下载文档原格式
华创刻蚀机射频工作原理
华创刻蚀机射频工作原理：
华创刻蚀机是一种利用射频(RF) 接收机制来进行刻蚀的设备。
其工作原理如下：
1. 电源供给：将电能输入到刻蚀机中，其中包括射频发生器、功率放大器以及其他必需的电子元件，以提供射频能量。
2. 射频发生器：射频发生器是刻蚀机中的核心部件，产生高频的射频信号。
这个信号通常是一个具有可调频率和功率的正弦波。
3. 功率放大器：射频信号从射频发生器传输到功率放大器中，功率放大器将信号放大以达到所需的刻蚀要求。
4. 射频电极：射频信号通过导电介质传播至刻蚀室中的射频电极。
射频电极通常是平行板状结构，其上覆盖着刻蚀工艺所需的物质。
射频电极的设计决定了刻蚀的模式和效率。
5. 刻蚀过程：在射频电极和工件之间形成放电等离子体，引发刻蚀过程。
射频能量使气体分子激发并电离，生成离子，然后离子逐渐附着在工件表面，实现刻蚀的目的。
总之，华创刻蚀机通过射频发生器产生射频信号，通过功率放大器放大信号的功率，将射频能量传输至刻蚀室的射频电极上，通过激发气体分子实现放电等离子体，从而实现刻蚀工艺。
电子工艺技术-drie电子工艺技术是指用于制造电子产品的一套工艺和技术方法。
随着电子技术的广泛应用，电子工艺技术的发展也越发重要。
下面将介绍一下常见的电子工艺技术之一：DRIE（深孔等离子体刻蚀）技术。
DRIE技术是一种用于制造微纳米结构的重要工艺技术。
它通过高速离子的刻蚀效应，可以实现对深孔和高纵横比结构的精确加工。
这种技术可以用于制造MEMS（微电子机械系统）器件、集成电路芯片的封装和夹持等领域。
DRIE技术的原理主要包括两个步骤：刻蚀和沉积。
在刻蚀过程中，可以通过调节刻蚀气体的种类和流量、调节刻蚀参数（如功率、压力等）来控制离子束对待加工物表面的刻蚀效果，从而实现对待加工物的制造。
刻蚀过程中，刻蚀气体会在真空环境中被激发形成等离子体，通过加速器把等离子体加速并束缚成为高速的离子束，然后将其引导到待加工物表面。
刻蚀气体的选择和刻蚀参数的调节都对最终的加工效果有着重要的影响。
在沉积过程中，可以通过控制刻蚀过程的一些参数来实现对待加工物表面的修复或平滑。
常见的沉积技术有PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和ALD（原子层沉积）等。
它们可以根据加工要求来选择沉积材料和控制沉积层的厚度和均匀性，从而实现对待加工物的精确加工和表面修复。
DRIE技术具有许多优点。
首先，它可以在高温、高真空和强电磁场等特殊环境下进行制造，可以制造出形状复杂且精确的微纳米结构。
其次，DRIE技术还可以实现对不同材料的加工，包括硅、玻璃、陶瓷和金属等。
这种多材料加工的能力使得DRI工艺在多个领域都有广泛的应用。
总之，DRIE技术是一种先进的微纳米加工技术，它可以制造出形状复杂且精确的微纳米结构。
随着电子技术的不断发展，尤其是MEMS技术的广泛应用，DRIE技术在电子工艺技术中起到了举足轻重的作用。
随着工艺和设备的不断改进，DRIE技术将会有更多的应用领域和发展前景。
刻蚀设备与工艺介绍刻蚀是微纳加工技术中一种常用的工艺步骤，用于在材料表面刻出所需要的图案或结构。
刻蚀设备主要包括刻蚀机和刻蚀液。
刻蚀机根据刻蚀的方式不同，可以分为湿法刻蚀机和干法刻蚀机两种。
湿法刻蚀机是基于液相刻蚀原理的设备，主要由液槽、温度控制系统、气泡生成系统、排液系统和控制系统等组成。
其工作原理是将刻蚀液倒入液槽中，通过加热和搅拌使刻蚀液保持一定的温度和均匀度。
在刻蚀过程中，将待刻蚀的工件放入刻蚀槽中，通过控制刻蚀液的pH值、浓度和刻蚀时间等参数，实现对工件表面的刻蚀。
干法刻蚀机是通过物理或化学方式对工件表面进行刻蚀的设备。
常用的干法刻蚀方法包括离子束刻蚀、等离子体刻蚀和反应离子束刻蚀等。
离子束刻蚀是利用高速离子束的动能击打工件表面，使其表面原子脱落从而达到刻蚀的目的。
等离子体刻蚀是通过等离子体中的化学反应，使工件表面发生化学变化，实现刻蚀效果。
反应离子束刻蚀是在离子束中加入反应气体，使其与工件表面反应，达到刻蚀的目的。
刻蚀液是刻蚀过程中用于腐蚀材料的溶液，根据刻蚀的目的和要求可以选择不同的刻蚀液。
常用的刻蚀液包括湿式刻蚀液和干式刻蚀液。
湿式刻蚀液主要是盐酸(HCl)、氟酸(HF)和硝酸(HNO3)等，适用于大多数材料的刻蚀。
干式刻蚀液主要是气体，如氧气(O2)、氟气(F2)和氯气(Cl2)等，适用于特定材料的刻蚀，如金属和硅。
刻蚀技术在微纳加工中起到了至关重要的作用。
它可以实现微纳器件的精确加工和制造，如半导体芯片、光电元件和微机电系统等。
刻蚀技术的精度和效率对于微纳加工的成果和应用具有重要影响，因此需要不断改进和优化。
