五邑大学模电2010-2011(2)模拟电子技术基础B

命题人: 廖惜春试卷分类(A 卷或B 卷 A五邑大学试卷学期: 2006 至 2007 学年度第二学期课程: 低频电子线路专业: 班级:姓名: 学号:一、选择题 (共7分1.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( CA.掺杂工艺B.杂质浓度C.温度D.晶体缺陷 2.如图A 所示电路由理想二极管组成,其输出电压o u 为( D A.+12V B.+6V C.+3V D. 0V3.若要求提高多级放大器的输入电阻并稳定输出电压,则应当选用( AA.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈4.在某放大电路中,测得三极管三个极的静态电位分别为0V 、-10V 、-9.3V ,则这只三极管为( AA. NPN 型硅管B. NPN 型锗管C. PNP 型硅管D. PNP 型锗管 5. FET 的电流由( A 组成,故称为( D 。

它是通过改变( G来改变漏极电流的。

A. 多子;B. 少子;C. 两种载流子;D. 单极型;E.双极型;F. 栅极电流; G . 栅源电压; H 漏源电压二、填空题 (共13分6. 在差分放大电路中,大小相等、相位相同的两个输入信号称为信号共模输入信号 ;大小相等、相位相反的两个输入信号称为差模输入信号信号。

7桥式整流电容滤波电路是一种将正弦交流电压转换为直流电压的变换电路。

8.若电源变压器副边电压的有效值为2U ,,则半波整流无滤波电容、有负载时的输出电压约为245.0U ;桥式整流有滤波电容、有负载时的输出电压约为22.1U 。

图 A⋅⋅⋅=±=+,2,1,0 π2F A n n ϕϕ ;振荡器起振的幅度条件是 1>AF ,相位条件是⋅⋅⋅=±=+,2,1,0 π2F A n n ϕϕ。

10. 乙类互补对称低频功率放大器存在交越失真,应调整电路结构使其工作在甲乙类。

11. 要使放大器的输入电阻和输出电阻均提高,应采用电流串联负反馈。

电子科大模电期末真题10~11学院___________________ 系别____________ 班次_____________ 学号__________ 姓名________________………….……密…..……….封……..……线………..…以………..…内………....答…………...题…………..无…….….效…..………………..电子科技大学二零一零至二零一一学年第 1 学期期末考试模拟电路基础课程考试题A卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2011年1 月 5 日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名一、填空题（共30分，共 15个空格，每个空格2 分）1、共发射极放大器（NPN管），若静态工作点设置偏高，可能产生_饱和__失真，此时集电极电流会出现__上___（上、下）削峰失真。

2、某晶体管的极限参数P CM = 200 mW，I CM = 100 mA，U(BR)CEO = 30 V，若它的工作电压U CE为10 V，则工作电流不得超过20 mA；若工作电流I C = 1 mA，则工作电压不得超过30 V。

4、电路及直流测试结果如图1所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(恒流区、夹断区、可变电阻区)。

得图1(a) 恒流区 ; (b) 可变电阻区 。

5、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图2所示。

已知W7805的输出电压为5V ，I Q ＝10 mA ，晶体管的β＝50，|U BE |＝0.7 V ，电路的输入电压U I ＝16 V ，三极管处于放大 （放大，饱和，截止）状态， R 1上的电压为 5.7 V ，输出电压U o 为 9 V 。

图26、设图3中A 均为理想运放，请求出各电路的输出电压值。

U 01= 6 V; U 02= 6 V; U 03= 4 V; U 04= 10 V; U 05= 2 V; U 06= 2 V 。

四川农业大学网络教育专科考试模拟电子技术试卷（课程代码352276）本试题一共五道大题，共4页，满分100分。

考试时间90分钟。

注意：1、答案必须填写在答题纸上，题号不清或无题号的以零分计；2、答题前，请在答题纸上准确、清楚地填写各项目；3、学号、考点名称、考室号、姓名、身份证号、课程代码、课程名称、培养层次等，不写、乱写及模糊不清者，答题纸作废；4、开卷考试，若有雷同以零分计。

