电子科大微电子工艺金属化[1]

电子科技大学的王牌专业都有哪些电子科技大学的王牌专业国家级特色专业建设点：信息安全、通信工程、集成电路设计与集成系统、电子科学与技术、电子信息工程、测控技术与仪器、计算机科学与技术、信息显示与光电技术、网络工程、电磁场与无线技术、数学与应用数学、软件工程、新能源材料与器件、传感网技术世界一流学科建设学科(2个)：电子科学与技术、信息与通信工程国家重点(培育)学科(2个)：光学工程、计算机应用技术电子科技大学基本简介电子科技大学(University of Electronic Science and Technology of China)简称“电子科大”，坐落于有“天府之国”之称的成都市。

由中华人民共和国教育部直属，为教育部、工信部、四川省和成都市重点共建，位列首批“世界一流大学建设高校”、“211工程”、“985工程”，入选国家“2011计划”、“111计划”、“卓越工程师教育培养计划”，两电一邮成员，设有研究生院，是一所以电子信息科学技术为核心、以工为主，理工渗透，理、工、管、文协调发展的多科性研究型全国重点大学，被誉为“中国电子类院校的排头兵”。

电子科技大学原名成都电讯工程学院，，由交通大学(现上海交通大学、西安交通大学)、南京工学院(现东南大学)、华南工学院(现华南理工大学)的电讯工程有关专业合并创建而成。

1960年，被中央列为全国重点高等学校;1961年，被中央确定为七所国防工业院校之一。

1988年，更名为电子科技大学。

1997年，被确定为国家首批“211工程”建设的重点大学。

2000年，由原信息产业部主管划转为教育部主管。

2001年，进入国家“985工程”重点建设大学行列，2017年进入国家建设“世界一流大学”A类高校行列。

截至2018年7月，学校设有清水河、沙河、九里堤三个校区，占地面积5000余亩;设有23个学院(部)，66个本科专业;有各类全日制在读学生33000余人，其中博士、硕士研究生12000余人，有教职工3800余人，专任教师2300余人，两院院士11人。

微电子科学与工程介绍微电子科学与工程（Microelectronics Science and Engineering）是电子科学与技术的一个分支领域，主要研究和应用超大规模集成电路（Very Large Scale Integration，VLSI）技术，以及其他微观尺度电子器件和电路的设计、制造和应用。

在微电子科学与工程中，最重要的研究方向之一是VLSI技术。

VLSI技术是通过将大量的电子器件（如晶体管）和电气结构集成到单块硅基底上，形成微型动态系统，实现电子产品的高度集成和微型化。

VLSI技术的发展使得计算机硬件和电子产品的性能不断提高，同时体积不断缩小，功耗也得到了有效控制。

另一个重要的研究方向是微电子器件和技术。

微电子器件是在微米尺度上制造的电子器件，如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管。

微电子器件的研究旨在提高其性能和可靠性，实现更高的集成度和更低的功耗。

除了VLSI技术和微电子器件，微电子科学与工程还涉及到封装技术、测试技术和可靠性研究等方面。

封装技术是将芯片与外部世界连接的过程，包括封装材料的选择、封装方法的设计等。

测试技术是为了确保微电子器件和电路的正常工作而进行的相关测试和验证。

可靠性研究则是为了提高电子产品的寿命和稳定性，减少故障率，以及改进制造工艺和质量控制方法。

微电子科学与工程在现代社会中起着重要作用。

它推动了信息技术的发展，为人们提供了更加便捷和高效的通信手段。

同时，它也促进了医疗设备和科研仪器的进步，为医疗行业和科学研究提供了更好的支持。

此外，微电子科学与工程还为智能电子设备和物联网的快速发展做出了重要贡献。

总之，微电子科学与工程是一门涉及到集成电路、微电子器件和相关技术的学科，其研究和应用有助于推动现代电子技术的发展，并且在信息技术、通信技术、医疗技术和智能电子设备等领域有着广泛的应用。

