集成电路版图设计电路设计微电子工艺IC芯片笔试面试题目-----超全了

单片机、MCU、计算机原理1、简单描述一个单片机系统的主要组成模块,并说明各模块之间的数据流流向和控制流流向.简述单片机应用系统的设计原则.(仕兰微面试题目)2、画出8031与2716(2K*8ROM)的连线图,要求采用三-八译码器,8031的P2.5,P2.4和P2.3参加译码,基本地址范围为3000H-3FFFH.该2716有没有重叠地址?根据是什么?若有,则写出每片2716的重叠地址范围.(仕兰微面试题目)3、用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管(共阳)的原理图.(仕兰微面试题目)4、PCI总线的含义是什么?PCI总线的主要特点是什么? (仕兰微面试题目)5、中断的概念?简述中断的过程.(仕兰微面试题目)6、如单片机中断几个/类型,编中断程序注意什么问题;(未知)7、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速,程序由8051完成.简单原理如下:由P3.4输出脉冲的占空比来控制转速,占空比越大,转速越快;而占空比由K7-K0八个开关来设置,直接与P1口相连(开关拨到下方时为"0",拨到上方时为"1",组成一个八位二进制数N),要求占空比为N/256. (仕兰微面试题目)7、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速,程序由8051完成.简单原理如下:由P3.4输出脉冲的占空比来控制转速,占空比越大,转速越快;而占空比由K7-K0八个开关来设置,直接与P1口相连(开关拨到下方时为"0",拨到上方时为"1",组成一个八位二进制数N),要求占空比为N/256. (仕兰微面试题目)下面程序用计数法来实现这一功能,请将空余部分添完整.MOV P1,#0FFHLOOP1 :MOV R4,#0FFH--------MOV R3,#00HLOOP2 :MOV A,P1--------SUBB A,R3JNZ SKP1--------SKP1:MOV C,70HMOV P3.4,CACALL DELAY :此延时子程序略----------------AJMP LOOP18、单片机上电后没有运转,首先要检查什么?(东信笔试题)9、What is PC Chipset? (扬智电子笔试)芯片组(Chipset)是主板的核心组成部分,按照在主板上的排列位置的不同,通常分为北桥芯片和南桥芯片.北桥芯片提供对CPU的类型和主频、内存的类型和最大容量、ISA/PCI/AGP插槽、ECC纠错等支持.南桥芯片则提供对KBC(键盘控制器)、RTC(实时时钟控制器)、USB(通用串行总线)、Ultra DMA/33(66)EIDE数据传输方式和ACPI(高级能源管理)等的支持.其中北桥芯片起着主导性的作用,也称为主桥(Host Bridge).除了最通用的南北桥结构外,目前芯片组正向更高级的加速集线架构发展,Intel的8xx系列芯片组就是这类芯片组的代表,它将一些子系统如IDE接口、音效、MODEM和USB直接接入主芯片,能够提供比PCI总线宽一倍的带宽,达到了266MB/s.10、如果简历上还说做过cpu之类,就会问到诸如cpu如何工作,流水线之类的问题. (未知)11、计算机的基本组成部分及其各自的作用.(东信笔试题)12、请画出微机接口电路中,典型的输入设备与微机接口逻辑示意图(数据接口、控制接口、所存器/缓冲器). (汉王笔试)13、cache的主要部分什么的.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)14、同步异步传输的差异(未知)15、串行通信与同步通信异同,特点,比较.(华为面试题)16、RS232c高电平脉冲对应的TTL逻辑是?(负逻辑?) (华为面试题)信号与系统1、的话音频率一般为300~3400HZ,若对其采样且使信号不失真,其最小的采样频率应为多大?若采用8KHZ的采样频率,并采用8bit的PCM编码,则存储一秒钟的信号数据量有多大?(仕兰微面试题目)2、什么耐奎斯特定律,怎么由模拟信号转为数字信号.(华为面试题)3、如果模拟信号的带宽为5khz,要用8K的采样率,怎么办? (lucent) 两路?4、信号与系统:在时域与频域关系.(华为面试题)5、给出时域信号,求其直流分量.(未知)6、给出一时域信号,要求(1)写出频率分量,(2)写出其傅立叶变换级数;(3)当波形经过低通滤波器滤掉高次谐波而只保留一次谐波时,画出滤波后的输出波形.(未知)7、sketch 连续正弦信号和连续矩形波(都有图)的傅立叶变换.(Infineon笔试试题)8、拉氏变换和傅立叶变换的表达式及联系.(新太硬件面题)DSP、嵌入式、软件等1、请用方框图描述一个你熟悉的实用数字信号处理系统,并做简要的分析;如果没有,也可以自己设计一个简单的数字信号处理系统,并描述其功能及用途.(仕兰微面试题目)2、数字滤波器的分类和结构特点.(仕兰微面试题目)3、IIR,FIR滤波器的异同.(新太硬件面题)4、拉氏变换与Z变换公式等类似东西,随便翻翻书把如.h(n)=-a*h(n-1)+b*δ(n) a.求h (n)的z变换;b.问该系统是否为稳定系统;c.写出FIR数字滤波器的差分方程;(未知)5、DSP和通用处理器在结构上有什么不同,请简要画出你熟悉的一种DSP结构图.(信威dsp软件面试题)6、说说定点DSP和浮点DSP的定义(或者说出他们的区别)(信威dsp软件面试题)7、说说你对循环寻址和位反序寻址的理解.(信威dsp软件面试题)8、请写出【-8,7】的二进制补码,和二进制偏置码.用Q15表示出0.5和-0.5.(信威dsp软件面试题)9、DSP的结构(哈佛结构);(未知)10、嵌入式处理器类型(如ARM),操作系统种类(Vxworks,ucos,winCE,linux),操作系统方面偏CS方向了,在CS篇里面讲了;(未知)11、有一个LDO芯片将用于对手机供电,需要你对他进行评估,你将如何设计你的测试项目?12、某程序在一个嵌入式系统(200M CPU,50M SDRAM)中已经最优化了,换到零一个系统(300M CPU,50M SDRAM)中是否还需要优化? (Intel)13、请简要描述HUFFMAN编码的基本原理及其基本的实现方法.(仕兰微面试题目)14、说出OSI七层网络协议中的四层(任意四层).(仕兰微面试题目)15、A) (仕兰微面试题目)#i ncludevoid testf(int*p){*p+=1;}main(){int *n,m[2];n=m;m[0]=1;m[1]=8;testf(n);printf("Data value is %d ",*n);}------------------------------B)#i ncludevoid testf(int**p){*p+=1;}main(){int *n,m[2];n=m;m[0]=1;m[1]=8;testf(&n);printf(Data value is %d",*n);}下面的结果是程序A还是程序B的?Data value is 8那么另一段程序的结果是什么?16、那种排序方法最快? (华为面试题)17、写出两个排序算法,问哪个好?(威盛)18、编一个简单的求n!的程序.(Infineon笔试试题)19、用一种编程语言写n!的算法.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)20、用C语言写一个递归算法求N!;(华为面试题)21、给一个C的函数,关于字符串和数组,找出错误;(华为面试题)22、防火墙是怎么实现的? (华为面试题)23、你对哪方面编程熟悉?(华为面试题)24、冒泡排序的原理.(新太硬件面题)25、操作系统的功能.(新太硬件面题)26、学过的计算机语言及开发的系统.(新太硬件面题)27、一个农夫发现围成正方形的围栏比长方形的节省4个木桩但是面积一样.羊的数目和正方形围栏的桩子的个数一样但是小于36,问有多少羊?(威盛)28、C语言实现统计某个cell在某.v文件调用的次数(这个题目真bt) (威盛VIA2003.11.06 上海笔试试题)29、用C语言写一段控制手机中马达振子的驱动程序.(威胜)30、用perl或TCL/Tk实现一段字符串识别和比较的程序.(未知)31、给出一个堆栈的结构,求中断后显示结果,主要是考堆栈压入返回地址存放在低端地址还是高端.(未知)32、一些DOS命令,如显示文件,拷贝,删除.(未知)33、设计一个类,使得该类任何形式的派生类无论怎么定义和实现,都无法产生任何对象实例.(IBM)34、What is pre-emption? (Intel)35、What is the state of a process if a resource is not available? (Intel)36、三个float a,b,c;问值(a+b)+c==(b+a)+c, (a+b)+c==(a+c)+b.