一、问答题（每题6分，共36分）1、PN结是如何形成的？答:在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质(离子)是固定不动的。

N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散空穴和电子相遇而复合，载流子消失因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区P型半导体一边的空间电荷是负离子，N型半导体一边的空间电荷是正离子正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。

PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大如果外电路不能限制电流，则电流会大到将P结烧毁反向流突然增大时的电压称击穿电压。

基本的击穿机构有两种，即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿，前者击穿电压小于0。

6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于0。

6V有正的温度系数PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件它的电容量随外加电压改变。

2、二极管正、负极性的判断方法？答:(1)观察法查看管壳上的符号标记，通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头一端为正极、另一端为负极。

对于点接触型玻璃外壳二极管，可透过玻璃看触针，金属触针的一头为正极。

另外，在点接触型二极管的外壳上，通常标有色点(白色或红色)，般标有色点的一端即为正极。

《模拟电子技术B》课程教学大纲课程名称：模拟电子技术B Analogy Electronics Technology课程编号：042073总学时数：64学时。

讲课学时: 54学时实验学时：10学时学分：4学分先修课程：高等数学、大学物理、电路教材：刘润华主编《模拟电子技术》石油大学出版社，2002年参考书目：杨素行主编《模拟电子技术基础简明教程》北京高等教育出版社2000年童诗白主编《模拟电子技术基础》北京高等教育出版社2001年康华光主编《电子技术基础》模拟部分（第四版）北京高等教育出版社，2001年《课程内容简介》本课程64学时, 其中实验10学时。

本课程主要介绍常用半导体器件、基本放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器及其应用、波形的产生与变换电路、功率放大电路、直流稳压电源及电子设计自动化(EDA)等内容的工作原理、特点及应用。

为反映科学技术的发展，在内容安排上侧重于基础理论和集成电路及其应用。

一、课程性质、目的和要求模拟电子技术基础课程是电气、通讯、计算机等电类专业本科生在电子技术方面入门性质的技术基础课，具有自身的体系和很强的实践性。

本课程通过对常用电子器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。

二、教学内容、要点和课时安排《模拟电子技术基础A》授课课时分配表本课程的教学内容共分九章。

第一章：常用半导体器件主要内容是：半导体基本知识,PN结的形成及单向导电性, 半导体二极管、半导体三极管和场效应管。

要求：了解本征半导体、杂质半导体和PN结的形成。

掌握PN结的单向导电性，理解普通二极管、稳压二极管、晶体管和场效应管的工作原理，掌握它们的特性和主要参数重点：PN结的单向导电性与各种电子器件的主要特性及主要参数难点：各种电子器件的主要特性第二章：基本放大电路主要内容是：基本概念与性能指标、单管共发射极放大电路、放大电路的图解分析法、放大电路小信号模型分析法、共集电极和共基极放大电路、场效应管放大电路、多级放大电路、放大电路的频率响应要求：了解基本放大电路的组成；理解共射极单管放大电路的基本结构、工作原理、设置静态工作点的意义及简化小信号模型。

五邑大学试卷命题人：李阳审核人：试卷分类（A 卷或B 卷） B五邑大学试卷学期： 2012 至 2013 学年度第 1 学期课程：光电子技术课程代号： 010A1860 使用班级： AP10221、AP10222 姓名：学号：一、单选题：（50分，每小题2分）请将正确的答案填入下表中：1、一切能产生光辐射的辐射源都称为光源，下列光源中属于热辐射光源的是：（D ）（A ）LED ；（B ）固体激光器；（C ）金属卤化物灯；（D ）卤钨灯。

