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石墨烯的制备技术及其应用第一章石墨烯的简介石墨烯是一种由碳原子组成的单层二维晶体材料，其非常薄且具有出色的电子、光学、力学等性能。
石墨烯最初被制备出来是通过机械剥离的方法，该方法通常利用胶带将石墨材料持续剥离，最终得到单层结构。
这种方法虽然简单但效率低下，难以在大规模制造中应用。
因此，发展一种高效制备石墨烯的技术是极其必要的。
第二章石墨烯的制备技术2.1 化学气相沉积法 (CVD)CVD是制备石墨烯的一种常用方法，其原理是在金属催化剂表面，将碳源分解成一层石墨烯。
这种方法优点是可以制备大面积的单层石墨烯，且制备过程中控制参数较为灵活，但由于需要使用高温等条件，对设备、条件等要求较高。
2.2 溶剂剥离法溶剂剥离法的原理是将石墨氧化物转变为石墨烯，然后使用溶剂剔除无用部分。
此方法虽然容易实施，但也较为依赖原料质量和过程参数控制。
2.3 机械剥离法机械剥离法是一种传统的石墨烯制备方法。
通过使用胶带将石墨材料持续剥离，最终得到单层结构。
这种方法虽然简单但效率低下，难以在大规模制造中应用。
第三章石墨烯的应用3.1 电子学由于石墨烯的独特电学特性，其在电子学领域的应用非常广泛。
例如，石墨烯可以被用作场效晶体管( FET)、场发射器( FE)、无源电路的元件等等。
3.2 生物学由于石墨烯材料的生物相容性和阻抗特性较低，石墨烯在生物学领域得到广泛应用。
例如，石墨烯可以用于生物传感器系统、药物释放工具等。
3.3 透明电极石墨烯可以用于制备透明电极，其具有良好的导电性和透明性。
透明电极的应用包括液晶显示器、有机太阳能电池、OLED等。
第四章结论石墨烯由于其出色的电学、力学、光学等性质已经成为材料科学、物理学和化学领域的研究热点之一。
目前，国内外对石墨烯制备技术和其应用的研究也越来越广泛深入。
未来，石墨烯将会在电子学、生物学、光电子学领域等得到更广泛的应用。
石墨烯是一种由单层碳原子以蜂巢状排列组成的二维材料，以其独特的物理和化学性质而备受关注，这些性质包括极高的导电性、热导性、力学强度，以及在微波频段的电磁波吸收性能。
这些特点使得石墨烯在制备隐身材料——尤其是用于隐身技术中的雷达波吸收材料（RAM）方面显示出巨大的潜力。
石墨烯吸波隐身材料制备技术涉及以下关键步骤：
1. 石墨烯的制备：通常采用化学气相沉积（CVD）、机械剥离、氧化还原法等方法制备石墨烯片或粉末。
2. 石墨烯材料的改性：为了提高其吸波性能，石墨烯通常需要与其他材料结合或者通过化学修饰来调整其电磁性能。
例如，可添加磁性粒子、导电聚合物等。
3. 制备复合吸波材料：通过将石墨烯和其他材料（如磁性或导电材料）混合来形成复合材料，能够吸收和散射入射的电磁波，从而实现更好的吸波性能。
4. 材料的成型与固化：将石墨烯复合材料加工成适合应用在具体对象（如飞机、舰艇等）的形状和尺寸，并通过热压、注塑或其他固化工艺完善其结构。
5. 测试与优化：对制备出的隐身材料进行电磁性能测试，根据测试结果对材料成分和结构进行优化，以满足特定频率范围内对波长吸收强度的需求。
由于吸波隐身材料在民用和军事领域都有着重要应用，相关技术通常涉及保密，我无法提供最前沿和详细的专业制备流程，但上述是大体的制备步骤与原理。
随着材料科学的进步，石墨烯基吸波隐身材料的性能在不断提升，其在隐身技术中的应用也在拓展。
需要指出的是，我的知识是截至2023年的，所以具体制备工艺可能随着技术进步而有所变化。
化学气相沉积制备石墨烯流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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下面是化学气相沉积制备石墨烯的详细流程：1. 准备反应器：首先，需要一个适合进行化学气相沉积的反应器。