西电的2012级微电子学院的招生简章070205 凝聚态物理（招生人数4人）：方向：03 宽禁带半导体材料和器件物理：汤晓燕副教授04 纳米材料的制备工艺与性能分析：李德昌教授05 硅基半导体材料与器件物理、铁电材料与物理：戴显英教授06 新型半导体材料与器件物理：柴常春教授07 材料模拟与设计、超硬材料、稀磁半导体：魏群副教授考试科目：①101思想政治理论②201英语③602高等数学（不含线性代数和概率论）④872普通物理（不含力学）复试科目（二选一）：9111微电子技术概论9112固体物理080804 电力电子与电力传动（招生人数8人）：方向：05 功率器件与集成电路：李跃进教授08 电力电子智能控制技术：宣荣喜教授09 电力电子集成技术：胡辉勇教授10 功率器件与电路应用：吕红亮教授11 高频电源、特种电源、电频调速技术：明正峰教授考试科目：①101思想政治理论②201英语一③301数学一④843自动控制原理（古典控制）复试科目（二选一）：9111 微电子技术概论9113模拟电子技术基础080903 微电子学与固体电子学（招生人数105人）：方向：01 新型半导体器件和VLSI可靠性：郝跃教授03 微电路系统芯片设计与可靠性：庄奕琪教授04 集成电路设计与VLSI技术：杨银堂教授08 半导体器件与电路计算机模拟：张玉明教授09 VLSI技术与可靠性、新型材料与器件：柴常春教授10 VLSI与高密度集成技术：李跃进教授12 新型半导体器件与集成电路技术：戴显英教授14 新型半导体器件和VLSI可靠性：刘红侠教授17 VLSI设计方法学：马佩军副教授18 VLSI系统设计和半导体集成电路工艺技术：刘毅副教授19 SOC设计方法学：王俊平教授20 VLSI设计与可制造性研究：赵天绪教授21 微波功率半导体器件：刘英坤教授22 宽禁带半导体材料和器件：张进成教授23 VLSI器件模型及仿真：吕红亮教授24 混合信号集成电路设计：朱樟明教授25 新型半导体材料、器件与集成：贾护军副教授26 宽禁带半导体物理与器件：杨林安教授28 高速半导体器件与集成电路技术：胡辉勇教授29 宽禁带新型电子器件和光电器件：冯倩副教授32 微电路可靠性：包军林副教授33 集成电路设计与新型半导体器件：高海霞副教授34 宽禁带半导体材料和器件的研究：汤晓燕副教授35 系统集成技术及集成电路设计方法学：董刚副教授36 MEMS技术：娄利飞副教授37 VLSI技术与VLSI可靠性：吴振宇副教授38 宽禁带半导体材料与器件：张金风副教授39 宽禁带半导体材料与器件：郭辉副教授40 大规模混合信号集成电路设计及高层次模型：刘帘曦副教授41 高速半导体器件与集成电路技术：舒斌副教授42 集成电路可靠性与制造过程控制、评价技术：游海龙副教授43 新型半导体材料与器件：张军琴副教授44 混合信号集成电路、可重构系统、SoC设计：赖睿副教授45 超低功耗射频混合信号集成电路设计方法学：李小明副教授46 宽禁带半导体工艺与新型器件结构：王冲副教授考试科目：①101思想政治理论②201英语一③301数学一④801 半导体物理、器件物理与集成电路（半导体物理60%，MOS器件物理20%，数字集成电路20%）复试科目（三选一）：9113模拟电子技术基础9114半导体器件物理9115半导体集成电路080920 集成电路系统设计（招生人数19人）：方向：01 SOC设计与设计方法学：郝跃教授02 通信与功率系统集成：庄奕琪教授03 混合信号电路与系统芯片设计：杨银堂教授04 射频集成电路设计：张玉明教授06 模拟集成电路设计：柴常春教授07 高速半导体器件与集成电路设计技术：刘红侠教授08 VLSI系统及设计研究：马佩军副教授09 VLSI设计及高速集成电路设计方法学：刘毅副教授10 