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场效应管参数对照表场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种常用的半导体器件，其工作原理基于场效应。
场效应管分为两种基本类型：N-沟道型场效应管（N-channel FET）和P-沟道型场效应管（P-channel FET）。
场效应管有着很多特性参数，下面是场效应管常见参数的对照表。
1. 驱动电压（Vds）：场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差，也成为漏极与源极之间的电压。
该驱动电压决定了场效应管的导通与截止，一般用正参考电压。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的初始电压，也就是漏极电流开始出现的电压。
阈值电压决定了FET是否在导通状态，一般用负参考电压。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指通过场效应管漏极的电流，当驱动电压大于阈值电压时，场效应管导通，漏极电流会随之增加。
4. 器件尺寸（Size）：场效应管的尺寸通常由器件的长度（L）和宽度（W）决定。
尺寸越大，场效应管的漏极电流也越大。
5. 开关速度（Switching Speed）：场效应管的开关速度指的是从导通到截止或者从截止到导通的反应时间。
开关速度快的场效应管适用于高频应用。
6. 衰减（Attenuation）：场效应管的衰减是指信号经过场效应管后的信号衰减量。
7. 耐压（Vdss）：耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大电压。
一般情况下，Vdss会比驱动电压Vds的值要大。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端的容量。
输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。
9. 输出电阻（Rds）：输出电阻是指场效应管导通状态下，漏极与源极之间的等效电阻。
输出电阻越小，对负载输出能力越强。
10. 控制源电压（Vgs）：控制源电压是指场效应管的栅极电压，通过改变栅极电压，可以控制场效应管的导通与截止。
以上是几个常见的场效应管参数对照表。
不同应用场景的场效应管参数有所不同，使用时需根据具体需求来选择合适的场效应管。
proteus元件库介绍AND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDGE 1 整流桥(二极管)BRIDGE 2 整流桥(集成块)BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体振荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LEDDPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFET MOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管PNP 三极管NPN DAR NPN三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻RES3.4 可变电阻RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻RESPACK ? 电阻SCR 晶闸管PLUG ? 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET ? 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器SW ? 开关SW-DPDY ? 双刀双掷开关SW-SPST ? 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC ? 三端双向可控硅TRIODE ? 三极真空管VARISTOR 变阻器ZENER ? 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关7407 驱动门1N914 二极管74Ls00 与非门74LS04 非门74LS08 与门74LS390 TTL 双十进制计数器7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的BCD码7SEG 3-8译码器电路BCD-7SEG转换电路ALTERNATOR 交流发电机AMMETER-MILLI mA安培计AND 与门BATTERY 电池/电池组BUS 总线CAP 电容CAPACITOR 电容器CLOCK 时钟信号源CRYSTAL 晶振D-FLIPFLOP D触发器FUSE 保险丝GROUND 地LAMP 灯LED-RED 红色发光二极管LM016L 2行16列液晶可显示2行16列英文字符，有8位数据总线D0-D7，RS，R/W，EN三个控制端口（共14线），工作电压为5V。
元件封装电阻AXIAL无极性电容RAD电解电容RB-电位器VR二极管DIODE三极管TO电源稳压块78和79系列TO－126H和TO-126V场效应管和三极管一样整流桥D－44 D－37 D－46单排多针插座CON SIP (搜索con可找到任何插座)双列直插元件DIP晶振XTAL1电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林顿管）电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等;79系列有7905，7912，7920等.常见的封装属性有to126h和to126v整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。
其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。
一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4发光二极管：RB.1/.2集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。