石墨烯粉体制备工艺一、引言石墨烯是一种由碳原子构成的单层二维材料，具有出色的热导和电导性能，以及优异的力学性能和化学稳定性。
随着石墨烯在电子学、能源存储和传感器等领域的广泛应用，石墨烯粉体制备工艺成为研究的热点。
本文将详细探讨石墨烯粉体的制备工艺。
二、常见石墨烯粉体制备方法石墨烯粉体的制备方法多种多样，常见的方法包括化学气相沉积、机械剥离法、氧化还原法、化学合成法、水热法等。
下面将分别介绍这几种方法的原理和步骤。
2.1 化学气相沉积（CVD）化学气相沉积是一种将原料气体在高温下分解反应得到石墨烯的方法。
其步骤如下：1. 准备基底材料，通常使用金属衬底。
2. 将基底材料放置在高温炉中，控制温度在800-1000摄氏度之间。
3. 将石墨烯原料气体（如甲烷、乙烯等）导入高温炉中，并与基底材料反应生成石墨烯。
4. 等待一定时间后，关闭气体通道，取出基底材料，并进行后续处理步骤。
2.2 机械剥离法机械剥离法是一种通过机械剥离原理制备石墨烯的方法，其步骤如下： 1. 准备石墨单晶，通常使用常见的石墨材料。
2. 使用胶带将石墨单晶上的一层石墨剥离下来。
3. 将剥离下来的石墨放置在溶剂中，如甲醇、乙醇等，使其浸泡一段时间。
4. 将浸泡过的石墨放置在特定温度和时间下进行超声处理，使其进一步剥离。
5. 重复上述步骤，直至获得所需的石墨烯粉体。
2.3 氧化还原法氧化还原法是一种通过氧化和还原反应制备石墨烯的方法，其步骤如下： 1. 将天然石墨研磨成粉末，并与氧化剂混合。
2. 在高温条件下，使氧化剂氧化石墨，生成氧化石墨。
3. 将氧化石墨与还原剂混合，进行还原反应。
4. 反复进行氧化和还原步骤，直至获得所需的石墨烯粉体。
2.4 化学合成法化学合成法是一种通过化学反应制备石墨烯的方法，其步骤如下： 1. 准备石墨烯前体材料，如氧化石墨烯。
2. 将石墨烯前体材料与还原剂、催化剂等混合，并在特定条件下进行反应。
石墨烯基复合材料的制备及性能研究石墨烯是一种由碳原子构成的单层二维晶体材料，具有多种优异的物理、化学和机械性质，被广泛认为是材料科学领域的革命性发现之一。
石墨烯具有极高的电子迁移率、巨大的表面积和出色的机械强度，使其成为制备复合材料的理想增强剂。
石墨烯基复合材料的制备方法有多种，其中最常用的方法之一是化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD）。
CVD法通过将碳源气体（如甲烷）在高温下引入反应室中，经过化学反应生成石墨烯，并将其沉积在基底材料上。
CVD法制备的石墨烯通常为大面积单层石墨烯，具有较高的质量和较少的缺陷。
石墨烯基复合材料的性能研究是一个热门领域。
其中一个典型应用是石墨烯纳米复合材料的电子器件方面。
石墨烯的高电子迁移率和大量的自由电子使其成为理想的导电层材料，可以用于制备高性能的柔性电子器件、传感器和太阳能电池。
另外，石墨烯还可以作为增强剂用于制备高性能的复合材料。
石墨烯具有极高的拉伸强度和刚度，可以有效地增强复合材料的力学性能。
研究表明，在复合材料中引入少量的石墨烯可以显著提高复合材料的强度、刚度和耐磨性。
除了力学性能的增强，石墨烯还可以改善复合材料的导热性能。
石墨烯具有优异的热导率，能够有效地传导热量。
因此，将石墨烯引入导热性能较差的基体材料中，可以显著提高复合材料的导热性能。
这对于一些需要高导热材料的领域（如电子散热材料）具有重要意义。
此外，石墨烯还可以提高复合材料的抗腐蚀性能。
石墨烯具有较高的化学稳定性，可以有效地防止基体材料受到腐蚀。
因此，在复合材料中引入石墨烯可以增强复合材料的耐腐蚀性能，延长其使用寿命。
总之，石墨烯基复合材料的制备和性能研究是一个充满挑战和潜力的领域。
石墨烯的优异性能使其成为制备高性能电子器件和复合材料的理想材料。
未来，随着对石墨烯制备技术和性能研究的不断深入，相信石墨烯基复合材料将在各个领域展现出更多的应用前景。
