收藏!半导体人必须掌握的英文词汇
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MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小,决定了电子的移动速度。
导体:金、银、铜、铁、人、水……导电系数大,传导容易绝缘体:塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易半导体:硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆:原意为法国的松饼,饼干上有格子状的饰纹,与FAB内生产的芯片图形类似。
Lot 批;一批芯片中最多可以有25片,最少可以只有一片。
ID Identification的缩写。
用以辨识各个独立的个体,就像公司内每一个人有自己的识别证。
Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号,叫Wafer ID。
Lot ID 每一批芯片有自己的批号,叫Lot ID。
Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号,叫Part ID。
WIP Work In Process,在制品。
从芯片投入到芯片产品,FAB内各站积存了相当数量的芯片,统称为FAB内的WIP 。
一整个制程又可细分为数百个Stage和Step,每一个Stage所堆积的芯片,称为Stage WIP。
Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。
Super Hot Run的优先级为1,视为等级最高,必要时,当Lot在上一站加工时,本站便要空着机台等待Super Hot Run。
Hot Run的优先级为2,紧急程度比Super Hot Run次一级。
Normal的优先级为3,视为正常的等级,按正常的派货原则,或视常班向生产指令而定。
Cycle time 生产周期,FAB Cycle Time 定义为:从芯片投入到芯片产生的这一段时间。
Stage Cycle Time:Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。
Spec. 规格Specification的缩写。
产品在机台加工过程中,每一站均设定规格。
机台加工后,产品或控片经由量测机台量测,该产品加工后,是否在规格内。
半导体词汇(英汉对照)1. 半导体:semiconductor2. 晶体管:transistor3. 二极管:diode4. 集成电路:integrated circuit5. 电容:capacitor8. 金属氧化物场效应管:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)9. 数字信号处理器:Digital Signal Processor (DSP)10. 有机发光二极管:Organic Light-Emitting Diode (OLED)11. 光纤放大器:Optical Fiber Amplifier (OFA)12. 直流-直流变换器:DC-DC Converter13. 脉冲编码调制:Pulse Code Modulation (PCM)14. 光耦合器:Optocoupler15. 调制解调器:Modem16. 电池管理系统:Battery Management System (BMS)17. 片上系统:System-on-a-Chip (SoC)18. 功率电子器件:Power Electronics Device20. 纳米技术:Nanotechnology21. 生物芯片:Biochip23. 激光器:Laser24. 双极型发射极晶体管:Bipolar Junction Transistor (BJT)28. 传感器:Sensor29. 能量收集器:Energy Harvester30. 固态驱动器:Solid State Drive (SSD)31. 磁性存储设备:Magnetic Storage Device32. 屏幕显示器:Display33. 快速门:Fast Gate35. 超高速芯片:Ultra-High-Speed Chip38. 量子计算机:Quantum Computer40. 机器人学:Robotics41. 表面声波器件:Surface Acoustic Wave (SAW) Device45. 长寿命电池:Long-Life Battery46. 红外光电探测器:Infrared Photodetector47. 树莓派:Raspberry Pi48. 可充电电池:Rechargeable Battery49. 无线充电器:Wireless Charger51. 控制电路:Control Circuit53. 逆变器:Inverter55. 拓扑优化器:Topology Optimizer57. 智能家居:Smart Home58. 传输线理论:Transmission Line Theory60. 片上调制器:On-Chip Modulator61. 内存芯片:Memory Chip63. 线性电源:Linear Power Supply64. 电机驱动器:Motor Driver66. 相变存储器:Phase-Change Memory (PCM)68. 氮化镓:Gallium Nitride (GaN)69. 自动驾驶:Autonomous Driving72. 机器学习:Machine Learning77. 差分信号:Differential Signal78. 相位锁定环:Phase Locked Loop (PLL)80. 峰值检测器:Peak Detector84. 相移器:Phase Shifter88. 滤波器:Filter91. 直流伏安表:Digital Multimeter (DMM)92. 频率计:Frequency Counter93. 降噪耳机:Noise-Canceling Headphones94. 耳返系统:In-Ear Monitoring (IEM) System95. 电学模型:Electrical Model97. 声音芯片:Audio Chip98. 跟踪器:Tracker。
