电力电子器件驱动电路
- 格式:doc
- 大小:154.00 KB
- 文档页数:5
电力电子器件及其驱动电路实验报告一、引言电力电子器件的使用已经成为现代电力系统中不可或缺的一部分。
电力电子器件主要应用于交流调制、直流传输、发电机控制、照明系统、电机控制等领域。
因此,针对电力电子器件及其驱动电路的实验研究显得尤为重要。
本报告将介绍我们所设计和构建的电力电子器件及其驱动电路的实验,并阐述实验过程中所用到的材料和方法,同时给出相关实验结果和结论。
二、材料和方法本实验所用到的器材和材料如下:1.三相桥式整流电路;2.IGBT(绝缘栅双极型晶体管);3.隔离型驱动电路;4.直流电源;5.电容;6.电感;7.示波器;8.信号发生器。
实验过程如下:1.首先将电容和电感串联。
2.将IGBT与串联的电容和电感并联,形成一个单臂桥式逆变电路。
3.将上述电路与隔离型驱动电路相连。
4.将三相桥式整流电路连接到隔离型驱动电路的输出端。
5.将信号发生器连接到隔离型驱动电路的输入端,并设定不同的频率,并在示波器上观察输出波形。
6.调整逆变电路的PWM信号,使输出波形变为纯正弦波。
三、实验结果与分析在实验过程中,我们通过改变信号发生器的频率来观察在不同频率下的输出波形。
实验结果表明,当信号发生器的频率在低频率时,输出是一个方波,当频率逐渐升高时,输出波形逐渐接近纯正弦波。
同时,我们在实验过程中发现,当逆变电路的PWM信号调整为一定的占空比时,输出波形能够变为纯正弦波。
由此可以得出,逆变电路的PWM信号占空比是影响输出波形的一个重要因素。
通过测量和分析我们得出,隔离型驱动电路能够有效的控制电力电子器件的开关状态,并降低逆变电路的损耗。
同时,逆变电路的PWM信号占空比是影响输出波形的一个关键因素。
四、结论本次实验我们成功地设计与构建了一个单臂桥式逆变电路,并通过实验验证了隔离型驱动电路的有效性以及PWM信号占空比对输出波形的影响。
实验结果表明,电力电子器件及其驱动电路的设计和优化对于优化电力系统的性能具有重要意义,并有望推动电力系统在未来的发展方向上得以进一步优化。
GTO驱动电路门极可关断晶闸管GTO驱动电路1.电⼒电⼦器件驱动电路简介电⼒电⼦器件的驱动电路是指主电路与控制电路之间的接⼝,可使电⼒电⼦器件⼯作在较理想的开关状态,缩短开关时间,减⼩开关损耗,对装置的运⾏效率、可靠性和安全性都有重要的意义。
⼀些保护措施也往往设在驱动电路中,或通过驱动电路实现。
驱动电路的基本任务:按控制⽬标的要求施加开通或关断的信号;对半控型器件只需提供开通控制信号;对全控型器件则既要提供开通控制信号;⼜要提供关断控制信号。
门极可关断晶闸管简称GTO, 是⼀种通过门极来控制器件导通和关断的电⼒半导体器件,它的容量仅次于普通晶闸管,它应⽤的关键技术之⼀是其门极驱动电路的设计。
门极驱动电路设计不好,常常造成GTO晶闸管的损坏,⽽门极关断技术应特别予以重视。
门极可关断晶闸管GTO的电压、电流容量较⼤,与普通晶闸管接近,因⽽在兆⽡级以上的⼤功率场合仍有较多的应⽤。
2.GTO驱动电路的设计要求由于GTO是电流驱动型,所以它的开关频率不⾼。
GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分,可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。
⽤理想的门极驱动电流去控制GTO 的开通和关断过程,以提⾼开关速度,减少开关损耗。
GTO要求有正值的门极脉冲电流,触发其开通;但在关断时,要求很⼤幅度的负脉冲电流使其关断。
因此全控器件GTO的驱动器⽐半控型SCR复杂。
门极电路的设计不但关系到元件的可靠导通和关断, ⽽且直接影响到元件的开关时间、开关损耗, ⼯作频率、最⼤重复可控阳极电流等⼀系列重要指标。
门极电路包括门极开通电路和门极关断电路。
GTO对门极开通电路的要求:GTO的掣住电流⽐普通晶闸管⼤得多, 因此在感性负载的情况下, 脉冲宽度要⼤⼤加宽。
此外, 普通晶闸管的通态压降⽐较⼩, 当其⼀旦被触发导通后, 触发电流可以完全取消, 但对于GTO, 即使是阻性负载, 为了降低其通态压降,门极通常仍需保持⼀定的正向电流, 因此, 门极电路的功耗⽐普通品闸管的触发电路要⼤的多。
