《信号分析与处理》复习课 - 浙江大学电气工程学院
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《2019浙江大学信号系统与数字电路考研复习精编》《复习精编》是惟学浙大精品考研专业课系列辅导材料中的核心产品。
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信号分析与处理课程习题2参考解答-2010(共5篇)第一篇:信号分析与处理课程习题2参考解答-2010P57-101Ω-j52-j5Ω(1)方法1:先时移→F[x(t-5)]=X(Ω)e,后尺度→F[x(2t-5)]=X()eΩt05Ω-j-j1Ω1Ω方法2:P40时移+尺度→F[x(at-t0)]=X()ea→F[x(2t-5)]=X()e2 |a|a221Ω-j(2)方法2:P40时移+尺度→F[x(at-t0)]=X()e|a|aΩt0aΩ→F[x(-t+1)]=X(-Ω)ejΩ(3)P42频域卷积定理→F[x1(t)⋅x2(t)]=X1(Ω)*X2(Ω)2π→F[x(t)⋅cos(t)]=X(Ω)*[πδ(Ω+1)+πδ(Ω-1)]=X(Ω+1)+X(Ω-1)2π22P57-12F[x(t)]=⎰x(t)e-∞∞-jΩtdt=⎰τ-2E(t+)eτ2ττdt+⎰22Eτ8ωττωτ(-t+)e-jΩtdt=2sin2()=Sa2()τ2424ωτP57-13假设矩形脉冲为g(t)=u(t+)-u(t-),其傅里叶变换为G(Ω),则22F[x(t)]=F[E⋅g(t+)-E⋅g(t-)]=E⋅G(Ω)eEΩτ=⋅G(Ω))2j2P57-15ττττjΩτ-E⋅G(Ω)e-jΩτ=E⋅G(Ω)(ejΩτ-e-jΩτ)图a)X(Ω)=|X(Ω)|e-1jΩ⎧AejΩt0,|Ω|<Ω0=⎨|Ω|>Ω0⎩0,→x(t)=F[X(Ω)]=2π⎰Ω0AejΩt0ejΩtdΩ=AΩ0Asin(Ω0(t+t0))=Sa(Ω0(t+t0))π(t+t0)π图b)X(Ω)=|X(Ω)|ejΩ⎧-jπ⎪Ae,-Ω0<Ω<0⎪jπ⎪=⎨Ae2,0<Ω<Ω0⎪0,|Ω|>Ω0⎪⎪⎩→x(t)=F[X(Ω)]=2π-1⎰-Ω0Ae-jπejΩt1dΩ+2π⎰Ω0Ae2ejΩtdΩ=jπA2A2Ω0t(cos(Ω0t-1))=-sin()πtπt2第二篇:高频电子信号第四章习题解答第四章习题解答4-1 为什么低频功率放大器不能工作于丙类?而高频功率放大器则可工作于丙类?分析:本题主要考察两种放大器的信号带宽、导通角和负载等工作参数和工作原理。
一、题目部分1、简答(1)0.35 BWRT(2)两种损耗机制分别为导线电阻损耗和介质损耗。
导线电阻损耗,是指信号流经导线和返回路径时,由于电阻的能量耗散引起的损耗。
在频域,低频时导线的电阻一般很小,但是随着频率升高,趋肤深度越来越小,导线上的电流分布横截面积变小,因而电阻变大,能量耗散变大。
对于一盎司铜厚度的导线,频率大于10MHz,由于趋肤效应引起的电阻损耗就开始变得明显。
介质损耗,是指由材料的耗散因子引起的介质中的能量损耗。
由于漏电流的存在,大多数材料的体漏电阻率与频率有关,其电阻率随着频率的升高而减小。
频率越高,交流漏电导率越高,介质中的功率损耗也就越高。
2、仿真验证:(3)若取电容为1nF,输入正弦波0sin(wt)V,1*2w GHzπ=则1V VZdVI wCCdt===即周期为0.5nswπ=用ADS仿真验证如下(Figure 1):确实可以很清楚地看出周期为0.5nstest/I_Probe1.im1time=test/I_Probe1.i=1.128E-4112.8fsecm2time=test/I_Probe1.i=-0.001498.9psec(4)0.5盎司铜的方块电阻为1/m sq Ω根据sq R tρ=,则1盎司铜的方块电阻为0.5/m sq Ω则直流电阻为20.5166.76sqd inch R R m w mil==⨯Ω=Ω在频率变高时,由于趋肤效应,电流主要集中在导体的表面,这造成计算体电阻时的有效横截面积变小,从而使得阻值增大。
利用公式δ=matlab 中作图如下(Figure 3):(代码见附件skin_depth.m )Figure 3一盎司的铜的厚度为34um ,可看出从4MHz 开始,趋肤深度就已经开始小于该值。
一般认为,当大于10MHz 时,趋肤深度会比较明显地小于一盎司铜的厚度,此时电阻开始增大。