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统4. Acid:酸5. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大)6. Align mark(key):对位标记7. Alloy:合金8. Aluminum:铝9. Ammonia:氨水10. Ammonium fluoride:NH4F11. Ammonium hydroxide:NH4OH12. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)13. Analog:模拟的14. Angstrom:A(1E-10m)埃15. Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH)16. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻)18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher:去胶机24. Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比)25. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)26. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前)27. Baseline:标准流程28. Benchmark:基准29. Bipolar:双极30. Boat:扩散用(石英)舟31. CD:(Critical Dimension)临界(关键)尺寸。
MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小,决定了电子的移动速度。
导体:金、银、铜、铁、人、水……导电系数大,传导绝缘体:塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不半导体:硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆:原意为法国的松饼,饼干上有格子状的饰纹,与FAB内生产的芯片图形类Lot 批;一批芯片中最多可以有25片,最少可以只有一片。
ID Identification的缩写。
用以辨识各个独立的个体,就像公司内每一个人有自己的识别证。
Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号,叫Wafer ID。
Lot ID 每一批芯片有自己的批号,叫Lot ID。
Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号,叫Part ID。
WIP Work In Process,在制品。
从芯片投入到芯片产品,FAB内各站积存了相当数量的芯片,统称为FAB内的WIP 。
一整个制程又可细分为数百个Stage和Step,每一个Stage所堆积的芯片,称为Stage WIP。
Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。
Super Hot Run的优先级为1,视为等级最高,必要时,当Lo上一站加工时,本站便要空着机台等待Super Hot RuHot Run的优先级为2,紧急程度比Super Hot Run次一级。
Normal的优先级为3,视为正常的等级,按正常的派货原则视常班向生产指令而Cycle time 生产周期,FAB Cycle Time 定义为:从芯片投入到芯片产生的这一段时间。
Stage Cycle Time:Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截Spec. 规格Specification的缩写。
产品在机台加工过程中,每一站均设定规格。
机台加工后,产品或控片经由量测机台量测,该产品加工后,是否在规格内。
MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小,决定了电子的移动速度。
导体:金、银、铜、铁、人、水……导电系数大,传导容易绝缘体:塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易半导体:硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆:原意为法国的松饼,饼干上有格子状的饰纹,与FAB内生产的芯片图形类似。
Lot 批;一批芯片中最多可以有25片,最少可以只有一片。
ID Identification的缩写。
用以辨识各个独立的个体,就像公司内每一个人有自己的识别证。
Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号,叫Wafer ID。
Lot ID 每一批芯片有自己的批号,叫Lot ID。
Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号,叫Part ID。
WIP Work In Process,在制品。
从芯片投入到芯片产品,FAB内各站积存了相当数量的芯片,统称为FAB内的WIP 。
