电脑主板适用场效应管参数及代换

1.主板上的英文字母都代表什么1.L----电感.电感线圈2.C----电容.3.BC---贴片电容4.R----电阻5.9231 芯片-----脉宽6.74 门电路-----它在主板南桥旁边7.PQ----场效应管8.VT 、Q、V----三级管9.VD 、D---二级管10.RN----排阻11. ZD----稳压二极管12.W-----电位器13.IC---稳压块14.IC 、N、U----集成电路15.X 、Y、G、Z----晶振16.S-----开关17.CM----频率发生器(一般在晶振14.31818 旁边)2. 计算机开机原理开机原理：插上ATX 电源后，有一个静态5V 电压送到南桥,为南桥里面的A TX 开机电路提供工作条件（ATX 电源的开机电路是集成南桥里面的），南桥里面的A TX 开机电路将开始工作，会送一个电压给晶体，晶体起振工作，产生振荡，发出波形。

同时A TX 开机电路会送出一个开机电压到主板的开机针帽的一个脚，针帽的另一个脚接地。

当打开开机开关时，开机针帽的两个脚接通，而使南桥送出开机电压对地短路，拉低南桥送出的开机电压，而使南桥里的开机电路导通，拉低静态5V 电压，使其变为0 电位。

使电源开始工作，从而达到开机目的。

（ATX 电源里还有一个稳压部分，它需要静态5V 变为0 电位才能工作）。

3. 主板时钟电路工作原理时钟电路工作原理：3.5 电源经过二极管和电感进入分频器后，分频器开始工作，和晶体一起产生振荡，在晶体的两脚均可以看到波形。

晶体的两脚之间的阻值在450---700 欧之间。

在它的两脚各有1V 左右的电压，由分频器提供。

晶体两脚常生的频率总和是14.318M 。

总频（OSC ）在分频器出来后送到PCI 槽的B16 脚和ISA 的B30 脚。

这两脚叫OSC 测试脚。

也有的还送到南桥，目的是使南桥的频率更加稳定。

在总频OSC 线上还电容。

总频线的对地阻值在450---700 欧之间，总频时钟波形幅度一定要大于2V 电平。

电脑主板场管代换表（MOS管代换）2010-11-02 15:20:49|如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ>，可替代市面上各类型9435APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等!2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上各类型9926 ：APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等!//3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>：暂无4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>，可替代市面上各类型4953 ：GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等!SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM49535、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>，可替代市面上各类型4435 ：APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等!6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ30V>，替代各型4410：APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410NSTN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等！7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>，替代各型2300：APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，替代各类2301APM2301 、Si2301、CEM2301 、STS2301 、AP2301 、MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等!9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!10、SD2302 SOT-23-3L <20V 3.2A 85mΩ>，可替代市面上各类型2302 :APM2302 、SSS2302 、AP2302 、STS2302 、MT2302、ST2302 等等!11、锂电保护板MOS 管：SD8205 (SD8205G TSSOP-8；SD8205S TSOP-6 )SD8205S TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205；SD8205G TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。

