析、模拟信号的处理和传输、模拟电子系统的设计和调试等。

在模拟电子技术中，最基本的理论是基于几种基本电路元件，如二极管、三极管等，建立各种电路方程模型，进而解决各种电子电路问题。

在学习模拟电子技术的过程中，有一些知识点是必须要掌握的。

以下是一些常见的模拟电子技术知识点总结：一、基本电路分析方法1. 谈论母线电力超过220伏特进行电压升降的原理和方法。

2. 需要了解R-L，R-C 串并联电路的等效变换原理及实际应用。

3. 掌握电容电压跟踪积分电路和非积分电路的基本工作原理和参数设计方法。

4. 对于理想电感，理解它在激励下的等效原理。

5. 了解关于画感性理想电感变压器、绕组波音特性原理。

以上是一些基本电路分析方法的知识点总结。

在模拟电子技术中，学生需要通过理论学习和实践操作，熟练掌握这些方法，才能更好地理解和应用模拟电子技术。

二、线性集成电路线性集成电路是模拟电子技术中非常重要的一部分，主要包括放大器、滤波器、示波器、振荡器、计算和计算机等。

掌握了线性集成电路基本的分析与设计方法，可以更好地应用模拟电子技术。

1. 熟悉主要的线性集成电路，了解其特性和使用方法。

2. 了解基于 MOS 器件的模拟 IC 结构、工作原理和指标。

会设计基于 MOS 器件的模拟集成电路电路图。

以上是一些线性集成电路方面的知识点总结。

掌握了这些知识之后，可以更好地理解和应用模拟电子技术，从而更好地解决实际电路问题。

三、信号处理技术在模拟电子技术中，信号处理技术也是一个重要的方面。

掌握了信号处理技术相关知识后，能更好地理解和应用模拟电子技术。

1. 掌握基本信号的表示方法, 变换，系统特性的描述（零-极点，频域与时域的转换）2. 会进行系统励波，知道辨别各种非线性工作特性3. 了解控制工程与信号处理之间的联系和区别4. 实现对系统行为与性能的评估、设计，调节；5. 了解基于 DSP 的数字控制技术，了解模拟电子技术的近期发展，结合数字技术提出新的功能要求。

模拟电子技术基础期末复习总结模拟电子技术基础期末复习总结模拟电子技术基础是电子工程师学习的重要一门课程，它涵盖了模拟电路的基本理论和应用技术。

期末复习是检验学生对课程内容掌握情况的重要环节。

本文将总结整个学期学习的重点内容，包括基本电路理论、放大电路、滤波电路、振荡电路和反馈电路等。

首先，基本电路理论是模拟电子技术的基石，学生需要熟悉基本电路元件的特性和基本电路定律。

其中，欧姆定律、基尔霍夫定律和戴维南定理等是解决电路问题的基本思想。

此外，学生还需要了解电压、电流与功率之间的关系，以及电路中的串联和并联等基本电路组合。

接下来是放大电路的学习。

放大电路是电子设备中常用的功能模块，它能够将输入信号放大到所需要的幅度。

在学习放大电路时，学生需要了解放大器的基本原理和分类。

常见的放大器有共射放大器、共基放大器和共集放大器。

此外，还需要学习放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗和频率响应等重要参数。

滤波电路是用于信号处理的重要电路。

学生需要学习各种滤波器的工作原理和设计方法。

滤波器按照频率响应可分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。

学生需要了解滤波器的频率选择性和滤波特性，掌握RC、RL和LC滤波器的设计方法。

振荡电路是产生稳定的振荡信号的电路。

学生需要学习振荡器的分类和基本工作原理。

常见的振荡器有RC相移振荡器、LC谐振振荡器和晶体振荡器。

学生需要了解反馈网络在振荡器中的作用，并学习判断振荡器的稳定性和频率稳定性。

最后是反馈电路的学习。

反馈电路是模拟电子技术中的重要概念，它能够改变电路的性能和特性。

学生需要学习反馈电路的基本原理和分类。

常见的反馈电路有正反馈和负反馈电路。

学生需要了解反馈的作用和影响，掌握反馈系数的计算和反馈网络的设计方法。

通过期末复习，我对模拟电子技术基础课程的学习有了更深入的了解。

我明白了电路理论的重要性，掌握了放大电路、滤波电路、振荡电路和反馈电路的基本知识和应用技术。

在实践中，我还学会了使用实际电路元件进行电路设计和各种测量。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。

❑导电能力介于导体和绝缘体之间。

❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。

❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。

在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。

◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。

空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。

◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。

当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。

2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。

◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。

❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。

◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。

❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。

❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。

◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。

◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。

◆PN结的伏安（曲线）方程：4.半导体二极管❑普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 《模拟电子技术基础教学课件》模电复习要点总结一. 半1. 半2. 特3. 本4. 两5. 杂 *P P * *6. 杂* 载 * 体 * 转7. P P * * * * 8. 二. 8. 二. * * * * * * * *3. 分若若1）图该式半导体的基础半导体---导电特性---光敏、本征半导体--- -两种载流子 - -杂质半导体--- -P P 型半导体: * * N 型半导体:杂质半导体的载流子的浓度体电阻---通常转型---通过改PP N 结 * * PN 结的接触* * PN 结的单向PN 结的伏安半导体二极管* * 单向导电性- -* * 二极管伏安特* * 正向导通压* * 死区电压--- -分析方法----- -若 V 阳阳 V 阴阴 ( 正若 V阳阳 V 阴阴 ( 图解分析法式与伏安特性础知识电能力介于导热敏和掺杂能力介于导热敏和掺杂- - -纯净的具有- - ---带有正、- - -在本征半导在本征半导在本征半的特性度 ---多子浓度常把杂质半导改变掺杂浓度触电位差--- 硅向导电性--- 正安特性管 - - -----正向导特性----同Ｐ降------硅管- - ---硅管 0.5 5- - -将二极管断正偏 )，二极反偏 )，二曲线的交点曲线的交点叫第一章体和绝缘体之特性。

