模拟电子技术第五版基础习题测验与解答

电子技术基础模拟部分第五版第八章作业题解答湖呵呵8功率放大电路8.1 功率放大电路的一般问题在甲类r乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率最高？解：在输入正弦信号情况下，通过三极管的电流％不出现截止状态（即导通角。

=2打）的称为甲类；在正弦信号一个周期中，三极管只有半个周期导通3 = 77）的称为乙类；导通吋间大于半周而小于全周（打<E <2"）的称为甲乙类。

其中工作于乙类的放大电路效率最高，在双电源的互补对称电路中，理想情况下最高效率可达78. 5% D8,3 乙类双电源互补对称功率放大电路&3.1在图题1所示电路中*设丁的0 = 100, V吐二0.7 V, V CES =0.5 V T Z CE0 =0,电容C对交流可视为短路. 输入信号叫为正弦波。

（门计算电路可能达到的最大不失真输岀功率尸叭；（2）此时心应调节到什么数值？（3）此时电路的效率叶二？试与工作在乙类的互补对称电路比较。

解:（1）求尸晌[(%-V CE J/(2Q)『瓦（2）求他考虑到仏二几12 V』5 V"72 A[(12 - O.3)/(2Q)F8W^2+07 W图题8, 3, J下载可编辑1 570 Q (12 - 0, 7) V x 100 0.72 A下载可编辑显然，比工作于乙类的互补对称电路的理想效率低很多。

乩* 2 一双电源互补对称电路如图题艮3.2所示，设已知V cc = 12 V t /?L = 16 0^.为正弦波。

求；(1)在BJT 的饱和压降比岛可以忽略环计的条件F,负 载上可能得到的最大输出功率 2 (2)每个管子允许的管耗耳開至少应为多 少？(。

每个管子的耐压I K (Btt)CE0 |应大于多少？解：⑴输出功率(2)每管允许的管耗P (.M ^0, 2 卩小=0. 2 x4.5 W 二® 9 W(3) 每管的耐压湖呵呵2.07 W12 V xO, 72~A= 24%(RR)CEO孑 2 V cc = 2 x 12 V =24 V8,3+3在图题8.3.2所示电路中，设哲为正弦波”心=8要求最大输出功率巴皿=9 W o 试求在BJT 的惋和压降〈E J 可以 忽略不计的条件下，求：(1)正、负电源％匚的最小 值；(2)根据所求卩优最小值•计算相应的厶“ | V tBRKE J 的最小值；(父)输出功率最大(匕m = 9W)时，电源供给的功率(4)每个管子允许 的管耗戶跡的最小值；(门当输岀功率最大(P 晌二 9 W)时的输入电压有效值中解：(1) V 蔭的最小值 由卩丽金可求得/2X 8 ftx9 W = 12 V(2)心和丨陷讣(的最小值k T1图题8.3.2CM12 V 811|V (BR)C£O >2V CC =2X12 V=24 V设为电流平均值.则匕=2%S =篇2 X (12 V)/ 7T X 8 fl1L46 W(4)P阳的最小值湖呵呵P CM MO. 2P_ =0.2 x9 W =1.8 W(5)输人电压有效值—卩严％/后& 49 V8. 3.4设电路如图题&久2所示，管子在输入信号耳作用下，在一周期内J和轮流导电约180°,电源电压％=20 V,负载肌=8 0,试计算：(D在输人信号=10 V(有效值)时，电路的输岀功率、管耗、直流电源供给的功率和效率；(2)当输人信号叫的幅值为xV cc =20 V时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率°解：(1) ^ = 10 V 时V im =M 二QxlO V = 14 V,人"^AV.=14 Vi V2 1 V21 141・输出功率P. =y '--~=y x~W= 12. 25 Wcc每管的管耗V4( 20 xl43, 14一牛)W" 02 W两管的管耗电源供给的功率P T=2P TI = 10. 04 W=巴 5 = 12. 25 + 10. 04 =22. 29 W效率可= )x100% x 100% ^54.96% 厂1J E迅日乙，⑵=20 V时％二血卩貯咯=20 V1V2X on2输出功率巴=斗・占二斗X辛琢=25 W2n L 2 o两管的管耗P T =2P T1二寻(冬-字卜6恋W/电源供给的功率P v = P o + P T = 25 + 6. 85 =31+ 85 WP95效率7?二才x 100% =——- X 100% 弋7& 5%Jr v 3 1 * &58.4甲乙类互补对称功率放大电路& 4.1 一单电源互补对称功放电路如图题8.4. 1所示*设比为正弦波,湖呵呵由H则有图题8解?cc 立6D %为 TH-1 000pFq °~IR100 pF图题8.4.3% D. T2 =甲£ 兔 E ~P & 4. 称电路中 量很大，氏碍情况下k T(2)动态时，若输 应调整哪个电=R 、= 1, 1 kfi, =0 7 V ‘ P CM = 町中任意一个yK cc =6 V,调整乩或町可满 足这一要求。