主板场效应管参数AP73T02GH-HF SOT-252 AP/富鼎 SMD/MOS N场 25V 57A 0.0126ΩAP83T02GH-HF SOT-252 AP/富鼎 SMD/MOS N场 25V 75A 0.006Ω2SK3918-ZK-E1-AZ/JM SOT-252 NEC SMD/MOS N场25V 48A 0.0075Ω2SK4212-ZK-E1 SOT-252 NEC SMD/MOS N场25V 48A 0.0078Ω2SK4213-ZK-E1 SOT-252 NEC SMD/MOS N场25V 64A 0.006Ω2SK3919 NEC DIP/MOS N场25V 64A 0.0056ΩSPD30N03S2L-10 SOT-252 infineon SMD/MOS N场 30V 30A 0.0104Ω2N03L10 SOT-252 infineon SMD/MOS N场30V 30A 0.0104ΩPSMN004-25B,SOT-263,PHILIPS,SMD/MOS,N场,25V,75A,0.004ΩPHB87N03LT,SOT-263,NXP/恩智浦,SMD/MOS,N 场,25V,75A,0.0095ΩFDD6680A,SOT-252,FAIRCHILD,SMD/MOS,N场,30V,56A,0.0095ΩIRL3715ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,50A,N场,0.011Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3715STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,54A,N场,0.014Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3715ZCS,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,50A,N 场,0.011Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3714STRR,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,36A,N场,0.02Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3714ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,36A,N场,0.016Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL2703STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,20A,N场,0.04Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3102STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,61A,N 场,0.015Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3711ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,92A,N场,0.006Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3704STRR,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,77A,N场,0.009Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3707ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,59A,N 场,0.0095Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3709STRR,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,90A,N场,0.009Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话2SK3467-ZK,2SK3467,K3467 05 NEC SOT-263 20V 80A2SK3572-ZK,2SK3572,K3572 05 NEC SOT-263 20V 80A 0.0057Ω2SK3638-ZK-E1,2SK3638,K3638 05 NEC SOT-252 20V 64A 0.0085Ω2SK3639-ZK-E1,2SK3639,K3639 06/05 NEC SOT-252 20V 64A 0.0055ΩAOB414,B414 04NPB AO SOT-263 30V 110A 0.0042ΩAOD404,D404 05NPB AO SOT-252 30V 85A 0.007ΩAOD412,D412 05NPB AO SOT-252 30V 85A 0.007ΩAOD452,D452 09 AO SOT-252 25V 55A 0.0085ΩAOD448,D448,SOT-252,AO,SMD/MOS,30V.75A.0.005ΩAP60N03S,AP60N03,60N03S,60N03 03 AP/富鼎SOT-263 30V 55A 0.0135ΩAP70L02GH,AP70L02,70L02GH,70L02 04 AP/富鼎SOT-252 25V 66AAP70T03GH,AP70T03,70T03GH,70T03 07 AP/富鼎SOT-252 30V 60AAP72T02GH 09 AP/富鼎SOT-252 25V 62A 0.009ΩAP80N03S,AP80N03,80N03,80N03S 02 AP/富鼎SOT-263 30V 80AAP85L02GH 07 AP/富鼎SOT-252 25V 85AAP85L02S 03 AP/富鼎SOT-263 25V 85AAP86T02GH 09 AP/富鼎SOT-252 25V 75A 0.006ΩBSC020N03MSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.002ΩBSC024N025SG 08NPB infineon P-TDSON-8 25V 100A 0.0024ΩBSC025N03MSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.0025ΩBSC026N02KSG 08NPB infineon P-TDSON-8 20V 100A 0.0026ΩBSC029N025SG 08NPB infineon P-TDSON-8 25V 100A 0.0029ΩBSC030N03LSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.003ΩBSC030N03MSG 09NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.003ΩBSC032N03SG 07NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.0032ΩBSC048N025SG 08NPB infineon P-TDSON-8 25V 89A 0.0048ΩBSC050N03LSG 09NPB infineon P-TDSON-8 30V 80ABSC052N03SG 05NPB infineon P-TDSON-8 30V 80A 0.0052ΩBSC080N03LSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 53A 0.008ΩBSC080N03MSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 53A 0.008ΩCEB71A3 03 CET/华瑞SOT-263 30V 70ACEB8030L 00 CET/华瑞SOT-263 30V 75AFDB6670AL 03 FAIRCHILD SOT-263 30V 80AFDB6676 05 FAIRCHILD SOT-263 30V 84AFDD6692 04/05 FAIRCHILD SOT-252 30V 54AFDD8880 08 FAIRCHILD SOT-252 30V 58A 0.009ΩFDD8896 07/09 FAIRCHILD SOT-252 30V 94A 0.0057ΩGFB70N03 01 通用SOT-263 30V 70AGFB75N03 03 通用SOT-263 30V 75AH7N0307LMTR 01 HIT SOT-263 30V 60AIRFR3711Z 04 IR SOT-252 20V 93AIRFU3706TRL 06 IR 252三脚反贴20V 75AIRFU3709Z 05NPB IR 252三脚反贴30V 86AIRLR7833 07 IR SOT-252 