(Intel)37、把一个链表反向填空. (lucent)38、x^4+a*x^3+x^2+c*x+d 最少需要做几次乘法? (Dephi)____________________________________________________________________________主观题1、你认为你从事研发工作有哪些特点?(仕兰微面试题目)2、说出你的最大弱点及改进方法.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)3、说出你的理想.说出你想达到的目标. 题目是英文出的,要用英文回答.(威盛VIA2003.11.06 上海笔试试题)4、我们将研发人员分为若干研究方向,对协议和算法理解(主要应用在网络通信、图象语音压缩方面)、电子系统方案的研究、用MCU、DSP编程实现电路功能、用ASIC设计技术设计电路(包括MCU、DSP本身)、电路功能模块设计(包括模拟电路和数字电路)、集成电路后端设计(主要是指综合及自动布局布线技术)、集成电路设计与工艺接口的研究.你希望从事哪方面的研究?(可以选择多个方向.另外,已经从事过相关研发的人员可以详细描述你的研发经历).(仕兰微面试题目)5、请谈谈对一个系统设计的总体思路.针对这个思路,你觉得应该具备哪些方面的知识?(仕兰微面试题目)6、设想你将设计完成一个电子电路方案.请简述用EDA软件(如PROTEL)进行设计(包括原理图和PCB图)到调试出样机的整个过程.在各环节应注意哪些问题?电源的稳定,电容的选取,以及布局的大小.(汉王笔试)IC设计基础(流程、工艺、版图、器件)1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、等的概念).(仕兰微面试题目)2、FPGA和ASIC的概念,他们的区别.(未知)答案:FPGA是可编程ASIC.ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的.根据一个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路.与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点3、什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在?(仕兰微面试题目)4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目)5、描述你对集成电路设计流程的认识.(仕兰微面试题目)6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程.(仕兰微面试题目)7、IC设计前端到后端的流程和eda工具.(未知)8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.(未知)9、Asic的design flow.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)10、写出asic前期设计的流程和相应的工具.(威盛)11、集成电路前段设计流程,写出相关的工具.(扬智电子笔试)先介绍下IC开发流程:1.)代码输入(design input)用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述,生成hdl代码语言输入工具:SUMMIT VISUALHDLMENTOR RENIOR图形输入: composer(cadence);viewlogic (viewdraw)2.)电路仿真(circuit simulation)将vhd代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确数字电路仿真工具:V erolog: CADENCE V erolig-XLSYNOPSYS VCSMENTOR Modle-simVHDL : CADENCE NC-vhdlSYNOPSYS VSSMENTOR Modle-sim模拟电路仿真工具:***ANTI HSpice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp3.)逻辑综合(synthesis tools)逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真.最终仿真结果生成的网表称为物理网表.12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目)13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件.自动布局布线需要哪些基本元素?(仕兰微面试题目)14、描述你对集成电路工艺的认识.(仕兰微面试题目)15、列举几种集成电路典型工艺.工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题16、请描述一下国内的工艺现状.(仕兰微面试题目)17、半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)19、解释latch-up现象和Antenna effect和其预防措施.(未知)20、什么叫Latchup?(科广试题)21、什么叫窄沟效应? (科广试题)22、什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP、NPN?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管,N阱的阱电位的连接有什么要求?(仕兰微面试题目)24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性.(Infineon笔试试题)25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图.(科广试题)26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Comparethe resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)27、说明mos一半工作在什么区.(凹凸的题目和面试)28、画p-bulk 的nmos截面图.(凹凸的题目和面试)29、写schematic note(?), 越多越好.(凹凸的题目和面试)30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用.(未知)31、太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题,因为全是微电子物理,公式推导太罗索,除非面试出题的是个老学究.IC设计的话需要熟悉的软件: Cadence, Synopsys, Avant,UNIX当然也要大概会操作.32、unix 命令cp -r, rm,uname.(扬智电子笔试)数字电路1、同步电路和异步电路的区别是什么?(仕兰微电子)2、什么是同步逻辑和异步逻辑?(汉王笔试)同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系.异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系.3、什么是"线与"逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求?(汉王笔试)线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能.在硬件上,要用oc门来实现,由于不用oc门可能使灌电流过大,而烧坏逻辑门. 同时在输出端口应加一个上拉电阻.4、什么是Setup 和Holdup时间?(汉王笔试)5、setup和holdup时间,区别.(南山之桥)6、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化.(未知)7、解释setup和hold time violation,画图说明,并说明解决办法.(威盛VIA2003.11.06 上海笔试试题)Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求.建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前,数据稳定不变的时间.输入信号应提前时钟上升沿(如上升沿有效)T时间到达芯片,这个T就是建立时间-Setup time.如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器,只有在下一个时钟上升沿,数据才能被打入触发器. 保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后,数据稳定不变的时间.