一整个制程又可细分为数百个Stage和Step,每一个Stage所堆积的芯片,称为Stage WIP。
Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。
Super Hot Run的优先级为1,视为等级最高,必要时,当Lot在上一站加工时,本站便要空着机台等待Super Hot Run。
Hot Run的优先级为2,紧急程度比Super Hot Run次一级。
Normal的优先级为3,视为正常的等级,按正常的派货原则,或视常班向生产指令而定。
Cycle time 生产周期,FAB Cycle Time 定义为:从芯片投入到芯片产生的这一段时间。
Stage Cycle Time:Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。
Spec. 规格Specification的缩写。
产品在机台加工过程中,每一站均设定规格。
机台加工后,产品或控片经由量测机台量测,该产品加工后,是否在规格内。
半导体、微电子专业英语单词汇总引导语:有关半导体、微电子的专业都有哪些呢?以下是店铺整理的半导体、微电子专业英语单词汇总,欢迎参考!1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统4. Acid:酸5. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大)6. Align mark(key):对位标记7. Alloy:合金8. Aluminum:铝9. Ammonia:氨水10. Ammonium fluoride:NH4F11. Ammonium hydroxide:NH4OH12. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)13. Analog:模拟的14. Angstrom:A(1E-10m)埃15. Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH)16. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻)18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher:去胶机24. Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比)25. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)26. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前)27. Baseline:标准流程28. Benchmark:基准29. Bipolar:双极30. Boat:扩散用(石英)舟31. CD: (Critical Dimension)临界(关键)尺寸。
半导体行业专业词汇. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统4. Acid:酸5. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大)6. Align mark(key):对位标记7. Alloy:合金8. Aluminum:铝9. Ammonia:氨水10. Ammonium fluoride:NH4F11. Ammonium hydroxide:NH4OH12. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)13. Analog:模拟的14. Angstrom:A(1E-10m)埃15. Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH)16. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻)18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher:去胶机24. Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比)25. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)26. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前)27. Baseline:标准流程28. Benchmark:基准29. Bipolar:双极30. Boat:扩散用(石英)舟31. CD:(Critical Dimension)临界(关键)尺寸。
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor(半导体):指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit(集成电路):简称IC,将大量的微小电子元件(如晶体管、电阻、电容等)集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor(晶体管):一种半导体器件,具有放大信号和开关功能,是现代电子设备的基础组件。
5. Diode(二极管):一种具有单向导通特性的半导体器件,常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管):一种常见的晶体管类型,广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS(互补金属氧化物半导体):一种集成电路技术,采用NMOS和PMOS晶体管组合,具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer(晶圆):指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料,用于制造集成电路。
