磁控溅射沉积系统技术参数

磁控溅射镀膜速度磁控溅射是一种常用的薄膜沉积技术，利用磁场控制离子轰击靶材，使靶材表面的原子或分子通过溅射形成薄膜。

在磁控溅射过程中，镀膜速度是一个非常重要的参数，它决定了薄膜的厚度和生长速率。

本文将从原理、影响因素和优化方法三个方面来探讨磁控溅射的镀膜速度。

一、磁控溅射的原理磁控溅射是利用磁控电子枪或离子枪，将高能粒子轰击靶材表面，使靶材原子或分子从表面脱离并沉积在基片上形成薄膜的过程。

在磁控溅射过程中，由于磁场的存在，离子在空间中形成磁控电子云，从而使离子在靶材表面形成较高的能量密度，从而促进原子或分子的溅射。

而镀膜速度则是指单位时间内沉积在基片上的薄膜厚度。

二、影响磁控溅射镀膜速度的因素1. 靶材材料：不同材料的靶材具有不同的溅射效率，即单位能量导致的溅射原子数目。

一般来说，金属靶材的溅射效率较高，而绝缘体材料的溅射效率较低。

2. 气体氛围：磁控溅射过程中，通常会加入气体氛围，如氧气、氮气等。

不同气体对溅射速率的影响是不同的，一般来说，氧气会增加溅射速率，而氮气则会降低溅射速率。

3. 溅射功率：溅射功率是指离子或电子轰击靶材的能量。

溅射功率越大，镀膜速度也就越高。

4. 基片与靶材的距离：基片与靶材的距离会影响离子或电子的传输路径和能量损失，从而影响溅射速率。

一般来说，靶材与基片的距离越近，溅射速率越高。

5. 磁场强度：磁场强度是影响磁控溅射的关键参数之一，它可以调节离子或电子的轨道，从而影响溅射速率。

磁场强度越大，溅射速率也就越高。

三、优化磁控溅射的镀膜速度的方法1. 调节靶材材料和气体氛围：根据需要调节靶材材料和气体氛围，以获得所需的镀膜速度。

可以通过实验和经验总结来确定最佳的靶材材料和气体氛围组合。

2. 提高溅射功率：通过增加溅射功率，可以提高镀膜速度。

但需注意不要超过靶材的承受范围，以免损坏靶材。

3. 控制基片与靶材的距离：合理控制基片与靶材的距离，可以使离子或电子的传输路径和能量损失最小化，从而提高溅射速率。

JGP-450A型磁控溅射沉积系统用户手册前言：首先感谢购买我们的设备，本着对您负责的精神，并为了确保给您提供最优质的售后服务，特别为您准备了本手册，请您耐心读取相关信息。

如何使用本手册如果您是初次使用该设备，那么您需要通读用户手册。

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本手册涉及的字体及符号说明：字体的大小直接反应父、子关系，符号说明见下表：符号指示性说明代表意义Ø描述性说明没有先后顺序之分，是比q和■高一级目录q详细描述性说明没有先后顺序之分■详细描述性说明有先后顺序之分6提示性说明有利于深刻认识系统，并且可以避免不必要的故障发生警告性说明必须严格遵守的内容，否则会发生严重事故目录绪言 (1)一、系统简介........................................................................................................................1-71、概述 (1)2、工作原理以及技术指标 (2)3、系统主要组成 (3)4、设备的安装 (6)二、系统主要机械结构简介..............................................................................................8-121、磁控溅射靶组件 (7)2、基片加热公转台组件 (8)3、基片挡板组件 (10)4、单基片水冷台组件 (11)5、单基片加热台组件 (11)三、操作规程....................................................................................................................13-16四、电源及控制.............................................................................................................17－22五、注意事项.................................................................................................................23－24六、常见故障与排除........................................................................................................25-26七、紧急状况应对方法 (26)八、维护与维修................................................................................................................27-28绪言JGP450-A型磁控溅射沉积系统是高真空多功能磁控溅射镀膜设备。

磁控溅射沉积sio
磁控溅射沉积（magnetron sputtering deposition）是一种常
用的薄膜沉积技术，它利用磁场和惰性气体离子轰击靶材表面，使
靶材表面的原子或分子被剥离并沉积到基底上形成薄膜。

