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模拟电子技术基础王卫东最新版课后复习题答案第三章

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（1）试求 和 ；
（2）请分析 与 的相位关系。
解：（1）分别画出电路的直流通路和交流通路如题3.13解图(a)和 (b)所示，电路为共集—共基组态。
由图(a)列ＫＶＬ方程：
得
故
又因
得
由图(b)得
(2) 与 同相
3.16 电路如题3.16图所示。已知： ， ， ， ， ；场效应管的 ， ；电容 、 、 的值均足够大，对交流信号可视作短路。试求：
解：（1）电路的直流通路题3.5解图(a)所示。得
（2）画出微变等效电路如题2.4解图(b)所示。得
(忽略 )
3.11小信号放大器如题3.11图所示。这是什么组态的放大器？若BJT的 ， ，忽略基区宽调效应，求中频段 、 、 和 。
解：画出电路的交流通路如题3.11解图(a)所示，变形后如图(b)所示，由图可知电路为共基组态。画出对应微变等效电路如图(c)。得
（1）静态工作点 、 和 ；
（2）从漏极输出时的电压放大倍数 及输出电阻 的值；
（3）从源极输出时的电压放大倍数 及输出电阻 的值；
（4）输入电阻 值。
解：（1）画出直流通路如题3.16解图(a)，求静态工作点。
由于 ，故
由电路列KVL方程得
结型场效应管的转移特性方程为
联立以上两方程，并将 及 代入得
B点坐标（ ，０）。由图可见，在保证输出信号 不失真的情况下，其振幅的最大值为：
故输出信号 的振幅的最大摆动范围（动态范围） ４V。
3．5电路如题3.5图所示，已知晶体管V的 ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， 。试估算：
（1）静态工作点Q（画出直流通道）；
（2） ， ， （画出微变等效电路）。
（1）试选择 的值；
（2）求电路的 值；
（3）若要求 ，那么 的阻值应为多大？在这种情况下，电路的 及动态范围 是多少？
解：（1）画出电路的直流通路和微变等效电路分别如题3.4解图(a)、(b)所示。
由
得
又因
得
由电路的直流通路可知 ，故
（2）
（3）因为
所以
由图列写输出回路的动态方程得
由动态方程画出电路的交流负载线如题2.3解图(c)所示，其中A点坐标（０， ），
解上述方程组得
（不合理，舍去）
故
（2）画出漏极输出时的交流等效电路及微变等效电路分别如题4.7解图(b)、(c)所示。若忽略 （视为开路）得
（3）画出源极输出时的交流等效电路及微变等效电路分别如题4.7解图(d)、(e)所示。若忽略 （视为开路）得
第三章晶体管放大电路基础
3.3电路如题3.3图所示。设晶体管的 ， ， ， 。
（1）试求 时的 、 、 及晶体管的集电极功耗 的值；
（2） 若将图中的晶体管换成另一只 的管子，电路还能否正常放大信号？为什么？
解：（1）由题有：
（2）若换为 的三极管，则
此时，BJT工作在饱和区，不能正常发达信号。
3.4电路如题3.4图所示。设 ， ， ， ， ， 。
3.12两级小信号放大器如题3.12图所示。V１和V２的小信号参数分别为 ， 和 ， 。不记两管的基区宽调效应。图中所有电容都是旁路或耦合电容。
（1）画出放大器中频段交流通路；
（2）求放大器中频段 、 和 。
解：（1）放大器中频段交流通路如题2.11解图所示，为两级共射－共射放大器。
（2）由图可得
3.13电路如题3.13图所示。已知： ， ， ， ， ， ， ，各电容均足够大，对交流信号可视为短路； 和 的 ， ， 。

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(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案

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模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。

模拟电子技术基础学习指导与习题解答（谢红主编）第三章思考题与习题解答

模拟电子技术基础学习指导与习题解答（谢红主编）第三章思考题与习题解答

模拟电⼦技术基础学习指导与习题解答（谢红主编）第三章思考题与习题解答第三章思考题与习题解答3-1 选择填空(只填a 、b 、c 、d)(1)直接耦合放⼤电路能放⼤，阻容耦合放⼤电路能放⼤。