30V 140A 0.0045ΩIRLR7843PBF 07NPB IR SOT-252 30V 161A 0.0033ΩNTD110N02RTG4 06NPB ON SOT-252 24V 110A NTD4302-1 08 ON SOT-252 30V 68ANTD4810NHT4G 06NPB ON SOT-252 30V 54ANTD60N02RT4G 08 ON SOT-252 24V 62ANTD70N03RT4 05 ON SOT-252 25V 70A 0.0056ΩNTD80N02T4 06 ON SOT-252 24V 80A 0.005ΩNTD85N02RT4G 08 ON SOT-252 24V 85AP0403BDG 09 NIKO SOT-252 25V 75A 0.004ΩP75N02LDG 09 NIKO SOT-252 25V 75APFD2500 05 达晶SOT-252 25V 55A 0.009ΩPFD2502 05 达晶SOT-252 25V 83A 0.006ΩPFD2510 05 达晶SOT-252 25V 94A 0.014ΩPFD3002 04 达晶SOT-252 30V 86A 0.0075ΩPFD3008 04 达晶SOT-252 30V 76A 0.009ΩPFD3014 04 达晶SOT-252 30V 94A 0.0063ΩPFS3000 04 达晶SOT-263 30V 54A 0.0125ΩPH4830L 08NPB NXP/恩智浦SOT669 30V 84A 0.0048ΩPH7030L 05NPB PHILIPS SOT669 30V 68APHB96NQ03LT 05NPB PHILIPS SOT-263 25V 75A SDB65N03L 02 SamHop SOT-263 30V 65ASDB75N03L 07 FAIRCHILD SOT-263 30V 75ASDB85N03L 02 SamHop SOT-263 30V 85ASTB100NH02LT4 04 ST SOT-263 24V 60ASTD150NH02LT4 08NPB ST SOT-252 24V 150A 0.0035ΩSTD70N02L 07 ST SOT-252 24V 60ASUB85N03-04 04 VISHA Y SOT-263 30V 85ASUD50N024-06P 04 VISHA Y SOT-252 24V 80ASUD50N025-06P-E3 06NPB VISHA Y SOT-252 25V 78A 0.0062ΩSUD70N03-06P 04 VISHA Y SOT-252 30V 70ATM3503FD 06 TechMos SOT-252 25V 65ATPC8032-H SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS N场30V 15A 0.0065ΩTPC8A02-H SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS N场30V 16A 0.0056ΩTPC8020-H SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS N场30V 13A 0.009ΩTPCS8303 TSSOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双P -20V -5A 0.021ΩTPCS8302 TSSOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双P -20V -5A 0.035ΩTPCS8208 TSSOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双N 20V 6A 0.017ΩTPCS8210 TSSOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双N 20V 5A 0.03ΩTPC8018-H SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双N 30V 18A 0.0046ΩTPC8210 SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双N 30V 8A 0.015ΩSUP85N03-04 TO-220 VISHA Y DIP/MOS N场30V 85A 0.0043ΩHUF76145P3 TO-220 FAIRCHILD DIP/MOS N场30V 75A 0.0045ΩHUF76143P3 TO-220 FAIRCHILD DIP/MOS N场30V 85A 0.0055ΩAO4466 SOP-8 AO SMD/MOS N场30V 9.4A 0.23ΩIPD03N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 90A 0.0032ΩIPD03N03LA SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N 场25V 90A 0.0032ΩIPD03N03 SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 90A 0.0032Ω03N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 90A 0.0032Ω03N03LA SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 90A 0.0032ΩIPD03N03LBG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 90A 0.0033ΩIPD03N03LB SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N 场30V 90A 0.0033Ω03N03LBG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 90A 0.0033Ω03N03LB SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 90A 0.0033ΩIPD06N03LBG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061ΩIPD06N03LB SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N 场30V 50A 0.0061ΩIPD06N03 SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061Ω06N03LBG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061Ω06N03LB SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061Ω06N03 SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场30V 50A 0.0061ΩIPP09N03LA TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场 25V 50A 0.0092ΩIPP09N03 TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场25V 50A 0.0092Ω09N03LA TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场25V 50A 0.0092Ω09N03 TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场25V 50A 0.0092ΩP09N03LA TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场25V 50A 0.0092ΩH6N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 30A 0.0062Ω 2VH9N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 30A 0.0092Ω 2VH5N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 50A 0.0052Ω 2V IPDH6N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N 场30V 30A 0.0062Ω 2VIPDH9N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 30A 0.0092Ω 2V IPDH5N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场25V 50A 0.0052Ω 2V。