如果hold time 不够,数据同样不能被打入触发器.建立时间(Setup Time)和保持时间(Hold time).建立时间是指在时钟边沿前,数据信号需要保持不变的时间.保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间.如果不满足建立和保持时间的话,那么DFF将不能正确地采样到数据,将会出现metastability的情况.如果数据信号在时钟沿触发前后持续的时间均超过建立和保持时间,那么超过量就分别被称为建立时间裕量和保持时间裕量.8、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解,并举例说明竞争和冒险怎样消除.(仕兰微电子)9、什么是竞争与冒险现象?怎样判断?如何消除?(汉王笔试)在组合逻辑中,由于门的输入信号通路中经过了不同的延时,导致到达该门的时间不一致叫竞争.产生毛刺叫冒险.如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象.解决方法:一是添加布尔式的消去项,二是在芯片外部加电容.10、你知道那些常用逻辑电平?TTL与COMS电平可以直接互连吗?(汉王笔试)常用逻辑电平:12V,5V,3.3V;TTL和CMOS不可以直接互连,由于TTL是在0.3-3.6V之间,而CMOS则是有在12V的有在5V的.CMOS输出接到TTL是可以直接互连.TTL接到CMOS 需要在输出端口加一上拉电阻接到5V或者12V.11、如何解决亚稳态.(飞利浦-大唐笔试)亚稳态是指触发器无法在某个规定时间段内达到一个可确认的状态.当一个触发器进入亚稳态时,既无法预测该单元的输出电平,也无法预测何时输出才能稳定在某个正确的电平上.在这个稳定期间,触发器输出一些中间级电平,或者可能处于振荡状态,并且这种无用的输出电平可以沿信号通道上的各个触发器级联式传播下去.12、IC设计中同步复位与异步复位的区别.(南山之桥)13、MOORE 与MEELEY状态机的特征.(南山之桥)14、多时域设计中,如何处理信号跨时域.(南山之桥)15、给了reg的setup,hold时间,求中间组合逻辑的delay范围.(飞利浦-大唐笔试)Delay < period - setup – hold16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max,最小为T1min.组合逻辑电路最大延迟为T2max,最小为T2min.问,触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件.(华为)17、给出某个一般时序电路的图,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有clock的delay,写出决定最大时钟的因素,同时给出表达式.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)18、说说静态、动态时序模拟的优缺点.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing.(威盛VIA2003.11.06 上海笔试试题)20、给出一个门级的图,又给了各个门的传输延时,问关键路径是什么,还问给出输入,使得输出依赖于关键路径.(未知)21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简,时序(同步异步差异),触发器有几种(区别,优点),全加器等等.(未知)22、卡诺图写出逻辑表达使.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和.(威盛)24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (V out-Vin) And also explain theoperation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please definethe ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?(仕兰微电子)27、用mos管搭出一个二输入与非门.(扬智电子笔试)28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate andexplain which input has faster response for output rising edge.(less delaytime).(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)29、画出NOT,NAND,NOR的符号,真值表,还有transistor level的电路.(Infineon笔试)30、画出CMOS的图,画出tow-to-one mux gate.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)31、用一个二选一mux和一个inv实现异或.(飞利浦-大唐笔试)32、画出Y=A*B+C的cmos电路图.(科广试题)33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd.(飞利浦-大唐笔试)34、画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=A*B+C(D+E).(仕兰微电子)35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz’.(未知)36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现(实际上就是化简).37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形. (Infineon笔试)38、为了实现逻辑(A XOR B)OR (C AND D),请选用以下逻辑中的一种,并说明为什么?1)INV 2)AND 3)OR 4)NAND 5)NOR 6)XOR 答案:NAND(未知)39、用与非门等设计全加法器.(华为)40、给出两个门电路让你分析异同.(华为)41、用简单电路实现,当A为输入时,输出B波形为…(仕兰微电子)42、A,B,C,D,E进行投票,多数服从少数,输出是F(也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0 多,那么F输出为1,否则F为0),用与非门实现,输入数目没有限制.(未知)43、用波形表示D触发器的功能.(扬智电子笔试)44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器.(扬智电子笔试)45、用逻辑们画出D触发器.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)46、画出DFF的结构图,用verilog实现之.(威盛)47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图.(未知)48、D触发器和D锁存器的区别.(新太硬件面试)49、简述latch和filp-flop的异同.(未知)50、LATCH和DFF的概念和区别.(未知)51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的.(南山之桥)52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图.(华为)53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路?(汉王笔试)54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?(东信笔试)55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16? (Intel) 16分频?56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器,输入carryin和current-stage,输出carryout和next-stage. (未知)57、用D触发器做个4进制的计数.(华为)58、实现N位Johnson Counter,N=5.(南山之桥)59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器,15进制的呢?(仕兰微电子)60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL,如设计计数器.(未知)61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别.