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晶体管参数大全晶体管是一种能够对电流进行控制的电子器件，广泛应用于电子电路中。
根据其工作原理的不同，可以分为三极管和场效应管两种类型。
一、三极管参数1.最大允许电压（VCEO）：三极管的集电极-发射极间最大允许电压。
在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。
2.最大允许集电极电流（IC）：三极管的集电极电流的最大值。
在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。
3.最大功耗（Pd）：三极管透过的功率最大值。
在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。
4.直流电流倍数（hFE）：表示三极管输入电流和输出电流之间的比例关系。
它决定了三极管的放大能力，一般越大越好，常见的值为几十到几百。
5. 饱和压降（VCEsat）：当三极管处于饱和区时，集电极与发射极之间的电压降。
6. 输入电阻（Rin）：三极管的输入电阻，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。
一般来说，输入电阻越大，对输入信号的影响越小。
7. 输出电阻（Rout）：三极管的输出电阻，表示输出电压变化与输出电流变化之间的比例关系。
一般来说，输出电阻越小，输出信号的失真越小。
8.动态电阻（rπ）：三极管的动态电阻，与输入电阻类似，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。
一般来说，动态电阻越小，对输入信号的影响越小。
9.最小输入电流（IB）：三极管正常工作所需要的最小基极电流。
二、场效应管参数1.最大允许栅源电压（VGS）：场效应管的栅源电压的最大值。
在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。
2.最大允许漏极电流（ID）：场效应管的漏极电流的最大值。
在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。
3.最大功耗（Pd）：场效应管透过的功率最大值。
在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。
4. 转导（gm）：表示输入电压变化时输出电流变化的比例关系。
转导越大，场效应管的放大能力越强。
晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型901830V0.05A0.4W*1G NPN901550V0.1A0.4W*150MHZ PNP901450V0.1A0.4W*150MHZ NPN901350V0.5A0.6W**NPN901250V0.5A0.6W**PNP901150V0.03A0.4W*150MHZ NPNTIP147100V10A125W**PNPTIP142100V10A125W**NPNTIP127100V8A65W**PNPTIP122100V8A65W**NPNTIP102100V8A2W**NPNTIP42C100V6A65W**PNPTIP41C100V6A65W**NPNTIP36C100V25A125W**PNPTIP35C100V25A125W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型TIP32C100V3A40W**PNPTIP31C100V3A40W**NPNMJE130071500V 2.5A60W**NPNMJE13005400V4A60W**NPNMJE13003400V 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MJ450290V30A200W**PNPMJ305560V15A115W**NPNMJ295560V15A115W**PNPMN6501500V6A80W**NPNBUX98A400V30A210W**NPNBUX84800V2A40W**NPNBUW13A1000V15A150W**NPNBUV48A450V15A150W**NPNBUV28A225V10A65W**NPNBUV2690V14A65W**NPNBUT12A450V10A125W**NPNBUT11A1000V5A100W**NPNBUS14A1000V30A250W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型BD681100V4A40W**NPNBD24445V6A65W**PNPBD24345V6A65W**NPNBD238100V2A25W**PNPBD237100V2A25W**NPNBD13860V 1.5A12.5W**PNPBD13760V 1.5A12.5W**NPNBD13645V 1.5A12.5W**PNPBD13545V 1.5A12.5W**NPNBC54750V0.2A0.5W*300MHZ NPNBC54680V0.2A0.5W**NPNBC33850V0.8A0.6W**NPNBC33750V0.8A0.6W**NPNBC32750V0.80.6W**PNPBC30750V0.2AA0.3W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SDK55400V4A60W**NPN2SD24451500V12.5A120W**NPN2SD238890V3A 1.2W**NPN(达林顿) 2SD23351500V7A100W**NPN2SD23341500V5A80W**NPN2SD2156120V25A125W2000-20000*NPN(达林顿) 2SD2155180V15A150W**NPN2SD203660V1A 1.2W**NPN2SD201260V3A2W**NPN2SD200880V1A 1.5W**NPN2SD199740V3A 1.5W*100MHZ 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1.5W**NPN2SC2383Y160V1A0.9W**NPN2SA129950V0.5A0.3W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SB564A45V0.050.25W**PNP2SD1877800V4A50W**NPNBU508A1500V8A125W**NPNBUT111500V5A80W**NPN2SD3505900V6A50W**NPN2SD9061400V8A50W**NPN2SD9051400V8A50W**NPN2SC19421500V3A100W**NPN2SD13971500V 