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号2SK3225-Z3353- Z3354-S3354-Z3355-ZJ3366-Z3367-Z3377-Z3385-Z3386-Z3900-ZP3901-ZK3902-ZK3943-ZP738-ZMTD10N05A10N05E10N05E110N08E10N08E1器件型号用途及参数替换型号N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关2SK60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ3355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关2SK60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ3354-S-ZN-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩN-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关2SK60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ3386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关2SK60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ3385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩN-MOSFET（耗尽型）功率场效应管30V，2A，20W，Ron=0.25ΩN通道，功率场效应管50V，10A，1.8W，Ron=0.1ΩN通道，功率场效应管50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1ΩN通道，功率场效应管80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12Ω用途及参数替换型号相似型号2SK3355-ZJ2SK3354-S-Z2SK3386-Z2SK3385-ZMTD3055A相似型号封装类型TO-252TO-263TO-263TO-263TO-252TO-252TO-252TO-252TO-252TO-263TO-263TO-263TO-263TO-252TO-252TO-252TO-252封装类型MTDTO-25260V，8A，1.8W，Ron=1.5Ω10N05AN通道，功率场效应管MTDMTD3055A1TO-25260V，8A，20W，Ron=1.5Ω3055E-E13055E-E1N通道，功率场效应管3055EMTDMTDTO-25260V，8A，20W，20/65ns，Ron=0.15Ω3055E13055A13055A1N通道，功率场效应管3055ELMTDMTDTO-2523055EL160V，12A，40W，20/638ns，Ron=0.18Ω3055A13055A1N通道，功率场效应管3N08LTO-25280V，3A，25W，Ron=0.6ΩN通道，功率场效应管5N05MTDMTDTO-25260V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4Ω5N065N05-15N06N通道，功率场效应管5N06MTDMTDTO-25260V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4Ω5N055N06-15N05N通道，功率场效应管MTD5N08LTO-25260V，5A，1.75W，Ron=0.3Ω3055AN通道，场效应管SUBSUBSUBTO-26340N06-25L60V，40A，90W，20/50ns，Ron=0.022Ω45N05-20L45N05-20LN通道，场效应管45N03-13LTO-26330V，45A，88W，20/70ns，Ron=0.013