Proteus 元件名称对照1元件名称中文名说明7407 驱动门1N914 二极管74Ls00 与非门74LS04 非门74LS08 与门74LS390 TTL 双十进制计数器7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的BCD码7SEG 3-8译码器电路BCD-7SEG[size=+0]转换电路ALTERNATOR 交流发电机AMMETER-MILLI mA安培计AND 与门BATTERY 电池/电池组BUS 总线CAP 电容CAPACITOR 电容器CLOCK 时钟信号源CRYSTAL 晶振D-FLIPFLOP D 触发器FUSE 保险丝GROUND 地LAMP 灯LED-RED 红色发光二极管LM016L 2行16列液晶可显示2行16列英文字符，有8位数据总线D0-D7，RS，R/W，EN三个控制端口（共14线），工作电压为5V。
没背光，和常的1602B功能和引脚一样（除了调背光的二个线脚）LOGIC ANALYSER 逻辑分析器LOGICPROBE 逻辑探针LOGICPROBE[BIG] 逻辑探针用来显示连接位置的逻辑状态LOGICSTATE 逻辑状态用鼠标点击,可改变该方框连接位置的逻辑状态LOGICTOGGLE 逻辑触发BUTTON按钮手动闭合,立即自动打开MOTOR 马达OR 或门POT-LIN 三引线可变电阻器POWER 电源RES 电阻RESISTOR 电阻器SWITCH 按钮手动按一下一个状态SWITCH-SPDT 二选通一按钮VOLTMETER 伏特计VOLTMETER-MILLI mV 伏特计VTERM 串行口终端Electromechanical 电机Inductors 变压器Laplace Primitives 拉普拉斯变换Memory IcsMicroprocessor IcsMiscellaneous 各种器件AERIAL-天线；ATAHDD；ATMEGA64；BATTERY；CELL；CRYSTAL-晶振；FUSE；METER-仪表；Modelling Primitives 各种仿真器件是典型的基本元器模拟，不表示具体型号，只用于仿真，没有PCBOptoelectronics 各种发光器件发光二极管，LED，液晶等等PLDs & FPGAsResistors 各种电阻Simulator Primitives 常用的器件Speakers & SoundersSwitches & Relays 开关，继电器，键盘Switching Devices 晶阊管Transistors 晶体管（三极管，场效应管）TTL 74 seriesTTL 74ALS seriesTTL 74AS seriesTTL 74F seriesTTL 74HC seriesTTL 74HCT seriesTTL 74LS seriesTTL 74S seriesAnalog Ics 模拟电路集成芯片Capacitors 电容集合CMOS 4000 seriesConnectors 排座，排插Data Converters ADC,DACDebugging Tools 调试工具ECL 10000 Series------------------------------------------------------------PROTEUS元件库元件名称及中英对照AND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDEG 1 整流桥(二极管)BRIDEG 2 整流桥(集成块)BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LEDDPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFET MOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管PNP 三极管NPN DAR NPN三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器电阻可变电阻RESISTOR BRIDGE 桥式电阻RESPACK 电阻SCR 晶闸管PLUG 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器SW 开关SW-DPDY 双刀双掷开关SW-SPST 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC 三端双向可控硅TRIODE 三极真空管VARISTOR 变阻器ZENER 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关----------------------------------------------------------------------PROTEUS原理图元器件库详细说明包括电阻、电容、二极管、三极管和PCB的连接器符号包括虚拟仪器和有源器件包括二极管和整流桥包括LCD、LED包括三极管包括场效应管包括模拟元器件VALVES .LIB 包括电子管包括电源调节器、运放和数据采样IC包括电容包括4000系列包括ECL10000系列包括通用微处理器包括运算放大器包括电阻FAIRCHLD .LIB 包括FAIRCHLD 半导体公司的分立器件包括LINTEC公司的运算放大器包括国家半导体公司的数字采样器件包括国家半导体公司的运算放大器包括TECOOR公司的SCR 和TRIAC包括德州仪器公司的运算放大器和比较器ZETEX .LIB 包括ZETEX 公司的分立器件。
三、场效应管参数符号意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。
场效应管参数对照表
场效应管（FET）是一种电子元器件，常被用作放大器、开关及其他电路中的关键组件。
FET的优点包括高输入阻抗、低噪声、低失真及良好的线性度。
在使用场效应管时，了解一些常用参数是非常重要的。
以下是一份场效应管参数对照表，我们将对其中的每个参数进行详细解释。
1. 型号名称：FET的型号名称通常包含一些信息，如其类型、级数和制造商等。
2. 门源电压（Vgs）：这是FET的重要参数之一，指控制引脚和源极之间的电压差。
当电压施加在门极上时，FET的特定区域会形成一个导电通道，从而控制FET的导通情况。
门源电压的变化会直接影响到FET的电流及其它性能指标。
3. 最大漏极电流（Idss）：指门源电压为零时，漏极上的最大电流。
这个参数表明了FET的电流承受能力。
4. 开态电阻（Rds on）：FET通过时的漏极电阻。
这是一个关键的参数，因为当FET处于导通状态时，其Rds on 值应尽可能小，以最大限度地减少功耗和发热。
5. 放大系数（μ）：FET的放大系数是其漏极电流与门极电压之间的比值。
在放大器电路中，FET的电流放大系数是设计中的一个关键参数.
