模拟电子技术基础试题与答案解析
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模拟电子技术基础测试题及参考答案一、选择题1. 下列哪种器件是一种双极型晶体管?(A)锗二极管(B)硅二极管(C)三极管(D)场效应晶体管答案:C2. 在放大电路中,下列哪种反馈方式可以使放大倍数增加?(A)电压反馈(B)电流反馈(C)串联反馈(D)并联反馈答案:A3. 下列哪种电路可以实现交流信号的放大?(A)rc电路(B)lc振荡电路(C)放大电路(D)整流电路答案:C4. 下列哪种元件在放大电路中起到稳定放大倍数的作用?(A)电容器(B)电阻器(C)电感器(D)晶体管答案:D5. 下列哪种电路可以实现信号的整流?(A)放大电路(B)整流电路(C)滤波电路(D)振荡电路答案:B6. 在整流电路中,下列哪种元件可以实现全波整流?(A)二极管(B)三极管(C)晶闸管(D)grt答案:A7. 下列哪种电路可以实现信号的滤波?(A)rc电路(B)lc振荡电路(C)放大电路(D)整流电路答案:A8. 在滤波电路中,下列哪种元件可以实现低通滤波?(A)电容器(B)电阻器(C)电感器(D)晶体管答案:C9. 下列哪种电路可以实现信号的转换?(A)放大电路(B)整流电路(C)滤波电路(D)振荡电路答案:D10. 在振荡电路中,下列哪种元件可以起到决定振荡频率的作用?(A)电容器(B)电阻器(C)电感器(D)晶体管答案:C二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、基极和_______极。
答案:集电极2. 放大电路的输入电阻较大,输出电阻较小,这样可以使得输入信号的电压得到_______放大。
答案:有效3. 放大电路中,反馈分为电压反馈和电流反馈,其中电压反馈可以使放大倍数_______。
答案:增加4. 整流电路的作用是将交流信号转换为_______信号。
答案:直流5. 滤波电路的作用是去除信号中的_______分量。
答案:高频6. 振荡电路的作用是产生_______信号。
答案:稳定三、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题:1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小决定于温度,而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为正向偏置(正偏),反之称为反向偏置(反偏)。
4.PN结最重要的特性是单向导电性,它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同,有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管,当IB 从10μA增大到20μA,IC从1mA增大到2mA,它的β为100,α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区,而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的集电(C)极、基(B)极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为发射(E)极,B为基(B)极,C为集电(C)极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区,主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区:分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级,它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为1KΩ。
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大 B.输出量增大C.净输入量增大 D.净输入量减小11、交流负反馈是指。
A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大交流信号时才有的负反馈C.在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I的单位一致;V为外加电压; VT=kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。
A.β增加,I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加,u BE减小C.β与u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
#### 一、选择题(每题2分,共20分)1. 在下列选项中,不属于模拟电子技术基本元件的是:A. 电阻器B. 电容器C. 晶体二极管D. 晶体三极管答案:D2. 下列哪种元件在交流电路中具有隔直通交的特性?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 开关答案:B3. 下列哪种元件在交流电路中具有通直隔交的特性?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 开关答案:C4. 在晶体管放大电路中,通常用作放大元件的是:A. 晶体二极管B. 晶体三极管C. 电阻器D. 电容器答案:B5. 下列哪种电路能够实现信号的相移?A. RC电路B. RL电路C. RC串联电路D. RL串联电路答案:B6. 在下列选项中,不属于放大电路输出方式的是:A. 反相放大B. 同相放大C. 比例放大D. 幅度调制答案:D7. 在差分放大电路中,两个晶体管的工作状态通常:A. 互补B. 相同C. 相反D. 随机答案:B8. 下列哪种放大电路具有较好的抗干扰能力?A. 单管放大电路B. 双管放大电路C. 差分放大电路D. 直流放大电路答案:C9. 在放大电路中,通常用于稳定静态工作点的是:A. 偏置电阻B. 偏置电压C. 稳压二极管D. 线性稳压器答案:A10. 下列哪种电路能够实现信号的频率选择?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 滤波器D. 谐振电路答案:D#### 二、填空题(每空2分,共10分)1. 模拟电子技术是研究_________的科学技术。
答案:电子器件及其应用2. 晶体二极管具有_________和_________两种工作状态。
答案:正向导通、反向截止3. 晶体三极管具有_________、_________和_________三种组态。
答案:共发射极、共集电极、共基极4. 差分放大电路具有_________和_________两种输入方式。
答案:单端输入、双端输入5. 滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将(A )。