(南山之桥)62、写异步D触发器的verilog module.(扬智电子笔试)module dff8(clk , reset, d, q);input clk;input reset;input [7:0] d;output [7:0] q;reg [7:0] q;always @ (posedge clk or posedge reset)if(reset)q <= 0;elseq <= d;endmodule63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述? (汉王笔试)module divide2( clk , clk_o, reset);input clk , reset;output clk_o;wire in;reg out ;always @ ( posedge clk or posedge reset)if ( reset)out <= 0;elseout <= in;assign in = ~out;assign clk_o = out;endmodule64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要,请问:a) 你所知道的可编程逻辑器件有哪些? b) 试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑.(汉王笔试) PAL,PLD,CPLD,FPGA.module dff8(clk , reset, d, q);input clk;input reset;input d;output q;reg q;always @ (posedge clk or posedge reset)if(reset)q <= 0;elseq <= d;endmodule65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路.(仕兰微电子)66、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现10进制计数器.(未知)67、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现消除一个glitch.(未知)68、一个状态机的题目用verilog实现(不过这个状态机画的实在比较差,很容易误解的).(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)69、描述一个交通信号灯的设计.(仕兰微电子)70、画状态机,接受1,2,5分钱的卖报机,每份报纸5分钱.(扬智电子笔试)71、设计一个自动售货机系统,卖soda水的,只能投进三种硬币,要正确的找回钱数. (1)画出fsm(有限状态机);(2)用verilog编程,语法要符合fpga设计的要求.(未知)72、设计一个自动饮料售卖机,饮料10分钱,硬币有5分和10分两种,并考虑找零:(1)画出fsm(有限状态机);(2)用verilog编程,语法要符合fpga设计的要求;(3)设计工程中可使用的工具及设计大致过程.(未知)73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之.(威盛)74、用FSM实现101101的序列检测模块.(南山之桥)a为输入端,b为输出端,如果a连续输入为1101则b输出为1,否则为0.例如a: 0001100110110100100110b: 0000000000100100000000请画出state machine;请用RTL描述其state machine.(未知)75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串(分状态用状态机写).(飞利浦-大唐笔试)76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器(包括空,满,半满信号).(飞利浦-大唐笔试)77、现有一用户需要一种集成电路产品,要求该产品能够实现如下功能:y=lnx,其中,x为4位二进制整数输入信号.y为二进制小数输出,要求保留两位小数.电源电压为3~5v假设公司接到该项目后,交由你来负责该产品的设计,试讨论该产品的设计全程.(仕兰微电子)78、sram,falsh memory,及dram的区别?(新太硬件面试)79、给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9-14b),问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题,记不起来了.(降低温度,增大电容存储容量)(Infineon笔试)80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point outwhich nodes can store data and which node is word line control? (威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)81、名词:sram,ssram,sdram名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDRIRQ: Interrupt ReQuestBIOS: Basic Input Output SystemUSB: Universal Serial BusVHDL: VHIC Hardware Description LanguageSDR: Single Data Rate压控振荡器的英文缩写(VCO).动态随机存储器的英文缩写(DRAM).名词解释,无聊的外文缩写罢了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器),FIR IIR DFT(离散傅立叶变换)或者是中文的,比如:a.量化误差 b.直方图 c.白平衡1: 每个嵌入式系统都有只读存储器eprom之类的,请问rom中有些什么,如何布局2: 请描叙bootloader的主要功能和执行流程3: 简要分析嵌入式系统的体系结构4: 列出linux文件系统的目录结构5: 将变量a进行移位操作,首先设置a的第3位为1,然后清除a的第3位6: void GetMemory(char *p){p = (char *)malloc(100);}void Test(void){char *str = NULL;GetMemory(str);strcpy(str, "hello world";printf(str);}请问运行Test函数会有什么样的结果?答:char *GetMemory(void){char p[] = "hello world";return p;}void Test(void){char *str = NULL;str = GetMemory();printf(str);}请问运行Test函数会有什么样的结果?答:V oid GetMemory2(char **p, int num){*p = (char *)malloc(num);}void Test(void){char *str = NULL;GetMemory(&str, 100);strcpy(str, "hello";printf(str);}请问运行Test函数会有什么样的结果?答:void Test(void){char *str = (char *) malloc(100);strcpy(str, “hello”);free(str);if(str != NULL){strcpy(str, “world”);printf(str);}}请问运行Test函数会有什么样的结果?答:各大公司电子类招聘题目精选-单片机之类-模拟电路/数字电路考题模拟电路1、基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子)2、平板电容公式(C=εS/4πkd).(未知)3、最基本的如三极管曲线特性.(未知)4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用.(仕兰微电子)5、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)(未知)6、放大电路的频率补偿的目的是什么,有哪些方法?(仕兰微电子)7、频率响应,如:怎么才算是稳定的,如何改变频响曲线的几个方法.(未知)8、给出一个查分运放,如何相位补偿,并画补偿后的波特图.(凹凸)9、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺点,特别是广泛采用差分结构的原因.(未知)10、给出一差分电路,告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量.(未知)11、画差放的两个输入管.(凹凸)。