3.5A50W**NPN2SD13961500V 2.5A50W**NPN2SC3153900V6A100W**NPN2SD14031500V6A50W**NPN2SD14101500V 3.5A80W**NPN2SD20571500V5A100W**NPN2SD20271500V5A50W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD9531500V7A95W**NPN2SD9511500V3A65W**NPN2SD9501500V 3.5A80W**NPN2SD8521500V5A70W**NPN2SD8501500V3A25W**NPN2SD900B1500V5A50W**NPN2SD899A1500V4A50W**NPN2SD898B1500V3A50W**NPN2SD8711500V6A50W**NPN2SD8701500V5A50W**NPN2SD8691500V 3.5A50W**NPN2SD14331500V7A80W**NPN2SD14321500V6A80W**NPN2SD14311500V5A80W**NPN2SD8201500V5A50W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD8191500V 3.5A50W**NPN2SD14971500V6A50W**NPN2SD13981500V5A50W**NPN2SD14271500V5A80W**NPN2SD14281500V6A80W**NPN2SD14261500V 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1.2W**NPN2SC259440V5A10W**NPN2SC1317-R30V0.5A0.4W**NPN2SB1013A30V0.5A0.3W**PNP2SD122660V3A35W**NPN2SC2636Y30V0.05A0.4W**NPN2SB940200V2A30W**PNP2SA720-Q50V0.5A0.4W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD13911500V5A80W**NPN2SC218845V0.05A0.6W**NPN2SK301-R*0.14A0.25W**N沟场效应管2SD126660V3A35W**NPN2SD11751500V5A100W**NPN2SD97330V1A1W**NPN2SC2923300V0.2A15W**NPN2SC2653H250V0.2A15W**NPN2SC2377C30V0.15A0.2W**NPN2SC1685Q30V0.1A0.25W**NPN2SC1573A250V0.07A0.6W**NPN2SB642-R60V0.2A0.4W**PNP2SA1309A25V0.1A0.3W**PNP2SA1018150V0.07A0.75W**PNP2SA564A25V0.1A0.25W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SK301-Q*0.14A0.25W**N沟场效应管2SD15411500V3A50W**NPN2SC168530V0.1A0.25W**NPN2SC1573A250V0.07A0.6W**NPN2SA1309A25V0.1A0.3W**PNPUN421350V0.1A0.25W**NPNUN421150V0.1A0.25W**NPNUN421250V0.1A0.25W**NPNUN411150V0.1A0.25W**PNP2SD15411500V3A50W**NPN2SD96540V5A0.75W**NPN2SC283930V0.1A0.1W**NPN2SC2258250V0.1A1W**NPN2SC184645V1A 1.2W**NPN2SC1573A250V0.07A0.6W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SA1309A25V0.1A0.3W**PNP2SD15441500V 3.5A40W**NPN2SD802900V6A50W**NPN2SC271735V0.8A7.5W**NPN2SC2482150V0.1A0.9W**NPN2SC2073150V 1.5A25W**NPN2SC1815Y60V0.15A0.4W**NPN2SB774T30V0.01A0.25W**PNP2SA1015R50V0.15A0.4W**PNP2SA90490V0.05A0.2W**PNP 2SA562T30V0.4A0.3W**PNP。
各种MOSFET参数大全MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，具有广泛的应用领域。
下面是MOSFET的各种重要参数的详细解释。
1. Drain-Source电压（VDS）：这是MOSFET管脚之间的电压差。
当VDS超过MOSFET的额定电压，会导致器件损坏。
2. Gate-Source电压（VGS）：这是MOSFET的控制电压。
改变VGS可以控制MOSFET的导通和截止。
3. 阈值电压（Vth）：这是MOSFET的开启电压。
当VGS超过阈值电压时，MOSFET开始导通。
4.静态漏极电流（IDSS）：这是在VGS=0时，MOSFET的漏极电流。
它是关闭时的最大漏极电流。
5. on状态电阻（RDS(on)）：这是MOSFET导通时的电阻。
较低的RDS(on)意味着更好的导通特性。
6.峰值漏极电流（IDP）：这是MOSFET能够承受的最大漏极电流。
如果超过此电流，MOSFET可能会损坏。
7. 雅各比增益（gfs）：这是MOSFET的小信号增益。
它决定了MOSFET的放大能力。
8. 输入电容（Ciss）：这是MOSFET输入端的总电容。
较高的Ciss将导致较高的输入电容负载。
9. 输出电容（Coss）：这是MOSFET输出端的总电容。
较高的Coss将导致较高的输出电容负载。
10.反向传导（GDS）：这是MOSFET导通时的反向电导。
它表示了在反向电压下电荷从漏极到源极的流动。
11. 速度参数（gm）：这是MOSFET的跨导。
它表示在VDS控制下的电流变化率。
12.破坏电压（BV）：这是MOSFET能够承受的最大电压。
超过该电压可能会导致器件击穿和损坏。
13.空载损耗（Pd）：这是MOSFET在导通状态下消耗的功率。
它取决于MOSFET的导通电阻和电流。
14.电压转移特性（VTC）：这是描述MOSFET开启和关闭之间的关系的曲线。