A 增大B 减小C 不变D等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管(D )A.处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D.已损坏olEV■dV odOV3.某放大电路图所示.设V>>V B E,L CE"0,则在静态时该三极管处于(B )A. 放大区B. 饱和区C. 截止区D.区域不定4.半导体二极管的重要特性之一是(B )。
(A)温度稳定性(B)单向导电性(C)放大作用(D)滤波特性5.在由NPNffi BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生失真。
(A)截止失真(B)饱和v失真(C)双向失真(D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压L D= 0.7V,关于输出电压的说法正确的是(B )。
A : u ii=3V, u i2=0.3V 时输出电压为3.7V。
B : w=3V, u i2=0.3V时输出电压为1VC : u ii=3V, *=3V时输出电压为5V。
D :只有当u ii=0.3V, u i2=0.3V时输出电压为才为IV。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q 点移动到Q点可能的原因是A :集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻C :基极电源+V B B电压变高D:基极回路电阻F b 变高。
(C ) 。
A.共射电路B.共基电路11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△ usi =80mV, △ us2=60mV 则差模输入电压△ [ id 为(B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD.140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合, 可以在信号源与低阻负载间接入8 .直流负反馈是指(C )A.存在于RC 耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C.直流通路中的负反馈D. 耦合电路中的负反馈9 .负反馈所能抑制的干扰和噪声是(B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 噪声C.反馈环外的干扰和噪声D.只存在于直接反馈环内的干扰和输出信号中的干扰 和噪声10 .在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为 (A )A. —2.5VB. — 5VC. —6.5VD.7.5VRrC.共集电路D. 共集-共基串联电路13.在考虑放大电路的频率失真时,若普为正弦波,则u0( D )A.有可能产生相位失真B. 有可能产生幅度失真和相位失真C. 一定会产生非线性失真D. 不会产生线性失真14.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在(A)。
模拟电子技术基础试题库(附答案)一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称?A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案:A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路?A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案:A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用?A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案:A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相?A. common-emitter amplifier(共射放大器)B. common-base amplifier(共基放大器)C. common-collector amplifier(共集放大器)D. emitter-follower(发射极跟随器)答案:A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分?A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案:B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波?A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案:A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。
答案:发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。
答案:放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。
一、单项选择题1. 下列关于电路中电压方向的描述,错误的是()A. 电压的参考方向可任意设定B. 电压的实际方向就是参考方向C. 电位降低的方向是电压的实际方向D. Uab表示a点与b点之间电压参考方向由a指向b答案:B解析:电压的实际方向不一定与参考方向相同,取决于电路的连接方式。
2. 电路如题2图所示,则以下关于电源功率的描述中,正确的是()A. 电压源吸收功率20W,电流源吸收功率40WB. 电压源吸收功率20W,电流源提供功率40WC. 电压源提供功率20W,电流源吸收功率40WD. 电压源提供功率20W,电流源提供功率40W答案:D解析:电压源提供功率,电流源吸收功率。
3. 已知加在电容C2F两端的电压为U(t)100cos(2000t)(mV),则流过该电容的电流为()A. 10cos(2000t) AB. 10sin(2000t) AC. 10cos(2000t) AD. 10sin(2000t) A答案:A解析:电容的电流与电压之间满足关系 i = C dU/dt,代入公式可得 i =10cos(2000t) A。
4. 下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A. 仅自由电子是载流子B. 仅空穴是载流子C. 自由电子和空穴都是载流子D. 三价杂质离子也是载流子答案:B解析:P型半导体中的载流子主要是空穴。
5. 以下关于差动放大电路的描述中,错误的是()A. 差动放大电路是一个对称电路B. 差动放大电路的共模抑制比越大,性能越好C. 差动放大电路能抑制零点漂移D. 差动放大电路能抑制共模干扰答案:D解析:差动放大电路能抑制共模干扰,但不能抑制共模干扰。
二、多项选择题1. 下列哪些元件属于无源元件()A. 电阻B. 电容C. 电感D. 晶体管答案:A、B、C解析:电阻、电容、电感都属于无源元件。