总结而言，刻蚀设备是微纳加工中一个重要的工艺步骤，包括湿法刻蚀机和干法刻蚀机两种。
刻蚀液根据刻蚀的需求可以选择不同的刻蚀液。
刻蚀技术在微纳加工中具有重要的应用价值，对于制造微纳器件起到了关键作用。
一、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理 3二、刻蚀的基本要求9 （负载效应、图形的保真度、均匀性、表面形貌、刻蚀的清洁）三、等离子体刻蚀的基本过程11 （物理溅射刻蚀、纯化学刻蚀、离子增强刻蚀、侧壁抑制刻蚀）四、影响刻蚀效果的因素14 掩膜的影响、工艺参数的影响（ICP Power源功率、RF Power偏压功率、工作气压气体成分和流量、温度）五、附加气体的影响16六、多种条件刻蚀技术18 高速率刻蚀、高选择比刻蚀、特定剖面刻蚀一、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理包括两套通过自动匹配网络控制的13.56MHz射频电源一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下，刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。
功率的大小直接影响等离子体的电离率，从而影响等离子体的密度。
第二套射频电源连接在腔室内下方的电极上，此电极为直径205mm的圆形平台，机械手送来的石英盘和样品放在此台上进行刻蚀。
激光干涉仪端口ICP功率源水冷却的射频线圈静电屏蔽晶片夹/氦气冷却机制平板功率源实验中刻蚀三五族材料使用的是英国Oxford仪器（Oxford instruments plasma technology）公司的plasma180系统中的plasmalab system100型ICP。
可以刻蚀GaN、AlGaN、GaAs、InP、InGaAs、InGaP/AlGaInP 、InGaAs/InGaAsP等多种化合物材料。
苏州纳米所材料ICP功率：0-3000wRF功率：0-1000w压力范围：1-100mT加工范围：6寸工艺气体：Cl2,BCl3,HBr,CH4,He,O2,H2,N2氦气冷却由氦气良好的热传导性，能将芯片上的温度均匀化1torr=1.333mbarGaN刻蚀ProfileICP操作流程装片1.在Pump界面点击左边Pump图标下Stop，切换至Vent，120s后打开Loadlock2.涂抹真空油脂：根据片子尺寸大小，在托盘上涂抹均匀一层油脂3.放片：放片的时候要用镊子轻轻夹住样片，将样片一边贴在油脂上，慢慢地放下另一边，用镊子按住样片一端，在油脂上稍稍一动样片，以便赶走样片与油脂之间的气泡，使得样片与油脂紧密粘在一起。
等离子体刻蚀机原理什么是等离子体？▪随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。
它们统称为物质的三态。
▪当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子。
这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和正离子（或是带正电的核）组成的状态。
这种状态的物质叫等离子体。
它可以称为物质的第四态。
等离子体的应用等离子体的应用等离子体的产生等离子体刻蚀原理▪等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。
▪这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。
等离子体刻蚀反应▪首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。
CF4→CF3，CF2，CF，C，F▪其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。
▪生产过程中，在CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。
等离子体刻蚀工艺▪装片在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。
将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。
检验方法▪冷热探针法检验原理▪热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。
▪同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。
▪此电势差可以用简单的微伏表测量。
