集成电路测试 样题28

电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题1.（1分） 年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。

2．（2分）摩尔定律是指 。

3.集成电路按工作原理来分可分为 、 、 。

4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。

5.（4分）MOSFET可以分为 、 、 、 四种基本类型。

6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有： 、 以及 。

7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的 和 ； 作为PMOS 的源极和体端， 作为NMOS 的源极和体端。

8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为 和 。

9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= V ，Y 2= V ，Y 3= V 。

DD 13210.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。

AB Y 1AB23二、画图题：（共12分）=+的电路图，要求使用的1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CDMOS管最少。

2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC=,画出其相应的电路图。

三、简答题：（每小题5分，共20分）1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？3.简述静态CMOS 电路的优点。

4.简述动态电路的优点和存在的问题。

四、分析设计题：（共38分1.（12分）考虑标准0.13m μ CMOS 工艺下NMOS 管，宽长比为W/L=0.26/0.13m m μμ，栅氧厚度为2.6ox t nm =，室温下电子迁移率2220/n cm V s μ=，阈值电压T V =0.3V,计算 1.0GS V =V 、0.3DS V =V 和0.9V 时D I 的大小。

1+X集成电路理论测试题及参考答案1、平移式设备芯片检测工艺流程中，上料之后的环节是( )。

A、测试B、分选C、真空包装D、外观检查答案：A平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→外观检查→真空包装。

2、转塔式分选机常见故障不包括（）。

A、料轨堵塞B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、IC定位错误D、真空吸嘴无芯片答案：C3、利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）。

A、电阻加热蒸发B、电子束蒸发C、溅射D、电镀答案：C溅射是在高真空下，利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程。

4、芯片检测工作流程（）。

A、确定产品等级、方案编程调试、研读Spe确定测试机、确定机械手、设计测试DUT、批量验证B、确定产品等级、研读Spe确定机械手、设计测试DUT、确定测试机、方案编程调试、批量验证C、确定产品等级、研读Spe确定测试机、确定机械手、设计测试DUT、方案编程调试、批量验证D、确定产品等级、研读Spe确定机械手、确定测试机、设计测试DUT、方案编程调试、批量验证答案：C5、低压化学气相淀积的英文缩写是（）。

A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD答案：CAPCVD是常压化学气相淀积；PECVD是等离子体增强型化学气相淀积；LPCVD是低压化学气相淀积；HDPCVD是高密度等离子体化学气相淀积。

6、电子组装业中最通用最广泛的文件格式是（）。

A、GerberB、PCBC、ICTD、BOM答案：A7、芯片完成编带并进行清料后，会将完成编带的芯片放在( )上。

A、已检查品货架B、待检查品货架C、待外检货架D、合格品货架答案：B芯片完成编带并进行清料后，将将编带盘、随件单放入对应的中转箱中，并将中转箱放在待检查品货架上等待外观检查。

8、CMP是实现()的一种技术。

A、平滑处理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化答案：D化学机械抛光(CMP)是通过比去除低处图形快的速度去除高处图形来获得均匀表面,利用化学腐蚀和机械研磨加工硅片和其他衬底材料的凸出部分,实现全局平坦化的一种技术。

第一部分考试试题第0章绪论1.什么叫半导体集成电路？2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？第1章集成电路的基本制造工艺1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。

3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。

7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。

8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。

第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。

2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?5. 消除“Latch-up”效应的方法？6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？第3章集成电路中的无源元件1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？2.集成电路中常用的电容有哪些。

3. 为什么基区薄层电阻需要修正。

4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。

5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。

第4章TTL电路1.名词解释电压传输特性 开门/关门电平 逻辑摆幅 过渡区宽度 输入短路电流 输入漏电流静态功耗 瞬态延迟时间 瞬态存储时间 瞬态上升时间 瞬态下降时间瞬时导通时间2. 分析四管标准TTL 与非门（稳态时）各管的工作状态？3. 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。

1+X集成电路理论测试题+参考答案一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.元器件的引线直径与印刷焊盘孔径应有（）的合理间隙。

A、0.2~0.4mmB、0.2~0.3mmC、0.1~0.4mmD、0.1~0.3mm正确答案：A2.在半自动探针台进行扎针调试时，当针尖悬于待测点上方，先调节( )旋钮。