ΩN通道，场效应管SUBSUB45N05-20LTO-26350V，45A，90W，20/60ns，Ron=0.018Ω40N05-25L40N06-25LN通道，场效应管SUBSUB60N06-18TO-26360V，60A，120W，30/50ns，Ron=0.018Ω70N06-1470N06-14N通道，场效应管SUBSUB70N03-09BPTO-26330V，70A，93W，18/45ns，Ron=0.009Ω70N03-09P70N03-09PN通道，场效应管SUBSUB70N03-09PTO-26330V，70A，93W，20/60ns，Ron=0.09Ω70N03-09BP70N03-09BPN通道，场效应管70N04-1040V，70A，107W，30/100ns，TO-263Ron=0.01ΩN通道，场效应管SUB70N06-1460V，70A，142W，30/60ns，TO-26375N06-12LRon=0.014ΩN通道，场效应管SUB75N03-0430V，75A，187W，20/190ns，TO-26385N03-04PRon=0.04ΩN通道，场效应管SUBSUB75N03-0730V，75A，120W，30/120ns，TO-26385N03-07P85N03-07P Ron=0.007Ω3055AN通道，功率场效应管N通道，场效应管75N04-05L`40V，75A，250W，30/260ns，SUBTO-26375N05-0675N05-0775N08-07L75N06-0875N06-12L75N08-09L75N08--1085N02-0385N02-0685N03-04P85N03-07P85N04-0385N04-04Ron=0.0055Ω50V，75A，250W，40/100ns，Ron=0.006ΩN通道，场效应管55V，75A，158W，20/160ns，Ron=0.007ΩN通道，场效应管60V，75A，250W，40/300ns，Ron=0.0075ΩN通道，场效应管60V，75A，250W，40/120ns，Ron=0.008ΩN通道，场效应管60V，75A，142W，20/150ns，Ron=0.012ΩN通道，场效应管75V，75A，250W，20/200ns，Ron=0.009ΩN通道，场效应管75V，75A，187W，40/120ns，Ron=0.01Ω20V，55A，250W，30/670ns，Ron=0.003ΩN通道，场效应管20V，85A，120W，40/120ns，Ron=0.006ΩN通道，场效应管30V，85A，166W，23/75ns，Ron=0.0043ΩN通道，场效应管30V，85A，107W，25/100ns，Ron=0.007ΩN通道，场效应管40V，85A，250W，25/145ns，Ron=0.0035ΩN通道，场效应管40V，85A，250W，35/115ns，Ron=0.004Ω75N05-06SUB75N04-05LTO-26375N06-07L SUB70N06-14TO-263SUBSUB75N06-0875N06-08TO-263TO-263SUB70N06-14TO-263SUBSUB75N08-1075N08-10TO-263SUBSUB75N08-09L75N08-09LTO-263SUB85N02-06TO-263SUB85N02-03TO-263SUB75N03-04TO-263SUBSUB75N03-0775N03-07TO-263SUBSUB85N04-0485N04-04TO-263SUBTUB85N04-0385N04-03TO-263器件型号用途及参数N通道，场效应管60V，85A，250W，25/140ns，Ron=0.0052ΩN通道，场效应管替换型号相似型号封装类型85N06-05SUBSUB TO-26385N08-0885N08-08SUBSUBTO-26386N06-0586N05-0585N08-0875V，85A，250W，30/75ns，Ron=0.008ΩN通道，场效应管85N10-10100V，85A，250W，25/85ns，Ron=0.0105Ω器件型号用途及参数替换型号注：中功率场效应管主要用在南桥供电，北桥供电，内存供电和中。