▪热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。
检验操作及判断•确认万用表工作正常，量程置于200mV。
•冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。
•用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为负值，说明导电类型为p，刻蚀合格。
相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为p型。
何谓等离子刻蚀机？等离子刻蚀机又称等离子清洗机，英文名：plasma cleaner是一种全新的高新科技技术，也叫等离子表面处理仪，利用等离子体来达到常规清洗方法无法达到的效果。
对气体施加足够的能量使之离化便成为等离子状态。
等离子体的“活性”组分包括：离子、电子、活性基团、激发态的核素（亚稳态）、光子等。
等离子清洗机就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现改性、清洁、涂覆、光刻胶灰化等目的。
等离子刻蚀机通过对样品表面进行改性（亲水性），同时除掉表面有机物，使多种材料之间能够进行贴合、涂覆、镀膜等工艺操作。
从研究开发到工艺生产使用，从表面微细加工到表面处理改质效果都非常好，应用广泛。
什么是等离子体？等离子体又名电浆，是由带正电的正粒子、负粒子（其中包括正离子、负离子、电子、自由基和各和活性基团等）组成的集合体，其中正电荷和负电荷相等故称等离子体，是除固态、液态、气态之外物质存在的第四态—等离子态。
如果连续为物质提供能量，其温度会相应升高，物质状态会从固态变为液态，然后过渡为气态。
如果继续提供能量，当前原子壳层会发生分裂，并产生带电粒子（带负电荷的电子和带正电荷的离子）。
这种混合物被称作等离子体或者“物质的第四态”。
简而言之：在提供能量的情况下发生了物质状态的变化：固态⇒液态⇒气态⇒等离子态在自然界中存在着等离子体，例如在闪电、极光、火焰和太阳中。
此外，氖管、焊接的时候，以及闪光灯均会产生人造等离子体。
等离子清洗机的原理：用空气或氧气等离子体中进行活化，塑料聚合物的非极性氢键被氧键替代，为表面提供自由价电子与液体分子结合，从而提高“非粘合性”塑料具有很好的粘合性和可喷涂性。
在真空等离子体中，除了空气和氧气之外还可以使用其他气体，这些气体能够在氧气的位置吸附氮气、胺类或者羰基作为反应性基团。
等离子刻蚀机处理后表面的活性在几周和几个月之后仍然有效。
但是，应该尽快进行后续加工，因为随着不断老化，会吸附新的脏污，活性丧失◆等离子刻蚀机广泛用于：1．等离子表面活化/清洗； 2.等离子处理后粘合； 3. 等离子蚀刻/活化； 4. 等离子去胶； 5. 等离子涂镀(亲水,疏水)； 6. 增强邦定性；7.等离子涂覆；8.等离子灰化和表面改性等场合。
等离子体刻蚀机原理什么是等离子体？▪随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。
它们统称为物质的三态。
▪当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子。
这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和正离子（或是带正电的核）组成的状态。
这种状态的物质叫等离子体。
它可以称为物质的第四态。
等离子体的应用等离子体的应用等离子体的产生等离子体刻蚀原理▪等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。
▪这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。
等离子体刻蚀反应▪首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。
CF4→CF3，CF2，CF，C，F▪其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。
▪生产过程中，在CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。
等离子体刻蚀工艺▪装片在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。
将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。
检验方法▪冷热探针法检验原理▪热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。