A、X轴B、Y轴C、Z轴D、X-Y-Z微调正确答案：B答案解析：在半自动探针台上进行扎针调试时，当针尖悬于待测点上方，先用Y轴旋钮将探针退后少许，再用Z轴旋钮下针，最后用X轴旋钮。

3.点银浆时，银浆的覆盖范围需要（）。

A、小于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%正确答案：C答案解析：引线框架被推至点银浆指定位置后，点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置点上定量的银浆（银浆覆盖范围>75%）。

4.转塔式分选机设备测试环节的流程是：( )。

A、测前光检→测后光检→测试→芯片分选B、芯片分选→测前光检→测后光检→测试C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选D、测前光检→测后光检→芯片分选→测试正确答案：C答案解析：转塔式分选机设备测试环节的流程是：测前光检→测试→测后光检→芯片分选。

5.植球时，球和焊盘金属形成冶金结合，此时形成的焊点为（）。

A、第一焊点B、第二焊点C、第三焊点D、芯片焊点正确答案：A答案解析：劈刀下降到芯片焊点表面，加大压力和功率，使球和焊盘金属形成冶金结合，形成第一焊点。

6.管装包装时，将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后，需要在内盒的封口边( )处贴上“合格”标签。

A、左侧B、右侧C、中央D、任意位置正确答案：C答案解析：管装包装时，将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后，需要在内盒的封口边中央处贴上“合格”标签。

7.下列关于重力式分选设备描述错误的是（）。

A、装料时不需要注意芯片方向和管脚朝向B、重力式分选机手动上料的步骤分为两步，装料和上料夹具夹持C、手动装料需要操作人员取下待测料管一端的塞钉，并将料管整齐地摆放在操作台D、自动装料减少了人工补料的次数，节省了取塞钉与摆放料管的时间，降低了人工成本正确答案：A8.封装工艺中，（）工序后的合格品进入塑封工序。

XXX 职业技能鉴定中心题库集成电路芯片制造工艺员 XXX 工理论知识试卷注 意 事 项 1、考试时间：120分钟。

2、请首先按要求在试卷的标封处填写您的姓名、准考证号和所在单位的名称。

3、请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写您的答案。

4、不要在试卷上乱写乱画，不要在标封区填写无关的内容。

1. 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为： 恒定表面源扩散 ；2. 对标准单元设计EDA 系统而言，标准单元库应包含以下内容： 逻辑单元符号库 和 功能单元库 、 拓扑单元库 、 版图单元库 。

3. 在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫划片槽 。

4. 全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含 符号图 、 抽象图 、 线路图 和 版图 。

5. 半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。

一种是 电子 ，另一种是 空穴 。

6. 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。

比较通用的则是根据其化学组成可分为 元素 半导体、 化合物 半导体、固溶半导体三大类。

7. 半导体材料的主要晶体结构有 金刚石 型、 闪锌矿型、 纤锌矿 型。

8. 抛光片的质量检测项目包括：几何参数： 直径 、 厚度 、主参考面、副参考面、平整度、 弯曲度等；电学参数 ：电阻率，载流子浓度 ，迁移率等；以及晶体质量，晶向，位错密度。

9. 外延生长方法比较多，其中主要的有 化学气相 外延、 液相 外延、 金属有机化学气相 外延、 分子束 外延、 原子束 外延、 固相 外延等。

10. 离子注入是借其 动能 强行进入靶材料中的一个 非平衡 物理过程。

11. 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂 离子 加速到的需要的 能量 ，直接注入到 半导体晶片 中，并经适当温度的 退火处理 。

1.12.空气中的一个小尘埃将影响整个芯片的完整性、成品率，并影响其电学性能和可靠性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

集成电路设计练习题20091、说明一个半导体集成电路成本的组成。

、说明一个半导体集成电路成本的组成。

2、简述CMOS 工艺流程。

简述CMOS 集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。

集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。

3、描述你对集成电路工艺的认识。

列举几种集成电路典型工艺。

工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？简述CMOS 工艺技术的发展趋势。

工艺技术的发展趋势。

4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？5、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx 其中，x 为4位二进制整数输入信号。