2、国际照明委员会（CIE ）根据对许多人的大量观察结果，确定了人眼对各种光波长的相对灵敏度，称为光谱光视效率或视见函数，在明视觉下，人眼最敏感的波长是（C ）（A ）450nm ；（B ）550nm ；（C ）555nm ；（D ）650nm 。

3、一个光源发出频率为540?1012Hz 的单色辐射，若在一给定方向上的辐射强度为1/683 （W ?sr -1），则该光源在该方向上的发光强度为1个（ D ）。

（A ）尼特；（B ）勒克斯；（C ）熙提；（D ）坎德拉。

4、白炽灯与卤钨灯可以看作是灰体，是用钨丝做灯丝，其色温是在（B ）K 左右。

（A ）2300；（B ）2800；（C ）5500；（D ）7000。

5、钠灯的泡壳内充的是（ C ）与金属钠滴。

（A ）氧气；（B ）氢氧混合气体；（C ）氖氩混合气体；（D ）氮气。

6、激光器一般由（ D ）组成。

（A ）半导体材料、金属半导体材料和PN 结材料（B ）固体激光器、液体激光器和气体激光器（C ）电子、载流子和光子（D ）激励能源、谐振腔和工作物质题号一二三四五六总分得分题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案试卷编号得分7、热释电器件是由TGS、LiTaO3等热电晶体材料组成的，但不论哪种材料，都有一个特定温度，称居里温度。

命题人： 王玉青 审核人：试卷分类（A 卷或B 卷） B五邑大学 试 卷学期： 2012 至 2013 学年度 第 2 学期课程： 模拟电子技术基础 课程代号： 0700790 使用班级： 信息工程学院11级 姓名： 学号：一、选择题 （8分）（每题1分）1．当PN 结外加正向电压时，扩散电流_____，耗尽层_____。

C A 、变大 变宽， B 、变小 变窄， C 、变大 变窄， D 、变小 变宽 2．三种组态放大电路中输入电阻最大的是 A 。

A. 共集电极 B. 共基极 C. 共发射极 D. 共模3. 乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于___D__时管子的功耗最大。

A ．0 B. 电源电压 C. 0.2倍电源电压 D. 0.64倍电源电压4. 与甲类功放相比，乙类互补推挽功放的优点是__B___。

A ．无输出变压器B ．能量转换效率高C ．无交越失真 5. 集成运算放大电路采用直接耦合方式是因为D 。

A. 可获得很大的放大倍数 B. 可以减小温度漂移C. 可提高共模抑制比D. 集成工艺难于制造大容量电容 6. 在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则 C 。

A. 输出电压约为2U DB. 变为半波直流C. 整流管将因电流过大而烧坏 7. 若需要一个阻抗变换电路，要求R i 小，R o 大，应选 D 负反馈放大电路。

A. 电压串联B. 电压并联C.电流串联D.电流并联 8. 图1所示电路中，若输入f =1kHz 的正弦电压信号，用示波器观察u i 和u o ，二者应该__D___。

A 、相同，B 、相差45o， C 、相差90o， D 、相差180o二、填空题（19分）（每空1分） 1. 二极管的单向导电性为：外加正向电压时 导通 ，外加反向电压时 截止 。

2. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3k Ω的负载电阻后输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o = 1 k Ω。

下笔如有神读书破万卷上的概念7页第1-1,1-4 波特是指单位时间（每秒钟）内传输码元的波特的概念：R:B。

*log数目。

R=RN一个符号一个波特。

2BNbN比特是计算机中最小的数据单位。

一比特是单比特的概念：或1。

个的二进制数值，0如果一条无线传播路径中的信号经历了深度衰分集的概念：落，而另外一条相对独立的路径中可能仍包含着较强的信号，从而可以在多径信号中选择两个或者两个以上的信号。