电力电子器件的驱动电力电子驱动电路概述电力电子器件的驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口,是电力电子装置的重要环节,对整个装置的性能很有很大的影响。
采用性能良好的驱动电路,可使电力电子器件工作在理想的开关状态,缩短开关时间,减小开关损耗,对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。
另外,对电力电子器件或整个装置的一些保护措施也往往就近设在驱动电路中,或者通过驱动电路来实现,这使得驱动电路的设计更为重要。
简单的来说,驱动电路的基本任务,就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求,转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间,可以使其开通或关断的信号。
对半控型器件只需要提供开通控制信号,对全控型器件则既要提供开通控制信号,又要提供关断控制信号,以保证器件按要求可靠导通或关断。
驱动电路的具体形式可以是分立式元件构成的驱动电路;对大功率器件来讲还可能是将所有驱动电路都封装在一起的驱动模块;可能是数字集成驱动电路芯片。
而且为达到参数优化配合,一般应首先选择所用电力电子器件的生产厂家专门为其器件开发的专用驱动电路。
但对一般的电力器件使用者来讲最好是采用专业厂家或生产电力电子器件的厂家提供的专用驱动电路件来还可能是将所用电力电子器件的生产厂家专门为其器件开发的专用驱动电路。
给电力电子器件IGBT专门设计混合集成驱动器的,例如:三菱公司的M57962L和M57959L电力电子器件驱动电路要求驱动电路是低压电路,电压一般在数伏以下,而主电路是高压电路,电压可高达数千伏,如果二者之间有电的直接联系,主电路的电压将对驱动电路产生威胁,二者之间需要电气隔离,所以驱动电路与主电路之间的电气隔离是非常重要的。
常采用磁隔离和光耦隔离两种方式。
光耦隔离一般采用光耦和器(光耦和器由发光二极管和光敏晶体管组成,封在一个外壳内)。
其类型有普通、高速、和高传输比三种,内部电路和基本接法分别如图1-1所示。
磁隔离通常是脉冲变压器(当脉冲较宽时,为避免铁心饱和,常采用高频调制和解调的方法)ER ERERa )b )c )U inU outR 1I C I D R 1R 1图1-1 光耦和器的类型及接法a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型下面分别介绍几种常用电力电子器件对驱动电路的要求。
驱动电路的概念及分类
驱动电路是指用来驱动其他电子元件(如电动机、发光二极管等)的电路。
它主要通过控制电流、电压等参数的变化来控制被驱动元件的工作状态。
驱动电路的分类较为多样,常见的分类如下:
1. 电机驱动电路:用来驱动各种类型的电机,如直流电机、步进电机、交流电机等。
电机驱动电路通常会包含功率放大器、电流传感器和驱动控制器等部分,用来提供所需的功率和控制信号。
2. 光电器件驱动电路:用来驱动光电器件,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等。
这些驱动电路可以根据应用的需要提供不同的电流和电压波形,以控制光电器件的发光强度和工作模式。
3. 传感器驱动电路:用来驱动各种类型的传感器,如温度传感器、压力传感器、光敏传感器等。
传感器驱动电路通常会包含信号放大器、滤波器和数字转换器等部分,用来放大、滤波和转换传感器所产生的信号。
4. 显示器驱动电路:用来驱动各种类型的显示器,如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等。
显示器驱动电路通常会包含行驱动和列驱动两部分,用来控制显示器的像素点的亮暗变化。
除了以上几种常见的分类外,还有一些特殊类型的驱动电路,如音频驱动电路、电磁驱动电路等。
不同类型的驱动电路具有各自的特点和应用场景,但它们的基本原理都是通过输入电信号控制输出电信号,从而实现对被驱动元件的控制。
电力电子器件与驱动电路实验报告实验报告:电力电子器件与驱动电路一、实验目的1.了解电力电子器件的基本原理和特性;2.学习电力电子器件与驱动电路的设计和调试方法;3.掌握电力电子器件的基本测量方法。
二、实验原理1.电力电子器件的基本原理2.电力电子驱动电路设计三、实验器材1.晶闸管触发电路2.MOSFET驱动电路3.IGBT驱动电路4.示波器5.多用表6.电阻箱7.直流电源等四、实验步骤1.晶闸管触发电路的设计与调试首先根据实验要求和电路图,选择合适的电阻和电容,设计晶闸管触发电路。