它显示了在不同VGS情况下MOSFET的导通特性。
常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。
它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。
以下是一些常用晶体管参数的详细说明。
1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。
NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。
2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。
超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。
3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。
4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。
超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。
5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。
hFE的值越高，晶体管放大能力越强。
6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。
通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。
7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。
饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。
8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。
输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。
9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。
输出电容越小，晶体管的输出速度越快。
10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。
射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。
11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。
这是指晶体管可以正常工作的最高频率。
12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。
噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。
以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。
常用晶体管参数查询晶体管是一种用于放大、开关和调整电信号的电子元件，广泛应用于电子设备和通信系统中。
晶体管的各种参数对其性能影响很大，因此对于设计和选择晶体管的工程师来说，了解和查询常用晶体管参数非常重要。
下面将介绍几个常用的晶体管参数。
1. 最大工作频率（fmax）：晶体管可以工作的最高频率。
这个参数对于高频通信和雷达应用非常重要，通常以GHz为单位。
2. 最大功率（Pmax）：晶体管能够承受的最大功率。
这个参数通常以瓦特（W）为单位，并且与晶体管的封装和散热系统有关。
3.最大工作电压（VCEO）：晶体管可以承受的最大集电极至发射极电压。
这个参数对于功率放大应用非常重要。
4. 最大工作电流（ICmax）：晶体管可以承受的最大集电极电流。
这个参数对于功率放大和开关应用非常重要。
5. 饱和压降（VCEsat）：晶体管在饱和状态下的集电极至发射极压降。
这个参数对于开关应用和数字逻辑电路非常重要。
6. 放大倍数（hfe或β）：晶体管的放大倍数，即集电极电流与基极电流的比值。
这个参数对于放大应用非常重要。
7. 输入电阻（Rin）：晶体管输入电阻，即基极电阻。
这个参数对于信号输入和电路匹配非常重要。
8. 输出电阻（Rout）：晶体管输出电阻，即集电极电阻。
这个参数对于信号输出和电路匹配非常重要。
9.噪声系数（NF）：晶体管的噪声性能，表示增益下降的程度。
这个参数对于接收机和低噪声放大器应用非常重要。
10.温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率。
这个参数对于在高温环境下的应用非常重要。
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
晶体管参数大全晶体管是一种重要的电子元件，包括三极管和场效应管两种类型。
以下是关于晶体管参数的详细介绍。
1.三极管参数：(1)直流参数：- 静态放大倍数（hfe）：表示输入电流和输出电流之间的放大倍数；- 饱和电流（Isat）：在基极电流最大的情况下，由集电极和发射极之间的饱和电流；- 集电极-发射极饱和电压（Vce_sat）：集电极和发射极之间的饱和电压；- 输入电阻（Rin）：表示三极管的输入端电阻；- 输出电阻（Rout）：表示三极管的输出端电阻。
(2)动态参数：- 最大切换频率（ft）：表示三极管可以切换的最高频率；- 输入电容（Cin）：表示三极管的输入电容；- 输出电容（Cout）：表示三极管的输出电容；- 开关时间（ts/tf）：分别表示三极管的上升和下降时间。
2.场效应管参数：(1)直流参数：- 静态放大倍数（gm）：表示输出电流和输入电压之间的增益；- 饱和电流（Idss）：在栅压为零时，漏极电流最大的情况下，由源极和漏极之间的饱和电流；- 开启电压（Vgs_th）：栅极电压与源极电压之间的临界电压，开始导通的电压；- 漏极-源极饱和电压（Vds_sat）：漏极电压与源极电压之间的饱和电压；- 输入电阻（Rin）：表示场效应管的输入端电阻；- 输出电阻（Rout）：表示场效应管的输出端电阻。
(2)动态参数：- 最大切换频率（ft）：表示场效应管可以切换的最高频率；- 输入电容（Cin）：表示场效应管的输入电容；- 输出电容（Cout）：表示场效应管的输出电容；- 开关时间（ts/tf）：分别表示场效应管的上升和下降时间。
以上是晶体管参数的一些常见指标，不同型号的晶体管具体参数可能会有所不同。
在实际应用中，根据具体电路设计和需求，选择合适的晶体管参数非常重要。
同时，要注意不同厂家制造的晶体管参数可能存在差异，需要仔细查阅相关型号的数据手册。