集成电路设计方法与物理实现技术：史江义副教授考试科目：①101思想政治理论②201英语一②201英语一④801 半导体物理、器件物理与集成电路（半导体物理60%，MOS器件物理20%，数字集成电路20%）复试科目（三选一）：9113模拟电子技术基础9114半导体器件物理9115半导体集成电路085209 集成电路工程（招生人数45人）：方向：02 SOC与混合信号集成电路设计：杨银堂教授03 通信与射频集成电路设计：庄奕琪教授04 高速集成电路设计：张玉明教授05 模拟与混合集成电路设计：刘红侠教授06 模拟与混合集成电路设计：柴常春教授07 高密度系统集成技术：李跃进教授08 新型半导体器件与集成电路技术：戴显英教授09 模拟集成电路及SOC设计方法学：朱樟明教授10 电路设计与系统集成：宣荣喜教授11 毫米波与太赫兹功能电路设计：杨林安教授12 VLSI系统设计：马佩军副教授13 超大规模数字集成电路设计：刘毅副教授14 宽禁带半导体功率器件与电路设计：张进成教授15 模拟与混合集成电路设计：吕红亮教授16 VLSI设计与制造：贾护军副教授17 系统集成技术及集成电路设计方法学：董刚副教授18 高速半导体集成电路设计与制造：胡辉勇教授19 新型微波功率与光电集成电路设计：冯倩副教授21 集成电路封装设计：包军林副教授22 超大规模集成电路与功率器件设计：高海霞副教授23 VLSI设计方法学：汤晓燕副教授24 MEMS设计与制造技术：娄利飞副教授25 VLSI技术与可靠性：吴振宇副教授26 SOC设计与物理实现技术：史江义副教授28 新型半导体器件与集成电路设计：郭辉副教授29 大规模混合信号集成电路设计：刘帘曦副教授30 高速半导体集成电路设计与制造：舒斌副教授31 集成电路设计与质量可靠性保证技术：游海龙副教授32 新型半导体器件与电路设计：张军琴副教授33 大规模集成电路设计：蔡觉平教授34 混合信号IC、可重构系统、SoC设计：赖睿副教授35 功率与射频集成电路设计：李小明副教授考试科目：①101思想政治理论②201英语一③301数学一④802 集成电路与器件物理、半导体物理（数字集成电路40%，MOS器件物理40%，半导体物理20%复试科目（三选一）：9111微电子技术理论9113模拟电子技术基础9115半导体集成电路085212 软件工程（招生人数80人）：本领域所有考试科目均为全国统考方向：01 嵌入式系统设计：IC导师组一02 数字集成电路设计：IC导师组二03 射频与通信芯片设计：IC导师组三04 混合信号集成技术：IC导师组四考试科目：①101思想政治理论②201英语一③301数学一④408计算机学科专业基础综合（数据结构、计算机组成原理、操作系统、计算机网络) 复试科目（三选一）：9111 微电子技术概论9113模拟电子技术基础9115 半导体集成电路参考书目：801 半导体物理、器件物理与集成电路：《半导体物理学》刘恩科国防工业出版社2005《半导体物理与器件》（三版）赵毅强等译电子工业出版社2005《数字集成电路—电路、系统与设计》（二版）周润德等译电子工业出版社2004 802 集成电路与器件物理、半导体物理：《半导体物理学》刘恩科国防工业出版社2005《半导体物理与器件》（三版）赵毅强等译电子工业出版社2005《数字集成电路—电路、系统与设计》（二版）周润德等译电子工业出版社2004 843 自动控制原理：《自动控制原理》吴麒等编清华大学出版社9111微电子技术概论：《微电子概论》郝跃高等教育出版社 20039112固体物理：《固体物理学》黄昆著韩汝琪编高等教育出版社 20059113模拟电子技术基础《模拟电子技术基础》孙肖子西电科大出版社20089114半导体器件物理《半导体物理与器件》赵毅强等译电子工业出版社20059115半导体集成电路《半导体集成电路》朱正涌清华大学出版社2000。