然后将电路搭建好,并连接电源、多用表和示波器等设备。
接下来,通过调整电路参数,观察晶闸管的导通和关断情况,并记录电压和电流的波形。
2.MOSFET驱动电路的设计与调试同样,根据实验要求和电路图,设计MOSFET驱动电路。
搭建电路并连接相应的设备后,通过调整电阻和电容等参数,观察MOSFET的导通和关断情况,并记录电压和电流的波形。
3.IGBT驱动电路的设计与调试按照实验要求和电路图,设计IGBT驱动电路。
搭建电路并连接各种设备后,调整电路参数,观察IGBT的导通和关断情况,并记录电压和电流的波形。
四、实验结果与分析通过实验,我们了解到了电力电子器件的基本工作原理和特性,掌握了电力电子器件与驱动电路的设计和调试方法。
在实验中,通过调整电路参数,我们观察到了晶闸管、MOSFET和IGBT的导通和关断情况,并记录了相应的电压和电流波形。
五、实验结论通过本次实验,我们对电力电子器件与驱动电路有了更深入的了解。
通过实际操作和调试,我们掌握了电力电子器件与驱动电路的设计和调试方法,并且了解了电力电子器件的基本测量方法。
这些知识和技能对于我们今后从事相关工作和研究具有重要的指导和应用价值。
六、实验心得通过实验,我对于电力电子器件与驱动电路有了更深入的了解。
在实验中,我不仅能够独立搭建电力电子器件和驱动电路,还学会了调试电路并观察相应的波形。
驱动电路的比较
电力电子器件的驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口,是电力电子装置的重要环节,对整个装置的性能有很大的影响。
电力电子器件对驱动电路的一般性要求
①驱动电路应保证器件的充分导通和可靠关断以减低器件的导通和开关损耗。
②实现与主电路的电隔离。
③具有较强的抗干扰能力,目的是防止器件在各种外扰下的误开关。
④具有可靠的保护能力当主电路或驱动电路自身出现故障时(如过电流和驱动电路欠电压等),驱动电路应迅速封锁输出正向驱动信号并正确关断器件以保障器件的安全。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。
晶闸管是半控型器件,一般其驱动电路成为触发电路,下面分别分析晶闸管的触发电路,GTO、GTR、电力MOSFET和IGBT的驱动电路。
1晶闸管的触发电路
晶闸管的触发电路的工作原理如下:
1 由V1、V2构成的脉冲放大环节和脉冲变压器TM和附属电路构成的脉冲输出环节两部分组成。
2 当V1、V2导通时,通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。
3 VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设的。
4 为了获得触发脉冲波形中的强脉冲部分,还需适当附加其它电路环节。
晶闸管的触发电路特点:触发脉冲宽度要保证晶闸管可靠导通,有足够的幅值也不能超过晶闸管门级的电压、电流和功率定额等参数。
2 GTO驱动电路
GTO的开通控制与普通晶闸管相似,下图为典型的直接耦合式GTO驱动电路,其工作原理可分析如下:
1 电路的电源由高频电源经二极管整流后提供,VD1和C1提供+5V电压,VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压,VD4和C4提供-15V电压。
2 V1开通时,输出正强脉冲;V2开通时,输出正脉冲平顶部分;
3 V2关断而V3开通时输出负脉冲;V3关断后R3和R4提供门极负偏压。
GTO驱动电路的特点:触发脉冲前沿的幅值和陡度要足够,在整个导通期间都施加正门极电流。
避免电路内部的相互干扰和寄生振荡,可得到较陡的脉冲前沿;缺点是功耗大,效率较低。
3GTR的驱动电路
下图为GTR的一种驱动电路,其包括电气隔离和晶体管放大电路两大部分,本电路的特点是:当负载较轻时,如果V5的发射极电流全部注入V,会使V过饱和,关断时退饱和时间延长。
但是VD2和VD3构成贝克钳位电路可避免上述情况的发生。
V
开通的基极驱动电流应使其处于准饱和导通状态,使之不进入放大区和深饱和区。
关断时,施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗,关断后同样应在基射极之间施加一定幅值(6V左右)的负偏压。
