DMOS工艺培训

DOMS的全称是Double-diffused Metal Oxide Semiconductor.DMOS工艺：DMOS(双扩散MOS)晶体管是针对大电流、高电压而优化设计的。

为了提高击穿电压而将这类元件设计成长沟道结构。

将几个单元并联来实现大电流(低的导通电阻)和高能量密度。

DMOS工艺比逻辑工艺具有更厚的栅极氧化层，这样可以制造出更坚固的器件。

如果这些基本的工艺以逻辑方式组合起来，可以得到下列不同的组合工艺，根据它们的专有特性可以适用于特定的应用领域。

1 引言汽车电子技术发展迅猛，多种新型电子控制装置几乎全面进入整车各系统，极大地提高了汽车性能，有专家预测：今后十年内，汽车电子及其相关产品在整车的成本比例将从目前的平均20％上升到32％，其发展速度从10％提高到20％，耗电量不断增加，导致车内电力负载年增加100W以上，具有电能使用效率高、传输快捷、转换容易、控制灵活等一系列特性的车内电器日趋增多，采用电磁或电动执行器替代液压和气压传动执行器已成为一种趋势，一些带电的机械装置正加速转变为带机械的电子装置，各种线控系统的研发目标是取代液压与机械控制系统，极大地增添了汽车电气系统的负荷。

为解决这一发展瓶颈，唯一可行的办法是车内供电直流电压由14V转向42V电气系统，或14/42V双电压电气系统（按电器设备和电子装置消耗功率的大小分为两组，耗电功率较大的一组使用42V供电系统，而耗电较小的一组采用14V供电系统）提高交流发电机电压以增大其输出功率，供电容量将从目前的1.5kW左右提高到今后的5kW以上，电气化控制以及新的供电系统中，需要大量采用功率MOSFET（金属－氧化物－半导体场效应晶体管），进行功率变换、控制与驱动各种大功率的负载，同时，先进的功率MOS技术也促进新型汽车电控系统的发展与提高，据报道，一辆轿车中所使用的功率MOS器件至少有数十只，甚至上百只，在汽车电气系统的功率流向和分配管理诸方面发挥重要作用，使电能的应用处于最佳状态。

工艺工程师培训流程及内容英文文档内容：The training process and content for Process Engineers aim to equip professionals with the necessary skills and knowledge to manage and optimize manufacturing processes effectively.The training typically includes the following steps and topics:1.Orientation: Provide an overview of the training program, including goals, expectations, and the schedule.2.Basic Principles: Introduce fundamental concepts of process engineering, such as process flow, reaction kinetics, and mass transfer.3.Process Design: Teach how to design and optimize processes, including the selection of equipment, material handling, and control systems.4.Process Control: Discuss the principles of process control, control loops, and the use of control instruments and sensors.5.Quality Control: Explore methods for ensuring product quality, including quality planning, statistical process control, and quality improvement techniques.6.Safety and Environmental Compliance: Educate on safety regulations, environmental protection, and sustainable manufacturing practices.7.Plant Operations: Provide insights into plant operations, including startup, shutdown, and maintenance procedures.8.Project Management: Offer training on project management skills, including planning, scheduling, and resource allocation.9.Simulation and Modeling: Introduce simulation tools and software for process modeling and optimization.10.Case Studies and Exercises: Conduct practical case studies and exercises to apply the learned concepts in real-world scenarios.11.Certification and Examination: Administer a certification exam to assess the trainee"s understanding and proficiency in the subject matter.The training process may vary depending on the organization"s specific requirements and the trainee"s prior experience.It is important to provide ongoing support and opportunities for continuous learning to ensure the Process Engineer"s professional development.中文文档内容：工艺工程师培训流程及内容旨在帮助专业人士有效管理和优化制造流程。

bcd的工艺流程BCD 工艺流程BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）是一种特殊的集成电路工艺，在电子行业中被广泛应用，可以实现各种先进功能。