微电子科学与工程专业简介_微电子科学专业就是不能选吗微电子科学与工程专业简介微电子科学与工程专业是理工兼容、互补的专业，主要研究半导体器件物理、功能电子材料、固体电子器件，超大规模集成电路(ULSI)的设计与制造技术、微机械电子系统以及计算机辅助设计制造技术等;要求学生具有扎实的数学、物理基础知识和良好的外语应用能力;掌握各种固体电子器件和集成电路的基本原理，掌握新型微电子器件和集成电路分析、设计、制造的基本理论和方法;具备该专业良好的实验技能;了解微电子技术领域的发展动态和前沿理论与技术;具有良好的科学素养和创新能力;善于自学，不断更新知识;具有一定的外语水平，能借助工具书阅读该专业外文资料。

微电子科学与工程专业有哪些好处微电子科学与工程专业有以下一些好处：前景广阔的行业：微电子科学与工程是一个快速发展的行业，与电子技术、信息技术和通信技术密切相关。

随着科技的进步和社会的数字化转型，微电子科学与工程专业毕业生有很多就业机会。

技术领先和创新性：微电子科学与工程专业涉及微电子器件的制造、集成电路设计、芯片工艺、半导体材料等方面的研究和应用。

学生可以接触到最前沿的科技和技术，参与创新性的研究和项目，培养科技创新的能力。

多学科交叉融合：微电子科学与工程专业涉及多个学科领域，如物理学、电子工程、材料科学等。

毕业生可以获得广泛的知识和技能，在多领域进行工作和研究。

工作岗位丰富：微电子科学与工程专业毕业生可以在电子、通信、半导体等相关行业就业，从事集成电路设计、芯片制造、通信设备研发、半导体材料研究等方面的工作。

同时，也可以在科研机构、高校等进行科研和教学工作。

为什么要选择微电子科学与工程技术需求和发展迅速：微电子科学与工程是一个高度需要技术人才的领域，随着科技的发展和社会对高性能电子产品的需求增加，相关专业人才的需求也在不断增加。

职业发展空间广阔：微电子科学与工程专业毕业生可以在电子、通信、半导体等行业中找到丰富的就业机会。

SerDes发展研究一．SerDes概述1.1 串行传输与并行传输随着集成电路设计和制造技术的飞速发展，系统级芯片（SOC）设计规模越来越大，片内连线的长度也相应的增长。

随之而来的问题就是如何解决片内相距较远的高速模块间的高速数据同步传输。

并行数据传输只适用于片内短距离模块之间的通信，对于长距离模块间的数据通信，并行结构由于需要耗费更多的面积和功耗且相邻通路之间存在严重的串扰已经不再适用。

串行数据传输能够有效的克服这些问题，所以得到了越来越多的关注。

在特定的CMOS工艺尺寸和传输距离条件下，串行数据传输系统和并行数据传输系统相比，优点在于：首先，串行数据传输系统由于具有较少的芯片管脚，所以占用更小的芯片面积；其次，在高速应用场合串行链路产生的串扰非常小；再次，由于数据和时钟信号在一条链路中传输，所以串行数据传输系统不会产生严重的数据与时钟歪斜现象。

而相对应的，串行数据传输系统最开始被广泛应用于光纤通信领域，如W AN，MAN 和LAN。

近年来串行数据传输系统在消费电子领域也得到了广泛应用，比如用于连接计算机和外围设备的USB接口，用于大容量硬盘和计算机之间数据传输的SATA接口，用于传输多媒体数据流的PCIe接口等。

高速串行数据通信技术在工业界已经得到广泛应用。

串行通信和并行通信的主要区别在于两个系统之间作为信道的物理连接线的数目不同。

并行通信中的信道由多根物理连接线组成，其中包括一个公共地。

串行通信中的信号一般只由两根差分信号线组成，没有公共的地线。

两者另一个不同点就是并行通信是同步模式的（Synchronous mode），而串行通信是异步模式的（Asynchronous mode），因此通过串口互联的两个系统允许存在一定的频率偏差，没必要使用完全相同的时钟参考源。