▪同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。
▪此电势差可以用简单的微伏表测量。
▪热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。
检验操作及判断•确认万用表工作正常，量程置于200mV。
•冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。
•用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为负值，说明导电类型为p，刻蚀合格。
相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为p型。
•如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。
一．等离子体刻蚀工艺原理:等离子体刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性微粒与被刻蚀材料起化学反应产生辉发性物质进行刻蚀的。
同时为了保证氟离子的浓度和刻蚀速度必须加入一定比例的氧气生成二氧化碳。
二．主要用途及适用范围：该设备主要对太阳能电池片周边的P—N结进行刻蚀，使太阳能电池片周边呈开路状态。
也可用于半导体工艺中多晶硅，氮化硅的刻蚀和去胶。
三．使用环境及工作条件：1）环境温度：5℃—40℃；2）相对湿度：<70%；3）环境净化等级：>10000级；4）大气压强：一个标准大气压；5）电源：三相交流380（1±10%）V，频率50 （1±10%）Hz；6）所用气体压力：0.1Mpa—0.2 Mpa；所用气体为四氟化碳、氧气和氮气。
7）每台设备要有良好的，独立的接地且接地电阻最好小于0.1Ω；四．总体结构：本设备由真空管路系统、气路系统、反应室、压力控制系统、SY型射频功率源、电源供电及控制部分组成。
1）真空管路系统主要由2X—15型旋片式真空泵、电磁隔断放气阀、波纹管、碟阀、预抽阀、电磁隔断阀组成。
2）气路系统主要由控制四氟化碳、氧气、尾气、稀释、氮气的电磁阀及不锈钢管和软管组成。
其中为了精确控制四氟化碳和氧气10:1的混合比例，在控制四氟化碳和氧气电磁阀的后级加了质量流量计。
（这里要附带讲一下关于工作压差的问题，我们所用的质量流量计的工作压差为0.1Mpa—0.5Mpa。
而反应室的辉光工作压力为80Pa或更低，尤其是在充气瞬间。
因此这就是为什么要求供气压力设定为0.1Mpa—0.2 Mpa的原因。
以前出现过由于硅片刻不通，操作工以为供气压力小，盲目的将供气压力调至0.6 Mpa。
导致质量流量计无法正常工作，影响了反应室中四氟化碳和氧气10:1的混合比例，无法满足辉光工作压力，无法正常辉光。
另外每次检修开机前也一定要检查供气压力，最好设定至0.15Mpa。
）3）反应室主要由石英管及上下密封圈组成，密封的好坏直接关系到刻蚀的效果。
正常情况下辉光颜色呈乳白色，如果为粉红色，说明有漏气情况，这时候应检查密封圈和石英管的好坏。
当然还有其他情况在此就不一一说明了。
4）压力控制系统主要由压力控制仪、电容式薄膜压力变送器和电动执行器组成。
本系统通过压力控制仪设定的辉光工作压力与电容式薄膜压力变送器实际检测压力进行比较, 将差值反馈回压力控制仪，压力控制仪再去控制电动执行器的开度。
从而实现闭环负反馈系统。
5） SY型射频功率源采用它激式、石英晶体稳频、前级采用FU—50F电子管，后级功率输出采用金属陶瓷四级管FU—100F。
感性负载与匹配器之间采用编织铜线连接，匹配是否良好由通过式功率计指示并通过匹配器上的电容进行匹配调节。
5. 1 ) SY型射频功率源的主要技术性能；5.1.1 )规格: 1KW；5.1.2 )板极电压: 100V—2500V连续可调；5.1.3 )板极电流:≤0.5A；5.1.4 )输出功率: 1.8—1KW连续可调；5.1.5 )连续工作时间:4小时；5. 1 )频率: 13560KHz；5. 2 )联调辉光：所谓联调辉光是指在反应室中工作压力满足要求时进行辉光。
第一次起辉时，将板压调到500V左右，按下绿色按钮（注意事项：辉光前必须按下SY型射频功率源面板上的橙色按钮对电子管已经预热15—20分钟以上。
），同时观察功率计及反应室，如反射功率过大，调节匹配器上的真空电容C1和C2使之先起辉，暂且先不管反射功率有多大。
如果不起辉，可以降低真空度。
因为真空度低容易起辉。
如果还不起辉，可采用短时间内加大功率的方法。
如果还不起辉，马上调低一点板压，再调一下匹配器上的电容，再略提高一点板压，如此反复进行，直至起辉。