IC设计面试笔试题目集合分类笔试/面试题目集合分类--IC设计基础1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。

（仕兰微面试题目）2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。

（未知）答案：FPGA是可编程ASIC。

ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。

根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。

与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点模拟电路1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。

（未知）3、最基本的如三极管曲线特性。

（未知）4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。

（仕兰微电子）5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。

（未知）8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。

（凹凸）9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。

（未知）10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。

（未知）11、画差放的两个输入管。

（凹凸）12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。

并画出一个晶体管级的运放电路。

IC类面试题IC类面试题一、基础知识部分1. 什么是集成电路（Integrated Circuit），它的优点和应用范围是什么？2. 请解释什么是半导体（Semiconductor），以及半导体材料的特点。

3. 请简要介绍一下半导体器件（如二极管、三极管）的结构、工作原理和应用。

4. 请解释什么是超大规模集成电路（VLSI），以及它的特点和应用范围。

5. 什么是数字集成电路（Digital Integrated Circuit）和模拟集成电路（Analog Integrated Circuit）？请列举它们各自的应用领域。

6. 请简要介绍一下有源器件（如场效应管、双极型晶体管）和无源器件（如电阻、电容、电感）的基本原理和应用。

二、设计能力部分1. 请设计一个简单的二极管整流电路，并解释它的工作原理和应用。

2. 如何设计一个简单的数字电路，将一个四位二进制数转换为十进制数？3. 请设计一个模拟滤波电路，用于去除输入信号中的高频噪声。

4. 如何设计一个集成电路，实现一个温度控制系统？请简要描述设计思路。

5. 请设计一个数字信号处理电路，能够实现输入数据的快速傅里叶变换。

6. 如何设计一个功率放大器电路，实现对输入信号的放大和输出？三、实践能力部分1. 请解释什么是电子设计自动化工具（Electronic Design Automation，简称EDA），并介绍一种常用的EDA工具。

2. 请介绍一种常用的半导体器件制造工艺，并谈谈其优缺点。

3. 请介绍一种常用的可编程逻辑器件（Programmable Logic Device，简称PLD），并解释它的工作原理和应用。

4. 请列举一些常见的集成电路封装形式，并解释它们的特点和应用场景。

5. 请介绍一种常用的模拟集成电路设计方法，以及一种常用的数字集成电路设计方法。

四、综合能力部分1. 在集成电路设计中，如何确定适当的工艺尺寸和电路结构，以实现设计要求？2. 在集成电路设计和制造中，如何解决功耗、发热和可靠性等问题？3. 在开发一个集成电路产品时，您认为最重要的是什么，为什么？4. 请谈谈您对未来集成电路技术发展的看法，以及您认为可能面临的挑战和机遇。

集成电路版图设计笔试面试大全1. calibre语句2. 对电路是否了解。

似乎这个非常关心。

3. 使用的工具。

, 熟练应用UNIX操作系统和L_edit，Calibre, Cadence, Virtuoso, Dracula 拽可乐(DIVA),等软件进行IC版图绘制和DRC，LVS，ERC等后端验证4. 做过哪些模块其中主要负责的有Amplifier，Comparator，CPM，Bandgap，Accurate reference，Oscillator，Integrated Power MOS，LDO blocks 和Pad，ESD cells以及top的整体布局连接5. 是否用过双阱工艺。

工艺流程见版图资料在高阻衬底上同时形成较高的杂质浓度的P阱和N阱，NMOS、PMOS分别做在这两个阱中，这样可以独立调节两种沟道MOS管的参数，使CMOS电路达到最优特性，且两种器件间距离也因采用独立的阱而减小，以适合于高密度集成，但是工艺较复杂。

制作MOS管时，若采用离子注入，需要淀积Si3N4，SiO2不能阻挡离子注入，进行调沟或调节开启电压时，都可以用SiO2层进行注入。

双阱CMOS采用原始材料是在P+衬底(低电阻率)上外延一层轻掺杂的外延层P-(高电阻率)防止latch-up效应(因为低电阻率的衬底可以收集衬底电流)。

N阱、P阱之间无space。

6. 你认为如何能做好一个版图,或者做一个好版图需要注意些什么需要很仔细的回答～答:一，对于任何成功的模拟版图设计来说，都必须仔细地注意版图设计的floorplan，一般floorplan 由设计和应用工程师给出，但也应该考虑到版图工程师的布线问题，加以讨论调整。