第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。

（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。

A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。

试画出ui和uo的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。

解：对于（a）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。

采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。

模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中，模拟电子技术一直占据着重要的地位。

它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。

《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材，其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。

首先，让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。

半导体器件是模拟电子技术的基石，理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。

例如，有这样一道习题：“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能？”对于这道题，我们需要明白，纯净的半导体中载流子浓度很低，而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级，从而增加了载流子的浓度，使得导电性能得到改善。

再比如，“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。

”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电，P 型半导体中主要是空穴导电，并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。

在二极管这一章节，也有不少具有代表性的习题。

“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性，并解释其原因。

”在解答这道题时，我们要知道在正向偏置时，二极管的 PN 结变薄，电阻减小，电流容易通过；而在反向偏置时，PN 结变厚，电阻增大，只有极小的反向饱和电流。

还有“利用二极管的单向导电性，设计一个简单的整流电路，并计算其输出电压和电流。

”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中，通过计算来确定电路的性能参数。

三极管是模拟电子技术中的核心器件，相关的习题更是复杂多样。

“阐述三极管的放大作用原理，以及如何判断三极管的工作状态。

”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理，知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。

判断工作状态时，需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系，以及各极之间的电压来确定。

又如“设计一个共射极放大电路，计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。

第3章 多级放大电路自 测 题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。

解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C ，B二、选择合适答案填入空内。

（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。

A .克服温漂B . 提高输入电阻C .稳定放入倍数 （4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。

A .差B .和C .平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解：（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）Cr=100三、电路如图PT3.3所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbΩ，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。

模拟电子技术基础习题与解答2.4.1电路如图题2.4.1所示。

（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。

解（1）求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。

Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则 mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆ O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。

2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。

设二极管是理想的。

解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。

图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。

图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。

图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。

2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。

试画出ui和uo的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。

解：对于（a）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。

采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。

模拟电子技术第五版基础习题与解答近年来，随着电子技术的飞速发展，模拟电子技术成为了电子领域中不可或缺的一部分。

针对这一现象，本文将为读者介绍《模拟电子技术第五版》的基础习题与解答。

第一章：放大电路基础知识习题一：1. 解释放大电路中的增益概念。

2. 请说明共射放大电路的特点及其适用范围。

3. 对于共集放大电路，它的输出特点是什么？如何计算其电压增益？解答一：1. 放大电路的增益是指输出信号与输入信号之间的比例关系。

通常用电压增益(Av)和功率增益(Ap)来表示。

2. 共射放大电路输入阻抗较高，输出阻抗较低，适用于信号放大和阻抗匹配。

3. 共集放大电路的输出电压与输入电压具有相同的相位，但电压增益小于1，计算公式为Av = (1+β)*Rc / (Re + (1+β)*Rc)。

第二章：场效应管习题二：1. 解释场效应管的工作原理。

2. 请列举并描述几种常见的场效应管类型及其特点。

3. 对于n沟道增强型MOSFET，如何进行静态工作点分析与计算？解答二：1. 场效应管是一种电压控制器件，根据栅极电压的大小来调节电流。

其工作原理主要有MOSFET和JFET两种。

2. 常见的场效应管类型包括MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）。

MOSFET具有输入阻抗高、功耗低等特点；而JFET具有低噪声、电压放大倍数高等特点。

3. 对于n沟道增强型MOSFET，静态工作点分析与计算需要考虑栅极电流与漏极电流之间的关系，以及沟道导电性等因素。

第三章：运算放大器习题三：1. 解释运算放大器的原理。

2. 请列举并描述几种典型的运算放大器电路。

3. 对于反相运算放大器，它的电压增益如何计算？解答三：1. 运算放大器是一种增益很大的差分放大电路，它可以将微弱的输入信号放大成较大的输出信号。

2. 典型的运算放大器电路包括反相运算放大器、非反相运算放大器、综合运算放大器等。

它们分别具有不同的输入输出关系和放大性能。