9. Photolithography(光刻):在半导体制造过程中,利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching(刻蚀):在半导体制造过程中,通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂(Doping):在半导体材料中引入其他元素,以改变其导电性能。
12. Chip(芯片):指经过封装的集成电路,是电子设备的核心组成部分。
13. PCB(印刷电路板):一种用于支撑和连接电子元件的板材,上面布满了导电线路。
14. Moore's Law(摩尔定律):指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番,预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA(电子设计自动化):指利用计算机软件辅助设计电子系统,包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry(代工厂):专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer(半导体设备制造商):为半导体行业提供生产设备的公司。
11. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统4. Acid:酸5. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大)6. Align mark(key):对位标记7. Alloy:合金8. Aluminum:铝9. Ammonia:氨水10. Ammonium fluoride:NH4F11. Ammonium hydroxide:NH4OH12. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)13. Analog:模拟的14. Angstrom:A(1E-10m)埃15. Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH)16. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻)18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)223. Asher:去胶机24. Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比)25. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)26. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前)27. Baseline:标准流程28. Benchmark:基准29. Bipolar:双极30. Boat:扩散用(石英)舟31. CD:(Critical Dimension)临界(关键)尺寸。
收藏!半导体人必须掌握的英文词汇大约30多年前一些美国、日本和欧洲的IDM半导体工厂把多余的产能出来做代工服务,因为代工的公司不会与客户竞争,所以专业代工的模式成为半导体市场的新宠。
那么,究竟国内半导体行业更加适用怎样的模式呢?张汝京建议,中国大陆业者可循着 CIDM (Commune IDM)的模式来发展。
接下来我们就探讨一下什么是CIDM模式,顺便说说设计行业和制造行业那些简称。
CIDMCIDM(CommuneIDM),就是共有共享式的IDM(IDM:下文有介绍)公司。
CIDM模式已经有先例,如新加坡TECH公司就是好几家公司联合成立的一个IDM公司(生产存储器为主),其中TECH的“T”是TI德仪,“E”就是新加坡政府EDS经济发展局,“C”是Canon佳能,“H”是Hewlett-Packard惠普。
其中的几家企业当时都需要很多的DRAM。
四家投资一个IDM公司,自己设计、自己生产、自己销售,从第二年开始几乎每年都实现了盈利。
在大陆,有一些规模较小的IDM工厂,其中多数生产150mm芯片、少数生产200mm芯片。
成立先进的IDM公司,光靠一家企业很难做起来。
如果5到10个伙伴一起来合作比运作一个先进的代工厂更容易些,因为分担投资,产品互补,减少了资金的压力,资源共享了,顾客固定,产能利用率有保障,风险大大降低,完全实现了互惠互利,而且产品和技术能力也可以大大提升。
挑战在于CIDM是五个或者更多合作伙伴共有,一方面,Fab要提供技术给这些公司,另一方面,这些公司的产品如何避免同质化竞争,目标市场也要区别。
对于CIDM模式而言,事先做好协同作业(Concordance)尤为重要。
在技术层面,张汝京博士认为,CIDM一开始的时候只需要提供10至20种工艺,力量比较集中,做到40-28nm就足够了,这个节点及以上的工艺,70-80%的产品都可以生产了,有很大的获利市场。
40nm之后接着就上28nm。
半导体行业英语专业术语1.Angle of incidence:入射角。
2.Dielectric:介电质。
3.Epitaxial Growth:外延生长。
4.Junction:结。
5.MOS transistor:MOS晶体管。
6.Lithography:光刻。
7.Photoresist:光刻胶。
8.Picking:取片。
9.Reflow soldering:热风焊接。
10.Deposition:沉积。
11.Diffusion:扩散。
12.Doping:掺杂。
13.Epitaxy:外延。
