晶片
N-Si
图2.4 体型半导体应变计示意图
第2章 应变式传感器
薄膜型半导体应变计是利用真空沉 积技术将半导体材料沉积于绝缘体或蓝 宝石基片上制成的。
扩散型半导体应变计是将P型杂质扩 散到高阻的N型硅基片上, 形成一层极薄 的敏感层制成的。
外延型半导体应变计是在多晶硅或 蓝宝石基片上外延一层单晶硅制成的。
第2章 应变式传感器
(a)
(b)
(c)
图 2.2
第2章 应变式传感器
箔式应变计的线栅是通过光刻、腐 蚀等工艺制成很薄的金属薄栅(厚度一 般在0.003~0.01mm)。与丝式应变计相 比有如下优点:
(1) 工艺上能保证线栅的尺寸正确、 线条均匀, 大批量生产时, 阻值离散程度 小。
(2) 可根据需要制成任意形状的箔式 应变计和微型小基长(如基长为0.1 mm) 的应变计。
铁铬铝合金、 铁镍铬合金等。 常温下使用的应变计多由康 铜制成。 半导体应变计应用较普遍的有体型、薄膜型、扩 散型、外延型等。体型半导体应变计是将晶片按一定取向 切片、研磨、再切割成细条, 粘贴于基片上制作而成。几种 体型半导体应变计示意图如图2.4所示。
第2章 应变式传感器
基片
带状 引线
P-Si
电阻丝较细, 一般在0.015~0.06 mm, 其两端焊有较粗的低阻镀锡铜丝 (0.1~0.2mm)4作为引线, 以便与测量电 路连接。 图2.1中, L称为应变计的标距, 也称(基)栅长, a称为(基)栅宽,L×a 称为应变计的使用面积。
第2章 应变式传感器
4
3
a
2
1
l
蚀刻箔片
衬底
电阻丝
衬底
(a)丝式
应变计