制整数输入信号。

y 为二进制小数输出，要求保留两位小数。

电源电压为3~5v 假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。

6、请谈谈对一个系统设计的总体思路。

针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？7、描述你对集成电路设计流程的认识。

、描述你对集成电路设计流程的认识。

8、集成电路前端设计流程，后端设计流程，相关的工具。

9、从RTL synthesis 到tape out 之间的设计flow ，并列出其中各步使用的tool. 1010、简述、简述FPGA 等可编程逻辑器件设计流程。

1111、简述半定制数字电路的设计流程。

、简述半定制数字电路的设计流程。

、简述半定制数字电路的设计流程。

1212、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。

、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。

1313、什么是集成电路的设计规则。

、什么是集成电路的设计规则。

、什么是集成电路的设计规则。

1414、同步电路和异步电路的区别是什么？、同步电路和异步电路的区别是什么？、同步电路和异步电路的区别是什么？1515、画出、画出CMOS 电路的晶体管级电路图，实现Y=AB+C(D+E) 1616、在、在CMOS 电路中，电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用这个单管你会用P 管还是N 管，为什么？管，为什么？1717、硅栅、硅栅COMS 工艺中N 阱中做的是P 管还是N 管，N 阱的阱电位的连接有什么要求？阱的阱电位的连接有什么要求？1818、名词解释：、名词解释：VLSI, CMOS, EDA, VHDL, DRC, LVS, DFT, STA 1919、画出、画出CMOS 与非门的电路，并画出波形图简述其功能。

1+X集成电路理论知识试题+答案1、晶圆越大，晶圆的制造成本越高。

A、正确B、错误答案：B晶圆越大，晶圆的制造成本越低，但对材料技术和生产技术的要求更高。

2、输入引线一定要尽量短，而且尽量用最上层的金属设计，且输入输出引线尽量远离，尽量不要交叉。

A、正确B、错误答案：A3、防静电点检在刷员工上岗证时，需要站在地上保持接，身份证通过后，开始检测静电。

A、正确B、错误答案：B防静电点检时，双脚站在防静电测试仪指定位置，在刷卡位置刷员工上岗证，此时系统会对人员身份进行自动识别。

刷员工上岗证时，双脚需要站在防静电测试仪的指定位置，不能直接站在地上。

4、测试夹具的日常维护时，测试夹具若长时间不使用，请及时从设备上取下，用防静电袋包裹好，归类存放于干燥、阴凉处，以免发生氧化、受潮。

（）A、正确B、错误答案：A5、晶圆研磨和晶圆切割前都需要在晶圆背面进行覆膜。

A、正确B、错误答案：B晶圆蓝膜专为晶圆研磨、切割而设计，它具有高黏着力，使晶圆在研磨、切割过程中不脱落、不飞散，从而能被确实地研磨或切割。

其中晶圆研磨是对晶圆背面进行研磨，故需要在晶圆的正面覆上蓝膜；而晶圆切割是在其正面进行切割，所以需要在晶圆的背面覆上蓝膜。

6、芯片检测工艺中，由于芯片上有印章且盖带透明，所以在编带完成后不需要在编带盘上贴小标签。

A、正确7、转塔式分选机进行测前光检时，会在光检显示区显示光检结果，其中进行方向判断时，会在界面上显示的角度360度。

A、正确B、错误答案：B转塔式分选机设备进行测前光检时，光检显示区的角度说明有：0°、90°、180°、270°，没有360°。

8、金属钨常常采用CVD法来制备。

A、正确B、错误答案：A金属钨常常采用化学气相沉积CVD法来制备。

9、晶圆具有各向异性特点，切片时要按照一定的方向进行。

A、正确B、错误答案：A10、作为与加工线之间的接口文件，制版文件主要内容包括芯片的基本信息和工艺层次等。

集成电路试题二、选择题（14分，每小题2分）1、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A 减小温漂B 增大放大倍数C 提高输入电阻2、为提高集成运放的放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。

A 共射极放大电路B 共集放大电路C 共基放大电路3、现有电路：A 反相运算电路B同相运算电路 C 积分运算电路D微分运算电路 E 加法运算电路F乘方运算电路（1）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用（）。

（2）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用（）。

（3）欲实现Au＝－100的放大电路，应选用（）。

（4）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（）。

（5）欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用（）。

下列关于74LS245的用途,不正确的说法是（）A.常用于数据锁存B.常用于数据双向传送C.常用于数据驱动D.常用于数据缓冲RS-232C标准的电气特性中数据"0"规定为（）A.-3～-15VB.-5～0VC.0～+5VD.+3～+15V一、选择题；1 一个理想运放的基本条件是( )。