总之，在使用场效应管时要了解这些参数的意义。
这些参数决定了FET能否适合你的应用，因此在选择FET时务必仔细考虑每个参数的权重及其适合的应用。
proteus详细的中英文元件对照表以及一些菜单的介绍1N914 二极管AMMETER-MILLI mA安培计BA TTERY 电池/电池组CAP 电容CAPACITOR 电容器CLOCK 时钟信号源FUSE 保险丝GROUND 地LED-RED 红色发光二极管POWER 电源RES 电阻RESISTOR 电阻器Inductors 变压器Laplace Primitives 拉普拉斯变换PLDs & FPGAsResistors 各种电阻Simulator Primitives 常用的器件Speakers & SoundersSwitches & Relays 开关，继电器，键盘Switching Devices 晶阊管Transistors 晶体管（三极管，场效应管）TTL 74 seriesprotues元件库中英文对照表元件名称(2): TTL 74ALS series TTL 74AS series TTL 74F series TTL 74HC series TTL 74HCT series TTL 74LS series TTL 74S series Analog Ics 模拟电路集成芯片Capacitors 电容集合CMOS 4000 series Connectors 排座，排插Data Converters ADC,DACTTL 74ALS seriesTTL 74AS seriesTTL 74F seriesTTL 74HC seriesTTL 74HCT seriesTTL 74LS seriesTTL 74S seriesAnalog Ics 模拟电路集成芯片Capacitors 电容集合CMOS 4000 seriesConnectors 排座，排插Data Converters ADC,DACDebugging Tools 调试工具ECL 10000 Series 各种常用集成电路protues常用器件2007-08-08 14:18分分立元件库元件名称及中英对照AND 与门ANTENNA 天线BA TTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPV AR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LEDDPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFET MOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管PNP 三极管NPN DAR NPN三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻RES3.4 可变电阻RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻RESPACK ? 电阻SCR 晶闸管PLUG ? 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET ? 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称(3): SPEAKER 扬声器SW ? 开关SW-DPDY ? 双刀双掷开关SW-SPST ? 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC ? 三端双向可控硅TRIODE ? 三极真空管V ARISTOR 变阻器ZENER ? 齐protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称(3)SPEAKER 扬声器SW ? 开关SW-DPDY ? 双刀双掷开关SW-SPST ? 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC ? 三端双向可控硅TRIODE ? 三极真空管V ARISTOR 变阻器ZENER ? 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关主窗口菜单1. File (文件)(1) New (新建) 新建一个电路文件(2) Open (打开)…打开一个已有电路文件(3) Save (保存) 将电路图和全部参数保存在打开的电路文件中(4) Save As (另存为)…将电路图和全部参数另存在一个电路文件中(5) Print (打印)…打印当前窗口显示的电路图(6) Page Setup (页面设置)…设置打印页面(7) Exit (退出) 退出Proteus ISIS2. Edit (编辑)(1) Rotate (旋转) 旋转一个欲添加或选中的元件(2) Mirror (镜像) 对一个欲添加或选中的元件镜像(3) Cut (剪切) 将选中的元件、连线或块剪切入裁剪板(4) Copy (复制) 将选中的元件、连线或块复制入裁剪板(5) Paste (粘贴) 将裁切板中的内容粘贴到电路图中(6) Delete (删除) 删除元件，连线或块(7) Undelete (恢复) 恢复上一次删除的内容(8) Select All (全选) 选中电路图中全部的连线和元件3. View (查看)(1) Redraw (重画) 重画电路(2) Zoom In (放大) 放大电路到原来的两倍(3) Zoom Out (缩小) 缩小电路到原来的1／2(4) Full Screen (全屏) 全屏显示电路(5) Default View (缺省) 恢复最初状态大小的电路显示(6) Simulation Message (仿真信息) 显示／隐藏分析进度信息显示窗口(7) Common Toolbar (常用工具栏) 显示／隐藏一般操作工具条protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称(4): (8) Operating Toolbar (操作工具栏) 显示／隐藏电路操作工具条(9) Element Palette (元件栏) 显示／隐藏电路元件工具箱(10) Status Bar (状态信息条) 显示／隐藏状态条4. Place (放置) (1) Wire (连线) 添加连protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称(4)(8) Operating Toolbar (操作工具栏) 显示／隐藏电路操作工具条(9) Element Palette (元件栏) 显示／隐藏电路元件工具箱(10) Status Bar (状态信息条) 显示／隐藏状态条4. Place (放置)(1) Wire (连线) 添加连线(2) Element (元件) ? 添加元件a. Lumped (集总元件) 添加各个集总参数元件b. Microstrip (微带元件) 添加各个微带元件c. S Parameter (S参数元件) 添加各个S参数元件d. Device (有源器件) 添加各个三极管、FET等元件(3) Done (结束) 结束添加连线、元件5. Parameters (参数)(1) Unit (单位) 打开单位定义窗口(2) Variable (变量) 打开变量定义窗口(3) Substrate (基片) 打开基片参数定义窗口(4) Frequency (频率) 打开频率分析范围定义窗口(5) Output (输出) 打开输出变量定义窗口(6) Opt/Yield Goal (优化/成品率目标) 打开优化/成品率目标定义窗口(7) Misc (杂项) 打开其它参数定义窗口6. Simulate (仿真)(1) Analysis (分析) 执行电路分析(2) Optimization (优化) 执行电路优化(3) Yield Analysis (成品率分析) 执行成品率分析(4) Yield Optimization (成品率优化) 执行成品率优化(5) Update Variables (更新参数) 更新优化变量值(6) Stop (终止仿真) 强行终止仿真7. Result (结果)(1) Table (表格) 打开一个表格输出窗口(2) Grid (直角坐标) 打开一个直角坐标输出窗口(3) Smith (圆图) 打开一个Smith圆图输出窗口(4) Histogram (直方图) 打开一个直方图输出窗口(5) Close All Charts (关闭所有结果显示) 关闭全部输出窗口(6) Load Result (调出已存结果) 调出并显示输出文件(7) Save Result (保存仿真结果) 将仿真结果保存到输出文件protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称(5): 8. Tools (工具) (1) Input File Viewer (查看输入文件) 启动文本显示程序显示仿真输入文件(2) Output File Viewer (查看输出文件) 启动文本显示程序显示仿真输出文件(3) Options (选项) 更改设置9. Help (帮助protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称(5)8. Tools (工具)(1) Input File Viewer (查看输入文件) 启动文本显示程序显示仿真输入文件(2) Output File Viewer (查看输出文件) 启动文本显示程序显示仿真输出文件(3) Options (选项) 更改设置9. Help (帮助)(1) Content (内容) 查看帮助内容(2) Elements (元件) 查看元件帮助(3) About (关于) 查看软件版本信息表格输出窗口(Table)菜单1. File (文件)(1) Print (打印)…打印数据表(2) Exit (退出) 关闭窗口2. Option (选项)(1) Variable (变量)…选择输出变量方格输出窗口(Grid)菜单1. File (文件)(1) Print (打印)…打印曲线(2) Page setup (页面设置)…打印页面(3) Exit (退出) 关闭窗口2. Option (选项)(1) Variable (变量)…选择输出变量(2) Coord (坐标)…设置坐标Smith圆图输出窗口(Smith)菜单1. File (文件)(1) Print (打印)…打印曲线(2) Page setup (页面设置)…打印页面(3) Exit (退出) 关闭窗口2. Option (选项)(1) Variable (变量)…选择输出变量直方图输出窗口(Histogram)菜单1. File (文件)(1) Print (打印)…打印曲线(2) Page setup (页面设置)…打印页面(3) Exit (退出) 关闭窗口2. Option (选项)(1) Variable (变量)…选择输出变量。