SiO（二氧
化硅）是一种常见的材料，磁控溅射沉积SiO薄膜具有许多应用，
比如在光学薄膜、光伏器件、集成电路等领域。

从物理角度来看，磁控溅射沉积SiO薄膜的过程涉及到离子轰击、原子扩散和沉积等多个物理过程。

当靶材表面被离子轰击时，
靶材表面的SiO原子或分子会被剥离并以高能量沉积到基底表面上，形成SiO薄膜。

磁场的作用可以提高沉积速率、改善薄膜的致密性
和均匀性。

从工艺参数的角度来看，影响磁控溅射沉积SiO薄膜质量的因
素有很多，比如工艺气压、靶材材料纯度、沉积温度、基底材料等。

合理选择和控制这些工艺参数对于获得高质量的SiO薄膜至关重要。

此外，从应用角度来看，磁控溅射沉积的SiO薄膜具有优良的
光学性能和化学稳定性，因此在制备光学薄膜、光伏器件、集成电
路等方面有着广泛的应用前景。

总的来说，磁控溅射沉积SiO薄膜是一种重要的薄膜沉积技术，它涉及到复杂的物理过程、工艺参数选择和应用前景，对于理解和
掌握这一技术有着重要的意义。

磁控溅射ti的工艺参数嘿，朋友！咱们今天来聊聊磁控溅射 Ti 的工艺参数，这可是个相当有趣又重要的话题哟！你知道吗，磁控溅射 Ti 就像是一场精心编排的舞蹈，而工艺参数就是指挥这场舞蹈的节拍和旋律。

先来说说溅射功率。

这玩意儿就好比是舞者的力量，功率越大，溅射出的粒子就像充满活力的舞者，跳得更高、更远，沉积的速度也就越快。

但要是功率太大了，那可就像舞者用力过猛，容易出现“乱了阵脚”的情况，导致薄膜质量下降。

所以，控制好溅射功率，那可是关键中的关键呐！再讲讲工作气压。

它就像是舞台上的氛围，气压合适，粒子们就能在“舞台”上有序地表演，形成均匀、致密的薄膜。

要是气压太低，粒子们就像在空旷的舞台上找不到伙伴，孤单又迷茫；气压太高呢，它们又像在拥挤的人群中挤来挤去，乱成一团。

你说这是不是很有趣？还有靶基距。

这相当于舞者和观众的距离。

距离适中，观众能欣赏到精彩的表演，也就是能得到质量良好的薄膜。

距离太近，就像观众贴到舞者跟前，会影响表演效果；距离太远，观众又看不清楚，薄膜的质量也就难以保证啦。

至于溅射时间，那就是舞蹈的时长。

时间短了，薄膜还没成型，就像舞蹈刚刚开场就结束，能精彩吗？时间太长，又可能会出现过度沉积，就像舞者跳得太久累得不行，影响整体效果。

还有靶材的纯度，这可关乎着“舞者”的出身。

纯度高的靶材，就像出身名门的舞者，基础好，表演自然精彩；纯度低的靶材，就像半路出家的舞者，总会有些小瑕疵。

温度也是个重要的参数。

它就像舞台的温度，合适的温度能让舞者发挥得更好，让粒子们更活跃，形成的薄膜性能也就更优越。

总之，磁控溅射 Ti 的工艺参数就像是一场精妙的交响乐，每个参数都是一个独特的音符，只有相互协调，才能演奏出美妙的乐章，得到理想的薄膜。

所以，在实际操作中，咱们可得像个经验丰富的指挥家，精心调整每个参数，让这场“磁控溅射之舞”完美呈现！。

pvd 磁控溅射参数
PVD磁控溅射是一种先进的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、光学、电子、医疗和其他领域。

在PVD磁控溅射过程中，通过将材
料加热至高温，然后用离子轰击材料表面，将材料蒸发并沉积在基
板上。

这种技术可以制备出高质量、均匀的薄膜，具有很好的附着
力和致密性。

在PVD磁控溅射过程中，有许多参数需要精确控制以确保薄膜
的质量和性能。

其中包括溅射功率、基板温度、溅射气体压力、溅
射距离、溅射时间等。

这些参数的调节可以影响薄膜的成分、结构、厚度和性能。

溅射功率是影响薄膜沉积速率和结晶度的重要参数。

较高的溅
射功率可以提高薄膜的沉积速率，但也可能导致薄膜结晶度下降。

基板温度对薄膜的结晶度和附着力也有重要影响，通常需要在特定
温度范围内进行控制。

溅射气体压力和溅射距离也会影响薄膜的成分和结构。

高压力
下溅射的薄膜通常具有较高的致密性，而较远的溅射距离可能导致
薄膜成分的改变。

此外，溅射时间的长短也会影响薄膜的厚度和均
匀性。

总之，精确控制PVD磁控溅射的参数对于薄膜的质量和性能至关重要。

通过合理调节这些参数，可以获得具有特定性能的薄膜，满足不同领域的需求。

这使得PVD磁控溅射成为一种非常重要的薄膜沉积技术，为各种应用领域提供了高质量的薄膜材料。

高真空磁控溅射薄膜沉积系统技术指标一、系统的主要组成及技术指标溅射室极限真空度：W6.6xl0-spa（经烘烤除气后）；（洁净真空环境）系统从大气开始抽气：溅射室40分钟可达到6.6x10-4Pa;（抽速快，缩短实验准备时间）系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa;膜厚均匀性：优于±5%,铜膜，200nm1、溅射真空室真空室为圆筒形前开门结构，尺寸e450mmx400mm,全不锈钢结构。