衰落：发送信号的功率不变（或基本不变），接收的信号呈大幅度的变化（10倍或以上）。

原因：多径传输+多普勒效应。

什么是数据通信的倒相？产生的原因是什么？证明差分编码可以抗倒相。

差分编码有何缺点？o倒相时，解调出的数字基当恢复的相干载波产生180倒相：带信号将与发送的数字基带信号正好是相反，解调器输出的”现象。

数字基带信号全部出错。

这种现象称为“倒π差分编码抗倒相的原因：是靠前后两个码元对应的载波的相位对变化来携因为2DPSK带信息的，而不是靠绝对的相位。

这样，即使接收端载波倒．读书破万卷下笔如有神π，但是前后两个码元的载波的相对变化关系却没有发生变化。

差分编码的缺点：抗加性白噪声性能比2PSK的要差。

量化的过程（不光是量化的概念），产生量化噪声。

然后再将无限个可能的抽对模拟信号按一定的时间间隔进行抽样，样值根据采取舍零取整的原则变成有限个可能取值，我们称之为量化；这种舍零取整造成的量化误差产生的噪声叫量化噪声。

比较PCM和DM的优缺点:PCM优点：采样频率低、占用带宽少、保真度高、解码速度快。

缺点:编码后的数据量大、设备较复杂。

DM优点：（1）设备简单（2）数据率低时话音质量比PCM好，信噪比比PCM高（3）抗信道误码性能好缺点：（1）占用带宽多（2）通带信号的频带宽度，特别是FSK二进制，升余弦，2ASK是调制信号的两倍B=2bFSK:B=2b抗干扰能力强、传输中出现的差数字通信的优缺点：优点：下笔如有神读书破万卷错（误码）可以设法控制，提高了传输质量、便于进行信号加工与处理、数字信息易于加密且保密性强缺点：成本高，占用带宽多造成误码，严重时会导数字通信的码间干扰的现象是什么：致信号无法接收。

五邑大学试卷答案命题人：李阳审核人：试卷分类（A卷或B卷）B学期：2011至2012学年度第1学期课程：光电子技术课程代号：010A1860（30分，每小题3分）零1分。

2、常见的固体激光器有红宝石激光器、钕激光器或钛宝石激光器 1.5分（写出两种），常见的气体激光器有He-Ne激光器、CO激光器或Ar+激光器 1.5分（写出两2种）。

3、电致折射率变化是指晶体介质的介电系数与晶体中的电荷分布有关，当晶体被施加电场后，将引起束缚电荷的重新分布，并导致离子晶格的微小形变，从而引起介电系数的变化，并最终导致晶体折射率变化的现象。

3分4、光纤色散的主要危害是使脉冲信号展宽，限制了光纤的带宽或传输容量；1.5分多模光纤的色散主要有模色散、材料色散、波导色散。

1.5分5、光束扫描根据其应用的目的来可以分为模拟式扫描和数字式扫描2分两种；前者主要应用各种显示 1.5分后者主要应用于光存储 1.5分6、在电光调制器中，为了得到线性调制，在调制器中插入一个λ/4波片，波片的轴向取向为快慢轴与晶体的主轴x成45︒角3分时最好。

7、单片硅光电池的开路电压约为0.45～0.6V 1.5分，短路电流密度约为150～300A/m21.5分。

8、光子效应是指指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应1.5分，其主要特点有：对光波频率表现出选择性，响应速度一般比较快。

1.5分9、固体摄像器件主要有三大类，它们是电荷耦合器件、互补金属氧化物半导体图像传感器、电荷注入器件3分。

10、液晶是液态晶体的简称；1分，热致液晶可以分为近晶相、向列相和胆甾相三种2分二、问答题（50分，每小题10分）1、简述激光产生的条件、激光器的组成及各组成部分的作用。

（10分）得分必要条件：粒子数反转分布和减少振荡模式数。

2分充分条件：起振——阈值条件：激光在谐振腔内的增益要大于损耗。

1分稳定振荡条件——增益饱和效应（形成稳定激光）。

1分组成：工作物质、泵浦源、谐振腔。

《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u与u O的波形，并标出幅值。

i图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。

试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。

图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。