场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。
在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。
每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。
同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。
1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。
同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。
2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。
）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：ADV 美国先进半导体公司AEG 美国AEG公司AEI 英国联合电子工业公司AEL 英、德半导体器件股份公司ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司AMP 美国安派克斯电子公司AMS 美国微系统公司APT 美国先进功率技术公司ATE 意大利米兰ATES公司ATT 美国电话电报公司AVA 美、德先进技术公司BEN 美国本迪克斯有限公司BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司CDI 印度大陆器件公司CEN 美国中央半导体公司CLV 美国CLEVITE晶体管公司COL 美国COLLMER公司CRI 美国克里姆森半导体公司CTR 美国通信晶体管公司CSA 美国CSA工业公司DIC 美国狄克逊电子公司DIO 美国二极管公司DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司FCH 美国范恰得公司FER 英、德费兰蒂有限公司FJD 日本富士电机公司FRE 美国FEDERICK公司FUI 日本富士通公司FUM 美国富士通微电子公司GEC 美国詹特朗公司GEN 美国通用电气公司GEU 加拿大GENNUM公司GPD 美国锗功率器件公司HAR 美国哈里斯半导体公司HFO 德国VHB联合企业HIT 日本日立公司HSC 美国HELLOS半导体公司IDI 美国国际器件公司INJ 日本国际器件公司INR 美、德国际整流器件公司INT 美国INTER FET 公司IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司ITT 德国楞茨标准电气公司IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司KYO 日本东光股份公司LTT 法国电话公司SEM 美国半导体公司MAR 英国马可尼电子器件公司MAL 美国MALLORY国际公司MAT 日本松下公司MCR 美国MCRWVE TECH公司MIC 中国香港微电子股份公司MIS 德、意MISTRAL公司MIT 日本三菱公司MOT 美国莫托罗拉半导体公司MUL 英国马德拉有限公司NAS 美、德北美半导体电子公司NEW 英国新市场晶体管有限公司NIP 日本日电公司NJR 日本新日本无线电股份有公司NSC 美国国家半导体公司NUC 美国核电子产品公司OKI 日本冲电气工业公司OMN 美国OMNIREL公司OPT 美国OPTEK公司ORG 日本欧里井电气公司PHI 荷兰飞利浦公司POL 美国PORYFET公司POW 美国何雷克斯公司PIS 美国普利西产品公司PTC 美国功率晶体管公司RAY 美、德雷声半导体公司REC 美国无线电公司RET 美国雷蒂肯公司RFG 美国射频增益公司RTC 法、德RTC 无线电技术公司SAK 日本三肯公司SAM 韩国三星公司SAN 日本三舍公司SEL 英国塞米特朗公司SES 法国巴黎斯公司SGS 法、意电子元件股份公司SHI 日本芝蒲电气公司SIE 德国西门子AG公司SIG 美国西格尼蒂克斯公司SIL 美、德硅技术公司SML 美、德塞迈拉布公司SOL 美、德固体电子公司SON 日本萦尼公司SPE 美国空间功率电子学公司SPR 美国史普拉格公司SSI 美国固体工业公司STC 美国硅晶体管公司STI 美国半导体技术公司SUP 美国超技术公司TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司TEL 德国德律风根电子公司TES 捷克TESLA公司THO 法国汤姆逊公司TIX 美国德州仪器公司TOG 日本东北金属工业公司TOS 日本东芝公司TOY 日本罗姆公司TRA 美国晶体管有限公司TRW 英、德TRN半导体公司UCA 英、德联合碳化物公司电子分部UNI 美国尤尼特罗德公司UNR 波兰外资企业公司WAB 美、德WALBERN器件公司WES 英国韦斯特科德半导体公司VAL 德国凡尔伏公司YAU 日本GENERAL股份公司ZET 英国XETEX公司场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）3．"材料"栏本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。