(5)00.089/x AC pF cm l hε==⨯,即1cm 长的电容值为0.089pF 该近似值未考虑边缘场产生的电容量,边缘场的电容量在板间距与板宽相当时与该估测值相等,因而,实际的总的电容量应为0.178pF/cm对于该结论,利用ANSYS suite 15.0中的 Maxwell (最新版本的Q2D )做了验证,Figure 4电场幅度图像,可以看出边缘场确实比较大,Figure 5仿真得到的电容值,其大小为16.2pf/m ,即0.162pF/cm ,与计算值相当接近。
第二章习题参考解答2.1 求下列系统的阶跃响应和冲激响应。
(1)解当激励为时,响应为,即:由于方程简单,可利用迭代法求解:,,…,由此可归纳出的表达式:利用阶跃响应和冲激响应的关系,可以求得阶跃响应:(2)解 (a)求冲激响应,当时,。
特征方程,解得特征根为。
所以:…(2.1.2.1)通过原方程迭代知,,,代入式(2.1.2.1)中得:解得,代入式(2.1.2.1):…(2.1.2.2)可验证满足式(2.1.2.2),所以:(b)求阶跃响应通解为特解形式为,,代入原方程有,即完全解为通过原方程迭代之,,由此可得解得,。
所以阶跃响应为:(3)解(4)解当t>0时,原方程变为:。
…(2.1.3.1)…(2.1.3.2)将(2.1.3.1)、 (2.1.3.2)式代入原方程,比较两边的系数得:阶跃响应:2.2 求下列离散序列的卷积和。
(1)解用表格法求解(2)解用表格法求解(3)和如题图2.2.3所示解用表格法求解(4)解(5)解(6)解参见右图。
当时:当时:当时:当时:当时:(7) ,解参见右图:当时:当时:当时:当时:当时:(8),解参见右图当时:当时:当时:当时:(9),解(10) ,解或写作:2.3 求下列连续信号的卷积。
(1) ,解参见右图:当时:当时:当时:当时:Array当时:当时:解当时:当时:当时:当时:当时:解(4) ,解(5) ,解参见右图。
当时:当时:当时:当时:(6) ,解(7) ,解(8) ,解(9) ,解2.4 试求题图2.4示系统的总冲激响应表达式。
解2.5 已知系统的微分方程及初始状态如下,试求系统的零输入响应。
(1) ;解,,(2) ;,解,,,,可定出(3) ;,解,,,可定出2.6 某一阶电路如题图2.6所示,电路达到稳定状态后,开关S于时闭合,试求输出响应。
解由于电容器二端的电压在t=0时不会发生突变,所以。
根据电路可以立出t>0时的微分方程:,整理得齐次解:非齐次特解:设代入原方程可定出B=2则:,2.7 积分电路如题图2.7所示,已知激励信号为,试求零状态响应。
浙江大学宁波理工学院2014–2015学年第一学期《信号分析与处理》课程期末考试试卷A 答案一、选择题(共10分,每空2分) 1、一信号⎩⎨⎧><=2/1||02/1||1)(t t t x ,,,则其傅立叶变换为 C 。
A.ωωsinB.ωω22sin C.2/)2/sin(ωω D.πωπωsin2、一信号x(t)的最高频率为100Hz ,则利用冲激串采样得到的采样信号x(nT)能唯一表示出原信号的最小采样频率为 B 。
A.100B.200C.0.05 D.0.013、积分[]⎰∞∞--+dtt t e t )()('2δδ等于 __C____。
A –1 B1C2D34、有限长序列x[n]是实信号和偶信号,则其离散时间傅立叶变换(DTFT )是 A 。
A.实且偶B.实且为奇C.纯虚且偶D.纯虚且奇5、离散周期信号的频谱具有如下特性 D 。
A.连续非周期B.离散非周期C.连续周期D.离散周期二、分析与计算(6道题,共65分)1、 (8分)试判断下列信号时能量信号还是功率信号。
解:A dt Ae dt t x ET t T TTT ===⎰⎰-∞→-∞→022lim lim )(5分能量有限,故为能量信号 3分2、(7分)判断下列信号是否周期信号,如果是周期信号,求出基波周期解:78/π=Ω3分742=Ωπ为有理数,分母为其基波周期,即N=7 4分3、(10分)求出下列信号的拉氏反变换。
236512-<<-+++}Re{s s s s (反变换)解:21326512+-+=+++=s s s s s S X )( 5分根据收敛域的双边情况,可求出反变换为双边信号如下:[])()()()(t u e t u e S X L t x t t -+==---23125分4、(15分)已知2112523)(---+--=z z z z X ,试问,)(n x 在以下三种收敛域下,哪一种是左边序列?哪一种是右边序列?哪一种是双边序列?并求出各对应的)(n x 。