总体原则是模拟电路应该以模拟信号对噪声的敏感度来分类。

例如，低电平信号节点或高阻抗节点，它们与输入信号典型相关，因此认为它们对噪声的敏感度很高。

这些敏感信号应被紧密地屏蔽保护起来，尤其是与数字输出缓冲器隔离。

第一部分：基础篇（该部分共有试题8题,为必答题，每位应聘者按自己对问题的理解去回答，尽可能多回答你所知道的内容。

若不清楚就写不清楚）。

1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。

数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。

模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。

例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。

数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。

这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。

在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。

FPGA是英文Field－Programmable Gate Array的缩写，即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。

它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。

2、你认为你从事研发工作有哪些特点？3、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫电流定律:流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。

基尔霍夫电压定律:环路电压的总和为零。

欧姆定律: 电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。

4、描述你对集成电路设计流程的认识。

5、描述你对集成电路工艺的认识。

把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。

第1篇1. 集成电路基础：- 请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSp、ASIC、FpGA等的概念）。

2. 研发工作特点：- 你认为你从事研发工作有哪些特点？3. 基尔霍夫定理：- 基尔霍夫定理的内容是什么？4. 集成电路设计流程：- 描述你对集成电路设计流程的认识。

5. 集成电路工艺：- 描述你对集成电路工艺的认识。

6. 模拟电路设计：- 最基本的如三极管曲线特性（太低极了点）。

- 基本放大电路，种类，优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。

- 反馈之类，如：负反馈的优点（带宽变大）。

7. 数字电路设计：- Verilog/VHDL设计计数器。

- 逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序。

8. 电容公式：- 平板电容公式(CS/4kd)。

9. 反馈电路：- 描述反馈电路的概念，列举他们的应用。

10. 负反馈种类：- 负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点。

11. 放大电路的频率补偿：- 放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？12. 频率响应：- 频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。

13. A/D电路组成和工作原理：- A/D电路组成,工作原理。

14. 软件操作：- ic设计的话需要熟悉的软件: Cadence, Synopsys, Advant，UNIX当然也要大概会操作。

15. 实际工作所需要的一些技术知识：- 电路的低功耗，稳定，高速如何做到，调运放，布版图注意的地方等等。

请注意，这些题目仅供参考，实际面试中的题目可能会根据公司的具体需求和应聘者的背景有所不同。

第2篇一、基础篇1. 请简要描述电子工程的基本概念及其在现代社会中的应用。

2. 解释电子电路中的模拟信号和数字信号的区别。

3. 电流、电压和电阻之间的关系是什么？4. 电路中常见的电源有哪几种？5. 什么是基尔霍夫定律？6. 请简述二极管、晶体管和场效应晶体管的基本原理。

第1篇一、基础知识1. 题目：简述半导体材料的特点及其分类。

解析：半导体材料具有导电性介于导体和绝缘体之间的特性。

半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。

元素半导体主要有硅、锗等，化合物半导体主要有砷化镓、磷化铟等。

2. 题目：解释PN结的形成原理及其特性。

解析：PN结是由P型半导体和N型半导体组成的。

在PN结形成过程中，P区的空穴和N区的电子相互扩散，形成扩散区。

扩散完成后，由于电荷积累，在PN结两侧形成内建电场，阻止电荷继续扩散。

PN结具有单向导电性、整流作用、电容特性等特性。

3. 题目：什么是集成电路？简述集成电路的发展历程。

解析：集成电路是将多个晶体管、二极管、电阻、电容等元件集成在一个半导体芯片上，实现一定功能的电路。

集成电路的发展历程经历了以下阶段：分立元件阶段、小规模集成电路阶段、中规模集成电路阶段、大规模集成电路阶段、超大规模集成电路阶段。

4. 题目：什么是CMOS技术？简述CMOS技术的特点。

解析：CMOS技术是一种互补金属氧化物半导体技术，由N沟道MOSFET和P沟道MOSFET组成。

CMOS技术具有以下特点：低功耗、高集成度、低噪声、良好的温度稳定性等。

二、模拟电路1. 题目：简述运算放大器的特点及其应用。

解析：运算放大器是一种高增益、差分输入、单端输出的放大器。

运算放大器具有以下特点：高增益、低输入阻抗、高输出阻抗、带宽较宽等。

运算放大器广泛应用于模拟信号处理、模拟电路设计等领域。

2. 题目：解释负反馈的概念及其作用。

解析：负反馈是将输出信号的一部分反馈到输入端，与输入信号进行叠加，从而改变电路的放大倍数、带宽、线性度等特性。

负反馈的作用包括：稳定电路工作点、提高电路线性度、扩展电路带宽等。

3. 题目：什么是滤波器？简述滤波器的基本类型及其特点。

解析：滤波器是一种允许信号通过而阻止或削弱其他信号通过的电路。

滤波器的基本类型包括：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器。

模拟电路（基本概念和知识总揽）1、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。

2、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）3、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。

电流定律：在集总电路中，任何时刻，对任一节点，所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。

电压定律：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒等于零。

4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用？反馈，就是在电子系统中，把输出回路中的电量输入到输入回路中去。

反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。

负反馈的优点：降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用。

电压（流）负反馈的特点：电路的输出电压（流）趋向于维持恒定。

5、有源滤波器和无源滤波器的区别？无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。

集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。

但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。

6、基本放大电路的种类及优缺点，广泛采用差分结构的原因。

答：基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路，简称共基、共射、共集放大电路。

共射放大电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻在三种电路中居中，输出电阻较大，频带较窄。

常做为低频电压放大电路的单元电路。

共基放大电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射放大电路相当，频率特性是三种接法中最好的电路。