其英文与中文对照如下：N-FET 硅N沟道场效应晶体管P-FET 硅P沟道场效应晶体管GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管SB肖特基势垒栅场效应晶体管MES 金属半导体场效应晶体管（一般为N沟道，若P沟道则在备注栏中注明）HEMT 高电子迁移率晶体管SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管SIT 静电感应晶体管IGBT 绝缘栅比极晶体管ALGaAS 铝家砷4．"外形"栏根据本栏中所给出的外形图序号，可在书末的"外形与管脚排列图"中查到该型号场效应晶体管的外形与管脚排列方式，但不考虑管子尺寸大小。
注明"P-DIT"的为塑料封装双列直插式外形，"CER-DIP"的为陶瓷封装双列直插式外形，"CHIP"的为小型片状，"SMD"或"SO"的为表面封装，"SP"的为特殊外形，"LLCC"为无引线陶瓷片载体，"WAFER"的为裸芯片。
5．"用途与特性"栏本栏中介绍了各种场效应晶体管的主要用途及技术特性参数。
对于MOSFET增加了MOS -DPI表示增强型金属氧化物场效应晶体管或者MOS-ENH表示增强型金属氧化物场效应晶体管，没有注明的即结型场效应晶体管其余的英文缩写与中文全称对照如下：A 宽频带放大AM 调幅CC 恒流CHOP 斩波、限幅C-MIC 电容话筒专用D 变频换流DC 直流DIFF 差分放大DUAL 配对管DUAL-GATE 双栅四极FM 调频GEP 互补类型HA 行输出级HF 高频放大（射频放大）HG 高跨导HI-IMP 高输入阻抗HI-REL 高可靠性LMP-C 阻抗变换L 功率放大MAP 匹配对管MIN 微型MIX或M 混频MW 微波NF 音频（低频）O 振荡S 开关SW-REG 开关电源SYM 对称类TEMP 温度传感TR 激励、驱动TUN 调谐TV 电视TC 小型器件标志UHF 超高频UNI 一般用途V 前置/输入级VA 场输出级VHF 甚高频VID 视频VR 可变电阻ZF 中放V-FET V型槽MOSFETMOS-INM MOSFET独立组件MOS-ARR MOSFET陈列组件MOS-HBM MOSFET半桥组件MOS-FBM 全桥组件MOS-TPBM MOSFET三相桥组件技术特性参数列出极限参和特征参数，其中电压值：结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS场效应晶体管（含MES、HEMT）一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压（基极和发射极短路）V(br)ces ;电流值：耗尽型（含结型）为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id，IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic；功率值：一般为漏极耗散功率Pd，高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po，IGBT晶体管为集电极耗散功率Pc，单位为W或DBM；场效应管高频应用的频率值：一般为特征频率Ft,有的为最高振荡频率FO；开关应用及功率MOS场效应管电阻值为漏极-源极间的导通电阻Rds，记为Ron，单位Ω；开关时间："/"(斜线)前为导通时间Ton , "/"后为关断时间Toff,部分开关时间为上升时间Tr，和下降时间Tf，IGBT晶体管"/"斜钱前为延迟时间与上升时间之和td+tr, "/"后为下降时间TR；低噪声的噪声特性参数用噪声系数NF（DB）或输入换算噪声电压En（VN）表示；对于对管列有表示对称性参数的栅源短路时的漏极电流之比⊿或栅源电压差⊿VGS 或栅极电流差⊿JG；跨导值：表示放大能力的参数，多为最大跨导GM，单位MS（毫西门子）；栅泄漏电流值：表示输入阻抗特怕的能数，记为IGSS，单位NA或PA；夹断电压：表示关断行断特性的参数，记为VP,，单位V。
6，" 国内外相似型号"栏本栏列出特性相似，可供代换的世界各国场效应晶体管型号，含国产场效应晶体管。
这些型号的场效应晶体管一般都可以代换相应第一栏（"型号"栏）的场效应晶体管。
这些管子多数可直接代换，但有个别型号的场效应晶体管因外形或管脚排列不同，不能直接代换使用，须加以注意。
不过，这些场效应晶体管的主要技术能数与被代换场效应晶体管都比较接近。
这一栏里还对一些特殊的特性、参数以备注的形式进行说明。
其中KOMPL（有时排印为KPL.）后的场效应晶体管为第一栏晶体管的互补管。
注明INTEGR.D.的表示管内含有复合二极管。
对组件注有XN中N 为组件中的器件数目。