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=ΩTO-2523353- ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ2SK3355-ZJ2SK3355-ZJTO-2633355-ZJN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，130/510ns，Ron=Ω2SK3354-S-Z2SK3354-S-ZTO-2633366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩTO-2523367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩTO-2523377-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩTO-2523385-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ2SK3386-Z2SK3386-ZTO-2523386-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ2SK3385-Z2SK3385-ZTO-2523900-ZPN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩTO-263 3901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关TO-26360V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ3902-ZKN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩTO-263 3943-ZPN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关40V，82A，104W，29/69ns，Ron=ΩTO-263 738-ZN-MOSFET（耗尽型）功率场效应管30V，2A，20W，Ron=ΩTO-252MTD 10N05A N通道，功率场效应管50V，10A，，Ron=ΩMTD3055ATO-25210N05E 10N05E1N通道，功率场效应管50V，10A，20W，30/45ns，Ron=ΩTO-25210N08E 10N08E1N通道，功率场效应管80V，10A，50W，13/45ns，Ron=ΩTO-252器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型3055AN通道，功率场效应管60V，8A，，Ron=ΩMTD10N05ATO-2523055A1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，Ron=ΩMTD3055E-E1MTD3055E-E1TO-2523055E 3055E1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，20/65ns，Ron=ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523055EL 3055EL1N通道，功率场效应管60V，12A，40W，20/638ns，Ron=ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523N08LN通道，功率场效应管80V，3A，25W，Ron=ΩTO-2525N05 5N05-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=ΩMTD5N06MTD5N06TO-2525N06 5N06-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=ΩMTD5N05MTD5N05TO-2525N08LN通道，功率场效应管60V，5A，，Ron=ΩMTD3055ATO-252SUB40N06-25L N通道，场效应管60V，40A，90W，20/50ns，Ron=ΩSUB45N05-20LSUB45N05-20LTO-26345N03-13LN通道，场效应管30V，45A，88W，20/70ns，Ron=ΩTO-26345N05-20LN通道，场效应管50V，45A，90W，20/60ns，Ron=ΩSUB40N05-25LSUB40N06-25LTO-26360N06-18N通道，场效应管60V，60A，120W，30/50ns，Ron=ΩSUB70N06-14SUB70N06-14TO-26370N03-09BPN通道，场效应管30V，70A，93W，18/45ns，Ron=ΩSUB70N03-09PSUB70N03-09PTO-26370N03-09PN通道，场效应管30V，70A，93W，20/60ns，Ron=ΩSUB70N03-09BPSUB70N03-09BPTO-26370N04-10N通道，场效应管40V，70A，107W，30/100ns，Ron=ΩTO-26370N06-14N通道，场效应管60V，70A，142W，30/60ns，Ron=ΩSUB75N06-12LTO-26375N03-04N通道，场效应管30V，75A，187W，20/190ns，Ron=ΩSUB85N03-04PTO-26375N03-07N通道，场效应管SUB SUB TO-263Ron=Ω75N04-05L N通道，场效应管`40V，75A，250W，30/260ns，Ron=ΩSUB75N05-06TO-26375N05-06N通道，场效应管50V，75A，250W，40/100ns，Ron=ΩSUB75N04-05L75N06-07LTO-26375N05-07N通道，场效应管55V，75A，158W，20/160ns，Ron=ΩSUB70N06-14TO-26375N08-07L N通道，场效应管60V，75A，250W，40/300ns，Ron=ΩSUB75N06-08SUB75N06-08TO-26375N06-08N通道，场效应管60V，75A，250W，40/120ns，Ron=ΩTO-26375N06-12L N通道，场效应管60V，75A，142W，20/150ns，Ron=ΩSUB70N06-14TO-26375N08-09L N通道，场效应管75V，75A，250W，20/200ns，R on=ΩSUB75N08-10SUB75N08-10TO-26375N08--10N通道，场效应管SUB SUB TO-263Ron=Ω85N02-03N通道，场效应管20V，55A，250W，30/670ns，Ron=ΩSUB85N02-06TO-26385N02-06N通道，场效应管20V，85A，120W，40/120ns，Ron=ΩSUB85N02-03TO-26385N03-04P N通道，场效应管30V，85A，166W，23/75ns，Ron=ΩSUB75N03-04TO-26385N03-07P N通道，场效应管30V，85A，107W，25/100ns，Ron=ΩSUB75N03-07SUB75N03-07TO-26385N04-03N通道，场效应管40V，85A，250W，25/145ns，Ron=ΩSUB85N04-04SUB85N04-04TO-26385N04-04N通道，场效应管40V，85A，250W，35/115ns，Ron=ΩSUB85N04-03TUB85N04-03TO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型85N06-05N通道，场效应管60V，85A，250W，25/140ns，Ron=ΩSUB85N08-08SUB85N08-08TO-26385N08-08N通道，场效应管SUB SUB TO-263Ron=Ω85N10-10N通道，场效应管100V，85A，250W，25/85ns，Ron=ΩTO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型注：中功率场效应管主要用在南桥供电，北桥供电，内存供电和AGP供电电路中。