第1篇一、芯片工艺基础知识1. 简述半导体材料的基本性质，以及硅作为半导体材料的原因。

2. 解释晶体管的基本工作原理，并说明MOSFET和BJT的区别。

3. 简述集成电路制造过程中的光刻、蚀刻、离子注入等主要工艺。

4. 描述MOS晶体管的制造工艺流程，包括掺杂、光刻、蚀刻等步骤。

5. 解释芯片制造中的晶圆切割和晶圆加工技术。

二、芯片制造工艺6. 什么是CMOS工艺？简述其基本原理。

7. 什么是高介电常数（High-k）材料？它在芯片制造中的应用是什么？8. 解释栅极长度和栅极宽度的概念，并说明它们对晶体管性能的影响。

9. 什么是FinFET？与传统的MOSFET相比，它有哪些优势？10. 简述双极型晶体管（BJT）和MOSFET在制造过程中的差异。

三、芯片制造设备与材料11. 简述光刻机的工作原理，以及它对芯片制造的重要性。

12. 解释离子注入设备的原理，并说明其在芯片制造中的应用。

13. 描述刻蚀设备的基本类型和原理，以及它们在芯片制造中的作用。

14. 什么是化学气相沉积（CVD）？它在芯片制造中的应用有哪些？15. 解释溅射工艺的原理，并说明其在芯片制造中的应用。

四、芯片制造过程中的质量控制16. 简述芯片制造过程中的关键质量指标（KPI）。

17. 解释良率、成品率和缺陷率的概念，并说明它们之间的关系。

18. 描述芯片制造过程中的质量控制方法，如缺陷检测、缺陷分类和缺陷分析。

19. 解释芯片制造过程中的可靠性测试，如高温老化测试和高压测试。

20. 简述芯片制造过程中的安全规范，如ESD防护和化学品管理。

五、芯片制造工艺改进与创新21. 解释摩尔定律，并说明其对芯片制造工艺的影响。

22. 简述纳米技术对芯片制造工艺的挑战和机遇。

23. 描述芯片制造过程中的绿色工艺，如低功耗设计、低排放材料和可回收材料。

24. 解释芯片制造过程中的自动化和智能化趋势，如机器人、人工智能和机器学习。

25. 简述芯片制造过程中的新材料、新工艺和新设备的研究与开发。

集成电路、版图设计、电路设计、微电子、工艺、IC、芯片、笔试、面试题目-----超全了集成电路设计基础（工艺、版图、流程、器件）1、什么叫Latchup，如何预防闩锁效应?（仕兰、科广试题）Q1为一纵向PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一横向的NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。

以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT 处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。

当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从而使两个BJT因触发而导通，VDD至GND（VSS）间形成低抗通路，Latch up由此而产生。

产生Latch up 的具体原因：芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和P substrate间寄生电容中产生足够的电流，当VDD变化率大到一定地步，将会引起Latch up。

当I/O的信号变化超出VDD-GND（VSS）的范围时，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR的触发。

ESD静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well或substrate中，也会引起SCR的触发。

当很多的驱动器同时动作，负载过大使power和gnd突然变化，也有可能打开SCR的一个BJT。

Well 侧面漏电流过大。

消除“Latch-up”效应的方法：版图设计时：①为减小寄生电阻Rs和Rw，版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害的电位梯度；②避免source和drain的正向偏压；③使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND；N+ ring环绕pmos并接VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止载流子到达BJT的基极。

面试笔试题目IC设计基础（流程、工艺、版图、器件）（小编整理）第一篇：面试笔试题目 IC设计基础(流程、工艺、版图、器件) IC设计基础（流程、工艺、版图、器件）1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。

（仕兰微面试题目）2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。

（未知）答案：FPGA是可编程ASIC。

ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。

根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。

与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目）4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目）5、描述你对集成电路设计流程的认识。

（仕兰微面试题目）6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。

（仕兰微面试题目）7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。

（未知）8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知）9、Asic的design flow。

（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。

（威盛）11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。

（扬智电子笔试）先介绍下IC开发流程：1.）代码输入（design input)用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码语言输入工具：SUMMIT VISUALHDLMENTOR RENIOR图形输入: composer(cadence);viewlogic(viewdraw)2.）电路仿真（circuit simulation)将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确数字电路仿真工具：Verolog： CADENCE Verolig-XLSYNOPSYS VCSMENTOR Modle-simVHDL : CADENCE NC-vhdlSYNOPSYS VSSMENTOR Modle-sim模拟电路仿真工具：***ANTI HSpice pspice，spectre micro microwave: eesoft : hp3.）逻辑综合（synthesis tools)逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；将初级仿真中所没有考虑的门沿（gates delay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。

IC笔试面试题目集合1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPG等的概念）。

（仕兰微面试题目）2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。

（未知）FPGA是可编程ASIC。

ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。

根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。

与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点模拟电路3、基尔霍夫定律的内容是什么？（仕兰微电子）基尔霍夫定律（Kirchhoff Law）基尔霍夫电流定律（KCL）对任一集总参数电路中的任一节点，在任一瞬间，流出该节点的所有电流的代数和恒为零。