1.2 SerDes技术简介随着频率的升高，并行数据之间的串扰、各路数据同步与恢复困难、较高的功耗等一系列问题变得非常严重。

加之现代电路集成度越来越高，并行电路的引脚数较多也与此相悖。

电子科技大学微电子专业开设课程-V1
电子科技大学微电子专业开设课程
随着微电子产业的不断发展，微电子专业的教育也日渐重要。

为了满
足产业发展的需求，电子科技大学微电子专业开设了多门课程，以培
养更多优秀的微电子技术人才。

一、基础课程
1.微电子学：介绍微电子学的概念、研究范围、历史和发展现状，以
及微电子器件的原理和制造工艺。

2.集成电路设计基础：介绍集成电路设计的基本原理、方法和流程，
以及常用的EDA工具，并通过实验练习加深学生对集成电路设计的理解。

3.模拟电路设计基础：介绍模拟电路设计的基本原理、方法和流程，
以及常用的电路元件和EDA工具，通过实验练习提高学生的设计能力。

二、专业课程
1.微纳电子学：介绍微纳电子学的基本概念和最新发展动态，以及微
纳技术在集成电路、传感器、MEMS和生物芯片等领域的应用。

2.数字电路设计：介绍数字电路设计的原理和方法，包括数字电路的
分析和设计、I/O 接口的设计和测试、数字信号处理、ASIC设计和FPGA设计等内容。

3.模拟集成电路设计：介绍模拟集成电路设计的原理和方法，包括运放电路、数据转换电路、功率放大器、PLL和时钟等元件的设计。

4.射频集成电路设计：介绍射频集成电路设计的原理和方法，包括射频电路理论、射频芯片、高频传输线、滤波器和功率放大器等元件的设计。

以上课程涵盖了微电子专业的基础知识和专业技术，学生在学期间不仅可以加深对微电子学科的理解，还可以提高实践能力。

通过这些课程的学习，毕业生将具备较强的微电子技术应用能力和解决问题的能力，为微电子产业的发展做出重要贡献。

电子行业微电子器件工艺学一、引言电子行业是一个充满发展机遇的领域，微电子器件是电子行业的核心组成部分之一。

微电子器件工艺学是研究微电子器件的制造过程和技术细节的学科。

本文将介绍微电子器件工艺学的基本概念、工艺流程和常见的微电子器件制造技术。

二、微电子器件工艺学基本概念微电子器件工艺学是一门涉及材料科学、物理学和工程学的学科，旨在研究如何制造微小尺寸的电子器件。

微电子器件通常包括晶体管、集成电路、光电子器件等。

微电子器件工艺学关注的主要内容包括材料选择、工艺流程、制造设备以及质量控制等方面。

三、微电子器件工艺流程1. 设计阶段在微电子器件的制造过程中，设计阶段是非常重要的一环。

在这个阶段，工程师根据需求和规格制定器件的结构设计和功能特点。

设计阶段的关键是确定器件的几何结构、材料选择和电路布局等。

2. 掩膜制作掩膜制作是微电子器件制造的关键步骤之一。

通过光刻或电子束曝光等技术，将设计好的掩膜图案转移到光刻胶或感光薄膜上。

这些图案将用于制造电路的导线、晶体管和其他元器件。

3. 材料准备微电子器件的制造需要使用多种材料，包括半导体材料、金属材料、绝缘材料等。

在材料准备阶段，工程师需要确保材料的纯度和质量符合要求。

此外，还需要进行材料处理和清洗，以确保材料表面的纯净度。

4. 制造工艺制造工艺是微电子器件制造的核心环节。

它包括多个步骤，如沉积、刻蚀、薄膜增长和离子注入等。

这些步骤的目的是在硅片上制造出器件的各个层次和结构。

制造工艺的关键是控制每个步骤的参数和条件，以确保设备制造出符合要求的器件。

5. 特征提取在微电子器件制造的过程中，还需要对器件进行特征提取。

这意味着通过测量和检测，确定器件各个层次的尺寸、形状和性能特征是否满足要求。

特征提取包括显微镜观察、探针测试和电学测试等。

6. 封装和测试在微电子器件制造的最后阶段，需要对器件进行封装和测试。

封装是将器件连接到引线和封装材料中，以便在实际应用中使用。

测试是通过电学测试和性能测试等手段，验证器件是否符合设计要求。

微电子专业几所热门院校特色介绍从上世纪90年代后期逐步热起来的微电子专业，目前依然热度不减。

各大高校顺应微电子产业的发展需要，纷纷成立独立的微电子系和学院，开办了许多与集成电路产业关系密切的二级学院(如北京大学的软件与微电子学院、电子科技大学成都学院等等)。

以下将介绍国内数所开设有微电子研招专业的院校，以及它们的研究方向，供参考。

北京大学微电子学系国家大力支持的重点学科点北京大学微电子学系，又称微电子学研究所(院)，有着源远流长的学术传统。

1956年，由著名物理学家黄昆院士在北大物理系领导创建了我国第一个半导体专业机构，之后在我国著名微电子专家王阳元院士的带领下，北京大学微电子学系发展成为我国培养高水平微电子人才的一个重要基地，是国家的重点学科点。