起辉后观察功率计上的反射功率指针，调节匹配器上的真空电容C1和C2直至反射功率最小。
（注意事项：调节匹配器上的电容要按一定规律进行，C2可调至固定几点，比如200P、300P、500P，C1则从大到小，从小到大均可。
同时电容的调节幅度切勿过大，调节的速度切勿过快。
）如果起辉时真空度低，起辉后可逐渐提高真空度,同时跟踪调节匹配器上的电容。
(这里附带讲一下更换FU—100F电子管时,手不能碰电子管的陶瓷部位,以免手上汗迹沾在陶瓷部位降低电子管的耐压,最好戴汗布手套操作。
)6) 电源供电及控制部分组成。
6.1) 电容式薄膜压力变送器的电源由微型计算机电源供给±15V电源。
6.2) 关于控制部分可以参阅具体的电气原理图。
五．使用与操作：1）打开电源控制柜断路器电源开关及射频电源断路器开关，打开操作面板的电源按钮开关2）打开工作气体（N2，O2，CF4）开关阀，并调整压力在0.15Mpa左右； 3）打开真空泵与射频电源电子管“预热”按钮，待机15—20分钟；4）戴好防护手套，将转换开关打到“手动”状态，并按下“充气”按钮，反应室内外压力一致时会有报警提示，此时可以打开密封盖；5）将硅片按照工艺要求装夹，并小心放入反应室内，盖好密封盖；6）将转换开关打到“自动”状态，并按下“运行”按钮，此时设备将自动运行；7）本机的工艺过程为：预抽—主抽—充气—辉光—抽空—充气；8）结束时报警提示，关掉“运行”按钮后才能打开上盖，取片；9）最后一批次结束后，依次关掉气源、射频开关“预热”按钮、泵开关和面板电源开关；10）注意事项：a）变动工艺时即变动装夹负载容量时必须匹配调试；B）气体流量及各工作过程时间设定严格根据工艺进行变动.；c）辉光时密切注意反射功率情况。
等离子体刻蚀机维修指南1．在SY射频功率源能正常工作情况下1．1 由于操作工粗心大意或不当操作将反应腔的上端盖放偏了，从而导致真空抽不下。
射频功率源不能正常起辉。
1．1．1告诫工人将上端盖放正。
1．2 由于操作工在拿放硅片的过程当中有硅片的小角碎裂散落在反应腔与上端盖的密封圈之间导致真空抽不下，射频功率源不能正常起辉。
1．2．1清理碎片。
1．3反应腔上端由于积有污垢导致反应腔与上端盖的密封圈之间有微小漏气，影响了四氟化碳与氧气浓度比例。
1．3．1用沾有酒精的布擦拭反应腔上端与上端盖的密封圈上的污垢。
1．4 由于供气压力超过质量流量计正常工作压差0.1—0.5Mpa范围，从而导致质量流量计失控影响了四氟化碳与氧气浓度比例及正常的起辉压力。
1．4．1及时调整供气压力在0.15—0.2之间（视刻蚀机多少具体分析。
因一，二，三线使用台数不同。
）1．5 员工在行走当中碰到四氟化碳或氧气质量流量显示仪上的阀控开关，使其置于关闭或清洗状态也会影响四氟化碳与氧气浓度比例。
1．5．1将四氟化碳或氧气质量流量显示仪上的阀控开关拨至中间档位即阀控位。
1．6 石英管由于受到长时间的刻蚀，管壁某部位会急剧变薄，出现小针眼。
影响真空度，射频功率源不能正常起辉。
1．6．1更换石英管。
1．7 预抽阀与反应腔的连接软管有小孔或软管两头的接头不紧将导致微小漏气影响四氟化碳与氧气浓度比例。
1．7．1更换软管，拧紧接头。
1．8 真空明显抽不下。
1．8．1先查电磁隔断阀与电磁隔断放气阀是否动作，如不动作。
查电磁隔断阀与电磁隔断放气阀的保险丝是否融断，融断更换保险丝。
如线路板的元器件烧坏有备件以与更换，无备件应逐一检查线路板上的电容，电阻，桥路，二极管，中间继电器等等。
一般整流桥路易坏。
1．8．2真空泵工作时声音异常无节奏感，一般环氧板坏。
拆开上端盖，更换氧板坏。
1．9 在辉光颜色（乳白色）及供气压力正常的情况，多台刻蚀机同时出现刻不通。
1．9．1检查检测工具（万用表，表线，电烙铁的好坏）。
1．10 通至反应室软管的接头处漏气或软管有破裂将导致辉光颜色呈红色严重时将不能辉光。
1．10．1更换软管或对接头处进行处理。
1．11 控制CF4或O2的电磁阀烧坏不能动作将导致刻不通。
1．11．2 更换电磁阀。
2．在SY射频功率源不能正常工作情况下2．1 一般情况下先查保险丝和时间继电器是否坏了。
2．1．1 如果坏了更换。
2．2 如果有板压无板流。
2．2．1 板压接线断，电子管没有板压。
此时应根据图纸查找断线并对其进行焊接。
2．3 有板压，板流小且无入射功率和反射功率。
2．3．1 将射频源和匹配器之间的连接电缆插头及插座用酒精棉球擦干净即可。
2．4 有板压，板流小，有入射功率和有反射功率，但反射功率较大，调不起辉。
2．4．1 有可能是电子管电极与外壳短路，此时应根据图纸查找具体的短路点对其进行处理。
2．5 板压和板流小都很大。
2．5．1 更换电子管，如果没用可能是前级故障。