下面将介绍BCD工艺的主要流程。

1. Substrate 准备：首先，需要准备一块适合使用的硅衬底（substrate），其表面应具备一定的纯度和平整度。

这一步也包括对衬底进行清洗和去除表面杂质的处理。

2. 厚用氧化物（BOX）层制备：在衬底上生长一层厚用氧化物（BOX）层，通过低压化学气相沉积（LPCVD）或者热氧化的方法实现，旨在隔离衬底与器件之间的电场，以提高器件的性能。

3. N型及P型低掺杂区制备：使用掺杂技术，在衬底上形成N型及P型低掺杂区。

常用的掺杂方法包括离子注入（Ion Implantation）和扩散（Diffusion）。

4. N型及P型高浓度区制备：通过再次掺杂技术，在低掺杂区上形成N型及P型高浓度区，以形成PN结。

这一步是制造晶体管的基础，也能够改变材料的电导率，以适应电路需求。

5. 沉积氧化物层：在衬底上，沉积一层氧化物层，主要用于隔离晶体管之间的电场，并提供良好的绝缘性能。

常用的制备方法包括热氧化、LPCVD 和高温氧化。

6. 图案化处理：使用光刻技术，在氧化物层上涂敷光刻胶，并使用光罩转移所需图案模型。

通过曝光和显影，可形成氧化物层的光刻窗口区域。

7. 示踪剂溅射：通过高温蒸发或溅射沉积技术，将示踪剂材料沉积在光刻窗口区域。

示踪剂材料的选择和沉积方法一般是根据电路设计需求来决定的。

8. 金属化处理：在示踪剂层上通过金属蒸发或者溅射沉积技术，沉积金属层，形成导线结构。

先进行预浸泡处理，然后使用光刻技术进行图案化处理。

9. 电性测试：对制造的器件进行电性测试，以确保器件工作性能符合要求。

10. 封装和封装测试：将制造完成的芯片进行封装，然后进行封装测试，以确保芯片在封装之后的性能稳定。

BCD工艺流程可以根据具体的设计需求进行调整和优化，以上仅为一般工艺流程的基本步骤。

工艺培训方案第1篇工艺培训方案一、背景随着我国经济的持续发展，企业对高素质技术人才的需求日益增长。

加强工艺培训，提高员工的专业技能和综合素质，成为企业发展的关键环节。

本方案旨在结合企业实际需求，制定一套合法合规的工艺培训计划，提升员工的专业技能和业务水平。

二、目标1. 提高员工对生产工艺的理解和掌握程度。

2. 增强员工的实际操作能力，提高生产效率。

3. 培养员工的创新意识和团队协作精神。

4. 使员工熟悉并遵守相关法律法规，确保生产安全。

三、培训对象1. 企业新入职员工。

2. 在职员工，需提升工艺技能的人员。

3. 企业管理人员，需了解生产工艺的人员。

四、培训内容1. 基本工艺知识：包括生产工艺流程、设备操作与维护、工艺参数控制等。

2. 操作技能培训：针对具体岗位，进行实际操作演练。

3. 安全生产教育：学习国家相关法律法规，提高员工安全意识。

4. 创新能力培养：开展技术研讨、案例分享等活动，激发员工创新思维。

5. 团队协作训练：组织团队建设活动，提高团队凝聚力和协作能力。

五、培训方式1. 理论培训：采用讲授、讨论、案例分析等教学方法。

2. 实践操作：安排学员到生产现场进行实际操作，由经验丰富的师傅指导。

3. 在线学习：利用企业内部网络平台，提供丰富的学习资源，方便员工自主学习。

4. 现场观摩：组织学员参观优秀生产线，学习借鉴先进经验。

六、培训安排1. 培训时间：根据企业生产安排，分阶段进行，共计XX天。

2. 培训地点：企业内部培训室、生产现场等。

3. 培训师资：邀请具有丰富经验和专业知识的内部或外部专家进行授课。

4. 培训评估：采用问卷调查、现场考核、学员反馈等方式，对培训效果进行评估。

七、培训效果评价1. 学员出勤率：考察学员的参与程度。

2. 知识掌握程度：通过考试、问答等方式，评估学员对工艺知识的掌握。

3. 操作技能提升：观察学员在生产现场的实践操作，评估技能提升情况。

4. 安全意识：通过安全生产事故发生情况，评估员工安全意识。

DMOS 器件及工艺的研究与分析作者：张相飞周芝梅王永刚万勇来源：《科技风》2019年第04期摘要：本文介紹了DMOS器件的基本知识，包括DMOS的基本工艺及类型，介绍了实际工艺中的DMOS结构及参数。