(a) A ud=∞ ；(b) r od=∞ ；(c) r id=0 ；(d) K CMRR=0。

2集成运放在应用中出现自激，这一般是由于下述原因之一所致( )。

(a) 退耦电容太大；(b) 分布电容太小；(c) 负载电容太大；(d) 耦合电容太大。

3 在下列几种典型的积分电路中，哪个是比较积分电路？( )。

4模拟电路的非线性应用之一是( )。

(a)比例放大；(b)求和放大；(c)积分器；(d)对数器。

5模例乘法器的应用电路之一是( )。

(a)加法器；(b)减法器；(c)整流器；(d)鉴频器。

6在下例比较器中，抗干扰能力最强的是( )。

(a)单门限比较器；(b)迟滞比较器；(c)窗口比较器；(d)三态比较器。

7在集成变换器中，属于周期性变换器的是( )。

(a)U/I变换器；(b)I/U变换器；(c)U/F变换器；(d)阻抗变换器。

集成电路设计基础（工艺、版图、流程、器件）1、什么叫Latchup，如何预防闩锁效应?（仕兰、科广试题）Q1为一纵向PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一横向的NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。

以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT 处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。

当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从而使两个BJT因触发而导通，VDD至GND（VSS）间形成低抗通路，Latch up由此而产生。

产生Latch up 的具体原因：• 芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和P substrate间寄生电容中产生足够的电流，当VDD变化率大到一定地步，将会引起Latch up。

• 当I/O的信号变化超出VDD-GND（VSS）的范围时，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR的触发。

• E SD静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well或substrate中，也会引起SCR的触发。

• 当很多的驱动器同时动作，负载过大使power和gnd突然变化，也有可能打开SCR的一个BJT。

• Well 侧面漏电流过大。

消除“Latch-up”效应的方法：版图设计时：①为减小寄生电阻Rs和Rw，版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害的电位梯度；②避免source和drain的正向偏压；③使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND；N+ ring环绕pmos并接VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止载流子到达BJT的基极。

半导体集成电路典型试题绪论1、什么叫半导体集成电路？【答案：】通过一系列的加工工艺，将晶体管，二极管等有源器件和电阻，电容等无源元件，按一定电路互连。

集成在一块半导体基片上。

封装在一个外壳内，执行特定的电路或系统功能。

2、按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写【答案：】小规模集成电路（SSI），中规模集成电路（MSI），大规模集成电路（VSI），超大规模集成电路（VLSI），特大规模集成电路（ULSI），巨大规模集成电路（GSI）3、按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？【答案：】双极型（BJT）集成电路，单极型（MOS）集成电路，Bi-CMOS型集成电路。

4、按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？【答案：】数字集成电路，模拟集成电路，数模混合集成电路。

5、什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？【答案：】集成电路中半导体器件的最小尺寸如MOSFET的最小沟道长度。

是衡量集成电路加工和设计水平的重要标志。

它的减小使得芯片集成度的直接提高。

6、名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？【答案：】7、分析下面的电路，指出它完成的逻辑功能，说明它和一般动态组合逻辑电路的不同,分析它的工作原理。

【答案：】该电路可以完成NAND逻辑。

与一般动态组合逻辑电路相比，它增加了一个MOS管M kp，它可以解决一般动态组合逻辑电路存在的电荷分配的问题。

对于一般的动态组合逻辑电路，在评估阶段，A=“H” B=“L”, 电荷被OUT处和A处的电荷分配，整体的阈值下降，可能导致OUT的输出错误。

该电路增加了一个MOS管M kp，在预充电阶段，M kp导通，对C点充电到V dd。

在评估阶段，M kp截至，不影响电路的正常输出。

8、延迟时间【答案：】时钟沿与输出端之间的延迟第1章集成电路的基本制造工艺1、四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用【答案：】减小集电极串联电阻，减小寄生PNP管的影响2、在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响【答案：】电阻率过大将增大集电极串联电阻，扩大饱和压降，若过小耐压低，结电容增大，且外延时下推大3、简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤【答案：】第一次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻第二次光刻：P隔离扩散孔光刻第三次光刻：P型基区扩散孔光刻第四次光刻：N+发射区扩散孔光刻第五次光刻：引线孔光刻第六次光刻：反刻铝4、简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤【答案：】P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线5、以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足【答案：】NPN晶体管电流增益小，集电极串联电阻大，NPN管的C极只能接固定电位6、以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法【答案：】首先NPN具有较薄的基区，提高了其性能：N阱使得NPN管C极与衬底断开，可根据电路需要接任意电位。