有单晶体结构负电荷的可导体中掺入微导体中掺入微半导体中掺入微度决定于杂质导体自身的电度，一种杂质硅材料约为 0 0正偏导通，反导通，反向截ＰＮ结。

1 / 21管管 0.6~0.7V，5 5 V，锗管 0.1 1断开，分析二极管导通(短路极管截止( 开叫静态工作点章半导体之间的物质( 如构的半导体。

（完整版）模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。

前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs 是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。

·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。

在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。

本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。

温度越高，本征激发越强。

+载流子。

空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。

格中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。

复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。

2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。

·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。

·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。

·在常温下，多子>>少子（图1-7）。

多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。

·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。

3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。

第一章半导体二极管一。

半导体的基础知识1。

半导体—--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge)。

2.特性———光敏、热敏和掺杂特性。

3。

本征半导体-—--纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子—--—带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体————在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性.＊P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子,少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性＊载流子的浓度--—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.＊体电阻-——通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体.7。

PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0。

6~0.8V,锗材料约为0。

2～0。

3V。

＊ PN结的单向导电性——-正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二。

半导体二极管＊单向导电性--——-—正向导通，反向截止.＊二极管伏安特性-———同ＰＮ结。

*正向导通压降---——-硅管0.6～0。

7V，锗管0。

2～0。

3V.＊死区电压——--—-硅管0.5V，锗管0。

1V。

3.分析方法-——-——将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳〉V阴（正偏），二极管导通（短路）;若 V阳〈V阴（反偏 )，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2）等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段————将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳〉V阴( 正偏），二极管导通（短路);若 V阳〈V阴（反偏 )，二极管截止（开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路＊稳压二极管的特性-—-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电知识点总结笔试一、基础理论知识1. 电子学基础（1）电子学的基本概念：电子、电荷、电流、电压等。

（2）半导体物理学：半导体材料的性质、PN结的特性等。

2. 电路基础（1）电路分析方法：基尔霍夫定律、戴维南定理、叠加原理等。

（2）电路中的元件：电阻、电容、电感等实际应用。

二、模拟信号处理1. 信号与系统（1）信号的分类：连续信号、离散信号、周期信号、非周期信号等。

（2）系统的分类：线性系统、非线性系统、时变系统、时不变系统等。

2. 模拟滤波（1）滤波器的分类：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。

（2）滤波器的设计：巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器等。

三、放大电路1. 放大器的基本概念（1）放大器的分类：按输入输出信号类型分为模拟放大器和数字放大器。

（2）放大器的性能参数：增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。

2. 放大电路设计（1）基本放大电路：共射放大器、共集放大器、共基放大器等。

（2）放大电路稳定性分析：稳定性条件、负反馈、电容耦合等。

四、信号发生与调制1. 信号发生器（1）基本信号源：RC震荡器、LC震荡器、晶体振荡器等。

（2）信号源的稳定性分析：频率稳定度、振幅稳定度、相位噪声等。

2. 调制技术（1）调制原理：调频、调幅、调相等基本调制方式的原理和特点。

（2）调制电路设计：频率调制电路、幅度调制电路、相位调制电路等。

五、反馈电路1. 反馈的基本概念（1）反馈电路的分类：正反馈、负反馈。

（2）反馈电路的性能：增益稳定、带宽拓展、非线性失真降低等。

2. 反馈网络设计（1）反馈网络结构：电流负反馈、电压负反馈。

（2）反馈网络应用：放大电路、振荡器、滤波器等反馈电路的设计。

六、运算放大器1. 运算放大器的特性（1）运算放大器的基本原理：差分输入、单端输出、大增益、高输入阻抗等。

（2）运算放大器的理想模型：无输入偏置电流、无输入偏置电压等。

2. 运算放大器的应用（1）运算放大器在电路中的基本应用：比较器、积分器、微分器等。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模拟电子技术总结篇一：模拟电子技术基础总结第一章一、半导体知识1．本征半导体晶体二极管及应用电路·单质半导体材料是具有 4 价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。

前者是制造半导体IC 的材料（三五价化合物砷化镓GaAs 是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。

·纯净（纯度7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。

在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。

本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。

温度越高，本征激发越强。

空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效+ q 载流子。

格中的空位，使局部显示+ q 电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。

·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。

复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。

2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5 价（或3 价）元素后形成N 型（或P 型）杂质半导体（N 型：图1-5，P 型：图1-6）。

·在很低的温度下，N 型（P 型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。

·由于杂质电离，使N 型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。

·在常温下，多子少子（图1-7）。

多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。

·在相同掺杂和常温下，Si 的少子浓度远小于Ge 的少子浓度。

3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）还存在因；载流子浓度差而产生的扩散电流。

4．PN 结·在具有完整晶格的P 型和N 型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN 结（图1-8）。