【硬件环境】三大重点实验室国内领先北大微电子学系有着国内一流的科研硬件设施，有微米/纳米加工技术国家级重点实验室、北方微电子研究开发基地新工艺新器件新结构电路国家计委专项实验室、北京市软硬件协同设计高科技实验室三大重点实验室，还有MPW(多项目晶圆)中心平台。

【师资科研】科研小组特色明显北大微电子所下设SOI、SOC、ASIC、MPW中心、MEMS、新器件、可测性、宽禁带、纳太器件等多个研究小组。

所长王阳元院士是中国微电子产业的奠基人之一，目前出任中芯国际的董事长。

SOI研究组的研究领域有SOI技术、纳米量级新结构器件及制备工艺技术，以及射频电路技术。

黄如教授是北京市优秀教师，目前为IEEE EDS(Electron Device Society)和ADCOM (Administrative Committee)的成员，主要科研方向是SOI，但同时也指导学生进行射频方面的研究。

廖怀林教授专门从事RF电路方面的研究，功底深厚。

该研究组掌握了国内科研界最先进的加工技术(流片基本上采用0.13微米工艺)，研究生博士生已有多篇文章发表在国际高水平刊物上。

SOC研究组在敦山教授领导下，拥有北京大学-安捷伦科技SOC测试教育中心和北京大学-安捷伦科技SOC测试工程中心两大平台。

电子行业微电子专业介绍简介电子行业微电子专业是一门专注于微电子器件和电路设计的学科，其主要研究领域包括集成电路设计、射频微电子、可穿戴电子技术等。

微电子专业培养学生具备在电子行业中进行微电子器件设计、测试和集成电路布局的能力。

本文将介绍电子行业微电子专业的相关内容。

专业特点集成电路设计微电子专业主要关注集成电路的设计和研发。

学生将学习到CMOS集成电路设计、数字电路设计、模拟电路设计等多方面的知识。

通过学习专业知识以及项目实践，学生将能够掌握集成电路设计的基本原理和方法。

射频微电子射频微电子是微电子专业的一个重要研究方向。

学生将学习到射频和微波电路的分析与设计方法，掌握射频器件的制造技术和测量方法，了解无线通信系统的基本原理和系统设计。

可穿戴电子技术可穿戴电子技术是近年来电子行业的一个热门领域。

学生将学习到可穿戴设备的电路设计、传感器原理、信号处理方法等。

通过学习可穿戴电子技术，学生将具备设计和开发智能手环、智能手表等可穿戴设备的能力。

学习内容电子行业微电子专业的学习内容较为综合，主要包括以下几个方面：1.集成电路设计：学生将学习到CMOS工艺和电路设计、数字电路设计、模拟电路设计等知识，通过实践项目掌握集成电路的设计流程和方法。

2.射频微电子：学生将学习到射频微波器件设计的基本原理，了解射频电路的分析和设计方法，学习射频器件制造和测试的技术。

3.可穿戴电子技术：学生将学习到传感器原理、可穿戴设备电路设计、信号处理方法等知识，通过项目实践了解可穿戴设备的开发过程和技术。

就业前景电子行业是一个发展迅速的行业，随着科技的发展，对微电子专业人才的需求也在不断增加。

电子行业的就业前景广阔，就业方向丰富。

1.集成电路设计工程师：在集成电路设计领域，学生可以从事数字电路设计、模拟电路设计、布局与验证等工作，成为一名集成电路设计工程师。

2.射频工程师：学生可以在射频电路设计、微波电路设计、无线通信系统设计等方向从事工作，成为一名射频工程师。

SPIC技术发展动态一、SPIC技术概论1.SPIC技术简介Smart Power ICs（SPIC），即智能功率集成电路，是指将所有的高压器件与低压电路集成在同一芯片上，消除了电力电子装置中各模块之间多余的连接。

这样既提高了电路的稳定性，也可以明显降低原来在高频工作时各模块之间引线对电路造成的破坏性影响，甚至可将过温、过流、过压和欠压等保护电路都集成进芯片去增强对功率器件的保护。

