第一章半导体二极管和晶体管b
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第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中,假设掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;假设掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。
3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。
1.2 单项选择题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B )。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。
A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
(√)2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
(×)3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)第2章半导体三极管及其基本应用2.1 填空题1.晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型,它工作时有2种载流子参与导电。
2.晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。
3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是放大、饱和、截止。
4.当温度升高时,晶体管的参数β增大,I CBO增大,导通电压U BE 减小。
第一章晶体二极管及其大体电路1—1 半导体二极管伏安特性曲线如图N—l所示,求图中A、B点的直流电阻和交流电阻。
解:从图中量得A、B点坐标别离为A(0.6V,5mA), B(0.58V,2mA),故得1—2 二极管整流电路如图P1—2所示,已知ui=200sinωt(V),试画出uo的波形。
解:因变压器的匝数比为10:1,因此次级端电压为20 V,即u2=10 slnωt (V)。
当u2为正半周且大于等于0.7V时,Vl导通,V2截止,u。
=u2一0.7。
而u2为负半周且小于等于一0.7V时,那么V2导通,Vl截止,uo=|u2|一0.7。
当|u2|<0.7V时,V一、V2均截止,现在uo=0.由此画出的uo波形如图P1-2’所示,1—3 二极管电路如图P1—3所示,设二极管均为理想二极管(1)画出负载RL两头电压uo的波形(2)假设V3开路,试重画uo的波形。
(3)假设V3被短路,会显现什么现象?解:(1)u2为正半周时,V一、V2导通,V3、V4截止,uo=u2; u2为负半周时,V一、V2截止,V3、V4导通,uo=-u2即uo=-u2。
uo波形如图P1—3’(a)所示。
(2)假设V3开路,那么u2的为负半周时,uo=0,即uo变成半波整流波形,如图Pl—3’(b)所示。
(3)假设V3短路,那么u2为正半周时,将V1短路烧坏。
1—4 在图P1—4所示各电路中,设二极管均为理想二极管。
试判定各二极管是不是导通,并求Uo的值。
解:(1)在图(a)中,V2导通,V1截止,Uo=5V。
(2)在图(b)中,V1导通,V2截止,Uo=0V。
(3)在图(c)中,v一、v2均导通,现在有1—5 二极管限幅电路如图Pl—5(a)、(b)所示。
假设ui=5sinωt(V),试画出uo的波形。
解:(1)在图(a)中:当ui>一2.7V时,V管截止,uo=一2V;当ui≤一2.7V时,V管导通,u。
=ui。
当ui=5sinωt(V)时,对应的uo波形如图P1—5’(a)所示。
模拟电子技术教案电子与信息工程学院目录第一章常用半导体器件第一讲半导体基础知识第二讲半导体二极管第三讲双极型晶体管三极管第四讲场效应管第二章基本放大电路第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理第六讲放大电路的基本分析方法第七讲放大电路静态工作点的稳定第八讲共集放大电路和共基放大电路第九讲场效应管放大电路第十讲多级放大电路第十一讲习题课第三章放大电路的频率响应第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积第四章功率放大电路第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路第十五讲改进型OCL电路第五章模拟集成电路基础第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路第十八讲集成运算放大电路第六章放大电路的反馈第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算第二十一讲负反馈对放大电路的影响第七章信号的运算和处理电路第二十二讲运算电路概述和基本运算电路第二十三讲模拟乘法器及其应用第二十四讲有源滤波电路第八章波形发生与信号转换电路第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路第二十六讲电压比较器第二十七讲非正弦波发生电路第二十八讲利用集成运放实现信号的转换第九章直流电源第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路第三十一讲串联型稳压电路第三十二讲总复习第一章半导体基础知识本章主要内容本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义,工作状态或工作区的分析.首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点.其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。
然后介绍两种三极管(BJT和FET)的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。
本章学时分配本章分为4讲,每讲2学时。
第一讲常用半导体器件本讲重点1、PN结的单向导电性;2、PN结的伏安特性;本讲难点1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电;2、掺杂半导体中的多子和少子3、PN结的形成;教学组织过程本讲宜教师讲授。