可内烘烤到IOO〜150℃,选用不锈钢材料制造，氮弧焊接，表面进行电化学抛光国内首家钝化处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封；手动前开门结构；靶安装在上盖，基片转台安装在下底盘（靶台与样品台可以实现上下互换）。

真空室组件上焊有各种规格的法兰接口与功能部件相连接2、磁控被射系统：3套2.1靶材尺寸：60mm；2.2提供靶材：不锈钢、钛、铁各一块（仅供测试靶材用）；2.3强磁靶可溅射磁性材料，射频溅射与直流溅射兼容，靶内水冷；2.4每个靶都配备气动控制挡板组件1套；2.5靶在上，向下溅射，具有单独溅射、轮流溅射、共溅射功能（靶与样品台的位置可以调换；2.6暴露大气下，磁控靶可手动调节共溅射角度；2.7磁控靶与基片的距离可调，调节距离为：90730mm。

3、旋转加热基片台3.1基片尺寸和数量：最大可放置1片6英寸圆形样品；4英寸范围内膜厚均匀性：优于±5%,铜膜，200nm（注：工艺部分在乙方现场完成，甲方现场只做安装、调试本机）；3.2基片通过进口加热丝加热方式，样品加热温度：≥700o C,连续可调；加热装置在真空室上法兰上，对基片托板进行加热，通过热电偶控制控温电源实现闭环控制，系统由加热器和1个加热控温电源组成，加热电源配备控温表，控温方式为PlD自动控温及数字显不；3.3基片自转速度5〜20转/分连续可调；3.4气动控制样品挡板组件1套；3.5样品台安装-200V偏压电源（辅助沉积）。

磁控溅射台技术参数磁控溅射台技术参数一、设备名称：磁控溅射台二、采购数量：1台三、技术参数及配置要求：1.真空室：不锈钢真空室2.极限真空：6.7×10-5 Pa（环境湿度≤55%）；3.真空室漏气率：≤5.0×10-7 Pa?L/s；4.抽气速率：系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气，溅射室30分钟可达到9.0×10-4 Pa；5.真空室保压：系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa；6.溅射材料：至少3inch向下兼容；各种金属、合金、化合物、陶瓷、超导、铁磁、铁电、热电、磁性材料薄膜7.溅射靶：Φ60mm可弯曲磁控溅射靶三只（其中一只为强磁靶），上置安装，靶基距6~10cm范围内可调；8.溅射不均匀性：≤±5%（共溅工位Φ75mm范围内，直溅工位Φ37.5mm范围内）9.溅射室规格：内空容量≥0.1m310工件台旋转：中心工位自转，转速5~30rpm可调，11样品加热：样品衬底可加热，共溅加热温度≥600℃，直溅三工位加热温度均达到≥400℃，多段控温模式，控温精度±1%，12．载片量：Φ75mm 样片一片。

13．高效实验模式。

一炉可以完成不少于3次的相互无污染的独立工艺试验。

14．进口射频电源：600W，一台。

15．进口直流电源，1000W，一台。

16．偏压电源，一台。

17．质量流量控制器2台，气路三条Ar、O2、N2，并提供气体Ar、O2、N2各一瓶，以及相关减压阀。

18．复合分子泵，600升/秒，设备选用不低于中科科仪产品。

19．外企生产机械泵：8升/秒，设备选用不低于日本真空独资宁波爱发科产品。

20．超高真空插板阀。

21．自动压力控制系统，配套进口规管。

22．全自动控制系统，包括进口控制模块、工控机、控制软件。

23．配套循环冷却水机、静音空气压缩机。

24. 配套靶材7种：Al、Cu、Cr、Ti、Si、SiO2、Au（其中靶材Au为Φ60mm*3mm，纯度不低于99.99%，其他6种为Φ60mm*5mm，高纯）。

磁控溅射仪主要技术指标
磁控溅射仪主要技术指标
真空室尺寸：视窗不锈钢真空室，Ф200 x200mm
真空系统：配置涡轮分子泵、机械泵（带防返油过滤器）
极限压力：≤1.0 x 10-5Pa
恢复真空时间：恢复工作背景真空6×10-4Pa：35分钟左右（充干燥氮气）
磁控靶组件：配置两个直径2英寸溅射靶枪，带独立挡板，共焦溅射，可以溅射小于等于4英寸的工件；有一个靶枪为磁场增强型，可以溅射厚度不小于3mm的Ni靶材；直流电源和射频电源可以自动切换到两个靶枪实现直流和射频溅射；4英寸工件溅射均匀性优于±5%；溅射重复性优于±3%。

样品尺寸：≤4 inches (约100mm)
运动方式： 0~20RPM
气路系统：配置两路进气，采用知名品牌流量计控制（最大流量50sccm）
计算机控制系统：触摸屏控制系统，可以在触摸屏上实现所有设备操作。