化学气相沉积法制备石墨烯材料CVD法的基本过程如下：1.准备基底：选择合适的基底材料，例如金属箔（铜、镍等）或硅衬底。
2.清洗基底：使用适当的化学方法去除基底表面的杂质和氧化物，以确保表面干净。
3.加热基底：将基底放置在热处理炉中，使其达到适当的温度。
温度取决于所用的前体气体以及所需的石墨烯形成条件。
4.供应前体气体：将含有碳源的气体（例如甲烷、乙炔等）通过气流或者进料管道送入炉内，并与热基底表面上的金属发生反应。
5.反应过程：碳源气体在基底表面上分解，生成碳原子，并在热基底上扩散。
生成的碳原子随后通过化学反应在基底上重新组合，形成石墨烯结构。
6.石墨烯形成：在适当的条件下，石墨烯会开始在金属基底表面上生长。
通常，石墨烯以多层形式开始，并随后通过控制反应条件使其转变为单层石墨烯。
7.冷却和收集：待石墨烯生长完成后，慢慢降低温度，使基底和石墨烯冷却至室温。
如果需要分离石墨烯层，可以使用化学方法或机械方法分离。
CVD法制备石墨烯的优势在于具有较高的控制性和可扩展性。
通过调节反应温度、反应时间和气氛的成分，可以实现对石墨烯的厚度、结晶度和晶粒大小的控制。
此外，CVD法也可以在大面积基底上实现石墨烯的合成，具备工业化生产的潜力。
然而，CVD法也存在一些挑战和限制。
首先，CVD法需要昂贵的设备和复杂的操作，因此成本较高。
另外，CVD法制备的石墨烯通常需要通过化学方法或机械方法与基底分离，这可能会导致石墨烯的质量下降或损坏。
此外，CVD法制备的石墨烯往往在基底上存在大面积缺陷，对于一些应用，如柔性电子器件，缺陷的存在可能会造成问题。
尽管如此，CVD法仍然是制备石墨烯的重要方法之一，其在石墨烯研究领域和应用领域中具有广泛的应用前景。
通过进一步改进和优化CVD过程，并提高石墨烯的质量、控制性和成产率，可以推动石墨烯技术的发展和商业化应用。
化学气相沉积三维石墨烯
化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）是一种制备
三维石墨烯的方法。
它是一种基于化学气相反应的加工过程，通过在
高温下加入化学气体来生成石墨烯晶体。
具体步骤如下:
1. 准备基底：通常是一块金属片或者玻璃基板，需要在上面涂上
一层金属催化剂，通常使用镍(Ni)、铜(Cu)或钯(Pd)。
2. 加热：将基底放入反应炉中，并加热到高温，通常介于750℃
和1,050℃之间。
3. 通入气体：向反应炉中通入含有碳源的气体，例如甲烷（CH4）或乙烯（C2H4），以及焦炭气（H2）作为还原剂。
4. 化学反应：碳源气体在金属催化剂表面分解，生产出碳原子，
进而在金属表面上自组装成石墨烯晶体。
5. 结晶：在高温和低压的环境中，石墨烯晶体可以在金属催化剂
表面结晶。
6. 分离：一旦石墨烯晶体结晶完成，可以使用化学法或机械法将
其从金属催化剂表面分离出来。
总的来说，化学气相沉积是一种将石墨烯沉积在金属催化剂表面
的过程，可以制备出具有三维结构的石墨烯。
它具有制备工艺简单、
成本低廉、生产规模大等优点，因此在石墨烯质量控制、制备工艺优
化等方面有广泛应用前景。
氮掺杂石墨烯的制备及其电化学性能研究随着电化学技术的发展，石墨烯及其衍生物已经成为了材料科学领域最受瞩目的研究对象之一。
相比普通石墨烯，氮掺杂石墨烯具有更好的电化学性能，因此在电化学催化、光催化、电池等方面具有广泛的应用前景。
本文将着重介绍氮掺杂石墨烯的制备及其电化学性能研究。
一、氮掺杂石墨烯的制备氮掺杂石墨烯的制备方法主要有化学气相沉积（CVD）、氧化石墨烯还原法、溶剂热法、氮气等离子体处理法等。
其中，化学气相沉积是一种常用的方法，通过在高温下，将石墨烯材料与氧化氮等气体接触，可以使石墨烯中的部分碳原子被氮原子替换，形成氮掺杂石墨烯。
而溶剂热法则是利用常用的化合物如尿素，在高温下对氧化石墨烯进行还原，同时实现氮元素的掺杂，从而得到氮掺杂石墨烯。