14.Furnace:炉。
15.Gate oxide:栅极氧化层。
16.Grinding:研磨。
17.Ion Implantation:离子注入。
18.Polishing:抛光。
19.Substrate:基底。
20.Chip:芯片。
21.Wafer:晶圆。
22.Yield:良率。
23.Masking:掩模。
24.Electrical Characterization:电性测试。
25.Suitability Test:可靠性测试。
26.Failure Analysis:失效分析。
27.Annealing:退火。
28.Threshold Voltage:阈值电压。
29.Voltage Transfer Curve:电压传递曲线。
30.Contact Resistance:接触电阻。
31.Electromigration:电迁移。
32.Inspection:检验。
33.CMP:表面处理。
34.CVD:化学气相沉积。
35.Metallization:金属化。
36.Microscopy:显微镜。
37.Ohmic Contact:正性接触。
38.Oxidation:氧化。
39.PECVD:电演化学气相沉积。
40.Photolithography:光刻工艺。
41.Sputtering:溅射。
42.Thermal Oxidation:热氧化。
收藏!半导体人必须掌握的英文词汇大约30多年前一些美国、日本和欧洲的IDM半导体工厂把多余的产能出来做代工服务,因为代工的公司不会与客户竞争,所以专业代工的模式成为半导体市场的新宠。
那么,究竟国内半导体行业更加适用怎样的模式呢?张汝京建议,中国大陆业者可循着CIDM (Commune IDM)的模式来发展。
接下来我们就探讨一下什么是CIDM模式,顺便说说设计行业和制造行业那些简称。
CIDMCIDM(CommuneIDM),就是共有共享式的IDM(IDM:下文有介绍)公司。
CIDM模式已经有先例,如新加坡TECH公司就是好几家公司联合成立的一个IDM公司(生产存储器为主),其中TECH的“T”是TI德仪,“E”就是新加坡政府EDS经济发展局,“C”是Canon佳能,“H”是Hewlett-Packard惠普。
其中的几家企业当时都需要很多的DRAM。
四家投资一个IDM公司,自己设计、自己生产、自己销售,从第二年开始几乎每年都实现了盈利。
在大陆,有一些规模较小的IDM工厂,其中多数生产150mm芯片、少数生产200mm芯片。
成立先进的IDM公司,光靠一家企业很难做起来。
如果5到10个伙伴一起来合作比运作一个先进的代工厂更容易些,因为分担投资,产品互补,减少了资金的压力,资源共享了,顾客固定,产能利用率有保障,风险大大降低,完全实现了互惠互利,而且产品和技术能力也可以大大提升。
挑战在于CIDM 是五个或者更多合作伙伴共有,一方面,Fab要提供技术给这些公司,另一方面,这些公司的产品如何避免同质化竞争,目标市场也要区别。
对于CIDM模式而言,事先做好协同作业(Concordance)尤为重要。
在技术层面,张汝京博士认为,CIDM一开始的时候只需要提供10至20种工艺,力量比较集中,做到40-28nm就足够了,这个节点及以上的工艺,70-80%的产品都可以生产了,有很大的获利市场。
40nm之后接着就上28nm。
最赚钱的也可以接得上。
他建议先不要一开始就去做14纳米或者10纳米这种最先进的工艺和产品。
更先进的14-7纳米的工艺和产品还是先让那几家领先的公司去研发和生产。
在市场策略方面,CIDM自家的产能分配可以内部协商,必要时可以增加产能;如果产能过剩,就对其他客户提供服务。
是一种“进可攻,退可守”的模式。
FablessFabless,是Fabrication(制造)和less(无、没有)的组合,是指“没有制造业务、只专注于设计”的集成电路设计的一种运作模式,也用来指代未拥有芯片制造工厂的IC设计公司,经常被简称为“无晶圆厂”(晶圆是芯片\硅集成电路的基础,无晶圆即代表无芯片制造);通常说的IC design house(IC设计公司)即为Fabless。
在80年代的后期,首先在台湾地区推出了代工(foundry)服务,它专门为fabless公司加工制造IC产品。
在那个时期代工最关键的是必须保证加工产品的设计技术不会外洩,保持中立地位。
因此代工与fabless的互相配合,奠定了半导体产业由IDM的一种制造模式,走向四业分离,即设计,制造,代工及封装与测试。
fabless能更快的推动新的IC产品呈现,导致半导体业更迅速的发展与增长。
然而,fabless在它的初创阶段也并非一帆风顺,一直要到1990年时才被半导体业界的权威人士承认fabless模式的成功。
那时己经有Nvidia,Broadcom,及Xilinx等公司,尤其如Cyrix公司,它生产的产品在价格上具有竞争性,推动全球计算产品的市场发展。
1994年Jodi Shelton女士与六家fabless公司的CEO组建无晶厂半导体联盟,(Fabless Semiconductor Associatio,简称FSA,目的是把fabless模式推向全球化。
至2007年12月FSA转变成全球半导体联盟(Global Semiconductor Alliance),简称GSA。
由此表明FSA已经起到全球化的作用,它不尽在IC设计领域中,而是需要加强全球半导体业之间的合作发展。
之后的fabless模式进一步被半导体业界认可,导致如有些大的IDM公司开始完全转变成fabless,如Conexant System,以及LSI Logic等。
尤其是工艺制程进入28纳米之后,是个转折点,全球众多IDM厂采用轻晶园厂策略,即fab lite模式,包括如TI.Freescale,Infineon,Cypress Semiconductor等大牌的IDM厂都开始拥抱代工。