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩTO-2523353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ2SK3355-ZJ2SK3355-ZJTO-2633355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ2SK3354-S-Z2SK3354-S-ZTO-2633366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩTO-2523367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩTO-2523377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩTO-2523385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ2SK3386-Z2SK3386-ZTO-2523386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ2SK3385-Z2SK3385-ZTO-2523900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩTO-2633901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩTO-2633902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩTO-2633943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩTO-263738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管30V，2A，20W，Ron=0.25ΩTO-252MTD 10N05A N通道，功率场效应管50V，10A，1.8W，Ron=0.1ΩMTD3055ATO-25210N05E 10N05E1N通道，功率场效应管50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1ΩTO-25210N08E 10N08E1N通道，功率场效应管80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12ΩTO-252器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型3055A N通道，功率场效应管60V，8A，1.8W，Ron=1.5ΩMTD10N05ATO-2523055A1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，Ron=1.5ΩMTD3055E-E1MTD3055E-E1TO-2523055E 3055E1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，20/65ns，Ron=0.15ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523055EL 3055EL1N通道，功率场效应管60V，12A，40W，20/638ns，Ron=0.18ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523N08L N通道，功率场效应管80V，3A，25W，Ron=0.6ΩTO-2525N05 5N05-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N06MTD5N06TO-2525N06 5N06-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N05MTD5N05TO-2525N08L N通道，功率场效应管60V，5A，1.75W，Ron=0.3ΩMTD3055ATO-252SUB40N06-25L N通道，场效应管60V，40A，90W，20/50ns，Ron=0.022ΩSUB45N05-20LSUB45N05-20LTO-26345N03-13L N通道，场效应管30V，45A，88W，20/70ns，Ron=0.013ΩTO-26345N05-20L N通道，场效应管50V，45A，90W，20/60ns，Ron=0.018ΩSUB40N05-25LSUB40N06-25LTO-26360N06-18N通道，场效应管60V，60A，120W，30/50ns，Ron=0.018ΩSUB70N06-14SUB70N06-14TO-26370N03-09BP N通道，场效应管30V，70A，93W，18/45ns，Ron=0.009ΩSUB70N03-09PSUB70N03-09PTO-26370N03-09P N通道，场效应管30V，70A，93W，20/60ns，Ron=0.09ΩSUB70N03-09BPSUB70N03-09BPTO-26370N04-10N通道，场效应管40V，70A，107W，30/100ns，Ron=0.01ΩTO-26370N06-14N通道，场效应管60V，70A，142W，30/60ns，Ron=0.014ΩSUB75N06-12LTO-26375N03-04N通道，场效应管30V，75A，187W，20/190ns，Ron=0.04ΩSUB85N03-04PTO-26375N03-07N通道，场效应管30V，75A，120W，30/120ns，Ron=0.007ΩSUB85N03-07PSUB85N03-07PTO-26375N04-05L N通道，场效应管`40V，75A，250W，30/260ns，Ron=0.0055ΩSUB75N05-06TO-26375N05-06N通道，场效应管50V，75A，250W，40/100ns，Ron=0.006ΩSUB75N04-05L75N06-07LTO-26375N05-07N通道，场效应管55V，75A，158W，20/160ns，Ron=0.007ΩSUB70N06-14TO-26375N08-07L N通道，场效应管60V，75A，250W，40/300ns，Ron=0.0075ΩSUB75N06-08SUB75N06-08TO-26375N06-08N通道，场效应管60V，75A，250W，40/120ns，Ron=0.008ΩTO-26375N06-12L N通道，场效应管60V，75A，142W，20/150ns，Ron=0.012ΩSUB70N06-14TO-26375N08-09L N通道，场效应管75V，75A，250W，20/200ns，Ron=0.009ΩSUB75N08-10SUB75N08-10TO-26375N08--10N通道，场效应管75V，75A，187W，40/120ns，Ron=0.01ΩSUB75N08-09LSUB75N08-09LTO-26385N02-03N通道，场效应管20V，55A，250W，30/670ns，Ron=0.003ΩSUB85N02-06TO-26385N02-06N通道，场效应管20V，85A，120W，40/120ns，Ron=0.006ΩSUB85N02-03TO-26385N03-04P N通道，场效应管30V，85A，166W，23/75ns，Ron=0.0043ΩSUB75N03-04TO-26385N03-07P N通道，场效应管30V，85A，107W，25/100ns，Ron=0.007ΩSUB75N03-07SUB75N03-07TO-26385N04-03N通道，场效应管40V，85A，250W，25/145ns，Ron=0.0035ΩSUB85N04-04SUB85N04-04TO-26385N04-04N通道，场效应管40V，85A，250W，35/115ns，Ron=0.004ΩSUB85N04-03TUB85N04-03TO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型85N06-05N通道，场效应管60V，85A，250W，25/140ns，Ron=0.0052ΩSUB85N08-08SUB85N08-08TO-26385N08-08N通道，场效应管75V，85A，250W，30/75ns，Ron=0.008ΩSUB86N06-05SUB86N05-05TO-26385N10-10N通道，场效应管100V，85A，250W，25/85ns，Ron=0.0105ΩTO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型注：中功率场效应管主要用在南桥供电，北桥供电，内存供电和AGP供电电路中。