基尔霍夫电压定律（KVL）：对任一集总参数电路中的任一回路，在任一瞬间，沿此回路的各段电压的代数和恒为零。

4、平板电容公式C=εS/4πkd5、三极管曲线特性。

（未知）6、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。

（仕兰微电子）反馈是将放大器输出信号(电压或电流)的一部分或全部,回授到放大器输入端与输入信号进行比较(相加或相减),并用比较所得的有效输入信号去控制输出,这就是放大器的反馈过程.凡是回授到放大器输入端的反馈信号起加强输入原输入信号的,使输入信号增加的称正反馈.反之则反.按其电路结构又分为:电流反馈电路和电压反馈电路.正反馈电路多应用在电子振荡电路上,而负反馈电路则多应用在各种高低频放大电路上.因应用较广,所以我们在这里就负反馈电路加以论述.负反馈对放大器性能有四种影响: 1.负反馈能提高放大器增益的稳定性. （温度稳定性）2.负反馈能使放大器的通频带展宽. 3.负反馈能减少放大器的失真. 4.负反馈能提高放大器的信噪比. 5.负反馈对放大器的输出输入电阻有影响。

集成电路设计基础（工艺、版图、流程、器件）1、什么叫Latchup，如何预防闩锁效应?（仕兰、科广试题）Q1为一纵向PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一横向的NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。

以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT 处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。

当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从而使两个BJT因触发而导通，VDD至GND（VSS）间形成低抗通路，Latch up由此而产生。

产生Latch up 的具体原因：• 芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和P substrate间寄生电容中产生足够的电流，当VDD变化率大到一定地步，将会引起Latch up。

• 当I/O的信号变化超出VDD-GND（VSS）的范围时，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR的触发。

• ESD静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well或substrate中，也会引起SCR的触发。

• 当很多的驱动器同时动作，负载过大使power和gnd突然变化，也有可能打开SCR的一个BJT。

• Well 侧面漏电流过大。

消除“Latch-up”效应的方法：版图设计时：①为减小寄生电阻Rs和Rw，版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害的电位梯度；②避免source和drain的正向偏压；③使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND；N+ ring环绕pmos并接VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止载流子到达BJT的基极。

(上海华虹)1、国家211工程本科以上，电子类相关专业，外貌具有亲和力2、较强的逻辑思维能力，语言表达能力，善于撰写报告3、勇于承受工作压力和挫折、随机应变4、熟悉mcu软、硬件应用，具备独立开发能力优先5、熟悉模拟电路应用，具备产品开发和应用能力优先(华为)1。

集成电路设计前端流程及工具。

答：前端流程主要是RTL级设计，验证，综合。

后端主要是布图布线综合后的输出文件，可以拿去做layout，将电路fit到可编程的片子里或者布道硅片上，这分单元库和全定制。

单元库下一步就是自动布局布线,auto place & route，简称apr cadence的工具是Silicon Ensembler,Avanti的是Apollo；全定制Cadence的工具是layout editor。

2。

FPGA和ASIC的概念,他们的区别答：FPGA是可编程ASIC；ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。

根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短交货周期供货的全定制，半定制集成电路。

与门阵列等其它ASIC相比，它们又具有设计开发周期短，设计制造成本低，开发工具先进、标准产品无需要测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点。

3。

LATCH和DFF的概念和区别答：LATCH和DFF都是时序逻辑，区别为：latch同其所有的输入信号相关，当输入信号变化时latch就变化，没有时钟端；DFF受时钟控制，只有在时钟触发时才采样当前的输入，产生输出。

当然因为二十都是时序逻辑，所以输出不但用当前的输入相关还同上一时间的输出相关。

4。

用DFF实现二分频。

答：module div2(input wire en _ n, input wire out _ clk）;Wire D;Wire Q;Assign D=en _n & (~Q);DFF (.clk (clk), .D(D), .Q(Q));Assign out _ clk =Q;endmodule5。

I C笔试面试基础题目集合集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#模拟电路1、基尔霍夫定律的内容是什么基尔霍夫定律（Kirchhoff Law）基尔霍夫电流定律（KCL）：对任一集总参数电路中的任一节点，在任一瞬间，流出该节点的所有电流的代数和恒为零。

基尔霍夫电压定律（KVL）：对任一集总参数电路中的任一回路，在任一瞬间，沿此回路的各段电压的代数和恒为零。

2、平板电容公式 C=εS/4πkd3、三极管曲线特性：三极管外部各极电压和电流的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。

它不仅能反映三极管的质量与特性，还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据。

对于三极管的不同连接方式，有着不同的特性曲线。

应用最广泛的是共发射极电路，其基本测试电路如图Z0118所示，共发射极特性曲线可以用描点法绘出，也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。

一、输入特性曲线:在三极管共射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时，UBE和IB之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线，如图Z0119所示。

输入特性曲线的数学表达式为：IB＝f（UBE）| UBE = 常数GS0120 GS0121由图Z0119 可以看出这簇曲线，有下面几个特点：（1）UBE = 0的一条曲线与二极管的正向特性相似。

这是因为UCE = 0时，集电极与发射极短路，相当于两个二极管并联，这样IB与UCE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。

（2）UCE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移，而且当UCE的数值增至较大时（如UCE＞1V），各曲线几乎重合。

这是因为UCE由零逐渐增大时，使集电结宽度逐渐增大，基区宽度相应地减小，使存贮于基区的注入载流子的数量减小，复合减小，因而IB减小。

如保持IB为定值，就必须加大UBE ，故使曲线右移。

当UCE 较大时（如UCE ＞1V），集电结所加反向电压，已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去，以致UCE再增加，IB 也不再明显地减小，这样，就形成了各曲线几乎重合的现象。