关键词：DMOS；LDMOS；VDMOSAbstract：This paper introduced the basic knowledge of DMOS device and include basic process and process type.This paper also introduced DMOS architecture and parameter in actual process.Key words：DMOS；LDMOS；VDMOS1 DMOS的分类及特性DMOS主要有两种类型，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral doubledif fused MOSFET）和垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（vertical doublediffused MOSFET）。

1971年Y.Tarui等人提出了横向双扩散MOS的结构。

1976年M.J.Declerq和J.D.Plummer 采用这种方案，做出了第一个DMOS。

图1是DMOS的电流电压特性，假设源电位为零，不同VGS下典型DMOSFET的电流电压特性（VDS代表漏源电压，IDS代表漏源电流），共分为六个区域：1）截止区，在这个区VGS≤Vth，VDS从零开始变大，电流IDS始终接近于零，直到达到击穿电压BVdss为止；2）线性区，又称非饱和区或欧姆区，VGS≥Vth且 Vxs3）饱和区，VGS>Vth且Vxs > VGSVth，沟道已夹断或沟道中电子已完全达到速度饱和，VDS增大，IDS变化很小，漏电流饱和；4）击穿区，VDS≥BVdss，外延层与漂移区形成的PN结发生雪崩击穿，电流急剧增大；5）源漏正向偏置区，这时源电位高于漏电位，与源相通P阱和漏区形成PN结正偏，电流随电压增加按指数规律急剧增加，表现为正偏二极管的IV特性；6）准饱和区，VGS很大时，IDS本身很大，但随VGS的增大没有很明显的增加，即跨导很小。

关于HV CMOS和DMOS的困惑alchemist 发表于: 2009-5-19 23:03 来源: 半导体技术天地一直很困惑：一般foundry对于高压器件有两条路线，1）HV CMOS工艺，一般用Double Diffusion，一般能到30V，再高就不行了；2）BCD工艺，高压一般用DMOS，一般20V、40V，更高电压也有。

所谓存在的就是合理的，这两种技术能同时并存并且齐头并进的发展，肯定有它们各自的优势和适合的应用，有没有高手能解释比较一下！我的理解（猜的）：1）HVCMOS采用的是对称的结构（当然也可以有非对称管），Vgs和Vds基本相当，电路设计不受限制，应用上灵活，管子特性比较好，IV curve的形状和低压的MOS管没太大的差别；但需要额外增加较多的mask和工艺环节，同时最高电压有上限，32V顶天了。

2）DMOS采用非对称结构，Vgs远小于Vds，电路设计受限制，管子特性应该没有HVMOS 的好；电压可以很高，Vds 60V、100V都不成问题，增加的mask应该比HVCMOS工艺的少。

不知道猜得对不对，请明白人澄清一下，谢谢！最新回复求HVCMOS和DMOS区别？提问者:周镇义2013-12-06满意回答DMOS的特性在於low Rdson，用於power managerment ICHV CMOS 主用於 driver IC高压mos有两种常用的实现方式1、是用井来做轻参杂，提供高耐压的漂移区。

工艺可以完全做到和cmos 一样8 ^" [; T' X3 }- {* e比如HVNOMS，用N井在Drain端，作为漂移区，就好了。

耐压也可以做到很高40V没有问题96 d; [: r*上面有场氧和多晶2、就是DMOS，有LDMOS，VDMOS还有DD结构做的。

DD结构最简单，又分单边和双边DD。

LDMOS和VDmos没有什么好说的。

但是要做到扩散长度的差异，必然退火要讲究了。