2. 下列哪些电路具有正反馈作用()A. 同相放大电路B. 反相放大电路C. 比较器电路D. 振荡电路答案:A、D解析:同相放大电路和振荡电路具有正反馈作用。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中,哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平?A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案:C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件?A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案:D. 电池3. 在模拟电子技术中,下面哪个元器件常用于放大电压信号?A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案:C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号?A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案:D. 调制器5. 在模拟电子技术中,以下哪个元器件常用于对电流进行控制?A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案:D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。
答案:欧姆(Ω)7. 二极管有两个基本电极,分别是阳极(A)和________。
答案:阴极(K)8. 在放大器中,输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平,这个功能叫做________。
答案:放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。
答案:线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号?答案:整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。
答案:电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。
电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理,通过在电子管中加入电场和磁场,可以控制电子流的流动和放大信号。
在模拟电子技术中,电子管经常用于放大电压信号。
它具有高放大系数和低噪声的特点,因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。
同时,电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。
12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。
答案:两种常见的放大器类型分别是:a. 甲类放大器:甲类放大器是一种线性放大器,输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大,即电流在整个传输特性曲线上运行。
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。
A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。
C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。
D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A )A. -2.5VB. -5VC. -6.5VD. -7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
模拟电子技术基础试题(附答案)一、填空题(每题2分,共20分)1. 常用的二极管符号有____和____两种。
2. 理想运放满足____、____、____和____四条条件。
3. 电容器充电过程中,其两端电压与充电时间的关系为____。
4. 晶体管的三个极分别为:发射极、____和____。
5. 稳压二极管的反向特性包括____和____两个部分。
6. 常用的放大器分类有____、____和____三种。
7. 整流电路按输入波形不同分为____、____和____三种。
8. 频率响应分析方法主要用于研究____、____和____等电路特性。
9. 常用的滤波器类型有____、____、____和____等。
10. 计数器按计数方式不同分为____、____和____三种。
二、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪个不是理想运放的条件?A. 无穷大的开环增益B. 输入端电阻无穷大C. 输出端电阻无穷大D. 输入端电压与输出端电压无关2. 下列哪个电路不是常用的整流电路?A. 单相全波整流电路B. 单相半波整流电路C. 三相半波整流电路D. 晶体管整流电路3. 下列哪个不是稳压二极管的反向特性?A. 反向漏电流B. 反向击穿电压C. 正向阻断特性D. 反向饱和电流4. 下列哪个不是常用的放大器分类?A. 电压放大器B. 功率放大器C. 运算放大器D. 滤波放大器5. 下列哪个不是常用的滤波器类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 陷波滤波器三、简答题(每题10分,共30分)1. 请简述二极管的工作原理。
2. 请简述运放的同相输入端和反相输入端的区别。
3. 请简述整流电路的作用及其分类。
四、计算题(每题15分,共45分)1. 有一个电容器C=47μF,充电电压U=5V,求充电时间t。
2. 请画出下列电路的频率响应曲线:(略)3. 有一个NPN型晶体管,其β=50,VCBO=5V,VCC=10V,VE=0V,求基极电流Ib、集电极电流Ic和发射极电流Ie。
一、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪种半导体器件在正向偏置时导通,在反向偏置时截止?A. 二极管B. 晶体管C. 场效应管D. 稳压管2. 在N型半导体中掺入哪种元素可以形成PN结?A. P型半导体B. N型半导体C. 碳D. 硅3. 三极管放大电路中,发射结和集电结的偏置方式分别是?A. 发射结正偏,集电结反偏B. 发射结反偏,集电结正偏C. 发射结和集电结都正偏D. 发射结和集电结都反偏4. 下列哪种电路可以实现信号的反相放大?A. 共射放大电路B. 共基放大电路C. 共集放大电路D. 集成运算放大电路5. 下列哪种电路可以实现信号的加法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路6. 负反馈对放大电路的频率响应有什么影响?A. 提高带宽B. 降低带宽C. 不影响带宽D. 无法确定7. 下列哪种放大电路具有高输入阻抗和低输出阻抗?A. 共射放大电路B. 共基放大电路C. 共集放大电路D. 集成运算放大电路8. 下列哪种放大电路可以实现信号的减法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路9. 下列哪种电路可以实现信号的乘法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路10. 下列哪种放大电路可以实现信号的除法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路二、填空题(每题2分,共20分)1. 半导体中,自由电子带______电,空穴带______电。