此外，氮气等离子体处理法也是一种常用的方法，通过将氮气等离子体照射到石墨烯表面，利用空穴效应实现碳原子和氮原子的置换。
二、氮掺杂石墨烯的电化学性能在氮掺杂石墨烯的电化学研究中，最常见的就是将其应用于电化学催化和电池等方面。
以电化学催化为例，氮掺杂石墨烯在电催化中有着广泛的应用前景。
这是因为，相较于普通的石墨烯，氮掺杂石墨烯中存在着大量的氮杂质原子，这些原子能够显著地改变石墨烯的电子结构，促进部分反应的发生。
此外，还有研究表明，氮掺杂石墨烯还能够作为电池正/负极材料，嵌入/脱嵌锂离子，显示出了在电池领域的广泛应用潜力。
另外，氮掺杂石墨烯的电化学性能也在其他领域得到了广泛应用。
例如，将其应用于光催化领域中，研究表明，氮掺杂石墨烯与铁离子等材料复合后，可作为一种高效的光催化剂，对有机污染物有着良好的催化降解效果。
此外，还有部分研究表明，氮掺杂石墨烯可以应用于超级电容器领域等。
三、氮掺杂石墨烯的应用前景和挑战综上所述，氮掺杂石墨烯作为一种新型的二维材料，在电化学领域具有广泛的应用前景。
尽管其在电化学催化、电池等方面已经取得了一些进展，但是仍面临着许多挑战。
例如，其制备过程中存在着实现氮元素掺杂效率低、材料稳定性差等问题，同时在应用过程中，其与其他金属材料复合的性能优劣仍存在争议。
cvd石墨烯的制备与转移CVD石墨烯的制备与转移引言：石墨烯作为一种二维材料，具有优异的电学、热学和力学性能，在电子器件、传感器、催化剂等领域具有广泛的应用前景。
其中，化学气相沉积（CVD）是一种常用的制备方法，可以在金属衬底上快速高效地合成大面积的石墨烯薄膜。
本文将重点介绍CVD石墨烯的制备过程以及转移技术。
一、CVD石墨烯的制备过程1. 基本原理CVD石墨烯的制备是通过在高温环境下使碳源气体分解生成石墨烯，并在金属衬底表面沉积形成薄膜。
常用的碳源气体有甲烷、乙烯等。
在高温条件下，碳源气体分解生成碳原子，然后在金属表面进行扩散和聚合，最终形成石墨烯结构。
2. 制备步骤（1）准备金属衬底：常用的金属衬底有镍、铜等。
首先需要对金属衬底进行表面处理，以提高石墨烯的生长质量。
（2）预处理：将金属衬底放入热处理炉中，在惰性气氛下进行退火处理，去除表面氧化物等杂质。
（3）生长条件设置：将处理后的金属衬底放入石墨炉中，加热到适当的温度。
同时，通过注入碳源气体和惰性气氛来控制反应气氛。
（4）生长时间控制：根据需要得到的石墨烯薄膜厚度，控制反应时间。
一般情况下，生长时间越长，石墨烯的厚度越大。
（5）冷却处理：将反应结束后的金属衬底冷却至室温，取出即可得到CVD生长的石墨烯。
二、CVD石墨烯的转移技术将CVD生长的石墨烯从金属衬底上转移到目标衬底上是进行后续器件制备的关键步骤。
常用的转移技术有机械剥离法、热释放法和湿法转移法。
1. 机械剥离法机械剥离法是最早被采用的一种石墨烯转移技术。
通过在石墨烯上涂覆一层粘性较弱的聚合物，然后用胶带或支撑材料将石墨烯剥离下来，再将其转移到目标衬底上。
这种方法操作简单，但对石墨烯的质量和完整性要求较高。
2. 热释放法热释放法通过在金属衬底上生长一层较厚的二硫化钼（MoS2）薄膜，然后通过加热使MoS2与金属衬底分离，从而将石墨烯转移到目标衬底上。
这种方法相对较容易实现，但需要使用高温来实现MoS2与金属衬底的分离。
目录摘要 (I)Abstract ......................................................................................................................... I I 1 引言 (1)1.1 石墨烯的制备 (2)1.1.1 机械剥离法 (2)1.1.2 电化学剥离法 (2)1.1.3 化学气相沉积法 (3)1.2 石墨烯电极材料的制备 (5)1.3 石墨烯电极材料电化学性能测试 (5)2 实验部分 (6)2.1 实验试剂 (6)2.2 实验仪器 (6)2.3 