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT） 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT） 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W FQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75WFQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W FQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管） 60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220。

k5a50d场效应管参数代换（原创实用版）目录1.场效应管的基本概念2.场效应管参数及其意义3.场效应管参数代换的原则和方法4.实际应用中的场效应管参数代换正文一、场效应管的基本概念场效应管（Field Effect Transistor，简称 FET）是一种半导体器件，是基于半导体材料的电子运动方式而设计的。

场效应管是三种主要的晶体管之一，另外两种是双极晶体管和绝缘栅双极晶体管。

场效应管具有高输入阻抗、低噪声和低功耗等特点，在电路设计中有着广泛的应用。

二、场效应管参数及其意义场效应管的参数主要有以下几个：1.源极和漏极之间的电流 ID：表示场效应管在正常工作状态下，源极和漏极之间的电流值。

2.源极和漏极之间的电压 VDS：表示场效应管在正常工作状态下，源极和漏极之间的电压值。

3.栅极和源极之间的电压 VGS：表示场效应管在正常工作状态下，栅极和源极之间的电压值。

4.阈值电压 Vth：表示场效应管开始导通时的栅极和源极之间的电压值。

5.输入电阻 Rin：表示场效应管的输入端对电路的阻抗。

6.输出电阻 Rds：表示场效应管的输出端对电路的阻抗。

三、场效应管参数代换的原则和方法在场效应管的电路设计中，有时候需要对场效应管的参数进行代换，以满足电路的性能要求。

场效应管参数代换的原则是：保持电路的工作状态不变，即保持电流、电压等参数不变。

场效应管参数代换的方法主要有以下几种：1.同类型场效应管之间的代换：同类型的场效应管具有相同的结构和材料，参数代换较为简单，只需根据新的参数选择合适的场效应管即可。

2.不同类型场效应管之间的代换：不同类型的场效应管具有不同的结构和材料，参数代换需要考虑场效应管的特性差异，可能需要进行电路优化。

四、实际应用中的场效应管参数代换在实际应用中，场效应管参数代换通常需要考虑以下几个方面：1.电流放大系数：不同类型的场效应管的电流放大系数不同，可能影响电路的性能。

2.输入电阻和输出电阻：不同类型的场效应管的输入电阻和输出电阻不同，可能影响电路的稳定性和线性度。

电脑主板场管代换表（MOS管代换）如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ >，可替代市面上各类型9435APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等!2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上各类型9926 ：APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等!//3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>：暂无4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>，可替代市面上各类型4953 ：GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等!SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM49535、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>，可替代市面上各类型4435 ：APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等!6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ 30V>，替代各型4410：APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410NSTN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等！7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>，替代各型2300：APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，替代各类2301APM2301 、Si2301、CEM2301 、STS2301 、AP2301 、MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等!9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S :APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!10、SD2302 SOT-23-3L <20V 3.2A 85mΩ>，可替代市面上各类型2302 :APM2302 、SSS2302 、AP2302 、STS2302 、MT2302、ST2302 等等!11、锂电保护板MOS 管：SD8205 (SD8205G TSSOP-8；SD8205S TSOP-6 )SD8205S TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205；SD8205G TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。

k3569场效应管参数及代换
摘要：
1.介绍K3569 场效应管的参数
2.K3569 与其他场效应管的代换情况
3.K3569 在实际应用中的注意事项
正文：
一、K3569 场效应管的参数
K3569 是一种600V、10A 的场效应管，具有较高的电压和电流承受能力。

它的主要参数包括源极漏极电压、栅极电压、漏极电流等，这些参数决定了场效应管的工作性能。

二、K3569 与其他场效应管的代换情况
K3569 可以替换K3562 场效应管，因为两者的电压和电流参数相似。

但是，K3562 不能替换K3569，因为K3562 的电流承受能力较低（6A），无法满足K3569 的需求。

此外，K3569 还可以与其他场效应管如6N80、
7N80 等进行替换，具体替换情况需要根据实际应用中的电压和电流需求来确定。

三、K3569 在实际应用中的注意事项
在实际应用中，使用K3569 场效应管时需要注意以下几点：
1.根据电路需求选择合适的场效应管型号，注意电压和电流参数的匹配。

2.在使用过程中要注意散热，场效应管工作时会产生热量，过高的温度会影响其性能和寿命。

3.确保场效应管的工作环境符合其额定参数的要求，避免因电压、电流等参数超出范围而导致损坏。

总之，K3569 是一种性能优良的场效应管，广泛应用于各种电子设备中。