(a.直流信号，b.交流信号，c.交、直流信号)(2)阻容耦合与直接耦合的多级放⼤电路之间的主要不同点是。

(a.所放⼤的信号不同，b.交流通路不同，c.直流通路不同)(3)因为阻容耦合电路 (a1.各级Q 点互相独⽴，b1.Q 点互相影响，c1.各级Au 互不影响，d1.Au 互相影响)，所以这类电路 (a2.温漂⼩,b2.能放⼤直流信号，c2.放⼤倍数稳定)，但是 (a3.温漂⼤，b3.不能放⼤直流信号，c3.放⼤倍数不稳定)。

⽬的复习概念。

解 (1)a 、b 、c ，b 。

(2)a 、c 。

(3)a1，a2，b3。

3-2 如图题3-2所⽰两级阻容耦合放⼤电路中，三极管的β均为100，be1 5.3k Ωr =，be26k Ωr =,S 20k ΩR =,b 1.5M ΩR =,e17.5k ΩR =，b2130k ΩR =，b2291k ΩR =，e2 5.1k ΩR =,c212k ΩR =,1310µF C C ==，230µF C =，e 50µF C =，C C V =12 V 。

图题3-2(a)放⼤电路；(b)等效电路(答案)(1)求i r 和o r ;(2)分别求出当L R =∞和L 3.6k ΩR =时的S u A 。

⽬的练习画两级放⼤电路的微变等效电路，并利⽤等效电路求电路的交流参数。

分析第⼀级是共集电路，第⼆级是分压供偏式⼯作点稳定的典型电路，1V 、2V 均为NPN 管。

解 (1)求交流参数之前先画出两级放⼤电路的微变等效电路如图题3-2(b)所⽰。

注意图中各级电流⽅向及电压极性均为实际。

第⼀级中b1I 的⽅向受输⼊信号i U 极性的控制，⽽与1V 的导电类型(NPN 还是PNP)⽆关，i U 上正下负，因此b1I 向⾥流，输出电压o1U 与i U 极性相同；第⼆级中b 2I 的⽅向受o1U 极性的控制，o1U 上正下负，因此b 2I 向⾥流，也与2V 的导电类型⽆关，或者根据c1I 的⽅向(由1c 流向1e )也能确定b 2I 的⽅向是向⾥流。

高频电子技术王卫东第三版 课后题答案

高频电子技术王卫东第三版 课后题答案


部电路是一个线性化双平衡 Gilbert 相乘器电路.
第五章。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
(1)高频信号的某一参数随消息信号的规律发生变化
的过程称为调制,其逆过程称为解调.其中消息信号
称为调制信号,高频信号称为载波信号.调制后的信
号称为已调波信号.
(2)按照调制信号的形成可将调制分为模拟调制和数
振回路好.
(9)高频小信号放大器采用谐振回路作负载,因此,该
放大器不仅有放大作用,而且也具有滤波或选频的作
用.而且由于输入信号较弱,因此放大器中的晶体管
可视为线性元件.高频电子电路中常采用 Y 参数等效
电路进行分析.衡量高频小信号放大器选择性两个重
要参数分别是 , .
(10)不考虑晶体管 的作用,高频小信号调谐放大器
1 按照电流导通角θ来分类,θ=180°的高频功率放
大器称为甲类功放,θ>90°的高频功率放大器称为
甲乙类功放,θ=90°的高频功率放大器称为乙类功
放,θ<90°的高频功率放大器称为丙类功放.
(1)高频功率放大器一般采用谐振回路作为负载,属
丙类功率放大器.其电流导通角θ<90°.兼顾效率和
输出功率,高频功放的最佳导通角为θ=70°.高频功
个”双向元件”,从而导致电路的不稳定.为了消除
的反馈作用,常采用单向化的办法变”双向元件”
为”单向元件”.单向化的方法主要有中和法和失配
法.
(15)晶体管单向化方法中的失配法是以牺牲增益来
换取电路的稳定,常用的失配法是共发-共基.
第二章．。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)

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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。