RHAC和GQDs的制备 (6)2.4 RHAC-GQDs的制备 (6)2.5 电极制备和电池组装 (7)3 结果和讨论 (8)3.1 分析了RHAC的比表面积和孔隙结构 (8)3.2 GQDs的拉曼光谱和荧光光谱分析 (8)3.3 红外光谱分析 (8)3.4 XRD分析 (8)3.5 扫描电镜分析 (9)3.6 循环伏安法测试分析 (9)3.7 恒流充放电试验分析 (9)3.8 电化学阻抗分析 (10)4 结论与展望 (12)4.1 结论 (12)4.2 主要创新点 (12)4.3 展望 (12)参考文献 (13)致谢............................................................................................ 错误!未定义书签。
摘要石墨烯由于其十分优异的电学、热学和机械性能及优良的透光率、比表面积大等优势而广泛的受到人们追捧。
尤其是在2004年成功制得稳定存在的石墨烯之后，更是兴起了一股研究石墨烯的潮流。
如何成本低廉、面积大、数量丰富、质量优异的制备石墨烯，并将其应用在实际生产中是研究人员努力的目标。
本文主要对这几年中一些改善的或新的石墨烯的制备方法以及其电化学性能做了综述，从中可以看到石墨烯在电学方面存在巨大的发展潜力。
厦门工学院本科生毕业设计（论文）题目：利用CVD化学气象沉积法制备石墨烯的研究*名：***学号：**********系别：材料科学与工程系专业：材料专业年级：2012级指导教师：杨凤娟2016 年月日独创性声明本毕业设计（论文）是我个人在导师指导下完成的。
文中引用他人研究成果的部分已在标注中说明；其他同志对本设计（论文）的启发和贡献均已在谢辞中体现；其它内容及成果为本人独立完成。
特此声明。
论文作者签名：日期：关于论文使用授权的说明本人完全了解厦门工学院有关保留、使用学位论文的规定，即：学院有权保留送交论文的印刷本、复印件和电子版本，允许论文被查阅和借阅；学院可以公布论文的全部或部分内容，可以采用影印、缩印、数字化或其他复制手段保存论文。
保密的论文在解密后应遵守此规定。
论文作者签名：指导教师签名：日期：利用CVD化学气象沉积法制备石墨烯的研究摘要石墨烯是最新被研发出来的具有单层二维结构的纳米材料,石墨烯具有许多独特的性质,例如室温下体现出来的反常量子效应、高电子迁移速率、抗热传导率以及良好的机械性能,使其具有广泛的应用空间,2010年诺贝尔物理学奖说明曾指出，由石墨烯这种新型碳材料所引发的全球性的材料革命正在发生着。
这就是石墨烯为什么被称为材料界未来之星的原因。
但是我们要研究新材料的应用前景就必须从怎样制备出高质量的石墨烯入手，只有制备出具有较高质量的石墨烯，我们才能够对于他的特性进行分析。
现在使用的制备石墨烯的主要方法，就是CVD化学气相沉积法，这种方法所生产出来的石墨烯有极大的质量和极大地生长面积。
本文内容主要介绍了制备石墨烯的化学气象沉积法，并且通过改变载气氮气和甲烷的浓度，总结出了对于制备出具有质量高、面积大的石墨烯所需要达到的工艺条件和工艺要求，又利用氧化还原法做了对比试验，比较了两种工艺的优点和缺点。
并且设想了以后石墨烯的发展方向。
关键词：石墨烯，化学气象沉积，红外光谱，制备，氧化还原法，拉曼光谱，扫描电子显微镜Preparation of graphene by CVD (chemical vapor depositionmethod)AbstractGraphene is the latest to be developed by the two-dimensional nanomaterials have a single layer structure, graphene has many unique properties, such as room temperature manifested anomalous quantum