2. PN结在______偏置时导通,在______偏置时截止。
3. 三极管放大电路中,发射结的偏置为______,集电结的偏置为______。
4. 集成运算放大电路的反相输入端和同相输入端之间的电压差称为______。
5. 负反馈放大电路的放大倍数与反馈系数的关系为______。
一、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪个不是半导体器件?A. 二极管B. 晶体管C. 晶闸管D. 气体放电管2. 在晶体二极管中,下列哪种情况下会产生击穿现象?A. 正向偏置B. 反向偏置C. 正向偏置且电流过大D. 反向偏置且电压过高3. 集成运算放大电路的基本组成包括:A. 输入级、中间级、输出级B. 输入级、输出级C. 中间级、输出级D. 输入级、中间级4. 放大电路中的反馈分为:A. 正反馈和负反馈B. 电压反馈和电流反馈C. 串联反馈和并联反馈D. 正反馈和电压反馈5. 在放大电路中,下列哪种元件主要用于提供直流偏置?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 稳压二极管6. 频率响应描述了放大电路:A. 在不同频率下的增益变化B. 在不同频率下的相位变化C. 在不同频率下的输出功率变化D. 在不同频率下的输入功率变化7. 功率放大电路的主要任务是:A. 提高放大电路的增益B. 提高放大电路的输出功率C. 降低放大电路的噪声D. 提高放大电路的带宽8. 直流电源在模拟电子技术中主要用于:A. 为放大电路提供直流偏置B. 为放大电路提供交流信号C. 为放大电路提供高频信号D. 为放大电路提供低频信号9. 在模拟电子电路读图中,符号“-”表示:A. 电压B. 电流C. 电阻D. 电容10. 模拟电子技术基础中的“模拟”一词指的是:A. 数字信号B. 电路模拟C. 信号模拟D. 以上都不是二、填空题(每题2分,共20分)1. 晶体二极管具有______和______的特性。
2. 集成运算放大电路的三个基本组成部分是______、______和______。
3. 反馈在放大电路中的作用是______、______和______。
4. 频率响应描述了放大电路在不同______下的增益变化。
5. 功率放大电路的主要任务是______放大电路的______。
6. 直流电源在模拟电子技术中主要用于______放大电路的______。
电子技术基础模拟练习题及参考答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1.一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有()种A、8B、15C、1正确答案:C2.组合逻辑电路有若干个输入端,只有一个输出端。
A、×B、✔正确答案:A3.用三极管构成的门电路称为()门电路。
A、MOC型B、TTL型C、CMOS型正确答案:B4.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时,应该()偏置电阻。
A、减小。
B、增大C、保持。
正确答案:A5.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()A、相位差90°。
B、同相位。
C、相位差180°。
正确答案:C6.设计一个同步十进制加法计数器需要三个触发器就可以。
A、✔B、×正确答案:B7.理想运算放大器的输出电阻为()A、无穷B、不定正确答案:B8.下列逻辑代数运算法则中,错误的是()A、A(B+C)=AB+ACB、A+(B+C)=(A+B)+CC、A+BC=(A+B)C正确答案:C9.半导体导电能力()导体。
A、等于B、小于C、大于正确答案:B10.与非门的逻辑功能是。
A、全高为高。
B、全低为高。
C、部分高为高。
正确答案:B11.逻辑代数运算中1+1=()A、3B、2C、1正确答案:C12.从射极输出器的交流通路看他是一个共()电路。
A、集电极。
B、基极C、发射极。
正确答案:A13.RS出发去具有()种逻辑功能。
A、3B、1C、2正确答案:A14.逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、不想同B、有的相同,有的不相同。
C、相同正确答案:B15.测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是,-0.7,-1,-6责-0.7对应的是()A、基极B、发射极。
C、集电极。
正确答案:B16.一个平衡PN结用导线将p区和n区连起来而导线中()A、有瞬间微弱电流。
B、有微弱电流。
C、无电流。
正确答案:C17.半导体材料有()种A、2B、1C、3正确答案:A18.三端集成稳压器w7805的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:A19.在截止区三极管()电流放大作用。
电子电工专业试卷
说明:本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分,第Ⅰ卷XXX页,第Ⅱ卷XXX页。
两卷满分为100分,考试时间120分钟。
Ⅰ卷答案涂在答题卡上,Ⅱ卷答案写在试卷上。
第Ⅰ卷(选择题,共35分)
注意事项:
每小题选出答案后,用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑,如需改动,请用橡皮擦干净后,再选择其答案标号,如果答案不涂写在答题卡上,成绩无效。
一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。
每小题只有一个正确答案。
)
1、半导体二极管加正向电压时,有()
A、电流大电阻小
B、电流大电阻大
C、电流小电阻小
D、电流小电阻大
2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()
A、反向偏置击穿状态
B、反向偏置未击穿状态
C、正向偏置导通状态
D、正向偏置未导通状态
3、三极管工作于放大状态的条件是()
A、发射结正偏,集电结反偏
B、发射结正偏,集电结正偏
C、发射结反偏,集电结正偏
D、发射结反偏,集电结反偏
4、三极管电流源电路的特点是()
A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小
B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大