因此，不仅显著地提高集成度、降低成本，更可令芯片整体的可靠性获得提升。

一般来说，SPIC 应该具备下面的三种功能：（1）控制功能，检查系统运行状态并据此调整功率集成器件的工作；（2）传感与保护功能，当系统出现负载过重、输出短路、芯片电源电压不正常或温度过高等各种有害情况时，能及时反映在控制电路中并作出改变，使功率集成器件工作在其安全工作区内；（3）拥有可以同外界通信的逻辑输入、输出接口。

对SPIC来说其技术主要包括隔离技术和功率半导体器件技术，隔离技术包括：自隔离、PN结隔离、介质隔离。

2.SPIC技术发展智能功率集成电路于七十年代后期出现在人们视野，但由于技术原因其研制遇到很大阻碍没有实质性进展。

八十年代新型器件的出现带动了SPIC的发展，而九十年代BCD工艺的成熟使得SPIC 进展惊人，在工业制造、电力传输、自动化控制等中确立了不可替代的位置。

今天，SPIC 已在军用航天、工业自动化、民品电子、汽车电子等各个领域获得了广泛的应用，在各个现代化国家的国民经济中占有厚重比例。

而当下SPIC 技术总的发展趋势是向功耗更低、工作频率更高、功率更大和功能更全的方向发展，而且系列化和专业化SPIC 越来越明显。

目前SPIC 的重要研究内容有：开发成品率高、工艺成本低且能兼容于CMOS工艺和BiCMOS 工艺的新型工艺的研究；能将多个大功率器件进行单片集成的研究；能在特种环境下正常工作且具有较好坚固性的SPIC 的研究，特种环境比如：高温，高辐射等；大电流高速度MOS 器件控制且具有自我保护机制的功率器件的研究。

FinFET1、FinFET概述FinFET称为鳍式场效晶体管（Fin Field-Effect Transistor；FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。

Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。

这项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。

在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D结构，可用于电路两侧空着电路的接通与断开，而从Gate的数量和形状来看，FinFET又分为双栅、三栅、Ω栅以及环栅等。

其电路如图所示。

2、FinFET原理传统的CMOS工艺，由于栅面积有限，栅极不能控制远离栅极的漏电流路径，导致了短沟道效应的产生。

与传统的MOSFET相比，FinFET采用了双栅多栅等工艺，使得其立体的鳍型结构增加了栅极对沟道的控制面积，让栅控能力大大增强，从而可以有效地抑制短沟道效应，减小亚阈区漏电流。

其显著特点有下面几点：（1）器件是制作在一个垂直的超薄硅条（Si fin）上，用双栅控制，有效控制了短沟道效应；（2）两个栅互相对准，而且源、漏也实现了自对准；（3）提升的源漏区有利于减小寄生电阻；（4）采用较薄的Si fin（50nm）实现准平面结构；（5）由于栅的制作工艺放在了最后，所以这种工艺与可以低温栅材料工艺和高K 栅介质工艺兼容，可以结合这些工艺进一步改善器件的性能。

3、FinFET工艺流程下面将以SOI双栅FinFET为例具体介绍其工艺流程。

（1）把厚度为100nm 的SOI 硅膜用热氧化方法减薄到50nm，用离子注入让硅膜掺杂浓度达到1610左右，在硅膜上淀积SiO2作为掩膜，用100keV 电子束光刻，刻蚀出20nm 宽的硅条；（2）淀积100nm 厚的掺磷非晶硅（也可以用重掺杂的多晶SiGe 代替，使源漏有更低的电阻率）和300nm 厚的SiO2，使非晶硅变成多晶硅并和硅条两端的表面形成良好接触，光刻使多晶硅形成源/漏区图形，并在源漏区形成SiO2侧墙；（3）用过刻蚀去掉硅条两个侧面的SiO2，这样50nm 的侧墙间隙中可以看到一个长度约为15nm 的硅条，而氧化物侧墙之间的间隙就是MOSFET 的沟道长度；（4）生长 2.5nm 的氧化层，再淀积硼掺杂的SiGe（60%Ge）作为栅极；在栅氧化过程中，磷通过提升的多晶硅源/漏区扩散进入硅条，形成源/漏延伸区。