effects, a high electron mobility rate, thermal conductivity and good mechanical properties, it has a broad application space, the 2010 Nobel Prize in Neo-bit instructions has pointed out, by the materials revolution of this new carbon material graphene caused a global taking place. That is why the graphene is called the materials sector rising stars of reasons. But we need to study prospects of new materials must start from how to prepare high-quality graphene, graphene prepared only with higher quality, we will be able to analyze his characteristics. As the main method for the preparation of graphene, CVD chemical vapor deposition method have the attention of the scientific community, because this method produced graphene sentence has great quality and growing area. This paper mainly describes the chemical vapor deposition method for preparing graphene, and by changing the concentration of the carrier gas of nitrogen and methane, as well as different growth substrate to compare the out for the preparation of a high quality, large area liter graphene needed achieve process conditions and requirements, and we have a bold vision for the future use of the graphene prepared by CVD may be the direction of development. Keywords: graphene, chemical vapor deposition, infrared spectroscopy, preparation, oxidation-reduction method, Raman spectroscopy, scanning electron microscopy目录第一章绪论 (6)1.1 研究背景 (6)1.2 石墨烯的结构与性质 (6)1.2.1 石墨烯的结构 (6)1.2.2石墨烯的性质 (8)1.3 制备石墨烯的常用方法 (11)1.3.1化学及液相剥离法 (11)1.3.2氧化还原法 (11)1.3.3 SiC外延生长法 (12)1.4 对制备出石墨烯的转移 (12)1.4.1 理想的石墨烯转移技术的特点 (13)1.4.2 典型的石墨烯转移技术 (13)1.5 研究内容 (14)第二章石墨烯的CVD化学气相沉积法制备实验 (15)2.1 化学气相沉积法制备石墨烯的研究历程 (15)2.2 CVD工作原理 (16)2.3 实验药品和设备 (16)2.4 对衬底的预处理 (19)2.5 石墨烯的生长过程 (19)2.6 比较实验利用Hummer法氧化还原石墨烯 (21)2.7 总结 (24)第三章对石墨烯样品的主要性能表征 (25)3.1 原子力显微镜（AFM） (25)3.2 扫描电子显微镜 (28)3.3 XRD表征 (30)第四章关于本次实验及论文的总结 (32)参考文献 (33)致谢辞 (36)第一章绪论1.1 研究背景众所周知，在自然界中碳是一种很常见的元素，它以各种各样的形式存在于我们生活之中，因此，碳被称为有机物的生命之基。
我国从上世纪就开始了对石墨的开采，只是由于以前的开采方式比较落后，开采规模也不是太大，但是近几年来，随着我国经济的发展和科学的进步，对于石墨的产业链产生了巨大的影响和质的提升。
我们称石墨烯就是碳的同素异形体，虽然石墨很早就被发现出来，但是对石墨烯的研究基本上停留在一个孤立的单原子平面。
每一新科技发现的背后都不是一蹴而就的，而石墨烯的发现之路也是一路曲折，从20世纪四十年代开始就有许多科学家在研究石墨烯，直到20世纪六七十年代科学家才发现了石墨层间化合物具有较高的导电性能。
然而在80年代后期，对于石墨烯的研究基本上处于停滞不前的阶段,这是由于科学界普遍认为从理论和实验层面获得石墨烯是几乎不可能完成的任务，最严重的原因是大家都错误的认为如果一种材料没有三维结构，那么他的二维平面也不可能存在[1]。
事情的转机出现于2004年，英国曼彻斯特大学的科学家Andergeim和Konstantin利用机械剥离高定向的被热解后的石墨（通俗来说就是用普通的胶带在石墨经过高定向热解之后，多此剥离），偶然的发现了石墨烯。
虽然这样的方法看起来很幼稚，但是在当时能够找到大小约为几百微米的高质量石墨稀,对石墨烯特殊性能的研究具有非常重要的意义，因此他们利用这种方法打开了石墨烯研究的大门，掀起了一波石墨烯研究的高潮。
他们凭借对石墨烯的发现而获得了2004年诺贝尔奖。
在2007年的时候，Meyer等人报道了石墨烯单片层是能够在真空环境或者空气中完全附着在金属支架上，但是，石墨烯单片层的碳原子层的厚度是非常的小只有0.35纳米。
然而，该发现却证实了在特定的环境中，自由态的石墨烯是可以稳定地存在的。
它也推翻了被大家认为很久的完美二维晶体结构是不能够在非绝对零度下稳定存在的这一错误结论，引领了石墨烯研究的新潮流[2]。
1.2 石墨烯的结构与性质1.2.1 石墨烯的结构石墨烯跟石墨单原子层具有一样的原子排列方式，石墨烯的结构是碳原子经过sp2杂化后按照蜂巢晶格，密密排列形成的六角晶格点阵，它是具有二维晶体的材料。
通俗来讲,石墨烯就是一个在二维空间内延伸扩展的苯环而形成的。
下图1-1即为石墨烯的结构示意图。
石墨化碳电子组态为1s22s22p2，也就是每个碳原子的周围都会有3个碳原子能够成键，键角是120度，并且每个碳原子都以3个sp2杂化轨道和邻近的3个碳原子形成了3个σ键，剩下的一个p轨道能够与相近的碳原子形成共轭体系，那么每一个碳原子将会贡献出一个p电子。
因而，石墨烯的C-C骨架就是由σ键的参与下所形成的，在这样的骨架上，上下均分布有成对的电子云，这样的成键方式和苯环的成键方式几乎完全相同，这就是石墨烯可以看成一个巨大的稠环芳烃的原因所在。
但是，即便石墨烯是碳的同素异形体的构成单元，可它与富勒烯的成键方式仍然大不相同，富勒烯的化学活性要大于石墨烯。
如图1-2所示，石墨烯可以有不同的方式形成碳的同素异形体。
图1-1 石墨烯结构示意图（a）（b）(c) (d)图1-2 a-d分别代表了石墨烯形成富勒烯，碳纳米管和石墨的不同方式1.2.2石墨烯的性质(1)电学性能：作为一种至今被发现没有碳原子缺失的材料，石墨烯具有很强的稳定性。
能使得石墨烯保证结构具有很强的稳定性的原因就是石墨烯内部各碳原子之间的连接拥有极好的柔韧性，这样，在碳原子之间适应外力的时候，就不用再次排列。