到2007年时fabless模式己成为推动半导体业的优先发展模式,在2007年时GSA跟踪的10家fabless的销售额己经超过10亿美元。
据FSA于2005年5月时的资料,在1994年全球半导体销售额已经达1,000亿美元时,相应的fabless的销售额才32亿美元,到2000年全球半导体销售额达超过2000亿美元时,相应的fabless销售额为176亿美元,而到2015年全球半导体销售额己达3350亿美元时,相应的fabless己增长到842亿美元(数据来自IC Insight 2016年4月)。
据FSA的数据,在1994 to 2010的16年间,全球fabless的营收由32亿美元,增加到736亿美元,增长达23倍,年均增长率(CAGR)达到21.66%。
按ICInsight 报道2015年全球fabless排名中第一次把苹果/台积电列于第七,它的销售额为30.85亿美元,同比增长111%,可见终端电子产品供应商的自制IC产品获得认可。
图| 2017年Q1 Fabless厂商营收前十排名图| 中国Fabless厂商在全球前50名占比中国半导体行业协会发布的“2016年中国集成电路设计十大企业”,2016 年因为未完成收购,北京君正并未统计在此次排名中,而且2017 年兆易创新又以65 亿元并购北京硅成,预计2017 年全国十大设计企业排名会发生巨大变更。
图| 中国半导体行业协会发布的“2016年中国集成电路设计十大企业”FoundryFoundry,在集成电路领域是指专门负责生产、制造芯片的厂家。
Foundry原意为铸造工厂、翻砂车间、玻璃熔铸车间,从它的字面意思可以看出其与集成电路的联系,因为硅集成电路的制造也跟“玻璃”和“砂”有关。
在半导体行业,Foundry也就是我们熟知“晶圆代工”。
圆代工或晶圆专工(Foundry),半导体产业的一种营运模式,专门从事半导体晶圆制造生产,接受其他IC设计公司委托制造,而不自己从事设计的公司。
有些拥有晶圆厂的半导体公司,如英特尔(Intel)、AMD等,会因产能或成本等因素,也会将部份产品委由晶圆代工公司生产制造。
台积电、联电为世界排名第一与第二的晶圆代工公司。
反之,专门从事IC电路设计而不从事生产且无半导体厂房的公司称为无厂半导体公司(Fabless)。
无厂半导体公司依赖晶圆代工公司生产产品,因此产能、技术都受限于晶圆代工公司,但优点是不必自己兴建、营运晶圆厂。
随着芯片制成微缩、晶圆尺寸成长,建设一间晶圆厂动辄百亿美金的经费,往往不是一般中小型公司所能够负担得起;而透过此模式与晶圆代工厂合作,IC设计公司就不必负担高阶制程高额的研发与兴建费用,晶圆代工厂能够专注于制造,开出的产能也可售予多个用户,将市场波动、产能供需失衡的风险减到最小。
总之晶圆代工厂就像是一个加工坊。
晶圆代工就是向专业的集成电路设计公司或电子厂商提供专门的制造服务。
这种经营模式使得集成电路设计公司不需要自己承担造价昂贵的厂房,就能生产。
这就意味着,台积电等晶圆代工商将庞大的建厂风险分摊到广大的客户群以及多样化的产品上,从而集中开发更先进的制造流程。
随着半导体技术的发展,晶圆代工所需投资也越来越大,现在最普遍采用的8英寸生产线,投资建成一条就需要10亿美元。
尽管如此,很多晶圆代工厂还是投进去很多资金、采购了很多设备。
这足以说明晶圆代工将在不久的未来取得很大发展,占全球半导体产业的比重也将与日俱增。
图| 2017年全球前十大晶圆代工业者排名图| 国内主要晶圆代工厂分布IDMIDM大家都很熟悉了,像英特尔这种,从设计,到制造、封装测试以及投向消费市场一条龙全包的企业,称为IDM 公司。
11月24日矽品公告称,将出售子公司矽品科技(苏州)有限公司30%股权给大陆紫光集团,交易金额为10.26亿元人民币。
自此,紫光也完成了从设计,制造、封装测试以及销售一条龙全包,成为国内为数不多的IDM公司。
目前,IDM是全球主要的商业模式。
美国、日本和欧洲半导体产业主要采用这一模式,典型的IDM 厂商有Intel、三星、TI(德州仪器)、东芝、ST(意法半导体)等。
IDM 厂商的经营范围涵盖了IC 设计、IC 制造、封装测试等各环节,甚至延伸至下游电子终端。
IDM 模式之所以领先,主要原因在于具备如下优势:首先,IDM 企业具有资源的内部整合优势。
在IDM 企业内部,从IC 设计到完成IC制造所需的时间较短,主要的原因是不需要进行硅验证(SiliconProven),不存在工艺流程对接问题,所以新产品从开发到面市的时间较短。
而在垂直分工模式中,由于Fabless 在开发新产品时,难以及时与Foundry 的工艺流程对接,造成一个芯片从设计公司到代工企业的流片(晶圆光刻的工艺过程)完成往往需要6-9 个月,延缓了产品的上市时间。
其次,IDM 企业的利润率比较高。
根据“微笑曲线”原理,最前端的产品设计、开发与最末端的品牌、营销具有最高的利润率,中间的制造、封装测试环节利润率较低。
根据花旗银行2006 年的市场调查,在美国上市的IDM企业平均毛利率是44%,净利率是9.3%,远远高于Foundry 的15%和0.3%以及封装测试企业的22.6%和1.9%。
最后,IDM 企业具有技术优势。
大多数IDM 都有自己的IP (Intellectual Property,知识产权)开发部门,经过长期的研发与积累,企业技术储备比较充足,技术开发能力很强,具有技术领先优势。
但一个成功的IDM 企业所需的投入非常大。
一方面,IDM 企业有自己的制造工厂,需要大量的建设成本。
另一方面,由于IC 制程研发成本越来越高,IC 设计成本大幅增加。
IC Insights 数据显示,R&D 费用占销售收入比重不断增加。
总体上,IDM 的资本支出与Foundry 相当,却远高于Fabless;IDM 的研发投入占销售收入比重比Fabless 低,却要远高于Foundry。
所以,一个成功的IDM 所需投入最大。
IDM 的另一大局限就是对市场的反应不够迅速。
由于IDM 企业的“质量”较大,所以“惯性”也大,因此对市场的反应速度会比较慢。