可控硅的工作原理(带图)

一、 可控硅击穿原因：

1、RC电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收（平波作用），RC时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致，并且要注意电容的高频响应，应使用高频特性好的。

2、压敏电阻本身有反应时间，该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度，而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性，实际的和标识的值有一定的误差。

3、击穿的可能性好多种,过电流,过电压.短路,散热不好都会被击穿.RC电路或压敏电阻只是吸收尖峰脉冲电压.和涌浪电压用的有条件.可以增大双向可控硅容量，这能有效减少以上的问题,如果是短路就要查明短路原因

二、问题例子：

最初使用MOC3061+BT131控制电磁阀，BT131击穿很多；后来将BT131更换成BT136虽然有多改善，但还是偶尔有击穿。电路图如下

实际电路中R56没焊，R55为330欧姆。

电路有RC吸收、压敏电阻保护电路，负载为电磁阀，负载电流最多不超过100mA，按说1A的BT131就已经足够了，但使用4A的BT136还偶尔会坏，是可控硅质量问题，还是我的电路参数有问题？

另外，有谁知道可控硅的门极触发电流是怎么计算得来的？

在之前的BT131电路中R55、R56的阻值是330欧姆，后来的BT136电路中去掉了R56、R55的阻值还是330欧姆。

是不是这个值太小了，触发电流太大引起的损坏？

关于电路图做一下补充：

1.电阻R68实际用的是75欧姆 2.电容C11用的是103 630V（0.01u）

3.压敏电阻R75用的是471V的

回答一：

对双向可控硅驱动，技术已十分成熟了。对感性负载，驱动电路不要这样接，有经典的参考电路，请参考相应的资料。

我认为该处应该用ＣＢＢ电容(聚丙烯电容（CBB）)，其特性有利于浪涌的吸收。如果受体积限制，类似的电路我也这样用。

ＣＢＢ电容

回答二：

照这个图来做，烧了可控硅那就是你的质量太差了！

此电路我用了3年，现在还在用。

左边的电路为恒流，输入5-30V都不会烧坏光耦。

双向可控硅的工作原理

双向可控硅是一种常用的电子元件，可实现电流的双向控制，广泛应用于各种电力电子设备之中。在实际应用中，双向可控硅的工作原理非常关键，因此本文将详细介绍双向可控硅的工作原理。

一、双向可控硅的结构

双向可控硅的结构如下图所示：

双向可控硅包括四个外接引脚：主极（Anode，A）、发射极1（Gate 1，G1）、发射极2（Gate 2，G2）和阴极（Cathode，K）。主极和阴极是整个器件的两个主要节点，G1和G2用于控制两个 PN 结的导通，从而实现电流的正反向控制。

二、双向可控硅的电路模型

为了更好地理解双向可控硅的工作原理，可以采用等效电路模型进行分析，如下图所示：

在等效电路模型中，主极和阴极之间用电阻 R 代表器件的一些固有电阻，PN1 和

PN2 分别表示两个 PN 结。G1 和 G2 分别与 PN1 和 PN2 相连，用电流源 ig1 和 ig2

代表控制电流。Ia 表示主极和阴极之间的电流，控制电流 ig1 和 ig2 经过一定逻辑运算得到电流 iPN1 和 iPN2，分别控制 PN1 和 PN2 的导通与截止。

三、双向可控硅的工作原理

1. 双向可控硅的导通

当双向可控硅的主极为正极，阴极为负极，此时 PN1 和 PN2 的结电压为零，即二极管电压低于正向导通电压。在控制引脚 G1 和 G2 中，如果同时施加正脉冲信号，就可以使 iPN1 和 iPN2 都大于零，从而使 PN1 和 PN2 同步导通，实现电流的流动。此时，主极和阴极间的电流按这个方向通过整个器件，双向可控硅处于正向导通状态。

2. 双向可控硅的截止

在正向导通状态下，只需要阻断 G1 或 G2 中的任意一个 PN 结即可实现截止状态。在正向导通状态下，如果断开 G1 电压源，电流将重新从 G2 流入 PN2，PN2 将继续导通。PN1 会立即截止，导致电流被阻断。同样，如果断开 G2 电压源，电流将重新从 G1 流入

双向可控硅的工作原理

双向可控硅的工作原理 双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可 以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电 极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以

双向可控硅的工作原理

双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可 以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电 极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅 使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起 触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化 2,触发导通 在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见 图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

TRIAC的特性

什么是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。 TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 (第二端子或第二阳极)，T 2(第一端子或第一阳极)和G(控制极)亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在 于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型，如图1所示。因为它是双向元件，所以不管T1 ,T2的电压极性如 何，若闸极有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态；反之，加闸极触发信号，则T1 ,T2间有极高的阻抗。

双向可控硅的工作原理及原理图

双向可控硅（Bidirectional Thyristor）是一种半导体器件，也称为反向可控晶闸管或双向晶闸管。它可以在电路中控制电流方向，并能够在两个方向上导电。本文将探讨双向可控硅的工作原理及原理图。

一、工作原理

双向可控硅由四个层结构组成，其结构如下：

从上图中可以看出，双向可控硅有两个PN结，每个PN结中有一个P层和一个N层。双向可控硅中的三个引脚分别是Anode、Cathode 和Gate。Anode 和Cathode 被用于控制电流的方向，而 Gate 用于控制电流的大小。

当 Gate 电压为0V，双向可控硅处于阻断状态，不允许电流通过。当 Gate 上升到一定电压（通常是0.5V到1.5V）时，由于 Gate 与Anode 之间存在一种物理现象，即 PN 结反向击穿，Gate 电流开始流动并执行电路中的功能。此时，双向可控硅的阻抗变得非常小，允许电流从Anode 流向Cathode。

当 Gate 电压再次降低到0V时，双向可控硅仍然保持导通状态，直到Anode-Cathode 电压降至其维持电压（通常为5V）以下并持续几个毫秒。当Anode-Cathode电压降至零时，双向可控硅恢复到阻断状态。 双向可控硅最常用于交流电路中，因为它可以在两个方向上导电。它允许电流从Anode 流入Cathode 以及从Cathode

流入Anode。这意味着双向可控硅可以用作交流电控制器。例如，在灯光控制中，双向可控硅可用于调节灯光的亮度。

二、原理图

下面是一个双向可控硅的原理图：

在上图中，交流电源连接到电路中的双向可控硅。一个变压器被用来将AC电源分成两半，每半 AC 电压的峰值与其他半波相同但相反。这就是我们所说的半波电压。每个半波电压都通过一个双向可控硅，从而在两个方向上控制电流。 Gate

引脚连接到一个变阻器（不显示在图中），它可以用来控制电流的大小。由于交流电源的极性不是定量的，因此交流电源的一半被连接到电路中的第一个双向可控硅，另一半被连接到电路中的第二个双向可控硅。