1 第三部分集成电路测试
一、比赛要求
比赛现场下发若干块集成电路芯片、配套的焊接套件及相关技术资料（芯片手册、焊接套件清单等）。

参赛选手在规定时间内，按照相关电路原理与电子装接工艺，设计、焊接、调试集成电路功能测试工装板，完成相应测试要求，填写测试报告。

二、比赛内容
任务一：数字集成电路测试
CD4510是一种可预置数的二一十进制加／减可逆计数器，它具有加计数、减计数、预置数和清0功能。

它有3个控制端：加／减转换控制端UlD 、预置端PE 和复位端R ；有4个预置数端D1～D4；有4个输出端oi ～Q4。

另有一个进位输入端CI 和一个进位输出端Qa)。

1、开短路测试，输出高低电平测试，要求：将输出高低电平显示在上位机上。

2、芯片功能测试要求：
预置数为0101，进行一次加计数，将输出结果显示在上位机上
设置预置数为1001，进行一次加计数时，将对应的输出结果显示在上位机上。

设置预置数为0001，进行一次减计数时，将对应的输出结果显示在上位机上。

并在所有输出完成之后对计数器进行复位，将所有输出端的结果显示在上位机上 参赛选手根据以上测试条件编写测试程序，判断CD4510的功能是否正常。

任务二：模拟集成电路测试
参赛选手利用TL084芯片按照下列要求，完成测试工装板的设计及装配，要求如下：
（1）共模抑制比，输入失调电压。

（2）根据给定要求和提供的元器件，
完成运算放大器应用电路设计及装配，。

集成电路培训试题一、填空（28*2=56分）1、使用半导体工艺合成，薄膜、厚膜工艺的结合，在硅芯片上以照相的方法和化学法刻蚀，将电路所需的有源元件和无源元件连在一个制造过程中，制作在同一块半导体芯片上，就制成了一个集成电路。

2、集成电路书面上一般用字母 IC 表示，在电路中用字母 U 表示。

3、集成电路的电路符号为。

4、集成电路按用途不同分为：通用型、低功耗型、高精度型、高阻型；按制造工艺分为：半导体IC 、厚膜IC 、薄膜IC 、混合IC ；按有源器件分为: 双极型、MOS 型、双极-MOS 型；按封装形式分为：塑料封装IC 、金属封装IC 、陶瓷封装IC ；按管脚引脚分为：直插式、扁平式。

二、根据集成电路的型号命名规则填表（24分）三、问答题：集成电路的特性有哪些？（20分）答：有重量轻、功耗小、阻抗高、集成密度高、有方向性、有极性。

半导体培训试题一、填空（30*2=60分）1、半导体指介于导体与绝缘体之间，也就是指电阻率从10-5～106Ω·m 范围变化物质。

2、半导体包括二极管、三极管、场效应管、晶振、晶闸管、光耦合器等。

3、半导体的三个特性指：掺杂性、热敏性、光敏性。

4、二极管是内部具有一个PN结，外部具有两个电极的一种半导体器件。

5、三极管是内部含有两个PN结，外部具有三个电极的一种半导体器件。

6、二极管用字母D或VD表示，三极管用字母Q表示。

7、二极管的特性有：单向导电性、非线性、击穿性、频率性。

8、二极管按材料可分为：硅管、锗管、砷管。

9、三极管的中间部分是基区，基区上的电极是基极 b，两端是发射区、集电区，各有一个电极分别为发射极 e 和集电极 c。

二、问答题（20*2=40分）1、二极管的单向导电性的特性是什么？答：（1）正向特性：正向电阻小；（2）反向特性：反向电阻大。

2、二极管的主要参数有哪些？答:有正向电流IF、正向压降VF、最大整流电流ICM、反向击穿电压VIB、正向反向峰值电压VRM、反向电流IR、结电容C、最高工作频率fm。