C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小
D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大
5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC应当()
A、短路
B、开路
C、保留不变
D、电流源
6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入()
A、共射电路
B、共基电路
C、共集电路
D、共集-共基串联电路
7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为()
图2
A、PNP型锗三极管
B、NPN型锗三极管
C、PNP型硅三极管
D、NPN型硅三极管
8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为()
A、20倍
B、-20倍
C、-10倍
D、0.1倍
9、电流源的特点是直流等效电阻( )
A、大
B、小
C、恒定
D、不定
10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为()
A、U0=0.45U2
B、U0=1.2U2
C、U0=0.9U2
D、U0=1.4U2
二、判断题(本大题共5小题,每小题1分,共计5分。
每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”,叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。
)
1.P型半导体中,多数载流子是空穴()
2.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降()
3.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开()
4.稳压二极管工作在反向击穿区域()
5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()
第Ⅱ卷(非选择题部分,共65分)
一、填空题(25分)
1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V ;锗二极管的门槛电压约为 _ _V ,导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。
2、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。
3、二极管的最主要特性是 。
PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。
4、二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 。
5、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是 电容,影响高频信号放大的是 电容。
6、在NPN 三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ ,I CQ ,U CEQ 。
7、三极管的三个工作区域是 , , 。
集成运算放大器是一种采用 耦合方式的放大电路。
8、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V , V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是 管(材料), 型的三极管,该管的集电极是a 、b 、c 中的 。
9、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB ,总的电压放大倍数为 。
二、简答题(2*5=10分)
1.简述影响放大电路频率特性的主要因素。
2.简述负反馈对放大电路性能的影响。
三、计算题(3*10=30分)
1.电路如图5-1(a )所示,其中电容C 1、C 2的容量视为无限大。
试回答下列问题: (1)写出直流负载线表达式,在图5-1(b )上画出直流负载线,求出静态工作点(I CQ ,
V CEQ ,I BQ );
(2)画出放大电路的小信号等效电路;
(3)求出电压增益V A
、输入电阻R i 及输出电阻R o 。
2.图所示电路中,运放均为理想器件,求各电路输出电压V O 与输入电压V i 或V i1,V i2的关系。
(10分)
3K Ω
C 1
C 2
+V CC +6V i v
o v +
+
_
_ 50=β
Rc
3K Ω
R L
R b
256K Ω
图5-1(a )
)
(V v CE
图5-1(b)
3、电路如图6-1所示。
合理连线,构成5V的直流电源。
图题6-1
答案 第Ⅰ卷
一、选择题
二、判断题 第Ⅱ卷
一、填空题
1.0.5 、0.7 、0.1、0.2 2、 小 、 大
3、单向导电性、大于、变窄
4、单向导电性、电阻
5、耦合和旁路、结
6、增大、减小、增大
7、截止 , 饱和 , 放大 、直接 8、硅管、NPN 、 C 9、80 、10000
二、简答题(共10分)
1.答:在低频段影响放大电路频率特性的主要因素是隔直电容(耦合电容或旁路电容)。
在高频段影响放大电路频率特性的主要因素是电路的分布电容及三极管的结电容等。
2.答:(1)负反馈使电压放大倍数减小;(2)提高了增益的稳定性;(3)减小了非线性失真;(4)展宽了频带;(5)抑制了反馈环内的干扰和噪声。
(6)对输入电阻和输出电阻有影响。
五、计算题(每小题10分,共30分)
1.解:直流负载线方程为: ①(2分)
⎪⎩⎪⎨⎧
======-=V 6V V ,0i mA
23
6i ,0V R i V V CC CE C C CE C C CC
CE
A
20K 2567.06R V V I b BEQ CC BQ μ=Ω
-=-=
由图5-1(a )有:I CQ =1mA ,V CEQ =3V 。
(1分)
② 放大电路的小信号等效电路如图5-1(b )所示。
(2分) ③ (1分) (2分)
R i =r be //R b =1.6//256=1.6 k Ω。
(1分) R o =R C =3 k Ω。
(1分)
2、
430R V V R V o
-=
---
2
10
R V R V V i -=-++
V +=V -
i
i i V V K K K V R R R V V 2
1
100100100212=+=+=
=+-
i
i o o o o V V V V K K K V R R R V =⨯==+=+=
2
1
22100100100343
3、解:1接4; 2接6; 5接7、9; 3接8、11、13; 10接12。
如解图6所示。
每连对一个一分,元件的位置摆布正确2分。
解图 6
i
V
o
V
Ω
≈++=++=K I r E be 6.1126)501(30026)1(300β 9.466.1)3//3(50)//(-=⨯-=-==be L C i o V r R R V V A β。