4MOSFET管驱动电路
下图给出了电力MOSFET管的一种驱动电路,也包括电气隔离和晶体管放大电路
两部分。
当无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压。
当有输入信号时A输出正电平,V2导通输出正驱动电压。
跟双极性晶体管相比,
一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。
这
个很容易做到,但是,我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的
驱动,实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流,因为对电容充
电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。
选择/设计MOS管驱动时
第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是,普遍用于高端驱动
NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。
而高端驱动的MOS管导通时源极电
压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
如果在同
一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。
很多马达驱动器
都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流
去驱动MOS管。
◆使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V,使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取15 ~ 20V。
◆关断时施加一定幅值的负驱动电压(一般取 -5 ~ -15V)有利于减小关断时间和关断损耗。
5IGBT的驱动电路
IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器,例如三菱公司的M579系列、富士公司的EXB系列等。
由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化,因而驱动电路性能不好常常导致器件损坏,IGBT对驱动电路有许多特殊的要求:
①驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大。
② IGBT导通后,栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度。
瞬时过载时,栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区而损
坏。
③ IGBT的栅极驱动电路提供给IGBT的正向驱动电压十VGE要取合适的值,特
别是具有短路工作过程的设备中使用IGBT时,其正向驱动电压更应选择所需要
的最小值。
④ IGBT的关断过程中,栅一射极间施加的负偏压有利于IGBT的快速关断,但
也不宜取的过大。
(一般取-10V)
⑤在大电感负载的情况下,过快的开关反而是有害的,大电感负载在IGBT的快
速开通和关断时,会产生高频且幅值很高而宽度很窄的尖峰电压Ldi/dt,该尖
峰不易吸收,容易造成器件损坏。
⑥由于IGBT多用于高压场合,所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔
离,一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。
⑦ IGBT的栅极驱动电路应尽可能地简单、实用,应具有IGBT的完整保护功能,
很强的抗干扰能力,且输出阻抗尽可能地低。
⑧驱动电路的栅极配线走向应与主电流线尽可能远,同时驱动电路到IGBT模块
栅一射引线应尽可能的短,采用双绞线或同轴电缆屏蔽线,并从栅极直接接到被
驱动IGBT的栅一射极。
⑨同一电力电子设备中,使用多个不同电位的IGBT的时候,一定要使用光隔离
器,解决电位隔离的问题。